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はんたいせいりょくの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11735



例文

寸法安定性、電気特性、成形加工性およびはんだ耐熱性に優れ、回路基板材料、工程・離型材料、電気絶縁材料、印刷材料および成形材料などの各種工業材料用途において、好適に使用できる二軸配向積層熱可塑性樹脂フィルムを提供すること。例文帳に追加

To provide a biaxially oriented laminated thermoplastic resin film excellent in dimensional stability, electric characteristics, molding processability and heat resistance and suitably usable in various industrial materials such as a circuit board material, a process/mold release material, an electric insulating material, a printing material, a molding material and the like. - 特許庁

次いで、この反応性解離副生物とアブレートされた材料とが反応して新たな揮発性の化合物が形成され、この揮発性化合物は、試料上に再堆積することなく、ガスの状態で、ポンプによって除去することができる。例文帳に追加

In turn, the reaction between the reactive dissociation by-product and the ablated material forms a new, volatile compound that can be pumped away in a gaseous state rather than redepositing onto the sample. - 特許庁

このようにして形成された膜材料粒子EPのイオンは、反射電極12で反発され、引出電極13で加速される。例文帳に追加

The resultant ions of the film-material particles EP are repelled by the reflection electrode 12 and accelerated by extraction electrodes 13. - 特許庁

複数の半導体素子12を形成された化合物半導体基板11において、半導体素子12の形成領域と形成領域との間の領域(ダイシング領域14)にイオン注入等によって結晶性の崩れた改質層17を形成する。例文帳に追加

In a compound semiconductor substrate 11 in which a plurality of semiconductor elements 12 are formed, modified layers 17 in which crystallinity is collapsed by ion implantation or the like are formed on regions (dicing regions 14) between forming regions of the semiconductor elements 12. - 特許庁

例文

ヘテロ接合トランジスタ10は、埋込み半導体領域24、上面埋込み絶縁膜34、第1半導体領域42、第2半導体領域44、ゲート電極48が順に形成されている構造を備えている。例文帳に追加

A hetero junction transistor 10 has such structure as an embedded semiconductor region 24, an upper surface embedded insulating film 34, a first semiconductor region 42, a second semiconductor region 44, and a gate electrode 48, are sequentially formed. - 特許庁


例文

液晶表示パネルに外力が加わった場合の耐性が高く且つ適正荷重範囲の中でスペーサの変形量の範囲が広い、かつ良品裕度範囲が広い液晶表示パネルを提供する。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display panel having high resistance when external force is applied thereto, and a wide range of a deformation amount of a spacer in the proper load range and conforming article tolerance. - 特許庁

半導体材料のパターニングにおいて、半導体層を任意のパターンで高速に、メンテナンス性よく形成できるトナーなどを提供する。例文帳に追加

To provide a toner with which a semiconductor layer can be fast formed into a desired pattern with high maintenance property in patterning a semiconductor material. - 特許庁

ゲートをマスクとして、LDD領域が、注入により島状半導体領域に形成される。例文帳に追加

An LDD region is formed by implantation in the island-like semiconductor region by using the gate as a mask. - 特許庁

第1の半導体層の上面上に、絶縁材料からなる第2の絶縁膜18を形成する。例文帳に追加

A second insulating film 18 formed of the insulating material is made on the upper face of the first semiconductor layer. - 特許庁

例文

半導体基板の表面上に、絶縁材料からなる絶縁膜を形成する。例文帳に追加

An insulating film made of an insulating material is formed on a surface of semiconductor substrate. - 特許庁

例文

ボンディングパッド形成領域を縮小することが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that can reduce a bonding pad formation region. - 特許庁

半導体ナノ粒子の表面修飾材料変換方法および精製方法例文帳に追加

METHOD FOR CONVERTING SURFACE MODIFIED MATERIAL OF SEMICONDUCTOR NANOPARTICLES, AND METHOD FOR REFINING THE SAME - 特許庁

これにより、高熱伝導性、高強度、高耐食性、高い黒色度を満たすAlN系セラミックス材料を得ることができ、また、このAlN系セラミックス材料は半導体製造用部材として好適となる。例文帳に追加

Consequently AlN-based ceramic material satisfying high thermal conductivity, high strength, high corrosion resistance and high black degree can be obtained and is useful as a member for producing a semiconductor. - 特許庁

半導体製造装置のクリーニング方法は、チャンバ内壁に堆積した堆積物を除去する堆積物除去ステップと、チャンバ内壁を構成する材料と同一の材料を供給するCVDステップとを順次に有する。例文帳に追加

The cleaning method of a semiconductor manufacturing device has a deposit removal step for removing deposit deposited on a chamber inner wall, and a CVD step for supplying the same material as a material constituting the chamber inner wall. - 特許庁

また、記録シートの搬送に搬送ベルトを用いるときには、搬送ベルトの表面層を低熱伝導率の材料で形成する。例文帳に追加

When using a carrying belt to carry the recording sheet, a surface layer of the carrying belt is formed from a material having a low heat conductivity. - 特許庁

半導体装置用接着材料および樹脂付き金属箔ならびに配線板例文帳に追加

ADHESIVE MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, RESIN-LINED METAL FOIL, AND WIRING BOARD - 特許庁

だが、義満がこれを政治的に利用して反対勢力を討伐していった事は事実である。例文帳に追加

However, it is a fact that Yoshimitsu utilized it for political affairs and used it to suppress opposing forces.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

(ⅱ)反社会的勢力との取引を防止するための事前審査を行う態勢の整備例文帳に追加

(ii) Is there a system for conducting prior screening to prevent transactions with anti-social forces?  - 金融庁

この半導体基板10は、シリコン層16に設けられた回路形成領域A1を有している。例文帳に追加

The semiconductor substrate 10 has a circuit formation region A1 provided on the silicon layer 16. - 特許庁

レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

RESIST PATTERN THICKENING MATERIAL, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

RESIST PATTERN THICKENING MATERIAL, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

絶縁材料で形成された反応容器1の片側を吹き出し口2として開放する。例文帳に追加

One side of a reaction container 1 made of an insulating material is opened as a blowing-out port 2. - 特許庁

また、半導体装置の製造方法は、n形半導体領域の表面及び半導体層の表面を同時に酸化し、相対的に半導体層の表面上よりもn形半導体領域の表面上で膜厚が厚くなる酸化膜を形成する工程を有する。例文帳に追加

Further, the semiconductor device manufacturing method comprises a step of simultaneously oxidizing the surface of the n-type semiconductor region and the surface of the semiconductor layer to form an oxide film having a film thickness relatively thicker on the surface of the n-type semiconductor region than on the surface of the semiconductor layer. - 特許庁

絶縁膜上に半導体膜を形成し、半導体膜の表面に固体レーザー光を照射し、半導体膜の裏面には、絶縁膜の下方に配置された反射体によって反射された固体レーザー光を照射して半導体膜を結晶化させ、結晶化させた半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する。例文帳に追加

A semiconductor film is formed on an insulating film, surface of the semiconductor film is irradiated with a solid-state laser beam, backside of the semiconductor film is irradiated with the solid-state laser light reflected on a reflector arranged below the insulating film in order to crystallize the semiconductor film, and an active layer including the source region, the drain region and a channel forming region is formed by using the crystallized semiconductor film. - 特許庁

金融商品取引業者においては、「企業が反社会的勢力による被害を防止するための指針について」(平成19年6月19日犯罪対策閣僚会議幹事会申合せ)の趣旨を踏まえ、平素より、反社会的勢力との関係遮断に向けた態勢整備に取り組む必要がある。例文帳に追加

Therefore, Financial Instruments Business Operators must strive, on a daily basis, to develop a control environment for banning any relations with anti-social forces in accordance with the purpose of the “Guideline for How Companies Prevent Damage from Anti-Social Forces” (agreed upon at a meeting on June 19, 2007 of cabinet ministers responsible for anti-crime measures).  - 金融庁

次に、商品の売買が成立したか否かを判断し(S6)、売買が成立した場合、売買成立フラグ=1にする(S7)。例文帳に追加

Next, whether article is sold is determined (S6), and a purchase flag is set to 1 (S7) when the article is purchased. - 特許庁

そして、両面電極素子を構成する各素子形成領域がpnコラム領域を構成するp導電型半導体領域とn導電型半導体領域を含むように絶縁分離トレンチを形成し、両面電極素子がp導電型半導体領域又はn導電型半導体領域をドリフト領域とするようにした。例文帳に追加

The isolation separation trenches are formed so that each element formation region forming the dual-face electrode element includes a p-conductivity type semiconductor region and an n-conductivity type semiconductor region forming the pn column region, and the dual-face electrode elements are formed to use the p- or n-conductivity type semiconductor region as a drift region. - 特許庁

更に、前記装置は前記基板内において前記第2半導体領域の側方に形成され、前記第2半導体領域により互いに分離され、電荷蓄積領域として機能する第2導電型の複数の第3半導体領域114と、前記基板内において前記第2及び第3半導体領域上に形成された第1導電型の第4半導体領域116とを備える。例文帳に追加

The device further comprises: a plurality of third semiconductor regions 114 of a second conductive type that are formed on the sides of the second semiconductor region in the substrate, are separated one another by the second semiconductor region, and function as charge storage regions; and a fourth semiconductor region 116 of a first conductive type formed on the second and third semiconductor regions in the substrate. - 特許庁

導電性線材12は、銅、スズなどの一般的な配線材料からなり導電性線材12の中心軸に沿って設けられる導体材料と、導体材料の外周を被覆するとともに導電性接合材料を活性化させる活性剤を分散配置させたはんだ合金とからなる。例文帳に追加

The conductive wire material 12 consists of a conductor material consisting of a general wiring material such as copper, tin or the like and disposed along the central axis of the conductive wire material 12, and a solder alloy covering an outer periphery of the conductor material and formed by dispersing an activator activating a conductive bonding material. - 特許庁

尚、少なくとも容器本体50と蓋材60は、炊飯の加熱に耐える耐熱性と耐水性を有する材料で形成する。例文帳に追加

At least the container body 50 and the lid material 60 are made of a material having heat resistance against heating by rice cooking and watertightness. - 特許庁

本発明の目的は、感光性平版印刷版材料の刷りだしの損紙枚数を低減改良することができる感光性平版印刷版材料の水洗処理用の水洗水および該水洗水を用いた感光性平版印刷版材料の処理方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide washing water for washing a photosensitive planographic printing plate material to decrease and improve the number of waste paper sheets on starting printing with a photosensitive planographic printing plate material, and also to provide a processing method for a photosensitive planographic printing plate material using the above washing water. - 特許庁

半導体装置は、半導体基板101と、半導体基板101の上部に形成されたp型活性領域110と、p型活性領域110の上に形成されたゲート絶縁膜150と、ゲート絶縁膜150の上に形成されたゲート電極106とを有している。例文帳に追加

The semiconductor device has a semiconductor substrate 101, a p-type active region 110 formed at the top of the semiconductor substrate 101, a gate insulating film 150 formed on the p-type active region 101, and a gate electrode 106 formed on the gate insulating film 150. - 特許庁

半導体量子ドットのバンドギャップを広範囲に制御するため、化合物半導体基板上に、互いの高さが均一である複数の半導体量子ドットを形成すること。例文帳に追加

To form a plurality of semiconductor quantum dots having heights equivalent to one another on a compound semiconductor substrate in order to control a band gap of the semiconductor quantum dots in a wide range. - 特許庁

半導体材料及び金属材料を含む化合物のゲルマニウム酸化物層を介した基板内における選択的形成例文帳に追加

SELECTIVE FORMATION OF COMPOUND CONTAINING SEMICONDUCTOR MATERIAL AND METAL MATERIAL IN SUBSTRATE THROUGH GERMANIUM OXIDE LAYER - 特許庁

耐溶剤性、耐薬品性、半田耐熱性に優れた好感度でかつ現像性が良好なパターン形成に極めて優れた感光性材料を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive material excellent in solvent resistance, chemical resistance, soldering heat resistance and excellent in sensitivity and developability, especially excellent in pattern forming property. - 特許庁

半導体基板1の表面に形成された所定領域の素子分離酸化膜2上に複数の抵抗素子4が形成された半導体装置であって、抵抗素子4と近接する位置に活性領域3を設けた。例文帳に追加

In this semiconductor device, in which a plurality of the resistive elements 4 are formed on the element isolating oxide film 2 in a prescribed region formed on the surface of a semiconductor substrate 1, active regions 3 are arranged at positions adjacent to the resistance elements 4. - 特許庁

半導体装置における配線構造は、半導体基板10に形成された下層導体領域18と、下層導体領域18を被覆する絶縁層22B上に形成された上層配線層32と、下層導体層と上層配線層とを電気的に接続する接続孔28とから成る。例文帳に追加

This wiring structure in the semiconductor device consists of a lower layer conductive region 18 formed on a semiconductor substrate 10, an upper layer wiring layer 32 formed on an insulation layer 22B for covering the lower layer conductor region 18, and a connection hole 28 that electrically connects the lower layer conductive layer to the upper layer wiring layer. - 特許庁

基材上に少なくとも半導体を含有する半導体層を有する光電変換材料用半導体において、大気圧または大気圧近傍の圧力下、半導体を形成するための反応性ガスをプラズマ状態とし、該基材を該プラズマ状態の反応性ガスに晒すことにより該半導体層が形成されていることを特徴とする光電変換材料用半導体。例文帳に追加

In the semiconductor for the photoelectric conversion material having a semiconductor layer containing at least the semiconductor on the substrate, under the atmospheric pressure or under a pressure in the neighborhood of the atmospheric pressure, the reacting gas for forming the semiconductor is made in a plasma condition, and by exposing the substrate to the reacting gas in the plasma condition, the semiconductor layer has been formed. - 特許庁

元の基板とその上に形成する半導体材料の格子定数が異なっていても欠陥の少ない良質の半導体材料を形成でき基板に制限されない半導体薄膜構造の作製法、そうした半導体薄膜構造である。例文帳に追加

To provide a manufacturing method and a structure of a semiconductor thin film for forming a high-quality semiconductor material having few defects without restriction of the substrate even if there is a difference in lattice constant between that of the substrate and of the semiconductor material formed thereon. - 特許庁

半導体リングレーザーを有する半導体装置において、周回状に形成されたりリッジ型の光導波路を有する半導体リングレーザーと表面に電極を備える基体とが、該半導体リングレーザーの凹部においてバンプ接続されていることを特徴とする半導体装置。例文帳に追加

In the semiconductor device having a semiconductor ring laser, the semiconductor ring laser having a ridge type optical waveguide formed circumferentially is connected through bumps, in the recess of the semiconductor ring laser, with a substrate having electrodes on the surface. - 特許庁

相分離を起こす2種類以上の反応材料を反応させて反応生成物を得るための反応実施方法であって、2種類以上の反応材料を、それぞれ、連続して送出する、送出工程と、送出されて来た上記反応材料を、1本の細長管内に導入して、一緒に通過させながら反応させて反応生成物を得る、反応工程と、を備えていることを特徴としている。例文帳に追加

The reaction executing method for reacting two or more reactants that cause phase separation to obtain a reaction product includes a sending process for continuously sending the two or more reactants, respectively, and a reaction process for introducing the sent reactants in one elongated tube and making them react while passing together to obtain the reaction product. - 特許庁

半導体領域SR1は、半導体基板1Aにおける半導体領域FD1,FD2と裏面1BKとの間に位置すると共に、裏面1BKに直交する方向から見て、半導体領域FD1,FD2を覆うように形成されており、半導体領域FD1,FD2と逆の導電型である。例文帳に追加

The another semiconductor region SR1 is: arranged between the semiconductor regions FD1 and FD2 and the rear surface 1BK; formed so as to cover the semiconductor regions FD1 and FD2 when viewed from a direction normal to the rear surface 1BK; and a conductivity type opposite to the semiconductor regions FD1 and FD2. - 特許庁

外反母趾に対して適切な矯正力を与え、正常な足骨の形成を助ける外反母趾矯正履物を提供する。例文帳に追加

To provide footwear for correcting hallux valgus which applies a proper correcting force to the hallux valgus and assists the formation of the normal foot bone. - 特許庁

絶縁基板上に単結晶半導体層からなる島状半導体領域を形成する方法において、作製コストを減少させる。例文帳に追加

To reduce manufacturing cost, in a method of forming an island-like semiconductor region formed with a single-crystal semiconductor layer on an insulation substrate. - 特許庁

画像形成装置の用紙反転装置の反転ローラ対離間機構を工夫することにより、モータの小型化を図り、反転ローラ対離間動作の信頼性向上を行ない、且つ用紙搬送路のペーパガイド開閉機構を不要とした用紙反転装置を備えた画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an image forming device with a paper reversing device, capable of miniaturizing a motor by improving a pair of reversing rollers separating mechanism of the paper reversing device, improving the reliability on the pair of reversing rollers separating operation, and dispensing with a paper guide opening and closing mechanism mounted on a paper transporting path. - 特許庁

半導体基板100のうち、IGBT領域20にはIGBTに属する半導体領域1,2,3,5が形成され、ダイオード領域21にはダイオードに属する半導体領域1,4が形成される。例文帳に追加

In a semiconductor substrate 100, semiconductor regions 1, 2, 3, and 5 belonging to an IGBT are formed in an IGBT region, and semiconductor regions 1 and 4 belonging to a diode are formed in a diode region 21. - 特許庁

優れた耐食性を有し、汚染源となりにくく、半導体製造装置に好適に用いることができる複合材料、その複合材料の製造方法、及びその複合材料から形成される半導体製造装置用部材を提供する。例文帳に追加

To provide a composite material excellent in corrosion resistance, hardly acting as a contaminant source, and suitable to be used for a semiconductor production apparatus, a method for producing the composite material, and a member from the composite material and used for the semiconductor production apparatus. - 特許庁

半導体素子形成領域、抵抗素子形成領域等を含む半導体基板の上に第1の絶縁膜を介して多結晶シリコンから成るツェナーザップダイオード半導体層13を設ける。例文帳に追加

A zenerzap diode semiconductor layer 13 formed of polycrystalline silicon is installed on the semiconductor substrate including a semiconductor element forming region and a resistance element forming region through a first insulating film. - 特許庁

また導電ビア5の下面側は、突出した突起構造を有し、かつその突起構造表面にはんだ固相材料層6を形成する。例文帳に追加

Moreover, the lower surface side of the conductive via-hole 5 has a projected projection structure, and a solder solid phase material layer 6 is formed on the surface of the projection structure. - 特許庁

例文

低弾性率で項密着性があり、耐半田クラック性に優れた半導体接着用ダイアタッチペーストを提供する。例文帳に追加

To provide a die attach paste for semiconductor bonding having low elastic modulus, high adhesiveness, and excellent solder crack resistance. - 特許庁

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