「ギャップ半導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

ガラス基板と半導体基板とを接合した際に梁部が接合してしまうことが無く、センサギャップだけを小さくして高感度に力学量を検出することができる力学量センサ及び力学量センサの製造方法並びにこのような力学量センサを備えた電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a dynamic quantity sensor capable of preventing a beam part from being joined when joining a glass substrate to a semiconductor substrate, and capable of narrowing only a sensor gap to detect highly sensitively a dynamic quantity, and a manufacturing method for the dynamic quantity sensor, and electronic equipment provided with the dynamic quantity sensor. - 特許庁

この光アシスト磁気ヘッド１は、浮上スライダ２の後端面２ａに、半導体レーザからのレーザ光を出射する光導波路５と、磁気抵抗センサ３と、薄膜磁気トランスデューサ４とを集積し、光導波路５の出射端５ｃに磁気ギャップ３４を形成している。例文帳に追加

The optical assist magnetic head 1 includes an optical waveguide 5 for emitting a laser beam from a semiconductor laser, a magneto-resistive sensor 3, and a thin-film magnetic transducer 4 which are integrated in the rear end surface 2a of a floating slider 2, and a magnetic gap 34 formed in the exiting end 5c of the optical waveguide 5. - 特許庁

ｐ形クラッド層４の活性層７と反対側に、ｐ形クラッド層４とバンドギャップの異なるｐ形半導体層２が、ストライプ状のコンタクト層３を介して、ストライプ状のコンタクト層３の部分以外でｐ形クラッド層４と接触するように設けられている。例文帳に追加

On the side of the p-type clad layer 4 opposite to the active layer 7, a p-type semiconductor layer 2 having a band gap which is different from that of the clad layer 4 is provided so that the layer 2 comes into contact with the clad layer 4, at portions other than stripe-like contact layers 3 via the contact layers 3. - 特許庁

ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とＧａＡｓバッファ層との界面における急激なバンドギャップ不連続による抵抗成分増加を抑制し、より高出力の光素子を得ることができる化合物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor epitaxial wafer in which the increase of resistance components caused by the rapid discontinuity of a band gap in the interface between an AlGaInP clad layer and a GaAs buffer layer is suppressed, and a photoelement of higher output can be obtained, and to provide a production method therefor. - 特許庁

ワイドギャップ半導体チップの電極接合を鉛フリー半田で真空環境にて半田付けする方法であって、加熱による鉛フリー半田の溶融状態時に減圧状態を作り、この減圧状態を常圧状態と組み合わせる。例文帳に追加

In the method for performing the soldering of the electrode junction of a wide-gap semiconductor chip by a lead-free solder in a vacuum environment, a pressure reducing state is so created in the case of the melting state of the lead-free solder by heating it as to combine this pressure reducing state with the ordinary-pressure state. - 特許庁

電圧印加耐湿性、耐ヒートサイクル性に優れ、ギャップ侵入性が高く、基板のフラックス残さによるハジキが発生しない電子部品保護用エポキシ樹脂組成物、及びそれを用いた車載用等の半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an epoxy resin composition for protecting an electronic component, having excellent moisture resistance under superimposed voltage and heat-cycle resistance, further having good properties of intruding into a gap, and hardly causing repelling caused by flux residue on a substrate; and to provide a semiconductor device adapting for a car or the like and using the composition. - 特許庁

フィラーの配合量が多い場合であっても、良好な流動性を有し、取り扱いに優れ、フリップチップ実装の際に半導体素子と基板間の十数μｍのギャップにも効率良く侵入充填できる液状封止材となる樹脂組成物用粉体混合物を提供する。例文帳に追加

To provide a powdery mixture for a resin composition having a good fluidity even in the case of having a large blending amount of a filler, excellent in handling property and becoming a liquid state sealing material capable of invading for filling into a gap of ten and several μm between a semiconductor element and substrate plate in a good efficiency on implementing a flip chip. - 特許庁

基板１の主表面側において半導体デバイスを覆う保護膜１３に対向して遮光膜１４を配置し、遮光膜１４と同じ金属材料からなる支持部１５によって保護膜１３と遮光膜１４との間のギャップを規定距離に保つようにしてある。例文帳に追加

A light shielding film 14 is arranged opposite to a protection film 13 covering a semiconductor device in the main surface side of a substrate 1, and a gap between the protection film 13 and the light shielding film 14 is held a prescribed distance by a support part 15 consisting of the same metal material as the light shielding film 14. - 特許庁

Ｎ^-型ドレイン領域１中に、Ｎ^-型ドレイン領域１とはバンドギャップの異なるＰ^+型ポリシリコンで形成され、第一主面から第二主面へ向かって伸びる柱状のヘテロ半導体領域４が、間隔を置いて並んで複数形成されている。例文帳に追加

A plurality of columnar hetero semiconductor regions 4, which are formed with P^+ type polysilicon having a band gap different from that of the N^- type drain region 1, are provided at intervals in the N^- type drain region 1 and extend from the first main surface to a second main surface. - 特許庁

処理中に、ノズル２０の溶液案内面９２Ｌ，９２Ｒと基板Ｇとの間のギャップの中で色素溶液の流れが形成され、基板被処理面の多孔質半導体層はそのような色素溶液の流れの中で色素吸着処理を受ける。例文帳に追加

During a process, a flow of pigment solution is formed in a gap between a substrate G and solution guide surfaces 92L and 92R of a nozzle 20, and a porous semiconductor layer on the surface of substrate is subjected to a pigment adsorption treatment in the flow of pigment solution. - 特許庁

選択成長により一括して光導波路３を形成する光変調器集積半導体レーザにおいて、レーザ部１０と変調器部１１の境界に、バンドギャップ及び膜厚がテーパー状に変化する光導波路３の遷移領域９を形成する。例文帳に追加

In a light modulator integrated semiconductor laser in which an optical waveguide 3 is formed collectively by selective growth, a transition area 9 of the optical waveguide 3 in which a band gap and film thickness vary in a tapered manner is formed at boundary between a laser part 10 and a modulator part 11. - 特許庁

不純物注入光吸収層は、ｎ型クラッド層側からｐ型クラッド層側に向かって、層毎にバンドギャップ・エネルギーが小さくなる組成を有し、かつ不純物濃度が低くなる複数層１０４Ａ、Ｂ、Ｃの半導体積層構造として形成されている。例文帳に追加

The impurity implanted photoabsorbing layer 104 in the composition reducing the band gap energy per payer from n type layer clad layer side to p type clad layer side to be formed in semiconductor laminated structure of multiple layers 104A, B, C reducing the impurity concentration. - 特許庁

有害物質水銀を含まないワイドバンドギャップ半導体のAl_xGa_1-xN/AlN多重量子井戸（MQW）層を電子線で励起して励起状態の多重量子井戸から深紫外光を得る従来の深紫外光源において、有害なＸ線を阻止して、発光効率を高める。例文帳に追加

To block harmful X rays and increase the light emission efficiency in a conventional deep UV source arranged so that an Al_xGa_1-xN/AlN multiple quantum well (MQW) layer of a wide band gap semiconductor having no harmful substance mercury is excited by an electron beam to obtain deep UV light from the multiple quantum well staying in its excitation state. - 特許庁

ゲートトレンチ７ａの深さより深いソースショットキートレンチ７ｂが前記ゲートトレンチ７ａの表面パターンを表面で取り巻く環状パターンを有し、前記ソースショットキートレンチ７ｂが底部に接するｐ^+型領域３００を備えるワイドバンドギャップ半導体装置。例文帳に追加

The wide band gap semiconductor device includes a p+ type region 300 having an annular pattern in which a source Schottky trench 7b deeper than a gate trench 7a surrounds a surface pattern of the gate trench 7a on a surface, and the source Schotkky trench 7b is in contact with a bottom. - 特許庁

半導体光増幅器中にバルク結晶よりなる複数の活性層と、前記複数の活性層の間に前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する、少くとも一のスペーサ層が介在し、前記複数の活性層の各々は伸張歪を蓄積することを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor optical amplifier has a plurality of active layers made of bulk crystal, and at least one spacer layer having a band gap larger than that of the active layers is interposed between these active layers, and in this case, each active layer stores stretch strain. - 特許庁

本発明のモニタリング装置１は、センサ２と、このセンサ２が接続され且つワイドバンドギャップ半導体を使用した発振器を備えたインタフェース３と、インターフェース３とは別に配置され且つインターフェース３から出力された発振信号を処理する演算装置４とを備えている。例文帳に追加

A monitoring device 1 includes: a sensor 2; an interface 3 to which the sensor 2 is connected, and which comprises an oscillator using a wide band gap semiconductor; and an arithmetic unit 4 arranged separately from the interface 3, and processing an oscillation signal output from the interface 3. - 特許庁

ノーマリオープン型マイクロバルブにおける弁体と台部とのギャップを精度良く確保することが、高精度を要求される煩雑な工程を経ることなく、簡便な工程で達成可能なノーマリオープン型の半導体マイクロバルブを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor micro-valve of normally open type capable of securing accurately the gap between the micro-valve base part and a valve element through a simple procedure without any complicated process which requires accuracy. - 特許庁

波長多重伝送装置の光源として用いる単一縦モード半導体レーザ素子において、活性層のバンドギャップによって決定する利得ピーク波長と、活性層の実効屈折率と回折格子の間隔によって決定する発振波長のずれを小さくし、発振効率を高くする。例文帳に追加

To reduce the difference between a gain peak wavelength determined by a band gap of an active layer and an oscillation wavelength determined by an effective refractive index of the active layer and an interval between diffraction gratings, in a single longitudinal mode semiconductor laser device used as a light source for a wavelength division multiplex transmission apparatus, and hence improve oscillation efficiency. - 特許庁

突起物２から放射された高エネルギーの電子は、ｐｎ接合素子４内で、半導体のバンドギャップエネルギー程度の低エネルギーの多数の電子正孔対に変換されるので、高電圧、小電流の電気エネルギーが、低電圧、大電流の電気エネルギーに変換される。例文帳に追加

The high-energy electron emitted from the projection 2 is converted into many paired electron-positive hole of low energy nearly equal to band gap energy of a semiconductor in the pn junction element 4, so the high-voltage and small-current electric energy is converted into the low-voltage and large-current electric energy. - 特許庁

このような半導体レーザにおいて、第１ガイド層４、第２ガイド層８のEg（バンドギャップエネルギー）と活性層６のEgとの差が、第１クラッド層３、第２クラッド層９のEgと活性層６のEgとの差の０．６６倍以下となるようにする。例文帳に追加

In such a semiconductor laser, the difference between the Eg (band gap energy) of the first guide layer 4 and the second guide layer 8 and the Eg of the active layer 6 is made 0.66 times or less of the difference between the Eg of the first cladding layer 3 and the second cladding layer 9 and the Eg of the active layer 6. - 特許庁

金属酸化物窓層（透明導電膜）を備えた構造の半導体発光素子において、寿命が短く急速に劣化してしまうことを防止し、つまり高信頼性であり、且つ中間バンドギャップ層を設けなくても順方向電圧が低く、再現性良く製造できる構造とする。例文帳に追加

To form a reliable structure that prevents rapid deterioration because of a short lifetime, and can be manufactured with improved reproducibility having a low forward voltage even if an intermediate band gap layer is not formed in a semiconductor light-emitting device in a structure having a metal oxide window layer (transparent conductive layer). - 特許庁

これにより、フリップチップ実装用半導体チップ１を回路基板３０上にフリップチップ実装する際にボンディング用バンプ１２と接続端子３０との接続部で生じた余分な溶融状態の低融点金属４１は、バンプギャップ内に吸い上げられている。例文帳に追加

Thus, when flip-chip mounting the semiconductor chip 1 for flip-chip mounting onto a circuit board 30, the excess low melting point metal 41 in the molten state generated at the connection part of the bonding bump 12 and a connection terminal 30 is sucked up into the bump gap. - 特許庁

ワイドバンドギャップを有する半導体材料を使用しているため耐電圧特性等に優れ、大電力に使用すること等が可能、その上フラットバンドの位置も適切で、界面準位の低下が発生せず、高速作動する電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an electronic device which is so excellent in voltage endurance characteristics as to be usable to high electric power, and where the position of a flat band is so proper as to avoid occurrence of lowering of an interface level to operate at high speed by using a semiconductor material having a wide band gap. - 特許庁

半導体レーザ装置の製造工程の中で、共振器端面近傍のバンドギャップを拡大するために、不純物の拡散を行なったり、共振器端面にレーザ光を照射したりしなくても、ＣＯＤ防止に有効な窓構造を実現する。例文帳に追加

To provide a window structure which is effective in COD prevention without diffusing an impurity or irradiating a resonator end surface with laser light so as to expand a band gap nearby the resonator end surface in a process of manufacturing a semiconductor laser device. - 特許庁

また、好ましくは、前記リサーフ構造は、前記ｐ型半導体層上に形成されたアンドープのキャリア走行層と、前記キャリア走行層上に形成され該キャリア走行層とはバンドギャップエネルギーが異なるキャリア供給層とを備える。例文帳に追加

In addition, preferably, the RESURF structure has an undoped carrier scanning layer formed on the p-type semiconductor layer, and a carrier supplying layer formed on the carrier scanning layer and which has band gap energy different from that of the carrier scanning layer. - 特許庁

ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、基板上方に、Ｚｎ、Ｏ、及びＮを供給するとともに、必要に応じて、ＺｎＯに添加することによりバンドギャップを変化させる元素を供給し、Ｎをドープすることにより、Ｎをドープしない場合に比べてｎ型キャリア濃度が増したｎ型伝導性を示すＺｎＯ系半導体層を形成する工程とを有する。例文帳に追加

The method of manufacturing the ZnO-based semiconductor device includes the processes of: preparing a substrate; supplying Zn, O and N on the upper side of the substrate; supplying an element which is added to ZnO when necessary to change a band gap; and forming a ZnO-based semiconductor layer doped with N to exhibit n-type conductivity with increased n-type carrier concentration as compared with the case that doping with N is not performed. - 特許庁

複数のIII族元素を含む窒化物半導体層１０８が凹凸のある基体表面上に形成されてなることにより、上記窒化物半導体層１０８におけるIII族元素の組成比、バンドギャップエネルギ、屈折率、導電性、抵抗率の少なくとも一つが、上記基体の凹凸に対応して、層内で変化するようにする。例文帳に追加

By forming a nitride semiconductor layer 108 containing a plurality of group-III elements on a base body surface having a concave/convex structure, at least one among the composition ratio of the group-III elements, bandgap energy, refractive index, conductivity, and resistivity, of the nitride semiconductor layer 108, is changed in accordance with the concave/convex structure of the base body. - 特許庁

ｎ型半導体基板２上に設けられた積層構造内にＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４及びＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４上に設けられた回折格子を有するＤＦＢレーザ１において、前記ＤＦＢレーザ１の発振波長と、前記回折格子の回折格子層６を構成する化合物半導体バンドギャップ波長の差が１５０ｍｅＶ以上であることを特徴とする。例文帳に追加

In the DFB laser 1 having an MQW-SCH active layer 4 and a grating provided on the MQW-SCH active layer 4 in a lamination structure provided on an n-type semiconductor substrate 2, a difference is more than 150 meV between the oscillation wavelength of the DFB laser 1 and the wavelength of a compound semiconductor band gap constituting the grating layer 6 of the grating. - 特許庁

バンドギャップの大きい半導体を光吸収層とし、光により励起されたキャリアを半導体層の横方向に走行させ、部分的に形成されている低抵抗層に導き、本低抵抗層に形成されている電極部から光電流を取り出すことにより、短波長紫外線を高感度で検出する。例文帳に追加

A short wavelength ultraviolet ray is detected with high sensitivity by employing a large band gap semiconductor as an optical absorption layer, making carriers excited by light travel laterally of the semiconductor layer and guiding them to a low resistance layer formed partly, and taking out an optical current from an electrode formed on the low resistance layer. - 特許庁

光半導体を搭載する基板において光半導体素子近傍に設ける光反射部として形成する樹脂層に白色顔料として酸化チタンを含有させると、（１）遮光性による加工性の低下、（２）光触媒反応による樹脂硬化物性の低下、（３）熱励起バンドギャップ型分解反応による樹脂硬化物性の低下が発生する。例文帳に追加

To solve such problems that when a resin layer formed as a light reflecting part provided near an optical semiconductor element contains titanium oxide as white pigment in a substrate for mounting an optical semiconductor, (1) the processability decreases due to light shielding effect, (2) the resin curing property decreases due to photocatalyst reaction, and (3) the resin curing property decreases due to heat excited band gap type decomposition reaction. - 特許庁

ｐ型キャップ層からｐ型クラッド層にかけての電流通路が、バンドギャップが異なる少なくとも３層の半導体層で構成されているストライプ状のリッジを有し、ｐ型クラッド層の頂上の幅が２.５μｍ以下であり、動作電流における素子の微分抵抗値が８Ω以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。例文帳に追加

In the semiconductor laser diode, a current path from a p-type cap layer to a p-type clad layer has a stripe ridge comprising a semiconductor layer of at least three layers each having a different band gap wherein the width at the top of the p-type clad layer is 2.5 μm or less and the differential resistance of an element is 8 Ω or less at the working current. - 特許庁

本発明は、半導体基板と活性層との間に下部分布反射層をもち、上部分布反射層を活性層の上側にエアギャップを介して設け、上部分布反射層と下部分布反射層とで光共振器を形成し半導体基板と垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザに改良を加えたものである。例文帳に追加

A surface emission laser having a lower distributed reflection layer between a semiconductor substrate and an active layer, provided with an upper distributed reflection layer on the upper side of the active layer through an air gap and emitting laser light in the direction perpendicular to the semiconductor substrate from an optical resonator formed of the upper distributed reflection layer and the lower distributed reflection layer is improved. - 特許庁

少なくとも、陽極３と、量子ドット１１を有する発光層５と、陰極４とをその順で有する発光素子１であって、その発光層５は、量子ドット１１よりもバンドギャップが大きい半導体微粒子１２を含み、その半導体微粒子１２の粒径が量子ドット１１の粒径よりも大きいように構成して、上記課題を解決した。例文帳に追加

This light emitting element 1 has at least a positive electrode 3, the luminescent layer 5 having the quantum dot 11, and a negative electrode 4 in this order, and the luminescent layer 5 contains a semiconductor particle 12 having a band gap larger than that of the quantum dot 11, and the particle diameter of the semiconductor particle 12 is larger than the particle diameter of the quantum dot 11. - 特許庁

多結晶半導体ダイヤモンド薄膜等のワイドバンドギャップ半導体を使用し、紫外線等の波長が短い光の強度を測定する光強度測定装置及び光強度測定方法において、信頼性が高く、低コストであり、迅速且つ正確な測定が可能な光強度測定装置及びこの光強度測定装置を使用した光強度測定方法を提供する。例文帳に追加

To provide a highly reliable and low-cost light intensity measuring device and a light intensity measuring method using the device for measuring a light of short wavelength such as ultraviolet using a wide band gap semiconductor such as a diamond membrane of polycrystalline semiconductor, capable of promptly and precisely carrying out a measurement. - 特許庁

漏光防止部材４は、半導体材料と当該半導体材料とは屈折率の異なる材料の組み合わせからなる周期構造を有し、受光素子２の厚み方向に直交する面内の全方向において受光素子２の受光波長に対してフォトニックバンドギャップを有するフォトニック結晶により構成されている。例文帳に追加

The light leak prevention member 4 is formed of photonic crystal in which has a cyclic structure composed of a combination of a semiconductor material and a material differing in refractive index from the semiconductor material and has a photonic band gap to the light reception wavelength of the light receiving element 2 in all directions in a plane crossing the thickness of the light receiving element 2 at right angles. - 特許庁

可視の情報パターン１２を有する情報記録媒体１１が所定位置に載置され又は送り込まれると、発光ダイオード１３から発行する半導体量子ドットのバンドギャップよりもエネルギーが高い励起光Ｈ１を情報パターン１２に照射し半導体量子ドットを熱膨張させる。例文帳に追加

When the information recording medium 11, having the visible information patterns 12, is loaded on or transmitted to a predetermined position, the information patterns 12 is irradiated with excited light H1, with energy higher than that of the band gap of a semiconductor quantum dot to be issued from a light-emitting diode 13 to thermally expand the semiconductor quantum dot. - 特許庁

面型光−光スイッチ、光非線形反射鏡、あるいは光非線形吸収体を構成する光非線形媒質として半導体薄膜結晶を用い、主たる動作に関与する光の波長に対応するフォトンのエネルギーがその半導体薄膜のバンドギャップエネルギーよりも８０ｍｅＶ以上高いエネルギーとなるように設定する。例文帳に追加

Semicondcutor thin film crystal is used as an optical nonlinear medium which constitutes a surface type light-light switch, an optical nonlinear reflector, or a nonlinear absorber and the energy of a photon corresponding to the wavelength of light concerned with main operation is set to be ≥80 meV higher than the band gap energy of its semiconductor thin film. - 特許庁

容量型力学量センサにおいて、半導体基板の可動電極と硝子表面の固定電極と間の微小ギャップや、可動電極が硝子に接合することを防止する微小凸部を、半導体基板の表裏面を精密加工して形成することにより、検出感度のばらつき及び電極の膜剥がれや断線を低減させる。例文帳に追加

In the capacity-type dynamic amount sensor, dispersion in detection sensitivity, the film exfoliation of the electrode and disconnection are reduced, by precisely machining the front and the rear faces of a semiconductor substrate and forming a minute protrusion preventing minute gaps between a movable electrode of the semiconductor substrate, a fixed electrode of an insulator surface or the movable electrode from being brought into contact therewith. - 特許庁

照射部による照射で生じた半導体基板表面近傍のフォトキャリアの濃度高低パターンが、半導体基板01のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長の電磁波02に対して複素屈折率が異なるパターンを生じさせることによって、このパターン上に照射される電磁波02の空間伝搬状態を制御する。例文帳に追加

A concentration height pattern of a photocarrier near the semiconductor substrate surface generated through the irradiation by the irradiation sections causes the pattern different in the complex refractive index from the electromagnetic waves 02 of the wavelength having the photon energy lower than that of the band gap energy of the semiconductor substrate 01, thereby controlling the space propagation state of the electromagnetic waves 02 with which the surface of the pattern is irradiated. - 特許庁

基板１上に、窒化物半導体からなるｎ型層、活性層、及びｐ型層が積層されてなる窒化物半導体発光素子において、互いにバンドギャップエネルギーの異なる複数の活性層５、７、９の間に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントが共にドープされたキャリア発生層６、８を形成する。例文帳に追加

In the nitride semiconductor light-emitting device in which an n-type layer made of a nitride semiconductor, an active layer, and a p-type layer are laminated on a substrate 1, carrier generation layers 6, 8 doped with n-type dopants and p-type dopants are formed among a plurality of active layers 5, 7, and 9 having mutually different band gap energy. - 特許庁

その後、図１（ｄ）に示すように、透明結晶基板１の他表面側から多層半導体層１０のバンドギャップエネルギよりも小さなエネルギの光として単色光のレーザ光ＬＢを多層半導体層１０を通してカソード電極６およびアノード電極７それぞれに照射することでカソード電極６およびアノード電極７をアニールするアニール工程を行う。例文帳に追加

Then, an annealing process is performed, where the cathode and anode electrodes 6, 7 are annealed by applying laser beams LB of monochromatic light as light having energy smaller than the band gap energy of the multilayer semiconductor layer 10 from the other surface side of the transparent crystal substrate 1 to the cathode and anode electrodes 6, 7 through the multilayer semiconductor layer 10 as shown in Fig.1(d). - 特許庁

複数のIII族元素を含む窒化物半導体層が凹凸のある基体表面上に形成されてなることにより、上記窒化物半導体層におけるIII族元素の組成比、バンドギャップエネルギ、屈折率、導電性、抵抗率の少なくとも一つが、上記基体の凹凸に対応して、層内で変化するようにする。例文帳に追加

A nitride semiconductor layer including a plurality of group III elements is formed on an uneven surface of a substrate so that at least one of composition ratios of the group III elements in the nitride semiconductor layer, band gap energy, refractive index, electrical conductivity and resistivity is changed in the layer in response to unevenness of the substrate. - 特許庁

本発明の半導体レーザは、半導体基板４９上に形成された活性層５１と、上記活性層５１を有するウエハを劈開することにより形成された一対の劈開端面５５と、少なくとも一方の上記劈開端面５５上に形成され上記活性層５１より大きいバンドギャップエネルギーを有しかつ上記活性層５１より格子定数が小さい窓層５０と、を備える。例文帳に追加

This semiconductor laser is provided with an active layer 51 formed on a semiconductor substrate 49, a pair of cleaved end surfaces 55 that are formed by cleaving a wafer comprising the active layer 51, and a window layer 50 that is formed on at least one of the cleaved end surfaces 55 and has the band gap energy larger than that of the active layer 51 and the lattice constant smaller than that of the active layer 51. - 特許庁

本半導体レーザ素子は、歪多重量子井戸構造を活性層に有する半導体レーザ素子であって、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０４の一部に量子井戸層５を有し、量子井戸層の第一量子準位の電子とホールのエネルギー差が、活性層のバリア層のバンドギャップ・エネルギー以上で有る。例文帳に追加

This semiconductor laser element is provided with an active layer having a distorsion multiplex quantum well structure, and a quantum well layer 5 is provided in a part of a p-InP clad layer 104, and a difference in energy between electrons at a first quantum level in the quantum well layer and a hole is larger than the band gap energy of the barrier layer in the active layer. - 特許庁

狭ギャップ化が可能で接続信頼性の高い突起電極を製造することができ、さらに端子間の接続については高価な異方性導電膜を用いることなく行うことができ、しかも接続信頼性の検査も容易に行えるようにした、半導体装置の製造方法とこれによって得られる半導体装置、及び回路基板、電気光学装置、電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which can manufacture a bump electrode high in connection reliability by enabling fine gaping, further can make a connection between terminals without using expensive anisotropy conductive film, and can easily execute a test high in connection reliability, a semiconductor device manufactured by it, a circuit substrate, an electro-optical device, and an electronic apparatus. - 特許庁