「アモルファスはんどうたい」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

絶縁性基板１１上の各下部電極１２上に形成された高抵抗の下部電極側アモルファス半導体層４と、下部電極側アモルファス半導体層４上に形成された複合アモルファス層５と、下部電極１２に直交する方向に列設された複数本の表面電極７とを備える。例文帳に追加

This field emission type electron source is equipped with a lower electrode side amorphous semiconductor layer 4 having high resistance, which is formed on each lower electrode 12 on an insulating substrate 11, a composite amorphous layer 5 formed on the lower electrode side amorphous semiconductor layer 4, and a plurality of surface electrodes 7 arranged perpendicularly to the lower electrode 12. - 特許庁

実施形態による半導体装置の製造方法では、基板上にアモルファス半導体膜を形成する。例文帳に追加

In the manufacturing method of the semiconductor device according to an embodiment the amorphous semiconductor film is formed on a substrate. - 特許庁

形成された凸部を覆うアモルファス半導体膜を成膜した後、レーザ光を照射して半導体膜を溶融状態にして結晶化する。例文帳に追加

After an amorphous semiconductor film is deposited to cover the projection portion, the amorphous semiconductor film is irradiated with laser light to be melted and crystallized. - 特許庁

アモルファス酸化イリジウムのバリア層及び電極を有する強誘電体キャパシタ、集積半導体装置及び集積半導体装置の製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC CAPACITOR WITH AMORPHOUS IRIDIUM OXIDE BARRIER LAYER AND ELECTRODES, INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD - 特許庁

アモルファス半導体材料にマイクロ波を照射することにより該半導体材料を加熱して結晶化させる。例文帳に追加

The semiconductor material is crystallized by heating in such a way that amorphous semiconductor material is irradiated with microwave. - 特許庁

次いで、半導体層にイオン注入を行い、半導体層のドーパント不純物が添加された領域をアモルファス化する。例文帳に追加

Then ions are implanted in the semiconductor layer to make amorphous a region of the semiconductor layer to which the dopant impurity is added. - 特許庁

その後、熱処理を施すことにより、当該アモルファス半導体を多結晶化し、多結晶半導体膜１８とする。例文帳に追加

Thereafter, the amorphous silicon semiconductor 16 patterned into the shape of a gate electrode layer is subjected to heat treatment, by which the amorphous silicon semiconductor 16 is turned polycrystalline, and thus a polycrystalline semiconductor film 18 is obtained. - 特許庁

半導体装置用基板の製造方法は、基板２００上に導電性を有する材料膜２０４ｂを形成する工程と、基板上にアモルファスシリコン膜１を形成する工程と、材料膜を高周波誘導加熱することによって、アモルファスシリコン膜を加熱して、アモルファスシリコン膜を結晶化して、基板上にポリシリコン膜を形成する工程と、を含む。例文帳に追加

The method of manufacturing the substrate for the semiconductor device comprises a process of forming a material film 204b having conductivity on the substrate 200; a process of forming an amorphous silicon film 1 on the substrate; and a process of forming the polysilicon film on the substrate by heating and crystallizing the amorphous silicon film by subjecting a material film to high frequency induction heating. - 特許庁

本発明では、第１の面方位を有するシリコン基板１１上の一部に、アモルファス層１３を形成する工程と、そのアモルファス層１３にマイクロ波を照射し、前記アモルファス層１３を第１の面方位を有する結晶層とする工程とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することができる。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming an amorphous layer 13 partially on a silicon substrate 11 having a first plane orientation; and irradiating the amorphous layer 13 with microwaves to convert the amorphous layer 13 into a crystal layer having a first plane orientation. - 特許庁

プラスチック基板１１等の基板上にアモルファスシリコン層１３を形成する工程と、アモルファスシリコン層１３をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層１３を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of forming an amorphous silicon layer 13 on a substrate such as a plastic substrate 11, a process of patterning the amorphous silicon layer 13 and forming a prescribed pattern to be a thin film transistor, and a process of crystallizing the patterned amorphous silicon layer 13 thereafter, and the semiconductor device provided with the thin film transistor is manufactured. - 特許庁

強誘電体キャパシタを有する半導体装置において、アモルファス層間絶縁膜と当該アモルファス層間絶縁膜内に配される導電性プラグとに跨る領域の上部に、アモルファス金属膜と導電性結晶膜と強誘電体キャパシタの下部電極とをこの順に積層する。例文帳に追加

In the semiconductor device having the ferroelectric capacitor; an amorphous metallic film, a conductive crystalline film, and a lower electrode of the ferroelectric capacitor are laminated in this order on an upper surface of a region which spreads across an amorphous interlayer insulating film and a conductive plug provided in the amorphous interlayer insulating film. - 特許庁

半導体基板上に金属酸化物からなるアモルファス層を形成する工程と、このアモルファス層を酸素を含む雰囲気中で第１の温度で酸化処理する工程の２つの連続した工程を１サイクルとしたときに、この連続する工程を少なくとも２サイクルおこなった後に、前記第１の温度以上の第２の温度で熱処理をおこなってアモルファス層を結晶化する。例文帳に追加

Two successive steps of forming an amorphous metal oxide layer 13 on a semiconductor substrate and oxidating this layer 13 at a first temp. in an O-contg. atmosphere are set as one cycle, and at least two cycles of the successive steps are made, and then heat treatment is made at a second temp. which is lower than the first temp. to crystallize the amorphous layer 13. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、基板の一方の面にアモルファス半導体層を形成する工程と、基板の他方の面に化合物半導体層を形成する際の加熱処理により、アモルファス半導体層を結晶化させる工程と、を備える。例文帳に追加

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming an amorphous semiconductor layer on one surface of a substrate; and crystallizing the amorphous semiconductor layer by heat treatment during which a compound semiconductor layer is formed on the other surface of the substrate. - 特許庁

本発明は、アモルファス半導体膜、セミアモルファス半導体膜、または有機半導体膜を活性層とするＴＦＴを備えた画素部（または駆動回路）が設けられた大面積基板１００に向けて、蒸着源を移動させながら蒸着を行って発光素子を作製する。例文帳に追加

In this application, a light emitting element is formed by carrying out deposition while moving a deposition source toward a large-area substrate 100 equipped with a pixel part (or a driving circuit) having TFTs using, as an active layer, an amorphous semiconductor film, a semiamorphous semiconductor film or an organic semiconductor film. - 特許庁

アモルファスなタンタル−イリジウム拡散バリアを用いた銅相互接続構造、その形成方法、および該方法による半導体デバイス製造方法例文帳に追加

COPPER INTERCONNECTION STRUCTURE USING AMORPHOUS TANTALUM-IRIDIUM DIFFUSION BARRIER, FORMING METHOD THEREFOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE BY THE METHOD - 特許庁

本発明の目的は、アモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴ、閾値電圧変動のない安定した性能のＴＦＴを提供することにある。例文帳に追加

To provide a TFT which uses an amorphous oxide semiconductor, has no threshold voltage variation, and has stable performance. - 特許庁

この後、ダウンフローエッチングにより、アモルファス層１５Ａを半導体基板（結晶層）に対して選択的にエッチングする。例文帳に追加

After that, by a downflow etching operation, the amorphous layer 15A is etched selectively with reference to the semiconductor substrate (a crystal layer). - 特許庁

アモルファスシリコンからなる半導体膜を帯状の基板上に成膜して被照射対象物１１１を作製する。例文帳に追加

A material 111 to be irradiated is fabricated by forming a semiconductor film made of amorphous silicon on a strip-like substrate. - 特許庁

ベース基板５０と一体になったアクティブマトリックス基板２０の表面にアモルファス半導体厚膜を積層形成する。例文帳に追加

An amorphous semiconductor thick film is laminated and formed on the surface of the active matrix substrate 20 integrated with the base substrate 50. - 特許庁

アモルファスカーボン膜の成膜方法、それを用いた半導体装置の製造方法、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体例文帳に追加

METHOD FOR FORMING AMORPHOUS CARBON FILM, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM - 特許庁

フロント接点２０とバック接点３４の間に、１つ以上のアモルファスシリコン含有薄膜半導体２６を堆積することができる。例文帳に追加

One or more thin film semiconductor 26 containing amorphous silicon is deposited between front and back contacts 20, 34. - 特許庁

一形態において、製造の中間段階において半導体装置のアモルファス部分を覆う応力層を歪ませる工程を包含する。例文帳に追加

In one form, a step of straining a stress layer covering an amorphous portion of the semiconductor device in the intermediate stage of manufacture is included. - 特許庁

半導体基板１２表面にゲート絶縁膜１４を形成し、当該絶縁膜上に多結晶半導体膜の代わりにアモルファス半導体膜１６を堆積し、このアモルファスシリコン層１６をゲート電極部としてパターニングする。例文帳に追加

A gate insulating film 14 is formed on the surface of a semiconductor substrate 12, and an amorphous semiconductor film 16 is deposited in place of a polycrystalline semiconductor film on the gate insulating film 14, and the amorphous silicon layer 16 is patterned into the shape of a gate electrode. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、前記エッチングする工程の後に、前記エピタキシャル半導体層４の前記反対面側にアモルファスＳｉ層２６を形成する工程と、前記アモルファスＳｉ層の上に、反射防止膜、カラーフィルタを順に形成する工程を含む。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device further comprises the steps of: forming an amorphous Si layer 26 on the opposite surface side of the epitaxial semiconductor layer 4 after the etching step; and forming an anti-reflection film and a color filter on the amorphous Si layer 26 in this order. - 特許庁

半導体基板１上に、シリコン原子と酸素原子が混ざり合ったアモルファスＳｉＯ_ｘ膜２が形成されること。例文帳に追加

An amorphous Si0_x film 2 in which silicon atoms and oxygen atoms are mixed is formed on a semiconductor substrate 1. - 特許庁

イメージング装置の光センサアレイは、シリコンのような複数アモルファス半導体から形成されるバイポーラフォトトランジスタを使用する。例文帳に追加

The photo sensor array of the imaging device utilizing a bipolar photo transistor formed of a plurality of amorphous semiconductors as silicon. - 特許庁

表面にアモルファスのシリコン膜６１ａを形成された半導体基板１０上に、微結晶を含むシリコン膜を形成する（ｔ１〜ｔ２）。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 10, where an amorphous silicon film 61a is formed on its surface, a silicon film comprising microcrystal is formed. - 特許庁

窒化チタン膜１２の上にｎ形半導体領域１４を部分的に設けるためにアモルファス膜２０を設ける。例文帳に追加

An amorphous film is formed for partially forming the n-type semiconductor area 14 on the titanium nitride film 12. - 特許庁

ここで、半導体層は、結晶シリコン、アモルファスシリコンまたは微結晶シリコンからなっていてもよい。例文帳に追加

In this case, the semiconductor layer may consist of crystal silicon, amorphous silicon, or fine crystal silicon. - 特許庁

さらに、透明電極２とｐ型半導体層４１との間には、高結合比アモルファスカーボン層３が形成されている。例文帳に追加

Furthermore, between the transparent electrode 2 and the p-type semiconductor layer 41, an amorphous carbon layer 3 of a high coupling ratio is formed. - 特許庁

その結果、半導体基板１１の表面領域には、所定の深さのアモルファス層１５Ａが形成される。例文帳に追加

As a result, an amorphous layer 15A in a prescribed depth is formed in the surface region of the semiconductor substrate 11. - 特許庁

活性層としてアモルファス酸化物半導体を用いても、高いオンオフ比を安定して実現することができる薄膜トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a thin-film transistor capable of stably achieving a high on/off ratio even when using an amorphous oxide semiconductor as an active layer. - 特許庁

スパッタ法を用いて基板上にアモルファス酸化物半導体を形成するにあたり、基板を冷却しながら成膜を行う。例文帳に追加

When an amorphous oxide semiconductor is formed on a substrate by sputtering, deposition is carried out while cooling the substrate. - 特許庁

さらに、成膜するアモルファス酸化物半導体としてはＩｎＧａＺｎＯ、ＩｎＷＯ、ＩｎＷＺｎＯまたはＩｎＷＳｎＯが好ましい。例文帳に追加

Furthermore, InGaZnO, InWO, InWZnO or InWSnO is preferable as the amorphous oxide semiconductor to be deposited. - 特許庁

半導体もしくは金属を０．１〜３０原子％含むアモルファス構造の炭素膜からなることを特徴とする。例文帳に追加

This hard carbon film is characterized in that it consists of a carbon film which includes a semiconductor or metal 0.1-30 atom% and having an amorphous structure. - 特許庁

さらに、アモルファス半導体層の高抵抗のため、トランジスタがオフの時に生じる不要な電流は減少する。例文帳に追加

Moreover, unnecessary current generated at the time when the transistor is off decreases due to the high resistance of the amorphous semiconductor layer. - 特許庁

アモルファスシリコンの活性半導体層との界面であれば、この特異なプロセスを応用することが可能である。例文帳に追加

If the interface is with the active semiconductor layer of amorphous silicon, the process can be applied to other purposes. - 特許庁

所望の抵抗値を容易に実現することができるアモルファスカーボン半導体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an amorphous carbon semiconductor and its production method easily obtaining desired resistance. - 特許庁

本発明は、レーザ放射によってアモルファス半導体を改質するための方法及び装置を獲得することを目的とする。例文帳に追加

To obtain a method and an apparatus for reforming an amorphous semiconductor by laser radiation. - 特許庁

この時のエッチング量の制御は、アモルファス層１５Ａなしに、単に、半導体基板１１をエッチングする場合に比べ、正確かつ容易となる。例文帳に追加

An etching amount at this time is controlled precisely and easily as compared with a case where merely the semiconductor substrate 11 is etched without the amorphous layer 15A. - 特許庁

半導体素子１の裏面１ｂにレーザ光を照射し、表面改質層としてアモルファス構造の層を形成する。例文帳に追加

A rear surface 1b of a semiconductor element 1 is irradiated with laser beam, to form the layer of amorphous structure as a surface reforming layer. - 特許庁

製造途中の半導体装置のアモルファス部分を再結晶化することによって、応力層からの歪みを基板に伝達する。例文帳に追加

The strain from the stress layer is conveyed to the substrate by recrystallizing the amorphous portion of the semiconductor device in the middle of manufacture. - 特許庁

本発明では、非晶質半導体膜（アモルファスシリコンなど）に照射する矩形状ビームの短軸方向のエネルギー分布を均一化する。例文帳に追加

Energy distribution of the direction of the short axis of a rectangular beam is equalized with which an amorphous semiconductor film (amorphous silicon etc.) is irradiated. - 特許庁

アモルファス半導体層を薄く形成することなくソース・ドレイン電流の増大を図った薄膜トランジスタを備える表示装置の提供。例文帳に追加

To provide a display device having a thin-film transistor for increasing source/drain currents without forming any amorphous semiconductor layer thinly. - 特許庁

高濃度不純物のイオン注入を行う必要がないことから、この領域の半導体基板表面がアモルファス化することがない。例文帳に追加

It is not necessary to ion-implant a high-concentration impurity, so that a semiconductor substrate surface does not become amorphous in the regions. - 特許庁