「ギャップ半導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

この方法は、半導体基板上に形成された複数のトレンチマスクをエッチングマスクとして使用して半導体基板に活性領域を限定するトレンチを形成した後に、トレンチ及びトレンチマスクからなるギャップ領域を満たす埋め立て絶縁膜を形成する段階を含む。例文帳に追加

This method includes a step in which after trenches for defining active regions on a semiconductor substrate are formed by using a plurality of trench makes formed on the semiconductor substrate as etching masks, filler insulating films are formed, with which gap regions consisting of the trenches and trench masks are filled. - 特許庁

プログラマブルスイッチのメモリ部のトランジスタに、トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる材料、例えば、ワイドバンドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いて当該トランジスタを構成する。例文帳に追加

By using a material capable of sufficiently reducing an OFF-state current of a transistor such as an oxide semiconductor material that is a wide bandgap semiconductor for a transistor of a memory part of a programmable switch, the transistor is configured. - 特許庁

高周波特性に影響を及ぼす、中継基板と同軸コネクタの中心導体の高さ方向のギャップの寸法管理を軽減することが可能な半導体素子収納用パッケージ及び半導体装置並びにそれらの製造方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide: a package for semiconductor element storage, which can reduce size management on a height-directional gap between an extension board and the center conductor of a coaxial connector which influences high-frequency characteristics; a semiconductor device; and manufacturing methods thereof. - 特許庁

次に、フォトルミネッセンス測定によって得られた発光スペクトルにおいて、化合物半導体基板１０のバンドギャップに対応する波長λ_１におけるピークＰ_１の半値幅Ｗ_１を用いて、化合物半導体基板１０の表面１０ａのダメージを評価する。例文帳に追加

Next, in the light emission spectrum obtained by the photoluminescence measuring, the damage of the surface 10a of the compound semiconductor board 10 is evaluated using the half width W_1 of a peak P_1 in a wavelength λ_1 corresponding the band gap of the compound semiconductor board 10. - 特許庁

モールド樹脂の剥離を防止しつつ、アンダーフィル樹脂層中のボイド発生の抑止および積層する半導体チップ間のギャップの測定精度の低下を防止することのできる積層型半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a laminated semiconductor device suppressing void occurrence in an underfill resin layer and preventing degradation of measurement accuracy of a gap between semiconductor chips to be laminated while preventing separation of a mold resin, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体を用いた絶縁ゲート型半導体装置において、チャネル抵抗を抑制した上で、高温下における動作時にゲート電極に高電界を印加しても、閾値電圧が経時的に変動しない安定したSiC-ＭＯＳFETを提供する。例文帳に追加

To provide a stable SiC-MOSFET having a threshold voltage not being temporally varied even when channel resistance is restrained and thereafter a high electric field is applied to a gate electrode during operation at high temperature, in an insulated gate type semiconductor device using a wideband gap semiconductor. - 特許庁

シリコンなどのバンドギャップが低い半導体デバイスにおいては、半導体デバイスの電圧降下を使った温度推定の精度が低いため、実用的な温度検出用の回路や、検知方式を得るための構成が複雑になる。例文帳に追加

To solve the problem associated with semiconductor devices of silicon or the like having a low band gap, wherein the accuracy of temperature estimation using a voltage drop in a semiconductor device is low and this complicates a circuit for temperature detection suitable for practical use or a configuration for obtaining a detection method. - 特許庁

ワイドギャップ半導体素子を動作させる半導体装置の動作方法であって、積層欠陥の発生による素子破壊を招くことなく簡単に実現できるとともに、定格電流に達するまでの時間を短縮できるものを提供すること。例文帳に追加

To provide a method of operating a semiconductor device for operating a wide-gap semiconductor element, which facilitates operation thereof without causing the destruction of the element due to the occurrence of stacking defects, and which reduces the time until reaching the rated current. - 特許庁

バンドギャップが広い酸化物半導体を用いて、トランジスタのオフ電流を低減するだけでなく、キャリア濃度が低い高純度化された酸化物半導体を用いて正のしきい値電圧を有し、所謂ノーマリーオフ特性のトランジスタとして、オフ電流とオン電流の比を大きくできる。例文帳に追加

The oxide semiconductor having a wide band gap is used to reduce an off-current of the transistor, and in addition, the highly purified oxide semiconductor having the low carrier concentration to form a transistor having a positive threshold voltage, i.e. normally off-characteristics, and a ratio between an off-current and an on-current can be increased. - 特許庁

半極性面を主面とするＧａＮ基板を用いた窒化物系半導体発光素子であって、井戸層とバリア層のバンドギャップの差が大きくても、発光効率の低下と駆動電圧の上昇を抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride-based semiconductor light-emitting element capable of preventing the deterioration of emission efficiency and the rise of drive voltage, even if the band gap between well layers and barrier layers is large, with reference to the nitride-based semiconductor light-emitting element using a GaN substrate with a semipolar surface as a principal surface. - 特許庁

レーザ活性層１０４上にメサ状に形成された、エアギャップ１１４とｐ−ＩｎＰ型半導体層１１７との交互積層からなる反射鏡の側壁面外部に、反射鏡を構成する半導体中のｐ型ドーパントを拡散させ、ｐ型導電領域１１０を設ける。例文帳に追加

P-type dopant in a semiconductor constituting a reflecting mirror is diffused on outer parts of side wall faces of the reflecting mirror formed of an alternate lamination layer of air gaps 114 and p-InP type semiconductor layers 117, which are formed on a laser active layer 104 in a mesa shape, and p-type conduction regions 110 are installed. - 特許庁

半導体実装プロセスにおいて、ＬＳＩ素子と回路基板とのギャップを十分に確保し、シード層上へのハンダの濡れ広がりを防止し、接合の信頼性を向上する事を特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which reliability of bonding is improved by sufficiently securing a gap between an LSI element and a circuit board to prevent wetting spread of a solder to a seed layer, in a semiconductor mounting process. - 特許庁

このように、半導体装置の製造方法において、ゲートパターン上に層間絶縁膜１３０を形成する時にスパッタエッチング工程を行えば、ゲート１２０間のギャップがボイド欠陥無しに埋め込まれ、半導体装置の信頼性を高めることができる。例文帳に追加

In such method of fabricating semiconductor device, the gap between the gates 120 is embedded without any void defect, and reliability of semiconductor device can be improved by conducting the sputter etching process when the inter-layer insulation film 130 is formed on the gate pattern. - 特許庁

立方晶窒化ケイ素の半導体としての利用を実現し、化学的、機械的、物理的に安定であるうえに、電子・光素子としても有力なワイドギャップを有するｎ型およびｐ型の立方晶窒化ケイ素半導体と、その製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide n-type and p-type cubic silicon nitride semiconductors, which are utilized as a cubic silicon nitride semiconductor, are stable chemically, mechanically and physically and have a wide gap useful as an opto-electronic element, and to provided a manufacturing method therefor. - 特許庁

次に、フォトルミネッセンス測定によって得られた発光スペクトルにおいて、化合物半導体基板１０のバンドギャップに対応する波長λ_１におけるピークＰ_１の半値幅Ｗ_１を用いて、化合物半導体基板１０の表面１０ａのダメージを評価する。例文帳に追加

Then, in the emission spectrum obtained by photoluminescence measuring, the damage of the surface 10a of the compound semiconductor substrate 10 is evaluated by using the half value width W_1 of the peak P_1 in the wavelength λ_1 corresponding to the band gap of the compound semiconductor device 10. - 特許庁

比誘電率が約１の層間絶縁層を備える半導体装置において、配線を良好な形状で形成すること、及びエアギャップ形成後においても配線の変質を抑制することの少なくともいずれか一方を実現できる半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, including an interlayer insulating layer having a dielectric constant of about 1, which is capable of realizing at least one of formation of a proper shape of lines and the prevention of deterioration in the lines, even after the formation of air gaps. - 特許庁

半導体ウエハのダイシング工程における、ブレード（切削刃）の取り付けギャップや摩耗等に起因する、ダイシング装置の固有振動、およびその振動の径年変化による増大を解決し、チッピング、ブレード破損の未然防止及び半導体チップのスクライブレーン幅の減少を可能とする。例文帳に追加

To prevent chipping and break of a blade, and reduce the width of the scribe lane for semiconductor chips, by solving the natural vibration of a dicing device and increase by changes of the vibration over aging caused by the attachment gap, the abrasion, etc., of a blade (cutting edge) in the dicing process of a semiconductor wafer. - 特許庁

各論理ブロック間の配線接続を制御するプログラマブルスイッチのメモリ部のトランジスタに、トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる材料、例えば、ワイドバンドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いて当該トランジスタを構成する。例文帳に追加

By using a material capable of sufficiently reducing an OFF-state current of a transistor such as an oxide semiconductor material that is a wide bandgap semiconductor for a transistor of a memory part of a programmable switch for controlling wiring connections among individual logic blocks, the transistor is configured. - 特許庁

深いウェル領域を選択的に形成することが現実的ではない半導体材料を用いる場合に、外乱電荷の影響を受け難くするとともに、耐圧の向上と耐圧の信頼性の高い終端構造部を備えるワイドバンドギャップ半導体素子の提供。例文帳に追加

To provide a wide band gap semiconductor element that is hardly influenced by disturbance electric charge, and has a termination structure portion having improved breakdown voltage and having high reliability of the breakdown voltage when using a semiconductor material that is not realistic for formation of a deep well region. - 特許庁

光触媒表面４に光を照射した場合、その光子のエネルギーが光半導体のバンドギャップより大きければ、光半導体原子の電子は価電子帯から伝導帯へ励起され、伝導帯に電子６が生じ、価電子帯に正孔７が生じる。例文帳に追加

When the surface 4 of a photocatalyst is irradiated with light, if the energy of photons thereof is larger than the band gap of a photosemiconductor, electrons of the photosemiconductor are excited from a valance electron band to a conduction band and electrons 6 are generated in the conduction band and positive holes 7 are generated in the valance electron band. - 特許庁

半導体結晶のストリエーションを露呈させるエッチングにおいて、酸化還元電位が２．０Ｖ（標準水素電極基準）以上であるエッチング液３を用い、エッチング中に半導体のバンドギャップのエネルギーよりも大きなエネルギーを有する光を照射しながらエッチングする。例文帳に追加

In etching exposing the striation of the semiconductor crystal, an etching liquid 3 of an oxidation-reduction potential ≥2.0 V (with a standard hydrogen electrode as a reference) is used, and the etching is performed while light having a larger energy than an energy of a bad gap of the semiconductor is irradiated during the etching. - 特許庁

マスクと半導体基板とを挟ギャップ化し高解像の露光を実現すると共に、万が一マスクと半導体基板とが接触した場合にもマスクの破損を回避できるリソグラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To perform an exposure with high resolution by narrowing the gap between a mask and a semiconductor substrate, and to provide a diamond wafer, mask blanks and a mask for lithography and a method for manufacturing the diamond wafer capable of avoiding the breakage of the mask even if the mask comes into contact with the semiconductor substrate. - 特許庁

発光構造は、第１ピーク波長を有する第１光を放射可能な半導体発光素子と、半導体発光素子を覆って配置された、第２ピーク波長を有する第２光を放射可能な蛍光材料と、発光素子と蛍光材料の間に配置された光子バンドギャップ材料を含んでいる。例文帳に追加

A light emitting structure includes a semiconductor light emitting element capable of emitting first light having a first peak wavelength, a luminescent material capable of emitting second light having a second peak wavelength disposed over the semiconductor light emitting element, and a photonic band gas material disposed between the light emitting element and the luminescent material. - 特許庁

ｎ型半導体の活性層１４を挟むように、これよりエネルギーバンドギャップの高いｎ型半導体の第１と第２のクラッド層１３，１５を配置したエピウエハ１０にｐ型拡散層２１を形成し、表面側にｐ、ｎの両電極３１，３２を設ける。例文帳に追加

A p-type diffusion layer 21 is formed in an epitaxial wafer 10 arranged with first and second clad layers 13 and 15 of n-type semiconductor having an energy band gap higher than that of an active layer 14 of n-type semiconductor sandwiched between, and p and n electrodes 31 and 32 are provided on the surface side. - 特許庁

半導体基板１上に、第１の発光波長で定まる活性層３をその活性層３よりバンドギャップの大きいクラッド層２、４により挟持する半導体積層部からなる第１の発光部６が設けられている。例文帳に追加

This semiconductor layer is provided with a first light-emission part 6 formed of a semiconductor laminate part composed of an active layer 3 determined by a first emission wavelength and pinched by clad layers 2 and 4 which have each a larger band gap than the active layer 3, being formed on a semiconductor substrate 1. - 特許庁

半導体発光素子を構成する場合には、たとえばＺｎＯ系化合物半導体層からなるｎ形クラッド層とｐ形クラッド層とで、クラッド層よりバンドギャップの小さい活性層を挟持する発光層形成部を構成するように順次積層される。例文帳に追加

When a semiconductor light-emitting device is to be constituted lamination is successively made so that a light emission layer formation part for pinching an active layer with smaller band gap than a clad layer is composed of an n-type cladding layer consisting of, for example, the ZnO compound semiconductor layer and a p-type cladding layer. - 特許庁

コンタクトホール形成の際に湾曲の発生を防止して、プラグの形成に用いられる導電層のギャップフィルマージンを改善し、半導体素子の歩留まりを向上させることができる半導体素子のコンタクトホール形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming a contact hole of a semiconductor element in which generation of curvature is prevented when the contact hole is formed, and a gap fill margin of a conductive layer used for forming a plug is improved to enhance the yield of the semiconductor element. - 特許庁

半導体材料は通常キャリアが少なく、マイクロ波を吸収しにくいためマイクロ波による加熱は困難であるが、半導体材料のバンドギャップ以上のエネルギーを持つ紫外線又は可視光線を照射することにより、キャリア濃度が増し、マイクロ波による加熱が可能となる。例文帳に追加

Since the semiconductor material has few carriers normally, a heating by the microwave is hard because the material is difficult to absorb the microwave, however, an irradiating with ultraviolet rays and visible light, which have energies more than a band gap of the semiconductor material, makes the heating by the microwave possible because carrier density increases. - 特許庁

ＮＭＯＳＦＥＴ及びＰＭＯＳＦＥＴ等のＮＭＯS及びＰＭＯSを有する半導体装置において、ゲート電極の実効仕事関数を、Ｓｉバンドギャップのmid-gap付近の値に安定的に設定することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same wherein an effective work function of a gate electrode can be stably set at a value near mid-gap of an Si band gap, in the semiconductor device having an NMOS and a PMOS such as an NMOSFET and a PMOSFET. - 特許庁

透明サファイア基板上に、ＴＦＴ素子を有する画素をマトリックス状に構成するアクティブマトリックス型液晶表示装置において、ＴＦＴ素子を構成する半導体層をバンドギャップが２．９ｅＶ以上である透明半導体により形成し液晶表示装置を構成する。例文帳に追加

In the active matrix type liquid crystal display device, with which pixels having TFT elements are configured in the form of a matrix on a transparent sapphire substrate, the liquid crystal display device is configured by forming a semiconductor layer comprising the TFT element from the transparent semiconductor of a band gap ≥2.9 eV. - 特許庁

レーザー光２の光源として、試料たる半導体のバンドギャップ未満のエネルギーを有する光を射出するレーザーダイオード１ａを採用する。例文帳に追加

A laser diode 1a for emitting light having energy below a band gap of a semiconductor which is a sample is adopted as a light source of the laser beam 2. - 特許庁

Ｓｉ基板上にバッファー層を介してワイドバンドギャップ半導体が形成されているショットキーバリアダイオードであって、バッファー層は、立方晶リン化ホウ素層である。例文帳に追加

A wide-band gap semiconductor is formed on the Si substrate through the intermediary of a buffer layer to form the Schottky barrier diode, and the buffer layer is a cubic boron phosphide layer. - 特許庁

高いスペクトル強度の波長線分は、当該エネルギーバンドギャップを持つ半導体の部分の厚みが十分確保されているので、効率的に吸収することができる。例文帳に追加

Wavelength line segments of high spectrum intensity can be efficiently absorbed because the thickness of a semiconductor having the energy band gap is sufficiently ensured. - 特許庁

Ｃｕ_2Ｏ結晶を含み、銅（Ｃｕ）及び酸素（Ｏ）以外の第３の元素を含有させることによってバンドギャップを２．１ｅＶ以上とした半導体材料により上記課題を解決することができる。例文帳に追加

The semiconductor material contains Cu_2O crystals, and has a band gap of ≥2.1 eV by incorporating the third element other than copper (Cu) and oxygen (O) therein. - 特許庁

半導体基板２２の上に固定電極２４を形成し、絶縁膜２８によって形成されたギャップ２９を隔てて固定電極２４の上方に可動電極３２を設ける。例文帳に追加

Fixed electrodes 24 are formed on a semiconductor substrate 22, and movable electrodes 32 are provided above the fixed electrodes 24, with a gap 29 formed by an insulating film 28 interposed between them. - 特許庁

センサ組立体は、外側ハウジングの中に配置された少なくとも１つの広バンドギャップ半導体デバイス２５６を備えるバッファ回路２５０も含む。例文帳に追加

The sensor assembly also includes a buffering circuit 250 comprising at least one wide bandgap semiconductor device 256 positioned within the outer housing. - 特許庁

冷陰極電子エミッタは、高濃度にｎ＋ドーピングされたワイドバンドギャップ（ＷＢＧ）の半導体、ｐドーピングされたＷＢＧ領域、および低い仕事関数を持つ金属層を含む。例文帳に追加

The cold cathode electron emitter comprises a wide band gap (WBG) semiconductor that is n+ doped in high concentration, p doped WBG region, and a metallic layer having a low work function. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体チップ１の電極表面２の端部に、直接的に又は電極パッド２０を介して間接的にボンディングワイヤ９を接続する。例文帳に追加

The bonding wire 9 is connected directly or indirectly via an electrode pad 20 to the end of the electrode surface 2 of the wide-band gap semiconductor chip 1. - 特許庁

ダイオード１２およびコンデンサ１３で回路構成されたコッククロフト回路１１により交流を直流に変換する直流電源装置において、前記ダイオード１２をワイドギャップ半導体からなるＳｉＣダイオードとする。例文帳に追加

In a DC power supply apparatus which converts AC to DC by a Cockcroft circuit 11 having a diode 12 and a capacitor 13, the diode 12 is an SiC diode made of a wide gap semiconductor. - 特許庁

そして、スイッチング素子として用いられるトランジスタは、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を、チャネル形成領域に含んでいる。例文帳に追加

A transistor used as the switching element includes, in a channel formation region, a semiconductor having bandgap wider than silicon and an intrinsic carrier density lower than silicon. - 特許庁

変調用光源１４が、導波路１３を形成する半導体のバンドギャップに相当する波長を含む光を、導波路１３の外側面に照射可能に設けられている。例文帳に追加

A modulating light source 14 is provided to apply light containing a wavelength corresponding to a band gap of the semiconductor forming the waveguide 13 to the outside surface of the waveguide 13. - 特許庁

この電位段差は、バンドギャップの小さな半導体がメサ側面に露出しても、その部分の電位降下量を抑制し、デバイス動作に不都合なリーク電流を低減できる、という機能をもたらす。例文帳に追加

The potential step functions to suppress a potential descending amount of a mesa side surface even when a semiconductor having small band gap is exposed to the mesa side surface, thereby the leak current inconvenient to the device operation can be reduced. - 特許庁

つまり、ｎ型化合物半導体層１０３は、そのバンドギャップとｎ型ドーピングが、熱励起キャリアの拡散を抑制するように調整されている。例文帳に追加

Namely, the n-type compound semiconductor layer 103 has its band gap and n-type doping adjusted to suppress the diffusion of the thermally excited carrier. - 特許庁

次いで、前記ゲートパターン間のギャップを埋込みつつ前記ＣＡの半導体基板を露出させるコンタクトホールを有する層間絶縁膜パターンを形成する。例文帳に追加

Subsequently, an interlayer insulation film pattern having a contact hole for exposing the semiconductor substrate of the CA while filling the gap between the gate patterns is formed. - 特許庁

第２の化合物半導体層１０３は、ｎ型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。例文帳に追加

The second compound semiconductor layer 103 has its band gap shifted by n-type doping relatively in a valence-band direction to effectively function as a diffusion barrier for the thermally excited hole. - 特許庁