「ギャップ半導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体基板と、前記半導体基板の所定領域に形成されて第１活性領域を画定するトレンチと、前記トレンチ内にギャップフィルされている第１素子分離膜と、前記第１素子分離膜の上に形成されている第２素子分離膜と、隣接する前記第２素子分離膜との間の空間に埋め込まれた前記第１活性領域上の第２活性領域とを含む。例文帳に追加

The element includes a semiconductor substrate, trenches for defining first active regions formed in predetermined areas of the semiconductor substrate, first element isolation films filled in the trenches, second element isolation films formed on the first element isolation films, and second active regions on the first active regions buried in spaces between the second element isolation films adjacent to each other. - 特許庁

活性層（１５）上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層（９６ａ）をアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層（９６ｂ）を同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層（９６ｂ）よりもバンドギャップの大きいもので形成する。例文帳に追加

A first p-type clad layer 96a in a p-type clad layer 96 provided on the active layer 15 comprises a p-type nitride semiconductor containing aluminum and gallium and a second p-type clad layer 96b comprises a similar p-type nitride semiconductor having a band gap larger than that of the first p-type clad layer 96a. - 特許庁

本発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成され、バンドギャップが生成されたグラフェンを有するチャネル領域と、チャネル領域の両側に形成され、チャネル領域のグラフェンに比して小さいバンドギャップが生成されたグラフェンを有するソース／ドレイン領域と、ソース／ドレイン領域のチャネルに接する部分の上に、夫々形成された第１および第２のゲート電極と、を備えることを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor device includes a substrate, a channel region formed on the substrate and having a graphene where a band gap is generated, source/drain regions formed on both sides of the channel region and each having a graphene where a band gap smaller than that of the graphene of the channel region is generated, and first and second gate electrodes formed on parts in contact with channels of the source/drain regions, respectively. - 特許庁

インジウムを含むＧａＮ系化合物半導体のｎ＋１層障壁層（ｎは１以上の自然数）と、インジウムを含むＧａＮ系化合物半導体からなり障壁層より小さいバンドギャップエネルギーを有するｎ層の井戸層を有し、ｍ番目（１≦ｍ≦ｎ）井戸層が、ｍ番目障壁層とｍ＋１番目障壁層の間に隣接し配設される量子井戸構造を有する発光層を備えるＧａＮ系化合物半導体発光素子の製造方法。例文帳に追加

On manufacturing of a light-emitting element 300, provided with a luminous layer 306 comprising a plurality of GaN compound semiconductor layers each containing In, growth is interrupted for a prescribed period after formation of well layers and barrier layers, when the luminous layer 306 is formed from a plurality of well layers and barrier layers. - 特許庁

個別ワイドバンドギャップ半導体デバイスが、制御電流の印加で伝導状態と不伝導状態との間を切替えるように構成される一次バイポーラデバイス段、および制御電流を生成し、かつ一次バイポーラデバイス段に制御電流を供給するように構成されるバイポーラドライバ段を含む。例文帳に追加

An individual wide bandgap semiconductor device includes a primary bipolar device stage configured to be switched between a conduction state and non-conduction state by application of a control current, and a bipolar driver stage configured to generate the control current and to supply the control current to the primary bipolar device stage. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチ素子であって、ドレインとソースとゲートとを有し、前記ゲートをドライブする信号と前記ゲートとの間にコンデンサと抵抗の直列回路を介して接続され、前記ドレインと前記ゲートとの間に、ダイオードと電圧制限回路からなるゲート電圧クランプ回路とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

The gate drive circuit includes a switch element including a wideband gap semiconductor having a drain, a source, and a gate, and connected between the gate and a signal which drives the gate through a series circuit of a capacitor and a resistor, and a gate voltage clamp circuit provided between the drain and the gate and composed of a diode and a voltage limit circuit. - 特許庁

本点灯装置は、入力電圧を供給する直流電源Ｅと、この直流電源Ｅにより供給された入力電圧を変換するＤＣ／ＤＣコンバータ１０１、インバータ回路１０２、イグナイタ１０３などの電力変換回路と、この電力変換回路から出力された出力電圧により発光する放電灯Ｌａと、を備え、電力変換回路は、ワイドギャップ半導体を有する。例文帳に追加

The lighting device includes: a DC power supply E supplying an input voltage; the power conversion circuit such as a DC/DC converter 101 converting the input voltage supplied by the DC power supply E or an inverter circuit 102, an igniter 103; and a discharge lamp La emitting a light by an output voltage output from the power conversion circuit, wherein the power conversion circuit has a wide gap semiconductor. - 特許庁

本体ケースに設けられた吸気口３からファン４によって流入する空気により冷却される直流電流基板５と、直流電流基板５を通過した空気により冷却される加熱コイル７と、直流電離基板５から加熱コイル７の間の空気の流路以外にワイドバンドギャップ半導体を使用したスイッチング素子を有するインバータ基板９とを備える。例文帳に追加

The induction heating cooking device comprises a direct current substrate 5 cooled by air which inflows from an inlet port 3 provided on a body case by a fan 4, a heating coil 7 cooled by air which passed through the direct current substrate 5, and an inverter substrate 9 which has a switching element which utilizes the wide band gap semiconductor on a channel other than an air channel between the direct current substrate 5 and the heating coil 7. - 特許庁

バンドギャップを構造設計した電荷捕捉メモリーセルは、プラチナゲートのような金属又は金属化合物のゲートから、酸化アルミニウムのような高い誘電定数を有する材料のブロッキング層によって隔離され、チャンネルを含む半導体本体から改良されたトンネリング誘電体によって隔離される電荷捕捉素子を有する。例文帳に追加

A charge trapping memory cell whose band gap structure has been designed includes a charge trapping element that is separated from a metal or metal compound gate, such as a platinum gate, by a blocking layer of material having a high dielectric constant, such as aluminum oxide, and separated from a semiconductor body including a channel by an improved tunneling dielectric material. - 特許庁

加熱コイル２４と共振コンデンサ２５との間の接続点Ａを所定の電位にクランプして２個のスイッチング素子１４、１５の一方及び加熱コイル２４と共に直列ループ回路を形成するクランプダイオード２６を備え、直列ループ回路を形成するスイッチング素子とクランプダイオード２６がワイドバンドギャップ半導体で形成されている。例文帳に追加

The induction heating cooker includes a clamp diode 26 forming a series loop circuit with either of two switching elements 14 and 15 together with a heating coil 24 in a situation that a connection point A between the heating coil 24 and a resonance capacitor 25 is clamped to a predetermined potential, and the switching elements and the clamp diode 26 forming the series loop circuit are formed by a wideband gap semiconductor. - 特許庁

高さ／直径で示されるアスペクト比が１以上のホールを有する基板にレジストを被覆しリソグラフィープロセスを利用して基板上に画像を転写する方法による半導体装置の製造において使用され、レジストを被覆する前の該基板に被覆して基板表面を平坦にするために用いる、ポリマー溶液を含有するギャップフィル材形成組成物である。例文帳に追加

A composition for forming the gap filling material containing a polymer solution is used in manufacturing a semiconductor device by a method which consists of coating the substrate having holes with ≥1 aspect ratio defined by height/diameter with a resist and transferring an image to the substrate utilizing a lithography process and is used to flatten the substrate surface by coating the substrate therewith before coating it with the resist. - 特許庁

色素増感型太陽電池１は、透明基板３に透明導電性膜４を設けた第１導電性基板部２の上面部に設けた色素増感半導体電極５と、第２導電性基板部６とを対向し、対向面間に形成した間隙部１０に電解液１１を封入し、また、対向面間にギャップ保持材１２を設ける。例文帳に追加

The dye-sensitized solar cell 1 has a dye-sensitized semiconductor electrode 5 installed on a first conductive substrate 2 formed by installing a transparent conductive film on a transparent substrate 3 facing with a second conductive substrate 6, and an electrolyte 11 is sealed in a gap 10 formed between the facing surfaces, or a gap keeping material 12 is installed between the facing surfaces. - 特許庁

埋め込みヘテロ構造を有する半導体レーザ素子は、メサ構造の両側をＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２で埋め込み、続いてＩｎＧａＰからＩｎＰへ組成が傾斜するＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３で埋め込んだ後、ＲｕドープＩｎＰ層３０４で埋め込むことによって作製される。例文帳に追加

The semiconductor laser device having the buried-hetero structure is manufactured by burying both sides of a mesa structure by a Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and subsequently by a Ru-doped InGaP graded layer 303 whose composition is graded from InGaP to InP, and then, by a Ru-doped InP layer 304. - 特許庁

発光波長がフォトニック結晶のフォトニックバンドギャップの波長域内にある２波長半導体レーザ素子１０１の出力光１３１、１３２が合波導波路の２つの入力端に各々結合され、合波導波路の出力端から合波された２波長の出力光１３３が出射される。例文帳に追加

The output light rays 131 and 132 of a two-wavelength semiconductor laser element 101 the light emitting wavelength of which falls within the wavelength region of the photonic band gap of the photonic crystal are respectively coupled with the two input terminals of the multiplexed waveguide, and multiplexed two- wavelength output light 133 is emitted from the output terminal of the waveguide. - 特許庁

半導体レーザ１のＤＢＲ領域１−２に注入される波長可変電流をモード内波長可変電流ＩLDmcに設定すれば、このモード内波長可変電流ＩLDmcをモード境界のギャップ電流値から十分に離して設定できるので、ＳＨＧレーザ３からの第２高調波パワーを最大近傍で安定させることができる。例文帳に追加

By setting the wavelength changing current which is injected in a DBR region 1-2 of the semiconductor laser 1 is set as an in-mode wavelength changing current I LDmc, it can be set to be sufficiently separated from a gap current value of a mode boundary, so that the second higher harmonic power from the SHG laser 3 can be stabilized in the vicinity of the maximum. - 特許庁

この半導体発光素子は、井戸層１ａと障壁層１ｂとを含む量子井戸構造を有するＳＱＷ発光層（活性層）１を備え、井戸層１ａのバンドギャップエネルギは、ピエゾ電界によるバンドの傾きを抑制するように、井戸層１ａの厚み方向の中心に対して非対称に変化されている。例文帳に追加

The semiconductor light emitting element comprises an SQW emission layer (active layer) 1 having a quantum well structure including a well layer 1a and a barrier layer 1b wherein the band gap energy of the well layer 1a is varied asymmetrically to the center of the well layer 1a in the thickness direction so that inclination of band due to a piezoelectric field is suppressed. - 特許庁

複数個直列に接続された二次電池１と、各二次電池１にそれぞれ並列接続され、スイッチング素子２を有するバイパス回路１０とを備えた二次電池装置において、スイッチング素子２をワイドギャップ半導体、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、または、ＧａＮ（窒化ガリウム）、または、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）にて形成するものである。例文帳に追加

In the secondary battery device is equipped with a plurality of secondary batteries 1 connected in series, and with by-pass circuits 10 respectively connected in parallel with each second battery 1 and provided with switching elements 2, the switching element 2 is formed by a wide-gap semiconductor, SiC (silicon carbide), GaN (gallium nitride) or DLC (diamond-like carbon). - 特許庁

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for spin-on depositing a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates, such as, silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon. - 特許庁

ワイドギャップ半導体を用いたゲートターンオフサイリスタ（ＳｉＣ−ＧＴＯ）において、結晶欠陥の増加により生じる、ＳｉＣ−ＧＴＯのターンオフ時におけるゲート電圧の負のピーク電圧（絶対値）の増大を抑制するとともに、ＳｉＣ−ＧＴＯ内部の静電容量による自己点弧を防止するゲート駆動回路を提供すること。例文帳に追加

To provide a gate drive circuit capable of suppressing an increase in a negative peak voltage (an absolute value) of a gate voltage during turn-off of a gate turn-off thyrister (SiC-GTO) using a wide gap semiconductor generated by an increase in crystal defect, and capable of preventing the generation of self-ignition by the internal capacitance of the SiC-GTO. - 特許庁

回路基板１１と回路基板１１に実装された半導体素子との対向表面に於ける何れか一方或いは両方に選択的に形成されたアンダーフィル樹脂のぬれ性を異にする２種以上の領域１２Ａ、１２Ｂと、前記対向表面で生成された接合ギャップに充填されたアンダーフィル樹脂１３とを備える。例文帳に追加

The device is provided with two or more types of regions 12A and 12B different in wettability of underfill resin, which is formed in one part or both parts on a confronted surface of the circuit board 11 and the semiconductor element mounted on the circuit board 11; and with underfill resin 13 with which the bonding gap formed on the confronted surface is filled. - 特許庁

制御装置２は、ゲート電極４３へのゲート電圧を調節してチャネル領域３６において電子９１を移動させるとともに、チャネル領域３６において電子９１を移動させているときに、チャネル領域３６のバンドギャップより大きいエネルギーの光を光源５が半導体層３３に照射するように光源５を制御する。例文帳に追加

The control unit 2 transfers electrons 91 in the channel region 36 by adjusting the gate voltage applied to the gate electrode 43 as well as controls a light source 5 so as to illuminate the semiconductor layer 33 with light having energy greater than the bandgap when the electrons 91 are transferred in the channel region 36. - 特許庁

本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられ、アクセプタ濃度（Ｎａ）がドナー濃度（Ｎｄ）以上の濃度であるＡｌＧａＮバッファ層１８と、ＡｌＧａＮバッファ層１８上に設けられたＧａＮ電子走行層１４と、ＧａＮ電子走行層１４上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいＡｌＧａＮ電子供給層１６と、を有する半導体装置である。例文帳に追加

A semiconductor device has: an AlGaN buffer layer 18 provided on an SiC substrate 10 and that has an acceptor concentration (Na) higher than a donor concentration (Nd); a GaN electron transit layer 14 provided on the AlGaN buffer layer 18; and an AlGaN electron supply layer 16 provided on the GaN electron transit layer 14 and that has a band gap larger than that of GaN. - 特許庁

価電子帯と伝導帯との間に２ｅＶを超えるエネルギーギャップを有する半導体材料のジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードの温度依存性を制御する方法は、このダイオードの製造中に、意図された使用に適合するダイオードの特性の温度依存性を得るように、ダイオードのグリッド部のオン状態抵抗を調節することを含む。例文帳に追加

The method of regulating the temperature dependence of the junction barrier Schottky diode of a semiconductor material, having an energy band gap exceeding 2eV between a valence band and a conductive band includes a step of regulating an on-state resistance of the grid of a diode so as to obtain the temperature dependence of the diode characteristics that are suitable for the intended use, during the manufacturing of the diode. - 特許庁

シリコン基板上に絶縁層を介して電極を形成したＭＩＳ構造を有する半導体装置において、絶縁層は、熱励起した電子によるトンネル電流を低くするバンドギャップが４．５ｅＶ以上のＳｉ_3 Ｎ_4 膜２と、フェルミ準位近傍からのトンネル電流を低くする誘電率３０以上のＴｉＯ_2 膜３とを積層した構造からなる。例文帳に追加

In a semiconductor device having MIS structure where an electrode is formed on a silicon substrate through an insulating layer, the insulating layer is formed by stacking a Si3N4 film 2 whose band gap for reducing tunnel current by thermally excited electrons is not less than 4.5 eV, and a TiO2 film 3 whose permittivity for reducing tunnel current from the vicinity of a Fermi level is not less than 30. - 特許庁

炭化珪素からなるワイドバンドギャップ半導体基板１１、２１と、基板の主面側に設けられたソース電極１５，２５及びゲート電極１７，２７と、基板の裏面上に設けられたドレイン電極１８，２８とを有する縦型ＭＯＳＦＥＴの第１のスイッチング素子１と、同構造の第２のスイッチング素子２をその主面側同士を重ねて構成する。例文帳に追加

A first switching element 1 of a longitudinal MOSFET including wide-band gap semiconductor wafers 11, 21 each being composed of a silicon carbide, source electrodes 15, 25 and gate electrodes 17, 27 provided on the principal surface side of each wafer and drain electrodes 18, 28 provided on the rear surface of each wafer, and a second switching element 2 of the identical structure are constituted, by mutually overlapping their principal surface sides. - 特許庁

半導体基板１００の上にバッファ層１０１、バッファ層１０２、第１下側クラッド層１０３、第２下側クラッド層１０４、活性層１０５、第１上側クラッド層１０６、エッチングストップ層１０７、第２上側クラッド層１０８、中間バンドギャップ層１０９、キャップ層１１０がこの順で積層してある。例文帳に追加

Buffer layers 101 and 102, a first lower clad layer 103 and a second lower clad layer 104, an active layer 105, a first upper clad layer 106, an etching stop layer 107, a second upper clad layer 108, an intermediate band gap layer 109, and a cap layer 110 are laminated in this sequence on a semiconductor substrate 100. - 特許庁

第２実施例）振動板基板１に半導体基板の電極基板２の接合面側に高濃度の不純物が注入されたシリコンウエハを用いて、このシリコンウエハに熱酸化によってギャップとなる厚さのシリコン酸化膜を形勢した後、接合面側のシリコン酸化膜を所望の形状にパターニングして電極基板２と接合した。例文帳に追加

Alternatively, a silicon oxide of having a thickness becoming a gap is formed by thermal oxidation on a silicon wafer where impurities are implanted heavily to the diaphragm substrate 1 on the side being bonded to the electrode substrate 2 and then it is patterned into a desired shape before being bonded to the electrode substrate 2. - 特許庁

巻線を有する一次部分と、エアギャップを介してその一次部分と協働する永久磁気の二次部分とを有する電気モータ４を制御するための集積回路１は、半導体基板を有しており、その中にマイクロコントローラ２及び／又は電気モータ４の巻線を制御するための前置増幅器３が統合されている。例文帳に追加

An integrated circuit 1 for controlling an electric motor 4, which has a primary component with a coil and a permanently magnetic secondary component cooperatively connected via an air gap to the primary component, has a semiconductor substrate in which a microcontroller 2 and/or a pre-amplifier 3 for controlling the coil of the electric motor 4 are integrated. - 特許庁

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for spin-on deposition of a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates such as silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon. - 特許庁

コレクタ２の半導体基板２０には、エミッタ電極１１とコレクタ電極２１との間の隙間Ｇを一定に保つと共に電気的および熱的に絶縁性のスペーサ部５が一体に形成されているので、部品数を減少した簡単な構成で、熱の逆流を防止しつつ、真空ギャップを所定の間隔に確保できる。例文帳に追加

An electrically and thermally insulating spacer 5 for constantly maintaining a gap G between an emitter electrode 11 and a collector electrode 21 is integrated on a semiconductor substrate 20 in the collector 2, thus preventing the backward flow of heat by a simple configuration in which the number of components is reduced and securing the vacuum cap with a prescribed interval. - 特許庁

具体的には、電極表面２及び電極パッド２０をいずれもアルミニウムにより形成し且つ電極表面２及び電極パッド２０の合計の厚さを１０μｍとした場合におけるワイドバンドギャップ半導体チップ１の電流密度と同等又はそれ以上の電流密度が得られるよう、電極パッド２０の厚さが設定される。例文帳に追加

In more concrete, thickness of the electrode pad 20 is set to obtain current density identical to or higher than the current density of the wide-band gap semiconductor chip 1, when the electrode surface 2 and electrode pad 20 are formed of aluminum and the total thickness of the electrode surface 2 and electrode pad 20 is 10 μm. - 特許庁

絶縁膜１２及びｐ側電極１３上には、膜厚が約１μｍの窒化シリコンからなるパッシベーション膜１４が形成され、該パッシベーション膜１４上には、発光波長が半導体基板１０を構成するシリコンのエネルギーギャップに相当する波長よりも短い発光光を発し且つ蓄光性を有する蛍光体材料を含む発光層１５が形成されている。例文帳に追加

A passivation film 14 of silicon nitride having thickness of about 1 μm is formed on the insulating film 12 and the p-side electrode 13 and a light emitting layer 15 emitting light having emission wavelength shorter than the wavelength corresponding to the energy gap of silicon constituting the semiconductor substrate 10 and containing a fluorescent material having luminous properties is formed on the passivation film 14. - 特許庁

ＺｎＴｅあるいはＺｎＴｅを含む三元以上のＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の製造方法において、エネルギーギャップの中心に近い位置にエネルギーレベルを作る不純物として、３ｄ遷移元素の何れか一種類以上の元素を所定量だけ結晶育成中に添加するようにした。例文帳に追加

In the method of producing ZnTe-based compound semiconductor single crystals of ZnTe or the ternary or higher ones comprising ZnTe, prescribed amounts of one or more kinds of elements selected from 3d transition elements are added as impurities making an energy level at a position near the center of an energy gap in the process of growing the crystals. - 特許庁

基板の表面にバッファ層を介して形成された半導体エピタキシャル膜のキャリア濃度をフォトルミネッセンスで非破壊検査する方法において、該基板のバンドギャップエネルギーより低いエネルギーをもつ励起光を該基板の裏面側から照射し、フォトルミネッセンスを該基板の裏面から検出することを特徴とする。例文帳に追加

Excitation light having energy that is lower than the band gap energy of a substrate is applied from the rear side of the substrate and photoluminescence is detected from the rear of the substrate in a method for non-destructively inspecting the carrier concentration of the semiconductor epitaxial film formed on the front of the substrate via a buffer layer by photoluminescence. - 特許庁

シリコン半導体による受光センサ部１を有する固体撮像装置であって、受光センサ部１の光電変換素子を構成する空乏化領域を構成する第１導電型のウエル領域１３の受光面側にβ−ＦｅＳｉ_２等のシリコンに比しバンドギャップが小さく赤外領域に高い吸収性を有する金属シリサイド層２０を設ける。例文帳に追加

In the solid-state imaging apparatus having a light receiving sensor section 1 of silicon semiconductor, a metal silicide layer 20 having a band gap smaller than that of silicon such as β-FeSi_2 and exhibiting high absorptivity in infrared region is provided on the light receiving surface side of a first conductivity type well region 13 constituting a depletion region which constitutes a photoelectric conversion element in the light receiving sensor section 1. - 特許庁

本発明では、半導体基板上に、磁気ヘッドに記憶信号を通電するための磁気ヘッド駆動回路と、同磁気ヘッド駆動回路から磁気ヘッドに通電する記憶信号の電圧を制限するためのストッパー回路とを形成してなる磁気記憶デバイスにおいて、ストッパー回路に、半導体基板内部のバンドギャップ電圧に比例する電圧によって記憶信号の電圧を制限するための帰還回路を設けることにした。例文帳に追加

In a magnetic storage device in which a magnetic head driving circuit for inputting a storage signal to a magnetic head and a stopper circuit for restricting voltage of a storage signal inputted to the magnetic head from the magnetic driving circuit are formed on a semiconductor substrate, the stopper circuit is provided with a feedback circuit for restricting voltage of a storage signal by voltage being proportional to band gap voltage inside a semiconductor substrate. - 特許庁

本発明は、基材と、上記基材上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成され、かつ少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、上記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、バンドギャップが２．０ｅＶ以上である無機化合物および金属を含有する半導体緩衝層と、上記半導体緩衝層上に形成された第２電極層とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにより、上記目的を達成するものである。例文帳に追加

The organic electroluminescent element comprises: a substrate; a first electrode layer formed on the substrate; the organic electroluminescent layer formed on the first electrode layer and having at least a light emitting layer; a semiconductor buffer layer formed on the organic electroluminescent layer and containing an inorganic compound having a band gap of 2.0 eV or above and metal; and a second electrode layer formed on the semiconductor buffer layer. - 特許庁

本発明は、基材と、上記基材上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成され、かつ少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、上記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、バンドギャップが２．０ｅＶ以上である無機化合物および金属を含有する半導体緩衝層と、上記半導体緩衝層上に形成された第２電極層とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにより、上記目的を達成するものである。例文帳に追加

The organic electroluminescent device includes a base material, a first electrode layer formed on the base material, the organic electroluminescent layer formed on the first electrode layer and having at least a light emitting layer, a semiconductor buffer layer formed on the organic electroluminescent layer and containing an inorganic compound and metal of which band gaps are 2.0 eV or more, and a second electrode layer formed on the semiconductor buffer layer. - 特許庁