「ギャップ半導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

電流狭窄層１６のバンドギャップは、ｐ型半導体領域１８のバンドギャップより大きい。例文帳に追加

The band gap of the current constricting layer 16 is larger than that of the p-type semiconductor region 18. - 特許庁

バリア層２６は、隣接し下にある半導体層２４のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する。例文帳に追加

The barrier layer 26 has a wider bandgap than the bandgap of the conductor layer 24 which is adjacent to and under the barrier layer. - 特許庁

発光層部１をバンドギャップエネルギーが２．５ｅＶ以上であるワイドギャップ型酸化物半導体にて構成する。例文帳に追加

The light-emitting layer section 1 of this light-emitting element is constituted of the wide-gap oxide semiconductor, having a band-gap energy of ≥2.5 eV. - 特許庁

また、半導体４は、バンドギャップが小さくなるようバンドギャップ低減処理が施されているのが好ましい。例文帳に追加

Furthermore, the semiconductor 4 is preferably processed by band-gap reduction, so that its band gap becomes small. - 特許庁

第２の半導体層５は、第１の半導体層４と比べてバンドギャップが大きい半導体層である。例文帳に追加

The second semiconductor layer 5 has a larger band gap than that of the first semiconductor layer 4. - 特許庁

サファイア基板とGaN系半導体層の間に、GaN系半導体層よりもバンドギャップエネルギーの小さい半導体層を積層させる。例文帳に追加

In a semiconductor, a semiconductor layer, having smaller band gap energy than a GaN semiconductor layer has, is interposed between a sapphire substrate and the GaN semiconductor layer. - 特許庁

半導体層若しくは半導体基板の少なくとも一部がエネルギーギャップの大きな半導体領域で構成する。例文帳に追加

A semiconductor layer or at least one portion of a semiconductor substrate comprises a semiconductor region having a large energy gap. - 特許庁

III族窒化物半導体のバンドギャップに揺らぎを形成することにより、III族窒化物半導体系半導体素子の発光効率を増加させる。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a III group nitride semiconductor which is capable of improving light emission efficiency by producing a spatial fluctuation in the bandgap of the III group nitride semiconductor. - 特許庁

太陽電池表面より入射した光のうち、半導体内で吸収されなかった半導体のエネルギーギャップより小さい光エネルギーを、半導体のエネルギーギャップより小さなショットキー障壁接合５で吸収する。例文帳に追加

Among incident lights from the surface of the solar battery, light energy smaller than the semiconductor energy gap, which is not absorbed in a semiconductor, is absorbed with the Schottky barrier junction 5 smaller than the semiconductor energy gap. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体からなる母体半導体１１が、ＩＩＩ族窒化物半導体のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する酸化物からなる外層１３により被覆されている蛍光体。例文帳に追加

This fluorophor is characterized by covering a matrix semiconductor 11 comprising a group III element nitride semiconductor with an outer layer 13 comprising an oxide having a larger handicap than the handicap of the group III element nitride semiconductor. - 特許庁

該島状のワイドバンドギャップ半導体層の端部がその絶縁層と接する構成となるため、半導体層の端部からワイドバンドギャップ半導体層に水分・大気成分が侵入する現象を防止できる。例文帳に追加

Because ends of the island-like wide bandgap semiconductor layer contact the insulation layer in this structure, a phenomenon of entry of moisture and atmospheric components into the wide bandgap semiconductor layer from ends of the semiconductor layer can be prevented. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体層を半導体層に用いたトランジスタにおいて、水分・大気成分を透過しにくいパッシベーション性を有する絶縁層でワイドバンドギャップ半導体層を島状に分離する構造とする。例文帳に追加

A transistor using a wide bandgap semiconductor layer as a semiconductor layer comprises a structure in which the wide bandgap semiconductor layer is split like islands by an insulation layer having a passivation property in which moisture and atmospheric components less permeate. - 特許庁

第１導電型の第１のワイドバンドギャップ半導体領域１６と、第１の半導体領域に挟まれて形成される第２導電型の第２のワイドバンドギャップ半導体領域１８とを備えている。例文帳に追加

A semiconductor rectifier device includes first wideband gap semiconductor regions 16 of a first conductivity type, and second wideband gap semiconductor regions 18 of a second conductivity type formed on a region sandwiched by the first semiconductor regions. - 特許庁

そして、ｎ形半導体層１２、ｐ形半導体層１３およびｐ形領域１４は、バンドギャップが２ｅＶ以上のワイドギャップ半導体からなる。例文帳に追加

Furthermore, the n-type and p-type semiconductor layers 12, 13 and the p-type regions 14 are made of wide-gap semiconductors, having respectively band gaps which are not smaller than 2 eV. - 特許庁

ワイドギャップ半導体チップの電極構造において鉛フリー半田を用いた半田付けを行った場合の接合状態を良好なものとできる、ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー半田付け方法、および鉛フリー半田付けによるワイドギャップ半導体チップを提供する。例文帳に追加

To provide a lead-free soldering method of a wide-gap semiconductor chip, which can achieve a satisfactory junction state in soldering using lead-free solder in the electrode structure of the wide-gap semiconductor chip, and to provide the wide-gap semiconductor chip by the lead-free soldering. - 特許庁

オートプリチャージギャップレス保護回路を有する半導体メモリ素子のオートプリチャージ装置例文帳に追加

AUTO PRECHARGE APPARATUS HAVING AUTO PRECHARGE GAPLESS FUNCTION PROTECTING CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE - 特許庁

Ｎｉを使用して基板とワイドバンドギャップ半導体とのショットキー接合を行っている。例文帳に追加

The substrate and the wide-band gap semiconductor compose a Schottky junction, using Ni. - 特許庁

ワイドギャップの半導体構造に基づく負の電子親和力を備えた注入冷陰極例文帳に追加

INJECTING COLD CATHODE HAVING NEGATIVE ELECTRON AFFINITY BASED ON WIDE GAP SEMICONDUCTOR STRUCTURE - 特許庁

モータ制御装置（10）は、スイッチ素子（14）がワイドバンドギャップ半導体素子である。例文帳に追加

In the motor controller (10), the switch element (14) is a wide band gap semiconductor element. - 特許庁

超低静電容量配線のためのエアギャップを備える半導体装置の製造例文帳に追加

FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP FOR ULTRA-LOW ELECTROSTATIC CAPACITANCE INTERCONNECTION - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体としては、ＳｉＣ、ＧａＮ、またはダイヤモンドを用いることができる。例文帳に追加

As the wide band gap semiconductor, SiC, GaN or diamond can be used. - 特許庁

金属膜７上に、ｎ型ワイドギャップ半導体層を含むダイオード素子１３を備える。例文帳に追加

On the metal film 7, a diode element 13 including an n-type wide gap semiconductor layer is provided. - 特許庁

エアギャップを有する多孔構造を有する半導体素子及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING POROUS STRUCTURE WITH AIR GAPS, AND METHOD FOR PRODUCING SAME - 特許庁

金属基板１２５上に、ワイドギャップ半導体層からなるバイポーラスイッチング素子２０を備える。例文帳に追加

On the metal substrate 125, a bipolar switching element 20 including a wide-gap semiconductor layer is provided. - 特許庁

これに対し、ギャップ領域は光導波路コア層３が絶縁性の半導体材料で挟まれる。例文帳に追加

Whereas the optical waveguide core layer 3 is interposed by an insulating semiconductor material in the gap region. - 特許庁

半導体微細ギャップフィリング用重合体及びこれを利用したコーティング組成物例文帳に追加

POLYMERS FOR FINE SEMICONDUCTOR GAP FILLING, AND COATING COMPOSITION USING THE SAME - 特許庁

化合物半導体である混晶系の組成比を変えることでバンドギャップを制御する。例文帳に追加

The band gap is controlled by changing the composition ratio of a mixed crystal system of a compound semiconductor. - 特許庁

ワイドギャップ半導体基板の位置検出を、可視光を用いて高精度に行う。例文帳に追加

To detect the position of a wide gap semiconductor substrate with high accuracy by using visible light. - 特許庁

光子バンドギャップ材料と蛍光材料を含んでいる半導体発光素子例文帳に追加

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT COMPRISING PHOTONIC BAND GAP MATERIAL AND FLUORESCENT MATERIAL - 特許庁

ワイドギャップ半導体素子２５と配線３３との間で電気的及び熱的な接続が保証される。例文帳に追加

Thus, the electric and thermal connection is assured between the wide cap semiconductor element 25 and the wire 33. - 特許庁

これにより、該基板１と半導体部品２とのギャップ４内に負圧が発生する。例文帳に追加

In this way, a negative pressure is produced within the gap between the board 1 and the semiconductor device 2. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体における常時オフ集積ＪＦＥＴ電源スイッチおよび作成方法例文帳に追加

NORMALLY-OFF INTEGRATED JFET POWER SWITCHES IN WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS AND METHODS OF MAKING THE SAME - 特許庁

電力変換装置およびワイドギャップバイポーラ半導体素子の駆動方法例文帳に追加

POWER CONVERSION DEVICE AND DRIVING METHOD FOR WIDE-GAP BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

化合物半導体のエネルギーギャップ内に複数のエネルギーレベルを持つことが好ましい。例文帳に追加

Preferably, the compound semiconductor has multiple energy levels in the energy gap thereof. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体材料からなる基板へのオーミック接続形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ohmic connection forming method to a substrate consisting of a wideband gap semiconductor material. - 特許庁

一実施形態によれば、ナローギャップ半導体基板（例えばＳｉ基板２）の主面の所定の位置に彫り込み型のアライメントマーク４が形成されたナローギャップ半導体基板のその主面上にワイドギャップ半導体層（例えばＧａＮ層１９）をエピタキシャル成長したことにより、基板位置決め用のアライメントマークが予め埋め込まれているワイドギャップ半導体基板を提供する。例文帳に追加

An alignment mark for positioning a substrate is embedded previously in a wide gap semiconductor substrate by growing a wide gap semiconductor layer (e.g. a GaN layer 19) epitaxially on the principal surface of a narrow gap semiconductor substrate where an alignment mark 4 is engraved at a prescribed position on the principal surface of the narrow gap semiconductor substrate (e.g. an Si substrate 2). - 特許庁

ワイドギャップ半導体素子の外面を、合成高分子化合物で被覆する。例文帳に追加

This wide-gap semiconductor device is obtained by coating an external surface of the wide-gap semiconductor element with a synthetic polymer compound. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体に存在する深いトラップ準位を室温におて評価する。例文帳に追加

To evaluate, at room temperature, the level of a deep trap existing in a wide band gap semiconductor. - 特許庁

さらに、ギャップ構造の下に半導体などによる高抵抗膜を配置する。例文帳に追加

Further, a high-resistance film made of a semiconductor, etc. is disposed beneath the gap structure. - 特許庁

例えばエアギャップ構造の形成に好適な、半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method that is suitable for forming, for example, an air-gap structure. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体における、オーミックコンタクト抵抗を低減することを目的とする。例文帳に追加

To reduce an ohmic contact resistance in a wide band gap semiconductor. - 特許庁

常時オフＶＪＦＥＴ集積電源スイッチを含むワイドバンドギャップ半導体デバイスの提供。例文帳に追加

To provide wide bandgap semiconductor devices including normally-off VJFET integrated power switches. - 特許庁

ワイドギャップ半導体の半導体スイッチング素子を用いた半導体装置において，半導体スイッチング素子に逆並列接続されるワイドギャップ半導体のフリーホイーリングダイオードに外付けで並列に接続されるスナバコンデンサをなくすこと。例文帳に追加

To provide a semiconductor device employing the semiconductor switching element of a wide gap semiconductor that eliminates the need for a snubber capacitor having been externally mounted and connected in parallel with a flywheeling diode of the wide gap semiconductor in anti-parallel connection to the semiconductor switching element. - 特許庁

発光領域に比べてバンドギャップが広い窓領域を有する窓構造の半導体レーザ素子において、裏面側窓領域のバンドギャップを、前面側窓領域のバンドギャップよりも狭くする。例文帳に追加

A band gap of a rear side window region is made narrower than that of a front side window region in the semiconductor laser element with a window structure having a window region whose band gap is wider than a light emitting region. - 特許庁

共ドープＭｇＺｎＯ層３のバンドギャップは、共ドープ層以外の半導体層中で最も小さいバンドギャップとなるアンドープＺｎＯ層２のバンドギャップよりも大きくなるように形成されている。例文帳に追加

The bandgap of the co-doped MgZnO layer 3 is formed so as to be larger than the bandgap of the undoped ZnO layer 2 which is the smallest bandgap in the semiconductor layer other than the co-doped layer. - 特許庁