「はんたいせいりょく」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

ＬＣＤドライバを構成する半導体チップにおいて、半導体基板１Ｓ上のアライメントマーク形成領域にマークＭＫ１を形成する。例文帳に追加

In the semiconductor chip constituting an LCD driver, a mark MK1 is formed in an alignment mark forming area on a semiconductor substrate 1S. - 特許庁

簡単な構成で、反応面内の重力方向下方に滞留し易い生成水を、容易且つ確実に前記反応面から排出することを可能にする。例文帳に追加

To drain the produced water, which stagnates easily and gravitationally downward in the reaction surface, easily and reliably from the reaction surface. - 特許庁

150℃以上の温度でも動作する半導体材料と熱電変換機材料を組み合わせて、一体とした電力変換素子を形成する。例文帳に追加

A semiconductor material and a thermoelectric conversion material that can work even at 150°C or more are combined to make an integral power conversion element. - 特許庁

エンジン１１の排気管内で凝縮水が発生する可能性があると判定されたときに、凝縮水抑制制御実行条件が成立しているか否かを判定し、凝縮水抑制制御実行条件が成立していると判定されたときに、凝縮水抑制制御を実行する。例文帳に追加

When it is determined that there is a possibility of forming condensate in the exhaust pipe of an engine 11, it is determined whether condensate inhibition control execution conditions are satisfied, and condensate inhibition control is made if it is determined that the condensate inhibition control execution conditions are satisfied. - 特許庁

半導体装置１００は、ゲート電極１０８が形成された素子形成領域と、素子形成領域の外周に形成されるとともに素子分離領域１１８域が形成された外周領域と、を有する。例文帳に追加

The semiconductor device 100 has an element forming region in which a gate electrode 108 is formed, and an outer circumferential region formed on the outer circumference of the element forming region and in which an isolation region 118 is formed. - 特許庁

また、半導体装置の製造方法は、ｎ形半導体領域の表面上の酸化膜をマスクにして、半導体層にｐ形不純物を注入し、半導体層に半導体層よりもｐ形不純物濃度が高いｐ形半導体領域を選択的に形成する工程を有する。例文帳に追加

Further, the semiconductor device manufacturing method comprises a process of injecting a p-type impurity into the semiconductor layer by using the oxide film on the surface of the n-type semiconductor region as a mask to selectively form a p-type semiconductor region having a p-type impurity concentration higher than that of the semiconductor layer on the semiconductor layer. - 特許庁

プラスチック支持体に親水性層及び画像形成層を有する平版印刷版材料において、該親水性層が水性ポリエステル樹脂を０．１質量％〜３０質量％含有することを特徴とする平版印刷版材料。例文帳に追加

In the lithographic printing plate material comprising a hydrophilic layer and an image forming layer on a plastic support, the hydrophilic layer includes 0.1-30 mass% of an aqueous polyester resin. - 特許庁

基板に形成された電極にはんだペーストを印刷するために用いるマスキング材料であって、前記はんだペーストに用いるビヒクルと、無機質の粉体とを含有することを特徴とするマスキング材料。例文帳に追加

The masking material is used for printing solder paste on electrodes formed on a board, and contains a vehicle used for the solder paste, and an inorganic powder. - 特許庁

大きな禁制帯幅をもつ金属酸化物半導体層を、既存の金属および半導体基板や半導体材料層上に、低温で形成する方法およびその方法によって作製される半導体材料層を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a metal oxide semiconductor layer having a large forbidden band width on an existing metal and a semiconductor substrate or a semiconductor material layer at low temperatures, and to provide a semiconductor material layer manufactured by the method. - 特許庁

高温動作において配線の金属材料と半導体領域に接続する電極との反応が生じにくく、かつ、高温動作において歪みが生じにくい電力用半導体装置を実現する。例文帳に追加

To provide a power semiconductor device in which the reaction between a metallic material of wiring and an electrode connected to a semiconductor region hardly occurs in high-temperature operation, and strain hardly occurs in the high-temperature operation. - 特許庁

可視光域での波長依存性の少ない低反射性、積層工程の容易性、防汚性、機械強度に優れた多孔性シリカ膜、及びそれを用いた光学材料、半導体材料に好適な積層体を提供する。例文帳に追加

To provide a porous silica film excellent in low reflection having little wavelength dependency at a visible light range, in easiness at a laminating step, in stain-proof and in mechanical strength and to provide a laminated body suitable for an optical material and a semiconductor material using it. - 特許庁

半導体材料上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層の堆積中、パーティクル生成を最小限化する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for minimizing particle generation during deposition of an Si_1-xGe_x layer on a semiconductor material. - 特許庁

冗長度が低く、不良救済率が高い誤り訂正機能付き半導体記憶装置およびその誤り訂正方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage device with an error correction function having low redundancy and high defect affirmative relief rate, and also to provide its error correction method. - 特許庁

直流電力生成手段１ｃは、受信手段１ｂによって受信された搬送波を整流することにより、直流電力を生成する。例文帳に追加

A DC power generating means 1c generates DC power by rectifying the carrier wave received by the receiving means 1b. - 特許庁

本発明は、鋳型材料を含む鋳型を供給することと、鋳型に前駆体を浸透させること、前駆体を鋳型内で反応させて堆積物を形成すること、および鋳型から鋳型材料を除去してメソポーラス材料を形成すること、によってメソポーラス材料を形成する。例文帳に追加

The method includes: preparing a casting mold including a casting material; impregnating a precursor into the casting mold; forming a deposit with a reaction of the precursor in the casting mold; and removing the casting material from the casting mold to form the mesoporous material. - 特許庁

反応ガスを流れを均一に整流してサセプター上面で均一な反応状態を形成して未反応ガスや反応生成物の付着堆積を抑制し、ダストの発生を低下させてウェーハ上への成膜品質の向上を図った半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semi-conductor manufacturing device to improve the quality for forming a film on a wafer by uniformly straightening the flow of a reaction gas, forming a uniform reaction condition on a surface of a susceptor, suppressing adhesion and deposition of non-reacted gas or reaction product, and reducing generation of the dust. - 特許庁

一画素Ｐ内において、アクティブ素子３が形成されている素子形成領域Ａ１の少なくとも半導体層６を、透明な金属酸化物で形成し、アクティブ素子３が形成されていない非素子形成領域Ａ２の半導体層６側方に、透明な金属酸化物層１６を形成する。例文帳に追加

In one pixel P, at least a semiconductor layer 6 in an element forming area A1 where an active element 3 is formed, is formed of a transparent metal oxide, and a transparent metal oxide layer 16 is formed on the semiconductor layer 6 side of a non-element formation area A2 where no active element 3 is formed. - 特許庁

下地電極膜１６の上には、はんだ付けしやすい材料で上地電極膜１８が形成されている。例文帳に追加

An overlying electrode film 18 is formed of an easy to solder material on the underlying electrode film 16. - 特許庁

ダイパット用はんだ材料３０として、Ｃｕの含有量が所定値以下のＳｎを主成分とする（Ｓｎ−Ｓｂ）系の高融点はんだ材料を使用して形成された面実装部品を、回路基板の基板端子部に塗布された実装用はんだ材料７０として、（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ）系はんだ材料を用いてはんだ付けする。例文帳に追加

The surface-mount component formed using an (Sn-Sb)-based high-melting-point solder material consisting principally of Sn whose content of Cu is equal to or less than a predetermined value as a die pad solder material 30 is soldered using an (Sn-Ag-Cu-Bi)-based solder material as the mounting solder material 70 applied to a board terminal portion of a circuit board. - 特許庁

基板１上に形成された金属を含有する配線材料膜（被加工膜）１０をパターニングする半導体装置の製造方法であり、先ず、配線材料膜１０上にシリコン系材料からなる反射防止膜１１を介してレジストパターン１３を形成する。例文帳に追加

The method of manufacturing semiconductor devices by patterning a wiring material film (film to be worked) 10 containing metal to be formed on a substrate 1 consists in first forming the resist patterns 13 across an antireflection film 11 consisting of a silicon material on the wiring material film 10. - 特許庁

金属層（２４０）を形成金属層（２４０）を形成後、半導体ウェハ上に感光性絶縁材料（２５０）を形成し、パターニングする。例文帳に追加

After forming the metallic layer 240 by a forming metallic layer 230, a photosensitive insulation material 250 is formed on the semiconductor wafer, and patterning is made. - 特許庁

また、金属膜２２には、はんだ層２５が形成されるはんだ形成領域２４と、サブマウント基板２１が露出された金属膜除去部２６とが設けられている。例文帳に追加

In the metal film 22, a solder forming region 24 where the solder layer 25 is formed, and a metal film removed part 26 where the submount substrate 21 is exposed, are formed. - 特許庁

半導体領域となるＳｉ層２の上の一部に、熱酸化膜３を介して活性領域形成用マスク４を形成する。例文帳に追加

A mask 4 for active region formation is formed in a part on an Si layer 2 via a thermal oxide film 3. - 特許庁

順次スタックトレイ上に積載されるシートの最大積載量を正確に判別する。例文帳に追加

To accurately determine the maximum load of sheets sequentially loaded on a stack tray. - 特許庁

半導体基板の表面に、活性領域を画定する素子分離絶縁膜が形成されている。例文帳に追加

An element isolation insulating film for demarcating an active region is formed on a surface of a semiconductor substrate. - 特許庁

特に相変化材料を含む半導体装置において、読み出し動作の信頼性を向上させる。例文帳に追加

To enhance reliability in read operation especially in a semiconductor device including a phase change material. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体材料からなる基板へのオーミック接続形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ohmic connection forming method to a substrate consisting of a wideband gap semiconductor material. - 特許庁

Ｈｉｇｈ−ｋ材料を用いて良好な電気的特性を示す半導体装置を形成する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device exhibiting satisfactory electric characteristics using high-k materials, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

これら反射プリズム１０２、１０３は、樹脂材料を用いたインジェクションモールドにより形成される。例文帳に追加

The reflection prisms 102, 103 are formed by an injection molding using resin material. - 特許庁

抵抗材料膜を有する信頼性の高い半導体装置、およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a reliable semiconductor device having a resistance material film, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

二酸化炭素を回収、再生、再利用し、かつ、半導体基板上に生じるパーティクルを低減する。例文帳に追加

To collect, reproduce, and reuse carbon dioxide while reducing particles generated on a semiconductor substrate. - 特許庁

前景領域の追跡を行う際に、誤検出された領域を含んでいるかを判断できるようにする。例文帳に追加

To enable determination of whether a misdetected region is included when tracking a foreground region. - 特許庁

上記スイッチング素子には、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。例文帳に追加

For the switching element, a transistor including an oxide semiconductor in a channel formation region is used. - 特許庁

照明が反射したホワイトボードや黒板の文字を明瞭に再生できるようにする。例文帳に追加

To sharply reproduce characters on a whiteboard or blackboard where illumination is reflected. - 特許庁

ユーザによるコンテンツの再生操作の状況を反映したプレイリストを作成する。例文帳に追加

To prepare a play list on which the circumstances of the reproducing operation of content by a user are reflected. - 特許庁

有機半導体材料を、融点以上の温度において溶融状態で基板上に供給することを特徴とする半導体層の形成方法。例文帳に追加

This semiconductor layer formation method provides a substrate with organic semiconductor materials melted at a temperature higher than a melting point. - 特許庁

また、第３の半導体領域９と第６の半導体領域１２とは、半導体基板２の上方から見た状態で、半導体基板２の長手方向に並列に形成されている。例文帳に追加

The third and sixth semiconductor areas 9, 12 are formed parallel in the longitudinal direction of the semiconductor board 2 in the top view of the semiconductor board 2. - 特許庁

幕藩体制が揺ぎ始めると、江戸幕府も反幕勢力もその権威を利用しようと画策し、結果的に天皇の権威が高められていく。例文帳に追加

When the shogunate system started to waver, both the Edo Bakufu and the anti-bakufu forces planned to use the authority of the Emperor, and as a result, the authority of the Emperor was heightened.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

カーボンナノチューブ成長用基板１は、基材１上に形成された反応防止層３と、反応防止層３上に形成された触媒材料層４と、触媒材料層４上に形成された分散層５と、分散層５上に形成された分散促進層６とを備える。例文帳に追加

This substrate 1 for carbon nanotube growth includes a reaction preventing layer 3 formed on the substrate 1, a catalyst material layer 4 formed on the reaction preventing layer 3, a dispersion layer 5 formed on the catalyst material layer 4 and a dispersion promoting layer 6 formed on the dispersion layer 5. - 特許庁

画素２４は、基板２２上に形成された第１導電型の半導体層２８と、半導体層２８内に形成された光電変換部１８と、半導体層２８内に形成され、平面的に見て光電変換部１８を囲み、第１導電型の第１の半導体領域３１と第１の半導体領域３１よりも浅い位置に形成された第１導電型の第２の半導体領域３２とを有する分離部とを含む。例文帳に追加

The pixel 24 includes a first conductive type semiconductor layer 28 formed on the substrate 22, a photoelectric conversion part 18 formed in the semiconductor layer 28, and a separation part formed in the semiconductor layer 28, surrounding the photoelectric conversion part 18 in planar view, and having a first conductive type first semiconductor region 31 and a first conductive type second semiconductor region 32 formed in a position shallower than the first conductive region 31. - 特許庁

また、金属膜除去部２６は、矢印Ｙ方向に延びるとともに、はんだ形成領域２４を挟んで対向するように一対に設けられている。例文帳に追加

The metal film removed part 26 is extended toward the arrow direction Y, and arranged in a pair to be opposed to each other via the solder forming region 24. - 特許庁

再生リスト特定部１２２により特定された再生リスト情報の中に、通信端末２により送信された検索楽曲情報に対応する再生楽曲情報が含まれているか否かを判断部１２４が判断すると、送信部１３６が判断の結果を通信端末２に送信する。例文帳に追加

When a decision part 124 decides whether the reproduction musical piece information corresponding to the retrieval musical piece information transmitted from the communication terminal 2 is included in the reproduction list information specified by the reproduction list specification part 122 or not, a transmission part 136 transmits a result of the decision to the communication terminal 2. - 特許庁

微細配線に用いるナノワイヤ構造体が、金を含まない金属材料、および半導体材料から選択される材料からなり、両端に端面を備えたナノワイヤと、端面に形成された金層とを含む。例文帳に追加

A nanowire structure used for a micro wiring includes: a nanowire comprising a material selected from a metal material that does not contain gold and a semiconductor material and including end faces on both ends thereof; and gold layers formed on the end faces. - 特許庁

軽量で、剛性が高く、撓み量が少なく、しかも、温度変化に起因する撓み量も少なく、信頼性の高い搬送ロボット用支持部材を提供する。例文帳に追加

To provide a transfer robot supporting member, light, highly rigid, less deflectable even when a temperature change occurs, and highly reliable. - 特許庁

また、少なくとも一部が第２の半導体領域に接続され、第１の半導体領域に挟まれて形成され、第２の半導体領域より幅の狭い、複数の第２導電型の第３のワイドバンドギャップ半導体領域３２を備えている。例文帳に追加

The semiconductor rectifier device also includes a plurality of third wideband gap semiconductor regions 32 of the second conductivity type, at least a portion of which is connected to the second semiconductor regions, which is formed on a region sandwiched by the first semiconductor regions, and whose width is narrower than that of the second semiconductor region. - 特許庁