「クランプダイオード」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

加熱コイル２４と共振コンデンサ２５との間の接続点Ａを所定の電位にクランプして２個のスイッチング素子１４、１５の一方及び加熱コイル２４と共に直列ループ回路を形成するクランプダイオード２６を備え、直列ループ回路を形成するスイッチング素子とクランプダイオード２６がワイドバンドギャップ半導体で形成されている。例文帳に追加

The induction heating cooker includes a clamp diode 26 forming a series loop circuit with either of two switching elements 14 and 15 together with a heating coil 24 in a situation that a connection point A between the heating coil 24 and a resonance capacitor 25 is clamped to a predetermined potential, and the switching elements and the clamp diode 26 forming the series loop circuit are formed by a wideband gap semiconductor. - 特許庁

クランプダイオードは、電源配線３により短い距離で接続可能なように、電源配線３の真下あるいはその近傍の領域にレイアウトされる。例文帳に追加

The clamp diode is laid out immediately beneath the power supply wiring 3 or the region near it, so as to be connectable to the power supply wiring 3 at a shorter distance. - 特許庁

電磁比例弁駆動回路３は出力トランジスタとなる第１のトランジスタ１３及びフライホイールダイオード１５に加えて、第２のトランジスタ１７、電圧保持用コンデンサ１９及びクランプダイオード２１を備える。例文帳に追加

This electromagnetic proportional valve driving circuit 3 includes a first transistor 13 as an output transistor and a flywheel diode 15, and a second transistor 17, a voltage holding capacitor 19 and a clamp diode 21 in addition thereto. - 特許庁

本発明は、ＩＧＢＴ６と７の接続点及びＩＧＢＴ８と９の接続点からと中間電位点５の間には、クランプダイオード１５、１６が接続される。例文帳に追加

Clamp diodes 15, 16 are respectively connected from the connecting point of IGBTs 6, 7 and the connecting point of IGBTs 8, 9 to an intermediate potential point 5. - 特許庁

ビーム検出部１２の電力供給が停止されると、ビーム検出信号は、アンプ１２２の後段に設けられているクランプダイオード１２３により、パルス状態からローレベル状態に切り替わる。例文帳に追加

When the power supply to the beam detecting part 12 is stopped, a beam detecting signal is switched from a pulse state to a low-level state by a clamp diode 123 arranged on the poststage of an amplifier 122. - 特許庁

Ｎ^-型領域２と低抵抗領域５とにより形成されるダイオード（フィールドクランプダイオード）Ｄ_F1は、ＭＯＳ ＦＥＴ３と並列に電気接続されている。例文帳に追加

A diode (field clamp diode) D_F1, formed of the N^--type region 2 and low-resistance region 5 is connected electrically, in parallel with the MOS FETs 3. - 特許庁

中性点クランプ式電力変換装置において、スイッチング素子と各クランプダイオードに設置するスナバ回路を改良して、部品点数を削減する。例文帳に追加

To save the number of part items by improving a switching element and a sunbber circuit which is to be installed, in each clamp diode in a neutral point clamping type power converter. - 特許庁

また、マイコン２１において、電源電圧（５Ｖ）のラインとグランドラインとの各々と、入力端子２３との間には、寄生ダイオードＤ１，Ｄ２がサージ電圧保護用のクランプダイオードとして機能するトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）Ｔ１，Ｔ２が接続されている。例文帳に追加

In the microcomputer 21, transistors (MOSFETs) T1, T2 in which parasitic diodes D1, D2 are respectively functioned as surge voltage protecting clamp diodes are respectively connected between a power supply voltage (5 V) line and the input terminal 23 and between a ground line and the input terminal 23. - 特許庁

本発明はスナバコイル、クランプダイオード、クランプコンデンサ、メインスイッチ及び補助スイッチを備えるスイッチングセルを用いて、スイッチのターンオン及びターンオフ特性及び整流器の逆回復特性により生じるＰＷＭコンバータのスイッチング損失を概ね低減する。例文帳に追加

In this method, a switching cell with a snubber coil, a clamp diode, a clamp capacitor, and main and auxiliary switches is used, and the switching loss of a PWM converter caused by the turn-on and turn-off characteristics of the switch and the inverse recovery ones of a rectifier is nearly reduced. - 特許庁

フォワード型スイッチングレギュレータにおいて、メインスイッチＱ１、両端のコンデンサＣ３、定電圧源Ｃ２とクランプダイオードＤ１、補助トランスＴ２と補助スイッチＱ２、を用いて、メインスイッチＱ１をゼロ電圧スイッチングさせる。例文帳に追加

In the forward type switching regulator, a main switch Q1 is switched with a zero voltage by using the main switch Q1, a capacitor C3 across both ends of the Q1, a constant voltage source C2, a clamping diode D1, an auxiliary transformer T2, and an auxiliary switch Q2. - 特許庁

本発明の半導体装置は、クランプダイオード３９を、ドレインポリシリコン配線３７ａの第１枠状部分およびゲートポリシリコン配線３７ｂの第２枠状部分をその構成の一部として含み、かつ、第１枠状部分と第２枠状部分との間の領域を埋めるように形成した。例文帳に追加

In the semiconductor device, a clamp diode 39 comprises a first frame-like portion of drain polysilicon wiring 37a and a second frame-like portion of gate polysilicon wiring 37b as a part of its constitution, and is formed to bury a region between the first frame-like portion and the second frame-like portion. - 特許庁

この半導体装置１は、Ｎ^-型のシリコン基板２（ドレイン領域）の上に、内方の領域に設けられた機能素子形成領域であるアクティブ領域４と、アクティブ領域４の最外周部に、アクティブ領域４を取り囲むように連続して形成されたＰ^+型の低抵抗領域５とが形成されてなるフィールドクランプダイオード構造を有している。例文帳に追加

The semiconductor device 1 has, on an N^--type silicon substrate 2 (the drain region), a field clamp diode structure formed by forming an active region 4 as a functional element formation region provided in an inner region and a P^+-type low-resistance region 5 formed at the outermost peripheral portion of the active region 4 that continuously surrounds the active region 4. - 特許庁

これにより、フローティング配線である第４配線層Ｍ４、または第４配線層Ｍ４とこれに繋がる他層の配線に一定量以上の電荷が溜まった場合は、電荷をクランプダイオードＤａへ流して、基板１へと逃がすことができるので、隣接する配線間での放電を防ぐことができる。例文帳に追加

Thus, when the fourth floating wiring layer M4 or the wiring of the fourth wiring layer M4 and the other layers connected with this is accumulated with a fixed or larger quantity of electric charge, the electric charge is made to flow into the clamp diode Da in the substrate 1, so that electric discharge between adjoining wiring can be prevented. - 特許庁

第４配線層Ｍ４がフローティング配線で、その長さが５００μｍ以上となる場合、または第４配線層Ｍ４とこれに繋がる他層の配線とがフローティング配線で、その合計の長さが５００μｍ以上となる場合は、第４配線層Ｍ４を他層の配線を介してクランプダイオードＤａに接続する。例文帳に追加

When a fourth wiring layer M4 is floating wiring whose length is set to 500 μm or longer, or when the wiring of the fourth wiring layer M4 and other layers connected with this is floating wiring whose length of the sum total is set to 500 μm or longer, the fourth wiring layer M4 is connected to a clamp diode Da via the wiring of the other layer. - 特許庁

Ｉ／Ｏセル１４は、パッド２と、それに接続する出力バッファおよび入力バッファ、およびパッド２と同じ配線層を用いて形成された電源配線３と、パッド２と電源配線３との間に接続する保護素子であるクランプダイオード（アノード領域２９およびカソード領域３１）とを備える。例文帳に追加

An I/O cell 14 includes a pad 2, an output buffer and input buffer connected to the pad 2, a power supply wiring 3 formed by using the same wiring layer as that of the pad 2, and a clamp diode (an anode region 29 and a cathode region 31) being the protection element connected between the pad 2 and the power supply wiring 3. - 特許庁