「化学的機械的研磨」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

不均一強度を有する研磨面を使用した化学的機械的研磨装置および方法例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD FOR CHEMICO-MECHANICAL POLISHING USING POLISHING SURFACE HAVING UNUNIFORM STRENGTH - 特許庁

化学的機械的研磨組成物とそれによる基板の研磨方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a chemical-mechanical polishing composition and a method of polishing a substrate with the same. - 特許庁

化学的機械的研磨を行う前に、ステップＳ１０で研磨対象における膜厚分布を測定する。例文帳に追加

Before chemical-mechanical polishing, the distribution of film thickness of the workpiece is measured in Step S10. - 特許庁

層間絶縁膜１０４の表面を化学的機械的研磨法により研磨する。例文帳に追加

The surface of the inter-layer insulating film 104 is ground by a chemical/mechanical grounding method. - 特許庁

固定研磨ベルトを使用して基板を化学的機械的に研磨する装置及び方法に関する。例文帳に追加

To provide a device and method for chemically and mechanically polishing a substrate by use of a fixed abrasive belt. - 特許庁

研磨部２１０は、ステージ２００上に載置された基板３００を化学的機械的研磨（ＣＭＰ）する。例文帳に追加

The polishing part 210 chemically and mechanically polishes (CMP) a substrate 300 mounted on a stage 200. - 特許庁

酸化膜１０６を化学的機械的研磨により研磨し、それによってトレンチ分離１０８を形成する。例文帳に追加

Then, the oxide film 106 is polished by CMP to form the trench isolation 108. - 特許庁

化学機械的ポリシングスラリー及びこれを用いた化学機械的研磨方法例文帳に追加

CHEMICAL/MECHANICAL POLISHING SLURRY AND CHEMICAL/MECHANICAL POLISHING METHOD USING THE SAME - 特許庁

有機膜用化学的機械的研磨スラリー、有機膜の化学的機械的研磨方法および半導体装置の製造方法例文帳に追加

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY FOR ORGANIC FILM, METHOD OF CHEMICALLY/MECHANICALLY POLISHING ORGANIC FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

その後、ＧａＮ基板１０裏面を機械的に研磨して薄膜化し、化学機械研磨によって研磨傷を除去し、平坦化する。例文帳に追加

Thereafter, the GaN substrate 10 is thinned through mechanical polishing of the bottom surface thereof, and then scratches are removed through chemical mechanical polishing, to thereby planarize the bottom surface. - 特許庁

多量の銅系金属を研磨する場合であっても、研磨パッドへの研磨生成物の付着を抑え、研磨操作を中断することなく１度の研磨操作で良好に研磨し得る化学的機械的研磨用スラリーを提供する。例文帳に追加

To provide a slurry for chemical mechanical polishing which inhibits the adhesion of polished products to polishing pads and yields fine polished products via a single polishing operation without interrupting the polishing operation, even when polishing a large amount of copper metals. - 特許庁

また、本発明の金属用研磨液を、被研磨面と接触させ、被研磨面と研磨液および／又は研磨パッドを相対運動させて研磨することを特徴とする化学的機械的研磨方法である。例文帳に追加

The polishing is conducted by contacting the polishing liquid for the metal to the surface to be polished, and relatively moving the surface to be polished to the polishing liquid and/or a polishing pad. - 特許庁

被研磨膜と研磨パッドとの摩擦が小さく、研磨後の表面に生じる欠陥を低減して、大きな研磨速度で被研磨膜を研磨でき、しかも廃液の環境負荷の小さな化学的機械的研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical and mechanical polishing method by which friction between a film to be polished and a polishing pad is sufficiently small to reduce defects on the surface after polishing, the film to be polished can be polished at a high polishing speed and moreover, the impact of waste liquid to environment is small. - 特許庁

化学的機械的研磨用の多層の止め輪を有するキャリア・ヘッド例文帳に追加

CARRIER HEAD HAVING MULTILAYER RETAINING RING FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING - 特許庁

化学的機械的研磨用スラリーおよび半導体装置の製造方法例文帳に追加

SLURRY FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

化学的機械的研磨処理システム及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESSING SYSTEM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

化学的機械的研磨方法および半導体ウエハの処理方法例文帳に追加

METHOD OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND METHOD OF PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁

化学的機械的研磨方法および半導体装置の製造方法例文帳に追加

CHEMICAL AND MECHANICAL POLISHING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

化学的機械的研磨のためのウエハテンプレート及びその使用方法例文帳に追加

WAFER TEMPLATE FOR CHEMICAL AND MECHANICAL POLISHING AND ITS USE METHOD - 特許庁

化学的機械的研磨用スラリ及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

SLURRY FOR CHEMICAL AND MECHANICAL POLISHING AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

円筒形のローラを用いる化学的機械的研磨装置及び方法例文帳に追加

CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING APPARATUS AND METHOD EMPLOYING CYLINDRICAL ROLLER - 特許庁

化学的機械的研磨用スラリー組成物及びその前駆体組成物例文帳に追加

CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING SLURRY COMPOSITION AND PRECURSOR COMPOSITION THEREOF - 特許庁

化学的機械的研磨用ダミーウエハおよび半導体装置の製造方法例文帳に追加

DUMMY WAFER FOR CHEMOMECHANICAL POLISHING, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

化学的機械的研磨のためのリテーニングリングとそれの使用法例文帳に追加

RETAINING RING FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND ITS USAGE - 特許庁

化学的機械的平坦化装置の研磨液再利用システム例文帳に追加

ABRASIVE LIQUID RECYCLING SYSTEM FOR CHEMICAL AND MECHANICAL FLATTENING DEVICE - 特許庁

電子デバイスの製造方法および化学的機械的研磨装置例文帳に追加

MANUFACTURE OF ELECTRONIC DEVICE AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING DEVICE - 特許庁

化学的／機械的に基板を研磨する物品及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide an article and a method for polishing a substrate chemically/mechanically. - 特許庁

化学的機械的平面化プロセス用研磨面温度調整システム例文帳に追加

POLISHING FACE TEMPERATURE REGULATION SYSTEM FOR CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION PROCESS - 特許庁

化学的機械的研磨設備のスラリ供給装置及び方法例文帳に追加

DEVICE AND METHOD FOR FEEDING SLURRY IN CHEMICAL MECHANICAL POLISHING FACILITY - 特許庁

ウェハの化学的機械的研磨のプロセスを提供すること例文帳に追加

To provide a chemical and mechanical polishing process of a wafer. - 特許庁

化学的機械的研磨により、カラーフィルタ２９の表面を平坦化する。例文帳に追加

The surface of the color filter 29 is flattened by chemical mechanical polishing. - 特許庁

化学的機械的研磨のプロセスウインドウを増加する方法例文帳に追加

METHOD FOR INCREASING PROCESS WINDOW OF CHEMICAL/ MECHANICAL POLISHING - 特許庁

化学的機械研磨装置での使用のための溝付パターンを有する研磨パッド例文帳に追加

POLISHING PAD HAVING GROOVED PATTERN FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING DEVICE - 特許庁

化学機械的研磨装置、パッドコンディショナアセンブリ及び研磨パッドコンディショニング方法例文帳に追加

CHEMICAL MACHINERY POLISHING APPARATUS, PAD CONDITIONER ASSEMBLY AND POLISHING PAD CONDITIONING METHOD - 特許庁

化学的機械研磨装置は、複数の研磨用ステーションとクリーニング用ステーションを有する。例文帳に追加

A chemical mechanical polishing apparatus has a plurality of polishing stations and a cleaning station. - 特許庁

化学的機械研磨装置で使用するためのみぞ付パターンを有する研磨パッド例文帳に追加

POLISHING PAD HAVING PATTERN WITH GROOVE FOR USE IN CHEMICAL MECHANICAL POLISHING DEVICE - 特許庁

化学的機械研磨システムに使用する為の研磨用パッド及び／又はプラテンを提供すること。例文帳に追加

To provide a polishing pad and/or platen for use in chemical- mechanical polishing system. - 特許庁

化学的機械研磨後に基板を洗浄および研磨する方法と装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for cleaning and polishing a substrate after being subjected to chemical mechanical polishing. - 特許庁

段部を有したリテーナリングを備えた化学的機械研磨装置および該研磨装置の使用方法例文帳に追加

CHEMOMECHANICAL POLISHING APPARATUS COMPRISING RETAINER RING HAVING STEP PORTIONS AND METHOD OF USING THE SAME - 特許庁

研磨特性を向上させることができる化学機械的研磨装置のパッドコンディショナを提供する。例文帳に追加

To provide a pad conditioner for a chemimechanical polishing device capable of enhancing polishing characteristic. - 特許庁

化学機械的研磨装置の研磨パッドコンディショニング装置および方法例文帳に追加

POLISHING PAD CONDITIONER OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHER, AND METHOD OF CONDITIONING POLISHING PAD - 特許庁

半導体デバイスの製造における化学的機械的研磨に用いられ、被研磨体の低ディッシングを達成し、且つ、被研磨面の面内均一性に優れた研磨が可能な金属用研磨液、及び、該金属用研磨液を用いた化学的機械的研磨方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a metal polishing solution which is used for chemical mechanical polishing in manufacture of a semiconductor device, can realize low dishing of a workpiece to be polished, and can execute polishing excellent in in-plane uniformity of a surface to be polished; and to provide a chemical mechanical polishing method employing this metal polishing solution. - 特許庁

分散安定性と研磨能力に優れ、かつ研磨傷の発生せず、化学的機械研磨による精密研磨に適した研磨用砥粒、研磨用水性分散液、及び研磨剤を提供する。例文帳に追加

To provide abrasive grains for polishing, aqueous dispersion for polishing and an abrasive material, which are excellent in dispersion stability and polishing ability and suitable for fine polishing by chemical machine polishing without generating polishing scratches. - 特許庁

特にＳＴＩの化学機械研磨工程において、被研磨面に実質的に研磨傷が発生せず且つ高速に研磨することのできる化学機械研磨用水系分散体の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an aquatic dispersion element for chemical mechanical polishing, capable of quickly polishing without substantially damaging a surface to be polished, especially in a chemical mechanical polishing process of STI. - 特許庁

ＣＭＰスラリー、ＣＭＰスラリーを用いる化学機械的研磨方法、及び化学機械的研磨方法を用いるキャパシタ表面の形成方法例文帳に追加

CMP SLURRY, CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD USING CMP SLURRY, AND METHOD OF FORMING SURFACE OF CAPACITOR USING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD - 特許庁