「ひけっしょうしつ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ＩＩＩ族窒化物結晶の結晶品質改善方法例文帳に追加

METHOD FOR IMPROVING CRYSTAL QUALITY OF GROUP III NITRIDE CRYSTAL - 特許庁

一つ一つの雪の結晶体例文帳に追加

a snowflake crystal  - EDR日英対訳辞書

透光性複酸化物結晶体は単結晶ＹＡＧ、または多結晶ＹＡＧ、または単結晶MgAl_2O_4（スピネル）、または多結晶MgAl_2O_4のいずれかとする。例文帳に追加

The transmissive double oxide crystal is a single crystal YAG, a polycrystal YAG, a single crystal MgAl_2O_4(spinel), or a polycrystal MgAl_2O_4. - 特許庁

単結晶引き上げ用Ｃ／Ｃルツボ例文帳に追加

C/C CRUCIBLE FOR PULLING SINGLE CRYSTAL - 特許庁

非晶質シリカの結晶化方法例文帳に追加

METHOD FOR CRYSTALLIZING AMORPHOUS SILICA - 特許庁

非晶質シリコンの結晶化方法例文帳に追加

CRYSTALLIZING METHOD OF AMORPHOUS SILICON - 特許庁

髭ににた形状をもつ結晶例文帳に追加

a crystal lattice formation shaped like a whisker  - EDR日英対訳辞書

本発明の微細炭素繊維からなる結晶化促進剤によれば、分子鎖が不規則で結晶化しないか、あるいは結晶化度が低く、従来の結晶化促進剤では結晶化が困難な非結晶性樹脂についても結晶化できる。例文帳に追加

The crystallization promoter comprising the fine carbon fiber can crystallize a noncrystalline resin which does not crystallize caused by irregular molecular chains or has a low degree of crystallization and difficult to be crystallized with a conventional crystallization promoter. - 特許庁

高品質結晶成長方法例文帳に追加

METHOD OF GROWING HIGH QUALITY CRYSTAL - 特許庁

結晶性材料、特に薄膜結晶材料の結晶性評価を迅速かつ効率的に行うこと。例文帳に追加

To quickly and efficiently evaluate the crystallinity of a crystalline material, particularly, a thin film crystalline material. - 特許庁

単結晶引き上げ用炭素ルツボ例文帳に追加

CARBON CRUCIBLE FOR PULLING SINGLE CRYSTAL - 特許庁

単結晶引き上げ用黒鉛ルツボ例文帳に追加

GRAPHITE CRUCIBLE FOR PULLING SINGLE CRYSTAL - 特許庁

単結晶引き上げ用ルツボ例文帳に追加

CRUCIBLE FOR PULLING SINGLE CRYSTAL - 特許庁

非結晶性ポリエステル組成物例文帳に追加

NONCRYSTALLINE POLYESTER COMPOSITION - 特許庁

これにより、結晶品質のよい結晶粒を有する多結晶半導体膜が形成される。例文帳に追加

Thus, the polycrystal semiconductor film having crystal grains with favorable crystalline quality is formed. - 特許庁

絶縁膜は、薄膜結晶層の結晶性を回復させる結晶品質改善層３０を有する。例文帳に追加

The insulation film has a crystal quality improvement layer 30 for restoring crystallinity in the thin-film crystal layer. - 特許庁

非磁性層６３の結晶粒は結晶層６２の結晶粒から成長する。例文帳に追加

Crystal grains of the non-magnetic layer 63 are grown from crystal grains of the crystal layer 62. - 特許庁

下地基板から独立した高品質な半導体結晶（単結晶）を得る。例文帳に追加

To obtain a high-quality semiconductor crystal (single crystal) independent of a substrate. - 特許庁

結晶を結晶軸という座標軸の性質で分類したもの例文帳に追加

a crystal classified by the characteristics of its axis  - EDR日英対訳辞書

再結晶率と結晶粒アスペクト比の分離測定方法および装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR SEPARATELY MEASURING RATE OF RECRYSTALLIZATION AND ASPECT RATIO OF CRYSTAL GRAIN - 特許庁

液−液界面を利用する結晶析出方法及び新規な結晶体例文帳に追加

CRYSTAL PRECIPITATION METHOD UTILIZING LIQUID-LIQUID INTERFACE AND NOVEL CRYSTAL - 特許庁

結晶化パターンおよびこれを用いた非晶質シリコンの結晶化方法例文帳に追加

CRYSTALLIZATION PATTERN AND METHOD OF CRYSTALLIZING AMORPHOUS SILICON USING THE SAME - 特許庁

高品質４Ｈ型炭化珪素単結晶、および単結晶ウェハ例文帳に追加

HIGH QUALITY 4H-TYPE SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND SINGLE CRYSTAL WAFER - 特許庁

単結晶直径の検出方法および単結晶引上げ装置例文帳に追加

METHOD FOR DETERMINING SINGLE CRYSTAL DIAMETER AND SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS - 特許庁

この保持により、バリア層が非結晶質から結晶構造に変化する。例文帳に追加

By this holding, the barrier layer changes from the amorphous structure to the crystal one. - 特許庁

高品質の炭化珪素結晶結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a silicon carbide crystal of high quality. - 特許庁

結果的に、良好な結晶品質の結晶層４を得ることが出来る。例文帳に追加

Accordingly, the crystal layer 4 of good crystal quality is acquired. - 特許庁

単結晶直径の検出方法および単結晶引上げ装置例文帳に追加

METHOD FOR DETECTING THE DIAMETER OF SINGLE CRYSTAL, AND SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS - 特許庁

結晶層３５および磁性結晶粒３２の間や結晶層４１および磁性結晶粒３６の間には非晶質層３４、３９が介在する。例文帳に追加

Amorphous layers 34, 39 exist between the crystal layer 35 and the magnetic grains 32 or between the crystal layer 41 and the magnetic grains 36. - 特許庁

表面が平坦で、欠陥が少なく、結晶粒が大きい結晶を得る。例文帳に追加

To obtain crystal which has flat surfaces and less defects, and whose crystal grains are large. - 特許庁

結晶引上げ設備および重い結晶を製作するための方法例文帳に追加

APPARATUS FOR PULLING UP CRYSTALS AND METHOD FOR MANUFACTURING HEAVY CRYSTAL - 特許庁

多結晶材料中の結晶粒の配向と弾性歪を測定する方法例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING ORIENTATION AND ELASTIC STRAIN OF GRAINS IN POLYCRYSTALLINE MATERIALS - 特許庁

結晶品質を高め、実用的な結晶サイズの（大型の）III族窒化物単結晶を結晶成長させる。例文帳に追加

To enhance the crystal quality and to grow a group III nitride single crystal having a practical crystal size (a large crystal size). - 特許庁

非単結晶絶縁膜上または非単結晶絶縁基板上に、非晶質または多結晶等の非単結晶半導体薄膜を形成してエネルギーを加えて結晶化し、大略結晶方位の揃った結晶欠陥が少ない半導体膜を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor film, whose crystal azimuth is roughly aligned and whose crystal defects are reduced by forming a non-single crystal semiconductor thin film such as amorphous or polycrystals on a non-single crystal insulating film or a non-single crystal insulating substrate, and crystallizing it by adding energy. - 特許庁

種結晶２３を用いて抵抗率測定用のサンプル単結晶２１を引き上げ、サンプル単結晶２１の下端に形成されるサンプル単結晶終端部２１ｄを種結晶としてサンプル単結晶２１に連続して製品となる製品単結晶２２を引き上げる。例文帳に追加

A sample single crystal 21 for measuring specific resistance is pulled by using a seed crystal 23, and a product single crystal 22 to be a product is pulled successively to the sample single crystal 21 by using a sample single crystal end part 21d formed at the lower end of the sample single crystal 21 as a seed crystal. - 特許庁

非単結晶絶縁膜上または非単結晶絶縁基板上に、非晶質または多結晶等の非単結晶半導体薄膜を形成してエネルギーを加えて結晶化する際に、不規則な核発生を抑制し、かつ、結晶成長し易い方位を有する結晶粒を制御して成長し、大略結晶方位の揃った大面積の結晶性半導体膜を得る。例文帳に追加

To obtain a crystalline semiconductor film having a wide area, such that when an energy is applied to crystallize a nonsingle-crystal semiconductor film, such as amorphous or polycrystalline films formed on a nonsingle-crystal insulation film or nonsingle-crystal insulation substrate, the irregular nucleus growth is suppressed, crystal grains having an orientation easy to grow the crystal are controlled, so as to make the crystal orientation approximately uniform. - 特許庁

種結晶に到達する前に析出した微粒子が種結晶に付着することを防いで、種結晶上に成長する結晶品位を劣化させることなく、良質な単結晶を成長させることが可能な化合物半導体結晶の成長方法及び単結晶製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a growing method of compound semiconductor crystal and a manufacturing apparatus of single crystal which are capable of growing single crystal having a good quality without deteriorating the quality of crystal that grows on seed crystal by preventing the fine particles that have been crystallized before they reach to the seed crystal from adhering to the seed crystal. - 特許庁

絶縁性被膜形成用結晶性ガラスおよび該ガラスを熱処理してなる結晶質被膜例文帳に追加

CRYSTALLINE GLASS FOR FORMING INSULATION COATING FILM AND CRYSTALLINE COATING FILM PREPARED BY THERMALLY TREATING THE GLASS - 特許庁

結晶質シリコン膜の膜質計測装置、結晶質シリコン膜の膜質計測方法、及び結晶質シリコン膜の膜質評価方法例文帳に追加

FILM QUALITY MEASURING APPARATUS OF CRYSTALLINE SILICONE FILM, FILM QUALITY MEASURING METHOD OF CRYSTALLINE SILICONE FILM, AND FILM QUALITY EVALUATION METHOD OF CRYSTALLINE SILICONE FILM - 特許庁

半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板を水素雰囲気下８００〜１１００℃で熱処理した後、該熱処理した半導体単結晶基板の表面に顕在化した結晶欠陥の検出を行うことによって、前記半導体単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とする半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法。例文帳に追加

The evaluating method for the crystal defect of the semiconductor single-crystal substrate is performed at least by detecting the crystal defect obviously developed on the surface of the thermally processed semiconductor single-crystal substrate after thermally processing it under a hydrogen atmosphere at 800 to 1,100°C. - 特許庁

単結晶引上げ時の種結晶における応力集中によって、種結晶にチッピングや亀裂が発生し、これらに起因して、種結晶が破断したり、育成した単結晶が落下することを防止することができる単結晶の種結晶保持部材を提供する。例文帳に追加

To provide a member for holding a seed crystal of a single crystal, with which it is possible to prevent breakage of the seed crystal or falling of a grown single crystal, that is caused by the occurrence of chipping or cracks in the seed crystal due to the stress concentration in the seed crystal when the single crystal is pulled. - 特許庁

この工程により結晶性半導体薄膜１０３の表面が著しく平坦化され、且つ、結晶粒界及び結晶粒内の欠陥が消滅して単結晶半導体薄膜又は実質的な単結晶半導体薄膜が得られる。例文帳に追加

By this process, the surface of the crystalline semiconductor thin film 103 is markedly planarized, and defects in grain boundaries or crystal grains are eliminated and thus a single-crystal semiconductor thin film or a substantially single-crystal semiconductor thin film is obtained. - 特許庁

この工程により結晶性半導体薄膜１０４の表面が著しく平坦化され、且つ、結晶粒界及び結晶粒内の欠陥が消滅して単結晶半導体薄膜又は実質的な単結晶半導体薄膜が得られる。例文帳に追加

By this process, the surface of the crystalline semiconductor thin film 104 is markedly planarized and defects in grain boundaries or crystal grains are eliminated, and thus a single-crystal semiconductor thin film or a substantially single-crystal semiconductor thin film is obtained. - 特許庁

ＣＺ法による単結晶の製造において、複数の単結晶を育成する際に、単結晶製造装置のチャンバ内の構造物を取り替えることなく、各単結晶がそれぞれ所望の結晶品質を有するように単結晶を製造できる単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing single crystals, by which a plurality of single crystals, each having a respectively desired crystal quality, can be manufactured without changing structures in a chamber of a single crystal production apparatus when the plurality of single crystals are grown in the production of the single crystals by a CZ method. - 特許庁

少なくとも２つの結晶透過部材は、結晶軸［１１１］、結晶軸［１００］および結晶軸［１１０］のうちのいずれか１つの結晶軸と光軸との間の角度ずれが１度以下に設定されている。例文帳に追加

In at least the two crystal transmission members, the deviation in the angle between one of the crystallographic axes [111], [100], and [110] and the optical axis is set to 1° or less. - 特許庁