「ギャップ半導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体は、温度上昇によってバンドギャップ波長が長波長にシフトするので、特定の波長において、温度上昇と共に吸収係数がさらに増大する。例文帳に追加

In the semiconductor, since the band gap wavelength shifts to longer wavelength side due to a temperature raise, in a specific wavelength, the absorption coefficient is further increased as the temperature rises. - 特許庁

シリコンまたはゲルマニウムよりもバンドギャップが大きく、真性キャリア密度が低い半導体で、耐圧性の高さが要求される回路を作製する。例文帳に追加

A semiconductor with a larger band gap and a lower intrinsic carrier concentration than silicon or germanium is used for manufacturing of circuit which is required to have a high pressure resistance. - 特許庁

配線抵抗が低い銅を含む配線に、バンドギャップが広く、且つキャリア濃度が低い高純度化された酸化物半導体を接続してトランジスタを作製すればよい。例文帳に追加

The transistor may be manufactured by connecting a highly purified oxide semiconductor having a wide band gap and a low carrier concentration to wiring containing copper having low wiring resistance. - 特許庁

光吸収層１０３は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有して基板１０１とは格子定数が異なる半導体から構成されて歪みを有している。例文帳に追加

The optical absorption layer 103 has a band gap energy corresponding to a wavelength of targeted light, is composed of a semiconductor with a lattice constant different from that of the substrate 101, and has distortion. - 特許庁

配線の導通信頼性を損なうことなく、エアギャップを形成でき、配線間容量Ｃが低減した配線膜構造を有する半導体装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a wiring film structure forming an air gap without impairing conduction reliability of a wire, and reduced in inter-wire capacitance C. - 特許庁

ＭＲＥＬは、バンドギャップが小さく電子移動度が高い層であり、例えばＺｎＯなどの半導体やＢｉなどの半金属からなる層が該当する。例文帳に追加

A MREL is a layer of a low band gap, high electron mobility semiconductor such as ZnO or a semimetal having those characteristics such as Bi. - 特許庁

加熱コイル及び加熱コイル駆動回路の冷却を少ない冷却ファンの風量で効率的に行い、且つワイドバンドギャップ半導体を使用した信頼性の高い誘導加熱調理器を提供する。例文帳に追加

To provide an induction heating cooking device which has high reliability by efficiently cooling a heating coil and a heating coil driving circuit with small air flow from cooling fan, and by utilizing a wide band gap semiconductor. - 特許庁

III族窒化物半導体電子デバイス１１では、チャネル層２１はＡｌＧａＮからなると共に、バリア層２３はチャネル層２１より大きなバンドギャップのＡｌＧａＮからなる。例文帳に追加

In the group III nitride semiconductor electronic device 11, a channel layer 21 is made of AlGaN and a barrier layer 23 is made of AlGaN having a larger band gap than that of the channel layer 21. - 特許庁

現在の薄膜太陽電池で吸収しきれていない光を有効に利用するために、バンドギャップが2eV以上3eV未満でありｐｎ両極性に電気特性を制御できる半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor having a band gap ranging from 2 eV inclusive to below 3 eV and capable of controlling electric characteristics to both pn polarities, in order to utilize light that is not completely absorbed by the currently available thin film solar battery. - 特許庁

フリップチップ方式の半導体装置においてフィラー高充填化が可能で、高い信頼性を有し、狭ギャップへの充填性に優れる液状樹脂組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a liquid resin composition in which a filler can be filled densely in a flip chip semiconductor device, which has a high reliability, and which is excellent in the filling property in a narrow gap. - 特許庁

簡便な方法で素子分離領域を形成できる、半導体装置の素子や配線間を電気的に分離するためのエアギャップ構造体及びその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an air gap structure for electrically isolating between an element and a wire of a semiconductor device with which an element isolation region can be formed by a simple method, and to provide a method of forming the structure. - 特許庁

半導体より構成されたキャリアを閉じ込める閉じ込め部１０１、および閉じ込め部１０１よりエネルギーギャップの大きい材料から構成された障壁部１０２から構成された閉じ込め構造１０３を備える。例文帳に追加

The apparatus comprises a confining part 101 for confining carriers consisting of semiconductor; and a confining structure 103 consisting of a barrier part 102 made of a material having a energy gap higher than the confining part 101. - 特許庁

Ｈｉｇｈ−ｋ材料を用いたゲート絶縁膜において、バンドギャップ中の準位の発生を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a high-k material is used for a gate insulating film, and the occurrence of an impurity state in a band gap is suppressed. - 特許庁

この光磁気素子１は、半導体レーザ部２の表面に磁気ギャップ３４を含む磁気回路３０、およびコイル部２１からなる薄膜磁気トランスデューサ２０を集積したものである。例文帳に追加

This magneto-optical element 1 is constructed by integrating a magnetic circuit 30 including a magnetic gap 34, and a thin-film magnetic transducer 20 including a coil part 21 on the surface of a semiconductor laser part 2. - 特許庁

第一層の深層側には、第一層よりも小さいバンドギャップを有するＧａＮ系半導体からなる第二層Ｓ２をヘテロ接合し、第一層に両極側の電極Ｐ１、Ｐ２を設けて光導電素子とする。例文帳に追加

At the deep-layer side of a first layer, a second layer S2 consisting of the GaN-based semiconductor with a smaller band gap than that of the first layer is subjected to heterojunction, and electrodes P1 and P2 of both pole sides are provided in the first layer as a photoconductive element. - 特許庁

活性層の形成面では、活性層よりもバンドギャップ・エネルギーの大きい半導体層として、ＩｎＰ埋め込み層３４が、中央領域の活性層の側縁からリッジ側面まで連続して設けられている。例文帳に追加

On the formation surface of active layer, an InP embedded layer 34 is continuously provided from the side edge of the active layer in the central region to the ridge side surface, as a semiconductor laser whose band gap energy is larger than that of the active layer. - 特許庁

金属と半導体材料間に適度な抵抗値のｐ型オーミック接触電極を形成させ、バンドギャップの大きい発光ダイオードの性能が制限されないＧａＮ系の発光ダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a GaN based light emitting diode in which a p-type ohmic contact electrode having an appropriate resistance is formed between a metal and a semiconductor material in order to prevent the performance of a light emitting diode having a large band gap from being limited. - 特許庁

配線間の絶縁膜を可能な限り除去して十分に低誘電率化を図り、エアギャップ形成時に配線にダメージを与えない構造を設けることで信頼性を向上させた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which improves reliability by a structure where a damage is not given to wiring at the time of air gap formation, and by removing the insulating layers between wires, as much as possible, so as to attain full low dielectric. - 特許庁

非混和領域に起因する制約がバンドギャップに関して存在しないエッチング停止層を備える半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element which is provided with an etching stop layer where no restriction caused by a nonmixing region exists on the band gap, and its manufacturing method. - 特許庁

受光面側とは反対側の端に位置する障壁層３３に隣接させて、障壁層３３よりもバンドギャップが小さく、井戸層３４よりも厚さの大きな第３の半導体層を設ける。例文帳に追加

The third semiconductor layer having a band gap smaller than that of the barrier layer 33 and thicker than the well layer 34 is provided contiguously to the barrier layer 33 located at the end on the side opposite to the light receiving surface side. - 特許庁

写真製版におけるフォトマスクの重ね合わせズレが生じた場合にもエアギャップと上層配線層のビアホールとが接続することを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device wherein connection between an air gap and a via hole of an upper layer interconnection layer can be prevented when there occurs an alignment deviation between photo masks in photoengraving, and also to provide its manufacturing method. - 特許庁

コンバータは、スイッチング素子としてワイドギャップバイポーラ半導体素子を備え、かつ、それ自体の定格電力の３から３０倍の電力を数秒間制御可能である。例文帳に追加

The converter is provided with a wide-gap bipolar semiconductor element as a switching element further, to control electric power 3 to 30 times of the rated electric power of the converter itself for several seconds. - 特許庁

このような半導体混晶４は３００℃以下の低温成長温度の調節によってＺｎ_x Ｃ_y Ｏ_z の組成ｘ、ｙ及びｚを調節し、バンドギャップを広くすることが可能である。例文帳に追加

The mixed crystal 4 has x, y and z for its composition of ZnxCyOz adjusted by adjusting the lowgrowing temperature to 300°C or lower to increase its band gap. - 特許庁

広範囲の光学ギャップを自由に選べ、高感度で、光量に対する出力電流の直線性がよく、大面積でも安価な半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element which can freely select the optical gap of a wide range, whose sensibility is high, in which the linearity of output current against light quantity is good and which is inexpensive even if an area is large. - 特許庁

ＰｏＰ構造の積層型半導体装置において、実装基板への実装面積を抑制しつつ上下パッケージの接続端子数を確保し、下側パッケージのチップ厚および実装ギャップの制限を緩和する。例文帳に追加

To relax restrictions on a chip thickness and a mounting gap of a lower package of a laminated semiconductor device having a PoP structure by securing the number of connection terminals of upper and lower packages while reducing area of mounting on a mounting substrate. - 特許庁

小型化すると共に、低オン抵抗、低損失特性を有し、ゲート絶縁膜にかかる電界集中を緩和して耐圧低下を抑制し、ターンオフ時のアバランシェ破壊耐量が大きいワイドバンドギャップ半導体装置の提供。例文帳に追加

To provide a wide-band gap semiconductor device that is made compact, has low ON-resistance and low loss characteristics, and has large turn-on avalanche breakdown strength by relaxing electric field concentration to a gate insulating film to suppress a decrease in breakdown voltage. - 特許庁

埋込選択成長を利用して製造コストを削減しつつ、高耐圧特性を有するワイドバンドギャップ半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a wideband gap semiconductor device which has a high breakdown voltage characteristics, while reducing the manufacturing cost by utilizing selective embedding growth, and to provide a method of manufacturing the wideband gap semiconductor device. - 特許庁

ゲート１２０の形成された半導体基板１００上にゲート１２０間のギャップが埋め込まれないように所定厚さの第１層間絶縁膜を蒸着する。例文帳に追加

The first inter-layer insulation film is evaporated in the predetermined thickness on the semiconductor substrate 100 where the gates 120 are formed in the manner that the gap between the gates 120 is not embedded. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体のバルク結晶を基板の破損を生じることなく可能な限り薄くハンドル基板に転写することができる低コストの貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing low-cost laminated wafers capable of transferring bulk crystals of wideband gap semiconductors to handle substrates as thin as possible without damaging the substrates. - 特許庁

バンドギャップを小さくすると共に電子散乱が抑制され、炭化珪素を用いたチャネル領域でのキャリア移動度を向上させた半導体素子、並びにレーザを発振する発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which reduces the size of a band gap, and suppresses electron scattering to improve carrier mobility in an channel region using a silicon carbide, and to provide a light-emitting element which emits laser light. - 特許庁

プラズマを生成させるため印加する高周波電力の周波数を変化させることにより、半導体薄膜の厚み方向のバンドギャップを制御することを特徴としている。例文帳に追加

By changing the frequency of a high-frequency power to be applied for generating plasma, the band gap in the thickness direction of the semiconductor thin film is controlled. - 特許庁

高温リーク電流が少なく、低オン抵抗、高速動作が可能なバンドギャップアシスト構造のショットキーダイオードとしての半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device as a shot key diode having a gap assist structure having less high-temperature leak current and performing low-on resistive and high-speed operation, and also to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

また、ＧａＡｓ系の半導体発光素子において、活性層にキャリアを閉じ込めるために、バンドギャップが大きいＩｎ_ｒＧａ_１−ｒＮ（０＜ｒ≦１）をクラッド層に用いる。例文帳に追加

Furthermore, in a GaAs-based semiconductor light-emitting device, to trap carriers in an active layer, InrGa1-rN (0<r≤1) having a large band gap is used for a clad layer. - 特許庁

そして、雷保護装置は、相極ごとに接地との間に独立な半導体素子の過電圧防護器が備えられており、かつ、複数の相極に共通したギャップ式避雷素子は挿入されていないことを特徴とする。例文帳に追加

The lightning protection device is provided with an overvoltage protectors of semiconductor elements, to each match pole independently arranged in between the ground under the condition that two or more gap type lightning arresting elements common to the match poles are not inserted. - 特許庁

スイッチング用・定電流制御用に１個のワイドバンドギャップ半導体トランジスタを用いてコスト低減および小型化を図ったスイッチング電源装置と照明装置を提供する。例文帳に追加

To provide a switching power supply device which uses a single wide-bandgap semiconductor transistor for both switching and constant current control purposes to cut down costs and reduce the device size, and a lighting apparatus. - 特許庁

ワイドギャップ半導体のＨＦＥＴ１１がオンしたのち、一定時間経過後、ＦＥＴ１６および１７のゲートをオンし、増幅アンプ１５の入力端子間の電圧差で電流値を検出する。例文帳に追加

After the elapse of a fixed time after the wide gap semiconductor GFET 11 is turned on, the gates of the FETs 16 and 17 are turned on to detect a current value by a voltage difference between the input terminals of the amplification amplifier 15. - 特許庁

ワイドギャップ半導体素子２５をハンダ２１にてダイボンディングする場合に、実装部材である配線３３の上面に、ハンダ２１が溶融して側方へ流出するのを防止するための流出防止壁２９を形成する。例文帳に追加

When a wide gap semiconductor element 25 is die-bonded with solder 21, an outflow preventive wall 29 for preventing the solder 21 from melting and flowing sideward is formed on the upper surface of a wire 33 which is one of packaged members. - 特許庁

これにより、接続部分の実効誘電率を所望の値に調整することができ、実装基板上の線路と半導体チップ上の線路のスケールギャップを緩和することができる。例文帳に追加

Thus, the effective dielectric constant of the connected part can be adjusted to have a desired value so as to relax a scale gap between the line on the mounted board and the line on a semiconductor chip. - 特許庁

層間絶縁膜の形成時にギャップフィル特性を確保でき、コンタクトホールの形成時に開口不良を防止できる半導体素子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a semiconductor device which can secure a gap fill characteristic in forming an interlayer insulation film, and prevent an opening failure in forming a contact hole. - 特許庁

ＡＣ結合充電コンデンサ４３５は、使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合され、ゲート電流制限抵抗器４４５に並列に配置されている。例文帳に追加

An AC-coupled charging capacitor 435 is coupled to the gate input of the wide bandgap semiconductor junction gate transistor when used, and is arranged in parallel with the gate current limiting resistor 445. - 特許庁

２以上のゲートパターン間に形成されるコンタクトホールのオープンマージン及びギャップフィルマージンを確保するのに適した半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is suitable for keeping an open margin of a contact hole formed between two or more gate patterns, and the gap-fill margin of the hole. - 特許庁

ＨＤＰ ＣＶＤの形成工程時にギャップフィル能力を維持しながらも、ＰＩＤ現象を抑制できる高密度プラズマ化学気相蒸着装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high density plasma chemical vapor deposition apparatus in which a PID phenomenon is suppressed while maintaining gap fill capability at a forming process for an HDP CVD, and to provide a method for manufacturing a semiconductor element using the apparatus. - 特許庁

本願発明の光導波路共振器又は共振器回路の製造方法では、半導体で構成される光導波路共振器に前記半導体のバンドギャップに相当する波長よりも短い波長の光を照射し、前記光導波路共振器から発生するフォトルミネセンス光のスペクトラムから、前記半導体のバンドギャップに相当する波長以上の波長域での前記光導波路共振器の共振特性を予測する。例文帳に追加

In a method of manufacturing the optical waveguide resonator or the resonator circuit, the optical waveguide resonator composed of a semiconductor is irradiated with light having a wavelength shorter than that corresponding to a band gap of the semiconductor, and the resonance characteristic of the optical waveguide resonator in a wavelength region larger than the wavelength corresponding to the band gap of the semiconductor is predicted from the spectrum of photoluminescence light generated from the optical waveguide resonator. - 特許庁

半導体レーザ２およびＭＺ干渉型光変調器４を分岐カプラ３、合波カプラ５および光導波路１１〜１６によって接続し、モノリシック集積した光半導体素子１であって、半導体レーザ２から発する動作光に対応するバンドギャップ波長に比して長いバンドギャップ波長をもつ吸収層６を、少なくとも合波カプラ５の出力端および光導波路１６に隣接させて設けている。例文帳に追加

An optical semiconductor device 1 has a semiconductor laser 2 and a MZ interference optical modulator 4 connected by a branching coupler 3, a multiplexing coupler 5, and optical waveguides 11 to 16 and is monolithically integrated, and absorption layers 6 having a longer band gap wavelength than that corresponding to operation light emitted from the semiconductor laser 2 are provided adjacently to at least an output end of the multiplexing coupler 5 and the optical waveguide 16. - 特許庁

化合物半導体基板１に形成され、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層３とｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層６との間に位置する活性層４を備え、活性層４とｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層６との間にｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有するバリア層５を有する。例文帳に追加

The ZnSe-based light-emitting element formed on a compound semiconductor substrate 1 has an active layer 4, positioned between an n-type ZnMgSSe clad layer 3 and a p-type ZnMgSSe clad layer 6 and has a barrier layer 5, having a band gap larger than the band gap of the p-type ZnMgSSe clad layer between the active layer 4 and the p-type ZnMgSSe clad layer 6. - 特許庁