「アモルファスはんどうたい」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

銅配線用のアモルファス・バリア層を有する半導体デバイス例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AMORPHOUS BARRIER LAYER FOR COPPER WIRING - 特許庁

半導体薄膜の形成方法およびアモルファスシリコン太陽電池素子例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR THIN FILM AND AMORPHOUS SILICON SOLAR CELL ELEMENT - 特許庁

特定のアモルファス酸化物半導体を選択的にエッチングする。例文帳に追加

To selectively etch a specific amorphous oxide semiconductor. - 特許庁

アモルファスシリコン膜を有する半導体装置の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AMORPHOUS SILICON FILM - 特許庁

アモルファス酸化物半導体の成膜方法および薄膜トランジスタ例文帳に追加

DEPOSITION METHOD OF AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR AND THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁

アモルファス半導体によるオープン・ベース・フォトトランジスタ・アレイ例文帳に追加

OPEN BASE PHOTO-TRANSISTOR ARRAY BY AMORPHOUS SEMICONDUCTOR - 特許庁

アモルファスカーボンを用いた半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING AMORPHOUS CARBON - 特許庁

また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有している。例文帳に追加

The oxide semiconductor includes an amorphous structure. - 特許庁

半導体特性を示すアモルファス鉄シリサイド膜とその作製方法例文帳に追加

AMORPHOUS FERROSILICIDE FILM EXHIBITING SEMICONDUCTOR CHARACTERISTIC AND ITS FORMING METHOD - 特許庁

このアモルファス化ステップでは、欠陥性半導体結晶材料の表面領域を含む領域を部分的にまたは完全にアモルファス化する。例文帳に追加

In the amorphization step, a region including the surface area of the defective semiconductor crystal material is partially or completely amorphized. - 特許庁

半導体基板１００上にアモルファスシリコン膜１０２を形成し、アモルファスシリコン膜１０２の表面に、アモルファスシリコン膜１０２の表面のマイグレーションを防止するストッパ膜１０を形成し、その後、アモルファスシリコン膜１０２の表面からストッパ膜１０を除去する。例文帳に追加

An amorphous silicon film 102 is formed on a semiconductor susbtrate 100, a stopper film 10 for preventing a migration on the surface of the amorphous silicon film 102 is formed on the surface of the amorphous silicon film 102, and then after this, the stopper film 10 is removed from the surface of the amorphous silicon film 102. - 特許庁

ゲート絶縁層と半導体層との間に、アモルファスＳｉ酸化膜、アモルファスＳｉ窒化膜およびアモルファスＳｉ酸窒化膜の少なくともいずれか１つを含む中間層を設けることもできる。例文帳に追加

An intermediate layer containing at least any one of an amorphous Si oxide layer, an amorphous Si nitride film and an amorphous Si oxide nitride film may be provided between the gate insulating film and the semiconductor layer. - 特許庁

半導体薄膜及びその形成方法，半導体薄膜を使用したアモルファスＳｉ太陽電池例文帳に追加

SEMICONDUCTOR THIN FILM AND FORMING METHOD THEREOF, AMORPHOUS Si SOLAR CELL USING THE SEMICONDUCTOR THIN FILM - 特許庁

アモルファス半導体材料を良質な半導体結晶に変換する装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device for converting an amorphous semiconductor material to a high quality semiconductor crystal. - 特許庁

半導体レーザチップの反射側端面にアモルファスシリコン膜を形成する（ステップＳ１５）。例文帳に追加

An amorphous silicon film is formed on the reflection end face of the semiconductor laser chip (step S15). - 特許庁

一実施形態では、半導体装置はアモルファス金属層２２および結晶金属層４２を含む。例文帳に追加

In one embodiment, the semiconductor device comprises an amorphous metal layer 22 and a crystal metal layer 42. - 特許庁

アモルファスカーボン膜、半導体装置、成膜方法、成膜装置及び記憶媒体例文帳に追加

AMORPHOUS CARBON FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, FILM FORMING METHOD, FILM FORMING DEVICE AND STORAGE MEDIUM - 特許庁

それにより、堆積速度を低下させず、良質なセミアモルファス半導体を得ることができる。例文帳に追加

In this way, the semi-amorphous semiconductor having good quality can be obtained without deteriorating the depositing speed. - 特許庁

ソース／ドレイン層１１ａ、１１ｂ上にノンドープアモルファス半導体層１２ａ、１２ｂをそれぞれ形成してから、ノンドープアモルファス半導体層１２ａ、１２ｂ上に金属膜１３を成膜し、ノンドープアモルファス半導体層１２ａ、１２ｂと金属膜１３とを反応させ、ノンドープアモルファス半導体層１２ａ、１２ｂをシリサイド化する。例文帳に追加

After non-doped amorphous semiconductor layers 12a and 12b are respectively formed on source/drain layers 11a and 11b, a metallic film 13 is formed on the amorphous semiconductor layers 12a and 12b and the amorphous semiconductor layers 12a and 12b are silicified by making the semiconductor layers 12a and 12b and metallic film 13 to react with each other. - 特許庁

スパッタ法を用いてＩｎＧａＺｎＯ、ＩｎＷＯなどからなるアモルファス酸化物半導体を形成する場合でも、アモルファス性や膜の平坦性を向上させることができるアモルファス酸化物半導体の成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a deposition method of an amorphous oxide semiconductor in which the amorphousness or the planarity of a film can be enhanced even when an amorphous oxide semiconductor consisting of InGaZnO, InWO, or the like, is formed by sputtering. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下地膜を形成する工程と、下地膜上にアモルファスカーボン膜を成膜する工程と、アモルファスカーボン膜のパターンを形成する工程と、アモルファスカーボン膜をマスクにして下地膜をエッチングする工程を有する。例文帳に追加

A manufacturing method of a semiconductor device includes: a step of forming a base film on a semiconductor substrate; a step of forming an amorphous carbon film on the base film; a step of forming a pattern of the amorphous carbon film; and a step of etching the base film using the amorphous carbon film as a mask. - 特許庁

スイッチトランジスタ５の半導体膜５ｂは、アモルファスシリコンからなる。例文帳に追加

The semiconductor film 5b of the switch transistor 5 is made of amorphous silicon. - 特許庁

アモルファス金属酸化膜を有する容量素子および半導体装置の各製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING CAPACITIVE ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AMORPHOUS METAL OXIDE FILM - 特許庁

半導体装置及びその製法において用いられるアモルファスカーボン膜の製造法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING AMORPHOUS CARBON FILM USED IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

レーザ放射によってアモルファス半導体を改質するための方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR REFORMING AMORPHOUS SEMICONDUCTOR BY LASER RADIATION - 特許庁

アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR USING AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR FILM - 特許庁

これにより、半導体ウエハＷにアモルファスカーボン膜が形成される。例文帳に追加

An amorphous carbon film is formed on each semiconductor wafer W through these processes. - 特許庁

アモルファス膜の形成方法および形成装置、ならびに半導体デバイスの製造方法例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING AMORPHOUS FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

アモルファスカーボン膜の処理方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法例文帳に追加

TREATMENT METHOD OF AMORPHOUS CARBON FILM AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME - 特許庁

アモルファスカーボン半導体及びその製造方法並びに光電変換素子及びその製造方法例文帳に追加

AMORPHOUS CARBON SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT - 特許庁

アモルファスカーボン膜の後処理方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PERFORMING AFTERTREATMENT OF AMORPHOUS CARBON FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING IT - 特許庁

アモルファス炭素膜の成膜方法及びこれを用いた半導体素子の製造方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING AMORPHOUS CARBON FILM AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME - 特許庁

本発明はアモルファス半導体（５２）を改質するための方法及び装置に関する。例文帳に追加

The method and the apparatus are for reforming of an amorphous semiconductor 52. - 特許庁

半導体基板の表層部にイオンを注入してアモルファス化させる。例文帳に追加

The surface layer section of a semiconductor substrate is made into an amorphous form by implanting ions into the section. - 特許庁

第１中間層１５１ｂは、アモルファスシリコン等の非晶質半導体から構成されている。例文帳に追加

The first intermediate layer 151b is formed of amorphous semiconductor such as amorphous silicon or the like. - 特許庁

本発明による半導体の製造方法は、基板を設ける工程と、誘電体層を基板の上に形成する工程と、アモルファス半導体層を誘電体層の上に成長させる工程と、アモルファス半導体層に不純物をドープする工程と、そして高温処理工程をアモルファス層に施して前記アモルファス半導体から結晶化層を形成する工程とを備える。例文帳に追加

The manufacturing method of a semiconductor includes a step of providing a substrate, a step of forming a dielectric layer on the substrate, a step of growing an amorphous semiconductor layer on the dielectric layer, a step of doping impurity in the amorphous semiconductor layer, and a step of forming a crystallized layer from the amorphous semiconductor by performing a high-temperature process on the amorphous layer. - 特許庁

アモルファス半導体薄膜の多結晶化方法および薄膜トランジスタの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR POLYCRYSTALLIZING AMORPHOUS THIN- SEMICONDUCTOR FILM AND METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁

アモルファス半導体膜４の中にキャリア不純物をイオン注入し、その後に熱処理を行うことにより、アモルファス半導体膜４を多結晶化して、第２の多結晶半導体膜５を形成する。例文帳に追加

Then, by ion-implanting carrier impurities into the amorphous semiconductor film 4 and then performing heat treatment, the amorphous semiconductor film 4 is polycrystallized, thus a second polycrystalline semiconductor film 5 is formed. - 特許庁

次に、アモルファス半導体膜３Ａの中にキャリア不純物をイオン注入し、その後に熱処理を行うことにより、アモルファス半導体膜３Ａを多結晶化することにより、第２の多結晶半導体膜４を形成する。例文帳に追加

Then, by ion-implanting carrier impurities into the amorphous semiconductor film 3A and then performing heat treatment, the amorphous semiconductor film 3A is polycrystallized, thus forming a second polycrystalline semiconductor film 4. - 特許庁

バッファ層２は第１及び第２アモルファス半導体層２ａ，２ｃと、第１及び第２アモルファス半導体層２ａ，２ｃ間に介在する単結晶半導体層２ｂとを備える。例文帳に追加

The buffer layer 2 has first and second amorphous semiconductor layers 2a, 2c and a single crystal semiconductor layer 2b locating between the first and the second amorphous semiconductor layers 2a, 2c. - 特許庁

さらに、前記方法では、前記基板上にマイクロ波を照射することにより、前記アモルファス半導体膜をアニールして、前記アモルファス半導体膜から多結晶半導体膜を形成する。例文帳に追加

Further in the method, the amorphous semiconductor film is annealed by being irradiated with a micro wave on the substrate, thereby forming a polycrystalline semiconductor film from the amorphous semiconductor film. - 特許庁

基板上に、アモルファス酸化物半導体層を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記アモルファス酸化物半導体層の上に低分子有機物からなる保護層を有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。例文帳に追加

The thin film electric field effect transistor has a protective layer formed of a low molecule organic substance on the amorphous oxide semiconductor layer. - 特許庁

微結晶１１ａを含むアモルファス半導体膜１１にマイクロ波を用いたアニールを行うことで、微結晶１１ａを核として微結晶１１ａを含むアモルファス半導体膜１１を結晶化する。例文帳に追加

By performing annealing using microwaves to an amorphous semiconductor film 11 containing microcrystals 11a, the amorphous semiconductor film 11 containing the microcrystals 11a is crystallized by using the microcrystals 11a as nucleuses. - 特許庁

銅の導電層と低誘電率の有機絶縁体の間に、アモルファス金属ガラス、好ましくはアモルファス・タンタルアルミニウムを含むバリア層を備える半導体デバイス。例文帳に追加

The semiconductor device has an amorphous metal glass, and a barrier layer preferably including amorphous tantalum-aluminum between a copper conductive layer and an organic insulator having low dielectric constant. - 特許庁

アモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法、アモルファスカーボンナイトライド膜、多層レジスト膜、半導体装置の製造方法および制御プログラムが記憶された記憶媒体例文帳に追加

METHOD FOR FORMING AMORPHOUS CARBON NITRIDE FILM, AMORPHOUS CARBON NITRIDE FILM, MULTILAYER RESIST FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND STORAGE MEDIUM IN WHICH CONTROL PROGRAM IS STORED - 特許庁