「ギャップ半導体」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ワイドギャップ半導体装置例文帳に追加

WIDE-GAP SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体マイクロデバイスのギャップ計測方法及びギャップ計測用の半導体マイクロデバイス例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING SEMICONDUCTOR MICRODEVICE GAP, AND SEMICONDUCTOR MICRODEVICE FOR MEASURING GAP - 特許庁

ワイドギャップ半導体基板およびワイドギャップ半導体装置の製造方法例文帳に追加

WIDE GAP SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

バンドギャップ回路を内蔵する半導体集積回路例文帳に追加

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT CONTAINING BAND GAP CIRCUIT - 特許庁

精密なワイドバンドギャップ半導体のエッチング例文帳に追加

PRECISE ETCHING OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体縦型ＭＯＳＦＥＴ例文帳に追加

WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR VERTICAL MOSFET - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体デバイス用ゲート駆動部例文帳に追加

GATE DRIVE FOR WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

バンドギャップ回路及びこれを具備する半導体装置例文帳に追加

BAND GAP CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THE SAME - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ワイドバンドギャップ逆阻止ＭＯＳ型半導体装置例文帳に追加

WIDE BANDGAP REVERSE BLOCK MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体装置とその製造方法例文帳に追加

WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

受光層のバンドギャップはＩｎＰ半導体層のバンドギャップより小さい。例文帳に追加

The band gap of the photosensitive layer is smaller than that of the InP semiconductor layer. - 特許庁

このp型ワイドギャップ半導体は、第１半導体の禁制帯幅に近いワイドギャップを持ち、且つ、第２半導体により正孔が注入されることにより、１個のp型ワイドギャップ半導体として機能する。例文帳に追加

The p-type wide gap semiconductor has the wide gap near the forbidden band width of the first semiconductor, and also functions as a p-type wide gap semiconductor through injection of holes due to the second semiconductor. - 特許庁

浮遊ゲートを形成する半導体材料のバンドギャップは、半導体基板のバンドギャップより小さいことが好ましい。例文帳に追加

Band gap of a semiconductor material forming the floating gate is preferably smaller than the band gap of the semiconductor substrate. - 特許庁

浮遊ゲートを形成する半導体材料のバンドギャップは、半導体層のバンドギャップより小さいことが好ましい。例文帳に追加

Band gap of a semiconductor material forming the floating gate is preferably smaller than the band gap of the semiconductor layer. - 特許庁

第３のIII族窒化物系半導体のバンドギャップは、第１のIII族窒化物系半導体のバンドギャップより大きい。例文帳に追加

A band gap of the third group III nitride system semiconductor is larger than a band gap of the first group III nitride system semiconductor. - 特許庁

第２の半導体層１３ｂは、第１の半導体層１３ａにおける最小のバンドギャップも大きいバンドギャップを有する。例文帳に追加

The second semiconductor layer 13b has a band gap larger than the smallest band gap in the first semiconductor layer 13a. - 特許庁

第２のIII族窒化物半導体材料のバンドギャップＥ１５は第１のIII族窒化物半導体材料のバンドギャップＥ１３より大きい。例文帳に追加

The band gap E15 of a second group III nitride semiconductor material is larger than the band gap E13 of a first group III nitride semiconductor material. - 特許庁

第３のIII族窒化物系半導体のバンドギャップは、第２のIII族窒化物系半導体のバンドギャップ以上である。例文帳に追加

A band gap of the third group III nitride system semiconductor is larger than a band gap of the second group III nitride system semiconductor. - 特許庁

そして、第１の半導体領域（領域４ｂ）は、そのバンドギャップが第２および第３の半導体領域（領域４ｃ）のバンドギャップよりも小さい。例文帳に追加

Then the band gap of the first semiconductor region 4b is smaller than those of the second and third semiconductor regions 4c. - 特許庁

エアギャップを伴うダマシーン構造を有する半導体デバイスの製造方法およびエアギャップを伴うダマシーン構造を有する半導体デバイス例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DAMASCENE STRUCTURE PROVIDED WITH AIR-GAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

非破壊で行うことができる半導体マイクロデバイスのギャップ計測方法及びギャップ計測用の半導体マイクロデバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a method for measuring the gap of a semiconductor microdevice in a non-destructive manner, and the semiconductor microdevice for measuring the gap. - 特許庁

バンドギャップレファレンス回路及び同回路を有する半導体装置例文帳に追加

BAND GAP REFERENCE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE CIRCUIT - 特許庁

１．７ｅＶ前後のバンドギャップを有する化合物半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor having a band gap of approximately 1.7 eV. - 特許庁

ワイドギャップ半導体用電極金属膜の作製方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF ELECTRODE METAL FILM FOR WIDE-GAP SEMICONDUCTOR - 特許庁

エアーギャップ構造を有する半導体素子のインターポーザ例文帳に追加

INTERPOSER OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP STRUCTURE - 特許庁

ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー真空半田付け方法例文帳に追加

VACUUM LEAD-FREE SOLDERING METHOD OF WIDE-GAP SEMICONDUCTOR CHIP - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体縦型ＭＯＳＦＥＴとその製造方法。例文帳に追加

WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR VERTICAL MOSFET, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

バンドギャップが広いことを特徴とする有機半導体化合物例文帳に追加

ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOUND WITH WIDE BAND GAP - 特許庁

新規な構成を有するp型ワイドギャップ半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a p-type wide gap semiconductor having a new structure. - 特許庁

ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー半田付け方法例文帳に追加

LEAD-FREE SOLDERING METHOD OF WIDE-GAP SEMICONDUCTOR CHIP - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体は、ｎ型３Ｃ−ＳｉＣ又はＧａＮである。例文帳に追加

The wide-band gap semiconductor is formed of n-type 3C-SiC or GaN. - 特許庁

不均一ナローギャップ半導体の室温における極超巨大磁気抵抗例文帳に追加

EXTRAORDINARY MAGNETORESISTANCE AT ROOM TEMPERATURE IN INHOMOGENEOUS NARROW-GAP SEMICONDUCTORS - 特許庁

半導体製造装置及び２極間のギャップを調整する方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE AND METHOD OF REGULATING GAP BETWEEN TWO ELECTRODE - 特許庁

高耐圧ワイドギャップ半導体装置及び電力装置例文帳に追加

HIGH-BREAKDOWN WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE OF AND POWER DEVICE - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体を積層した複合基板の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE SUBSTRATE HAVING LAMINATED WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR - 特許庁

ｉ型半導体領域２３はｎ型半導体領域２１とｐ型半導体領域２２との間に設けられており、ｉ型半導体領域２３のバンドギャップは、ｎ型半導体領域２１のバンドギャップ及びｐ型半導体領域２２のバンドギャップより小さい。例文帳に追加

The i-type semiconductor region 23 is attached between the n-type semiconductor region 21 and the p-type semiconductor region 22, and a bandgap of the i-type semiconductor region 23 is smaller than that of each of the n-type semiconductor region 21 and the p-type semiconductor region 22. - 特許庁

コンバータをワイドギャップ半導体素子、特にワイドギャップバイポーラ半導体素子で構成し、ワイドギャップバイポーラ半導体素子の瞬時大電力稼働能力と２次電池の瞬時大電力供給能力を活用する。例文帳に追加

The converter comprises a wide-gap semiconductor device, particularly a side gap bipolar semiconductor device, and the instantaneous large power operation capability of the wide gap bipolar semiconductor device and the instantaneous large power supply capability of the secondary battery are utilized. - 特許庁

１５０℃以上の高温で使用するＳｉＣなどのワイドギャップ半導体装置において、ワイドギャップ半導体素子の絶縁性を改善し、高耐電圧のワイドギャップ半導体装置を得る。例文帳に追加

To obtain a wide-gap semiconductor device of high dielectric strength, by improving insulating properties of a wide-gap semiconductor element in the wide-gap semiconductor device, such as SiC, which is used at a high temperature of ≥ 150°C. - 特許庁

半導体のバンドギャップ見積もり方法、半導体シミュレーション方法及び記録媒体例文帳に追加

BAND GAP ESTIMATING METHOD FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR SIMULATION METHOD AND RECORDING MEDIUM - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体を用いた絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE USING WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

このコンタクト層３がｐ形クラッド層４のバンドギャップとｐ形半導体層２のバンドギャップとの間のバンドギャップを有し、順次バンドギャップが変化する勾配を有するように形成されている。例文帳に追加

The contact layers 3 are formed, so that the layers 3 have band gaps which lie between those of the clad layer 4 and semiconductor layer 2 and the band gaps have a successively changing gradient. - 特許庁

前記ワードライン間のギャップ領域、前記第１半導体パターン間のギャップ領域、及び前記第２半導体パターン間のギャップ領域は絶縁膜で埋められる。例文帳に追加

A gap region between the wordlines, that between the first semiconductor patterns, and that between the second semiconductor patterns are filled up with insulating film. - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族半導体層（２２）との界面における傾斜バンドギャップ層（２４）のバンドギャップは、実質的にＩＩＩ−Ｖ族半導体層のバンドギャップに等しい。例文帳に追加

The band gap of th inclined band gap layer 24 located on the interface of the III-V group semiconductor layer 22 is substantially equal to the band gap of the III-V group semiconductor layer. - 特許庁

ＺｎＯ系半導体層は、可視光の発光ピーク波長を持ち、ＺｎＯのバンドギャップと同等なバンドギャップを持つ。例文帳に追加

A ZnO based semiconductor layer has an emission peak wavelength in visible light, and has a band gap equivalent to that of ZnO. - 特許庁