「ギャップ半導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

第３の半導体のエネルギーバンドギャップは第１及び第２の半導体に比較して狭いものとされる。例文帳に追加

The energy band gap of the third semiconductor is narrower than those of the first and second semiconductors. - 特許庁

バンドギャップの大きな半導体にオーミック電極を形成したときの接触抵抗を低減させることが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for reducing contact resistance when an ohmic electrode is formed of a semiconductor with a large band gap. - 特許庁

窓層２３は、第１のIII−Ｖ化合物半導体より大きなバンドギャップを有する第２のIII−Ｖ化合物半導体からなる。例文帳に追加

A window layer 23 is composed of a second III-V compound semiconductor with a larger band gap than the first III-V compound semiconductor. - 特許庁

ＺｎＯよりもバンドギャップエネルギーＥｇの小さい所望の化合物半導体層を備えた光半導体素子を得るようにする。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor device comprising a desired compound semiconductor layer whose band gap energy Eg is smaller than ZnO. - 特許庁

第１の半導体層１３ａは、第２の半導体層１３ｂに近づくにつれてバンドギャップが小さくなっている。例文帳に追加

In the first semiconductor layer 13a, a band gap becomes smaller, the closer it comes to the second semiconductor layer 13b. - 特許庁

逆方向リーク電流の発生を抑制することのできる、ワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that can suppress the occurrence of a backward leak current and uses a wide band-gap semiconductor. - 特許庁

十分なサージ電流耐性を有し、かつ、信頼性の向上するワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体整流装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor rectifier device using a wideband gap semiconductor which has sufficient surge current resistance and improves the reliability. - 特許庁

半導体光変調器の光導波路１１、１２をワイドギャップ半導体であるＡｌＮ、ＧａＮ及びＡｌＧａＮを用いて構成する。例文帳に追加

Optical waveguides 11, 12 are formed using wide gap semiconductors such as AlN, GaN, and AlGaN. - 特許庁

ワイドギャップ半導体において高い活性化率を有するp型半導体結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a p-type semiconductor crystal, which has high activation factor in a wide-gap semiconductor. - 特許庁

電流注入でワイドギャップ半導体をレーザとして実用的な効率での動作が期待できる半導体レーザを提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser in which a wide gap semiconductor is used as a laser by a current injection, and an operation in practical efficiency can be expected. - 特許庁

変換装置３に含まれる半導体素子がＳｉよりバンドギャップが大きい５５℃以上の周囲温度で動作可能な半導体素子である。例文帳に追加

A semiconductor element included in a conversion device 3 is of a type having a band gap larger than that of Si and operable in an ambient temperature of 55°C or above. - 特許庁

このような半導体としては、例えば、シリコンの約３倍程度の大きなバンドギャップを有する、酸化物半導体が挙げられる。例文帳に追加

For the semiconductor, an oxide semiconductor with a band gap about three times larger than silicone is taken for instance. - 特許庁

短波長光の有効利用が可能ないわゆるワイドギャップ半導体層を有する光起電力素子のように、ｎ型半導体層、及びｐ型半導体層が真性半導体層を挟んで積層されてなり、前記ｎ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_n）、及び前記ｐ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_p）の少なくとも一方が前記真性半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_i）よりも小さい半導体層を有する光起電力素子において、、その開放電圧や短絡電流等の特性を改良する。例文帳に追加

To reduce damage to a base layer due to plasma by a method wherein at least one buffer layer out of buffer layers, which respectively have an optical gap lower than a specified value and exist between the P-type semiconductor layer and the intrinsic semiconductor layer and between the N-type semiconductor layer and the intrisic semiconductor layer in a semiconductor layer, is provided in the semiconductor layer. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体からなる素子は、Ｓｉ半導体からなる素子よりもオン抵抗が小さい。例文帳に追加

An element composed of a wide band gap semiconductor has an on-resistance lower than that of an element composed of an Si semiconductor. - 特許庁

半導体レーザに、駆動電流を供給する駆動電流供給回路３０は、半導体材料のバンドギャップ値に応じて、電源電圧をフローティングさせて、半導体レーザの両端間に対して、半導体材料のバンドギャップ値を上回る電圧を印加するように構成する。例文帳に追加

A drive current supply circuit 30 which supplies a drive current to a semiconductor laser floats a power source voltage according to the band gap value of a semiconductor material so that a voltage exceeding the band gap value of the semiconductor material is applied between both ends of the semiconductor laser. - 特許庁

第２半導体領域４４は、窒化ガリウム・アルミニウム（Al_0.3Ga_0.7N）で形成されており、そのバンドギャップは第１半導体領域４２のバンドギャップよりも広い。例文帳に追加

The second semiconductor region 44 is formed from gallium nitride-aluminum (Al_0.3Ga_0.7N), with its band gap being wider than that of the first semiconductor region 42. - 特許庁

好ましくは前記第一の半導体のバンドギャップが、前記第二の半導体の微粒子のバンドギャップより広いことを特徴とする前記エレクトロルミネッセンス素子である。例文帳に追加

Preferably, the band gap of the first semiconductor is wider than the band gap of the particulates of the second semiconductor. - 特許庁

障壁層は、第１及び第２の半導体のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する第３の半導体もしくは絶縁材料で形成されている。例文帳に追加

The barrier layer is formed of a third semiconductor or insulating material having a band gap larger that that of the first and second semiconductors. - 特許庁

第１のガイド層１７の第２のIII−Ｖ化合物半導体のバンドギャップ波長は、第２の光ガイド層１９の第３のIII−Ｖ化合物半導体のバンドギャップ波長より短い。例文帳に追加

The bandgap wavelength of the second group III-V compound semiconductor of the first guide layer 17 is shorter than that of the third group III-V compound semiconductor of the second optical guide layer 19. - 特許庁

高バンドギャップエネルギー層と、それに接する低バンドギャップエネルギー層と、のペアの平均Ｉｎ組成比は、第１半導体層の側よりも第２半導体層の側の方が高い。例文帳に追加

The average In composition ratio of a pair of high band-gap energy layer and a low band-gap energy layer is higher on the second semiconductor layer side than on the first semiconductor layer side. - 特許庁

半導体４のバンドギャップは、酸化チタン粉末の少なくとも一部あるいは半導体材料の成形体に対して、バンドギャップ低減処理を施すことにより、３．１ｅＶ以下とされている。例文帳に追加

The band gap of the semiconductor 4 is set at 3.1 eV or less by reducing band gap at least in a part of the titanium oxide powder or a molded body made of semiconductor material. - 特許庁

順方向特性にビルトイン電圧を有するワイドギャップバイポーラ半導体素子を形成するように、互いに異なる導電型を有する少なくとも２層のワイドギャップ半導体層１、２、３を積層する。例文帳に追加

At least two wide-gap semiconductor layers 1, 2 and 3, having mutually different conductivities, are laminated so that a wide-gap bipolar semiconductor element, having a built-in voltage in the forward characteristics. - 特許庁

基板１１上にバンドギャップを有するＧａＮ等の半導体層１２を有し、そのバンドギャップの障壁エネルギ以上のＸ線を照射することで、前記半導体層１２において発光することを特徴とする。例文帳に追加

A semiconductor layer 12 of GaN or the like having a band gap is provided on a substrate 11, and by irradiating with an X-ray having energy higher than barrier energy of the band gap, light is emitted at the semiconductor layer 12. - 特許庁

例えば、浮遊ゲートを形成する半導体材料のバンドギャップと、半導体基板のチャネル形成領域におけるバンドギャップは、０．１ｅＶ以上の差があって、前者の方が小さいことが好ましい。例文帳に追加

Band gap of a semiconductor material forming the floating gate and the band gap in the channel forming region of the semiconductor substrate have a difference of 0.1 eV or more and the former is preferably smaller. - 特許庁

例えば、浮遊ゲートを形成する半導体材料のバンドギャップと、半導体層のチャネル形成領域におけるバンドギャップは、０．１ｅＶ以上の差があって、前者の方が小さいことが好ましい。例文帳に追加

For example, the band gap of a semiconductor layer forming the floating gate and the band gap in the channel forming region of the semiconductor layer have a difference of 0.1 eV or above, and the former is preferably smaller. - 特許庁

前記第１の化合物半導体層上に、前記第１のバンドギャップよりも広い第２のバンドギャップのＡｌ_yＩｎ_zＧａ_1-y-zＮ（０＜ｙ＜１、０＜ｙ＋ｚ≦１）を含む第２の化合物半導体層を形成する。例文帳に追加

A second compound semiconductor layer containing Al_yIn_zGa_1-y-zN (0<y<1, 0<y+z≤1) having a second bandgap wider than the first band gap is formed over the first compound semiconductor layer. - 特許庁

高バンドギャップエネルギー層と、それに接する低バンドギャップエネルギー層と、のペアの平均Ｉｎ組成比は、第１半導体層の側よりも第２半導体層の側の方が高い。例文帳に追加

An average In composition ratio of one of the high-band gap energy layers and one of the low-band gap energy layers contacting the high-band gap energy layer is higher on the side of the second semiconductor layer than on the side of the first semiconductor layer. - 特許庁

半導体積層が、蛍光層を挟んで配置され、蛍光層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する二つの光励起層を有してなる半導体積層である前記記載の蛍光体。例文帳に追加

The phosphor above includes the semiconductor lamination layers which are arranged by sandwiching the phosphor layer and includes two light stimulation layers with a band gap greater than that of the phosphor layer. - 特許庁

分離層１３０は、少なくとも第１半導体層１２２、活性層１２４及び第２半導体層１２８の半導体材料よりもバンドギャップが大きい他の半導体材料により形成されている。例文帳に追加

The separation layer 130 is formed of other semiconductor materials whose band gap is larger than semiconductor materials of the first semiconductor layer 122, the active layer 124 and the second semiconductor layer 128. - 特許庁

半導体層積層体１０２は、第１の窒化物半導体層１２１及び第１の半導体層１２１と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層１２２を含み、チャネルを有している。例文帳に追加

The stack of semiconductor layers 102 includes a second nitride semiconductor layer 122 with a larger band gap than that of a first nitride semiconductor layer 121, and a channel. - 特許庁

電界効果トランジスタは、ｉ型層の第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成され該第１の半導体層よりバンドギャップエネルギーの大きい第２の半導体層を備える。例文帳に追加

The field effect transistor is provided with a first semiconductor layer of an i-type layer and a second semiconductor layer of bigger band gap energy than that of the first semiconductor layer formed on the first semiconductor layer. - 特許庁

ワイドギャップ半導体からなる半導体素子を用いた半導体装置において、簡単な構成で定格サージ順電流を大きくできる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which uses a semiconductor element made of a wide-gap semiconductor, in which a rated surge forward current can be increased with a simple structure. - 特許庁

また、第２半導体層１０２を構成する第１窒化物半導体は、第３半導体層１０３を構成する第２窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。例文帳に追加

A lattice constant of the first nitride semiconductor constituting the second semiconductor layer 102 is small than that of the second nitride semiconductor constituting the third semiconductor layer 103, while a band-gap energy of the first nitride semiconductor constituting the second semiconductor layer 102 is larger than that of the second nitride semiconductor constituting the third semiconductor layer 103. - 特許庁

この基板に半導体膜１３のバンドギャップエネルギーよりも小さく、かつ下地半導体膜１２のバンドギャップエネルギーよりも大きいエネルギーを有する光を照射することにより、エッチング領域１４の半導体膜をエッチングする。例文帳に追加

The semiconductor film of the etching area 14 is etched by emitting to this substrate light with band gap energy smaller than that of the semiconductor film 13, and energy larger than the band gap energy of the bottom semiconductor film 13. - 特許庁

前記第１のバンドギャップと前記第２のバンドギャップとの間のエネルギを有する光を前記第１の化合物半導体層に照射しながら前記第１の化合物半導体層を除去して、前記基板を前記化合物半導体積層構造から分離する。例文帳に追加

The first compound semiconductor layer is removed while irradiating the first compound semiconductor layer with light having energy between the first bandgap and the second bandgap, and the substrate is separated from the compound semiconductor laminated structure. - 特許庁

ＧａＮ系半導体レーザのｐ型クラッド層を互いにバンドギャップの異なる２以上の半導体層により構成し、かつ、ｐ型クラッド層の活性層側の部分を他の部分に比べてバンドギャップの大きい半導体層により構成する。例文帳に追加

A p-type clad layer of a GaN-based semiconductor laser is configured by two or more semiconductor layers having different band gaps from one another, and a part of an active layer side of the p-type clad layer is configured by a semiconductor layer having a band gap greater than that of the other parts. - 特許庁

ＧａＮ系半導体レーザのｐ型クラッド層を互いにバンドギャップの異なる２以上の半導体層により構成し、かつ、ｐ型クラッド層の活性層側の界面近傍の部分を他の部分に比べてバンドギャップの大きい半導体層により構成する。例文帳に追加

The p-type clad layer of a GaN semiconductor laser is constituted of two or more semiconductor layers having different band gaps and, in addition, the part of the p-type clad layer near the active layer-side interface of the layer is constituted of a semiconductor layer having a larger band gap than the other part has. - 特許庁

本発明のパワー半導体素子は、実質的に同じバンドギャップを有するワイドギャップ半導体材料からなるｐ型層３４とｎ型層３３，３５とが少なくとも三層交互に、複数層積層されたバイポーラ型のパワー半導体素子である。例文帳に追加

A power semiconductor device is a bipolar-type power semiconductor device constituted by plural layers lamination wherein at least three layers of p-type layer 34, n-type layers 33 and 35 composed of a wide-gap semiconductor material having substantially the same band gap are alternately laminated. - 特許庁

半導体装置が、基板と、基板の上に設けられる第１の半導体層と、第１の半導体層の上に設けられ、第１の半導体層より大きなエネルギーバンドギャップを有し、第１の半導体層と第２の半導体層との界面に２次元電子ガスを誘起する。例文帳に追加

The semiconductor device includes a substrate, a first semiconductor layer provided on the substrate, and an energy band gap provided on the first semiconductor layer and larger than the first semiconductor layer and induces a two-dimensional electron gas on an interface between the first semiconductor layer and a second semiconductor layer. - 特許庁

平滑面で高密度かつ大きな強度を有し、バンドギャップについて、シリコンのナノ結晶によるワイドギャップと、シリサイドナノ結晶によるナローギャップで、広範の波長に対応可能な、半導体材料を、低コストで形成する。例文帳に追加

To form a semiconductor material at a low cost, which has a smooth surface, high density and large strength, and as for a band gap, can correspond to a wide-range wavelength between a wide gap due to silicon nanocrystals and a narrow gap due to silicide nanocrystals. - 特許庁

傾斜バンドギャップ層（２４）のバンドギャップは、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層（２２）との界面から遠ざかるにつれ減少し、傾斜バンドギャップ層（２４）と電極層（２３）との界面においては実質的に零または負の値となる。例文帳に追加

The band gap of the inclined band gap layer 24 decreases more away from the interface of the III-V group semiconductor layer, and the band gap substantially becomes zero or a negative value on the interface of the inclined band gap layer 24 and the electrode layer 23. - 特許庁

半導体デバイスと基板との間にシールを設け、デバイスの複数の辺に沿ってギャップを密封しながら、デバイスの少なくとも１つの辺に沿ってギャップを密封しないままにし、ギャップと流体連絡できるようにする。例文帳に追加

The sealing a arranged between the semiconductor device and the substrate, and, while the gap is closely sealed along the plural sides of the device, the gap is not closely sealed along at least one side of the device so that fluid communication with the gap can be realized. - 特許庁

少なくとも窒化物系化合物半導体層と電極を有する半導体電子デバイスにおいて、前記窒化物系半導体層の少なくとも表面の一部を含む領域は不純物が添加されバンドギャップエネルギーが前記領域以外の該窒化物系半導体層のバンドギャップエネルギーよりも小さくなっており、かつ前記電極は該領域に接する状態であることを特徴とする半導体電子デバイス。例文帳に追加

In the semiconductor electronic device including at least a nitride chemical compound semiconductor layer and an electrode in an area including a part of at least a surface of the nitride semiconductor layer, an impurity is added and band gap energy is smaller than that of the nitride semiconductor layer other than the area, and the electrode is configured in contact with the area. - 特許庁

光半導体金属と有機物質を含有する光半導体金属−有機物質混合体であって、その光半導体金属−有機物質混合体のエネルギーギャップ（Ａ）と前記光半導体金属自体のもつエネルギーギャップ（Ｂ）との差（Ａ−Ｂ）が０．１ｅＶ以上のものである光半導体金属−有機物質混合体。例文帳に追加

The optical semiconductor metal-organic substance mixed body contains an optical semiconductor metal and an organic compound, and in the optical semiconductor metal-organic substance mixed body, the difference (A-B) between the energy gap (A) of the optical semiconductor metal-organic substance mixed body and the energy gap (B) of the optical semiconductor metal itself is ≥0.1 eV. - 特許庁

第１の酸化物半導体膜及び、第１の酸化物半導体膜に接して第１の酸化物半導体膜よりバンドギャップが大きい第２の酸化物半導体膜の積層構造を有する層を酸化物半導体層として用いた。例文帳に追加

A semiconductor device includes as an oxide semiconductor layer, a layer with a multilayer structure including a first oxide semiconductor film and a second oxide semiconductor film with a larger band gap than the first oxide semiconductor film and in contact with the first oxide semiconductor film. - 特許庁