「パターン幅」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

パターン線幅シミュレーション方法およびパターン線幅シミュレータ例文帳に追加

SIMULATION METHOD FOR PATTERN LINE WIDTH AND SIMULATOR FOR PATTERN LINE WIDTH - 特許庁

給電パターンを、ランドパターン部9a、及びパターン部9aの幅より狭い幅の接続パターン部9bとから形成する。例文帳に追加

The power feeding pattern is formed of a land pattern portion 9a, and a connection pattern portion 9b having a width smaller than the width of the pattern portion 9a. - 特許庁

被検査パターンのエッジ位置を高速に検出し、被検査パターンのパターン幅と参照データのパターン修正幅を正確に求める。例文帳に追加

To accurately find the pattern width of an inspected pattern and the pattern correction width of reference data by detecting an edge position of the inspected pattern fast. - 特許庁

第２のパターンは、第１のパターンよりも幅が狭く構成される。例文帳に追加

The width of the second pattern is narrower than the width of the first pattern. - 特許庁

パターンを有する基板パターンと、前記基板パターンの近傍に、前記導電パターンよりパターン幅およびパターン間隔が小さい検査パターンから、前記導電パターンよりパターン幅およびパターン間隔が大きい検査パターンまで、漸次変化させた検査用パターンユニットを形成したワークを用意する。例文帳に追加

A work is prepared in which a substrate pattern having a pattern is formed, and an inspection pattern unit changing gradually from an inspection pattern having a pattern width and a pattern interval smaller than those of a conductive pattern to an inspection pattern having a pattern width and a pattern interval larger than those of the conductive pattern is formed in the vicinity of the substrate pattern. - 特許庁

アンテナ素子パターン部１３が給電パターン部１１よりも幅広の導体パターンで形成されるとともに、短絡パターン部１４が給電パターン部１１と同等の幅狭の導体パターンによって形成される。例文帳に追加

The antenna element pattern 13 is formed of a conductor pattern wider than the feeding pattern 11 and the shorting pattern 14 is formed of a narrow conductor pattern equal to the feeding pattern 11. - 特許庁

樹脂パターン１０は、パターン密度が高い高密度領域と、パターン密度が低い低密度領域とを有するものであってもよく、パターン幅の広い広幅領域とパターン幅の狭い細幅領域とを有するものであってもよい。例文帳に追加

The resin pattern 10 may have a high density area of high pattern density and a low density area of low pattern density, and it may have a wide area of wide pattern width and a narrow area of narrow pattern width. - 特許庁

マスク寸法検査マーク３は、製品パターンの線幅と等しい線幅のラインパターン４と、このラインパターン４に隣接して配置されラインパターン４よりも幅が広い基準パターン５とを含んでいる。例文帳に追加

The mask size checking mark 3 includes a line pattern 4 having a line width equal to that of the product pattern and a reference pattern 5 disposed next to the line pattern 4 and having a larger width than the line pattern 4. - 特許庁

配線パターンＷ２の幅は配線パターンＷ１の幅よりも大きく設定される。例文帳に追加

The width of the wiring pattern W2 is set larger than the width of the wiring pattern W1. - 特許庁

パターン幅測長装置、パターン幅測長方法、及び電子ビーム露光装置例文帳に追加

PATTERN WIDTH MEASURING DEVICE, PATTERN WIDTH MEASURING METHOD, AND ELECTRON BEAM EXPOSING DEVICE - 特許庁

電子ビームを用いてウェハ上に形成されたパターンのパターン幅を精度よく測長するパターン幅測長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a pattern width measuring device for accurately measuring the pattern width of a pattern formed on a wafer using electron beam. - 特許庁

接続部６で幅狭のパターン２と幅広のパターン３とを一体化し、均一な膜厚の薄膜パターンを得る。例文帳に追加

The thin film pattern of uniform thickness is obtained by unifying the narrow pattern 2 and the wide pattern 3 by the connection section 6. - 特許庁

そして、単独辺用プリントパターンは、端部のパターン幅に比べて狭いパターン幅の部分を有する。例文帳に追加

And, the print pattern for the single side has a narrower pattern width portion than that of the end portion. - 特許庁

均一幅下部コイルパターン片７４、漸増下部コイルパターン片７５、接続コイルパターン片７３、均一幅上部コイルパターン片７６および漸増上部コイルパターン片７７で磁気コイル５８が形成される。例文帳に追加

A magnetic coil 58 is formed of a uniform width lower coil pattern piece 74, a gradually increasing lower coil pattern piece 75, a connection coil pattern piece 73, a uniform width upper coil pattern piece 76 and a gradually increasing upper coil pattern piece 77. - 特許庁

電子デバイス及び微細幅パターンの形成方法に関し、抜きパターンや残しパターンのいずれの場合もパターン分布の粗密に依存せずに所望の微細幅パターンを精度良く形成する。例文帳に追加

To form accurately a desired fine width pattern without depending upon the roughness and fineness of pattern distribution irrespective of an extraction or remnant pattern with respect to a formation method of an electron device and a fine width pattern. - 特許庁

マスクパターンの幅Ｗ１の決定個所の幅は、幅Ｗ２を有する。例文帳に追加

The width of the determining section for the width W1 of the mask pattern has width W2. - 特許庁

第１、第２の補助パターン部６は各々補助パターンを含み、補助パターンは感光性膜に解像しない線幅を有する、遮光膜を開孔したスペースパターンの繰り返しパターン、又は遮光膜を残したラインパターンの繰り返しパターンのいずれか一方で構成する。例文帳に追加

The first and second auxiliary pattern parts 6 each include an auxiliary pattern, which is formed of a repetitive pattern of space patterns which have large line width enough not to be dissolved in the photosensitive film and formed by being bored in the light shield film, or a repetitive pattern of line patterns which are formed by leaving the light shield film. - 特許庁

ステント表面のパターン幅の検査方法例文帳に追加

METHOD FOR INSPECTING PATTERN WIDTH OF STENT SURFACE - 特許庁

フォトレジストパターン幅の減少（pattern width slimming）現象を改善する。例文帳に追加

To improve photoresist pattern width slimming phenomenon. - 特許庁

アンテナコイル２は第１のパターン幅を有する。例文帳に追加

The antenna coil 2 has a first pattern width. - 特許庁

パターン幅を効果的に拡大できるようにする。例文帳に追加

To effectively widen a pattern width. - 特許庁

混合周波数振幅ベースサーボパターン例文帳に追加

MIXED FREQUENCY AMPLITUDE BASE SERVO PATTERN - 特許庁

化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法例文帳に追加

CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE RESIST MATERIAL AND PATTERN FORMING METHOD - 特許庁

混合周波数振幅ベースサーボパターンを提供する。例文帳に追加

To provide a mixed frequency amplitude base servo pattern. - 特許庁

化学増幅系レジストのパターン形成方法例文帳に追加

PATTERN FORMING METHOD FOR CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE RESIST - 特許庁

デバイスパターンの幅は、規定範囲内に納まっている。例文帳に追加

The width of the device pattern stays within a prescribed range. - 特許庁

微細パターン線幅測定方法およびそのシステム例文帳に追加

MEASURING METHOD OF FINE PATTERN LINE WIDTH AND ITS SYSTEM - 特許庁

化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法例文帳に追加

CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST MATERIAL AND PATTERNING PROCESS - 特許庁

このため線幅が均一なパターンを得ることができる。例文帳に追加

Consequently, a pattern having a uniform line width is obtained. - 特許庁

化学増幅型レジストパターンの形成方法例文帳に追加

CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE RESIST PATTERN FORMING METHOD - 特許庁

化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法例文帳に追加

CHEMICALLY AMPLIFYING RESIST MATERIAL AND METHOD FOR FORMING PATTERN - 特許庁

電子デバイス及び微細幅パターンの形成方法例文帳に追加

ELECTRONIC DEVICE AND FORMATION METHOD OF FINE WIDTH PATTERN - 特許庁

画像形成装置および補正パターン幅制御方法例文帳に追加

IMAGE FORMING APPARATUS AND CORRECTION PATTERN WIDTH CONTROL METHOD - 特許庁

化学増幅型レジストパターンの形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE RESIST PATTERN - 特許庁

化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法例文帳に追加

CHEMICAL AMPLIFYING RESIST MATERIAL AND PATTERN FORMING METHOD - 特許庁

化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法例文帳に追加

CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST MATERIAL AND METHOD FOR FORMING PATTERN - 特許庁

パターンデータから、予め設定した複数の幅毎の長方形の分割パターンＡ１を抽出する。例文帳に追加

Preset plural rectangular divided patterns A1 for each of width are extracted from the pattern data. - 特許庁

プリント基板上に、回路パターン各々を所期のパターン幅として形成すること。例文帳に追加

To form respective circuit patterns on a printed board in the expected pattern width. - 特許庁

車長計測用パターン２と車幅計測用パターン３とを路面に形成しておく。例文帳に追加

A pattern 2 for vehicle length measurement and a pattern 3 for vehicle width measurement are formed on a road surface. - 特許庁

幅の異なるパターンを同時に容易に形成することができるパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a pattern forming method by which patterns differing in width can be easily formed at the same time. - 特許庁

微細な幅のパターンをより簡単に形成できるパターン形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a pattern forming method in which a pattern with a fine width can be formed more easily. - 特許庁

微細な幅のパターンをより簡単に形成できるパターン形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming a pattern by which a pattern of fine width is formed more easily. - 特許庁

単位パターンの位置のずれに起因して発生する線路パターンの幅の誤差を減少させる。例文帳に追加

To reduce errors in width of track patterns due to the displacements of unit patterns. - 特許庁

配線パターン１２に流れる信号の振幅がプラスとなると、配線パターンに磁界が発生する。例文帳に追加

When the amplitude of a signal flowing to a wiring pattern 12 becomes plus, a magnetic field is generated in the wiring pattern. - 特許庁

パターン線幅予測方法及びそれを用いたマスクパターン修正方法例文帳に追加

METHOD FOR PREDICTING PATTERN LINE WIDTH AND METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN USING THE METHOD - 特許庁