「化学的機械的研磨」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

一実施の形態ではこのＦＳＧ薄膜は、窒化に先立って化学的機械的に研磨される。例文帳に追加

In one embodiment, this FSG film is polished chemically or mechanically prior to nitrifying. - 特許庁

化学的機械的研磨における研磨液として、水素イオン濃度がＰＨ９．０以下のアルカリ溶液を用いる。例文帳に追加

As the polishing liquid in chemical mechanical polishing, alkali solution having hydrogen ion concentration of PH 9.0 or less is employed. - 特許庁

本発明の化学的機械的研磨スラリー組成物は、酸化セリウム研磨剤、カルボン酸またはその塩、アルコール系化合物及び水を含む。例文帳に追加

The chemical mechanical polishing slurry composition comprises cerium oxide abrasive powder, carboxylic acid or its salt, alcoholic system compound and water. - 特許庁

有機膜研磨用化学的機械的研磨スラリーは、表面に官能基を有するポリマー粒子と、水溶性高分子と、を含む。例文帳に追加

The chemical mechanical polishing slurry for organic film polishing contains polymer particles including a functional group on the surface and water soluble high polymers. - 特許庁

メタンスルホン酸、アルカリ金属イオン、酸化剤、シリカ研磨材、水を含有し、且つｐＨが８〜１２である、化学的機械的研磨組成物とする。例文帳に追加

A chemical-mechanical polishing composition contains methanesulfonic acid, an alkali metal ion, an oxidizing agent, a silica abrasive, and water; and has a pH of 8 to 12. - 特許庁

化学的／機械的研磨に用いる研磨材料は繊維１０２から成るメッシュと、繊維１０２をメッシュに保持する結合材料１０４を備える。例文帳に追加

A polishing material for use in chemical/mechanical polishing comprises a mesh made of fiber 102 and a binding material 104 for holding the fiber 102 in the mesh. - 特許庁

化学的機械的研磨においてウエハヘッドと研磨パッドとの間のせん断力を決定するための方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR DECIDING SHEARING FORCE BETWEEN WAFER HEAD AND POLISHING PAD IN CHEMICAL MECHANICAL POLISHING - 特許庁

半導体ウエハの化学的機械的研磨を行う研磨システム（１００）においてスラリ流量を制御し欠陥密度を低減させる方法である。例文帳に追加

A method for controlling the flow rate of slurry and reducing defect density in the chemical mechanical polishing system (100) of a semiconductor wafer is provided. - 特許庁

その後、全面に絶縁膜９を形成し、次いでストッパー膜４を化学的機械的研磨の研磨阻止膜として用いて平坦化を行う。例文帳に追加

Then, an insulating film 9 is made over the entire surface, and next planarizing is performed, with the stopper film 4 as a polishing deterring film in chemical and mechanical polishing. - 特許庁

膜厚Ｔｘの積層膜１０５に対して、研磨加工製造装置１０を用いて化学的機械的研磨を行う。例文帳に追加

Chemical mechanical polishing is performed to the lamination film 105 whose thickness is Tx by using polishing work manufacturing equipment 10. - 特許庁

研磨速度が高く、且つ、ディッシングの発生が抑えられ、平坦性に優れた化学的機械的研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing method, which has a high polishing speed, prevents the occurrence of dishing, and is superior in flatness. - 特許庁

良好な面内均一性と低スクラッチとが両立する金属用研磨液および化学的機械的研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing liquid for a metal and a chemical mechanical polishing method capable of providing both the satisfactory in-plane uniformity and few scratch. - 特許庁

エッジ領域の不均一研磨による異常を予防し得る半導体素子の化学的機械的研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing method for semiconductor devices capable of preventing faults due to uneven polishing in the edge regions. - 特許庁

化学的機械的研磨装置は、基板を保持するための基板ホルダ、連続した研磨ベルト６０、及び裏当て部材６２を有する。例文帳に追加

This chemical mechanical polisher has a substrate holder holding a substrate, a continuous abrasive belt 60, and a backing member 62. - 特許庁

研磨パッドの着脱、交換が容易であり、また、電気的接続の安定性に優れた電気化学的機械的研磨用の研磨パッド及び研磨装置を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing pad and a polishing device for an electrochemical mechanical polishing excellent in stability of an electrical connection, in which an attachment and detachment and an exchange of the polishing pad are easy. - 特許庁

半導体デバイスの製造工程において化学的機械的研磨に使用する研磨液であって、コロイダルシリカ粒子と、下記一般式（Ｉ）で示されるベンゾトリアゾール系化合物と、酸化剤と、２価以上のアンモニウムカチオン化合物と、を含有することを特徴とする化学的機械的研磨用研磨液。例文帳に追加

The polishing solution used for chemical-mechanical polishing in a fabrication process of semiconductor device contains colloidal silica particles, a benzotriazol based compound represented by general formula (I), an oxidant, and an at least bivalent ammonium cation compound. - 特許庁

基板上の凹部を有する絶縁膜上に形成された銅系金属膜の化学的機械的研磨において、ディッシングの発生を抑制し、且つ高い研磨速度での研磨を可能とする化学的機械的研磨用スラリーを提供する。例文帳に追加

To provide slurry for chemical-mechanical polishing that inhibits the generation of dishing, and at the same time, achieves polishing at a high polishing rate in chemical-mechanical polishing in a copper-based metal film, formed on an insulating film which has recesses on a substrate. - 特許庁

半導体デバイスの製造法における化学的機械的研磨に用いられ、砥粒を含有していてもｐＨに関わらず研磨性能に優れ、更に、半導体デバイスの電気特性の低下を防止しうる化学的機械的研磨用研磨液を提供すること。例文帳に追加

To provide a polishing solution for chemical-mechanical polishing which is used for chemical-mechanical polishing of a manufacturing method for a semiconductor device, and has superior polishing performance irrelevantly to pH even when containing abrasive grains and further can prevent electric characteristics of the semiconductor device from becoming worse. - 特許庁

半導体デバイスの製造法における化学的機械的研磨に用いる化学的機械的研磨用研磨液であって、アルコキシシランの加水分解によって得たコロイダルシリカを核とし、該コロイダルシリカ表面の珪素原子の一部がアルミニウム原子に置換されてなる砥粒を含有することを特徴とする化学的機械的研磨用研磨液。例文帳に追加

Disclosed is the polishing solution for chemical-mechanical polishing used for chemical-mechanical polishing of the manufacturing method for the semiconductor device, the polishing solution for chemical-mechanical polishing being characterized in containing abrasive grins which have colloidal silica obtained by hydrolyzing alkoxy silane as a nucleus and have some of silicon atoms on a colloidal silica surface substituted by aluminum atoms. - 特許庁

酸化層の除去方法は、金属表面清浄法、金属表面光沢浸漬法等の化学的研磨法、あるいはバフ研磨法、ベルト研磨法、サンドペーパー研磨法、ワイヤーブラシ研磨法等の機械的研磨法のいずれかによってなされる。例文帳に追加

The method for removing the oxidized layer is performed by a chemical polishing method such as a metallic surface cleaning method and a metallic surface gloss dipping method, or a mechanical polishing method such as a buffing method, a belt polishing method, a sand paper polishing method and a wire brushing method. - 特許庁

半導体集積回路装置の製造において、被研磨面が二酸化ケイ素系材料層の被研磨面である場合に、被研磨面を研磨するための化学的機械的研磨剤として、酸化セリウム粒子、水ならびにグルコン酸および／またはグルコヘプトン酸を含有する研磨剤を使用する。例文帳に追加

In the case where the polishing surface is formed of the material layer of the silicon dioxide system during manufacture of the semiconductor integrated circuit device, a polishing agent including cerium oxide particle, water, gluconic acid and/or gluco-heptonic acid is used as the chemical and mechanical polishing agent for polishing the polishing surface. - 特許庁

半導体集積回路装置の製造において被研磨面を研磨するための化学的機械的研磨用研磨剤であって、前記研磨剤が、酸化セリウム砥粒と分子量６００以下の酸と水とを含有し、ｐＨが２以上、４未満の範囲にあることを特徴とする研磨剤を提供する。例文帳に追加

The grinding material contains cerium oxide abrasive grains, an acid with a molecular weight of 600 or less, and water, and shows pH of 2 or higher and less than 4. - 特許庁

半導体集積回路装置の被研磨面を研磨するための化学的機械的研磨用研磨剤中に（Ａ）酸化物微粒子と（Ｂ）プルランと（Ｃ）水とを含有させる。例文帳に追加

In an abrasive for chemical mechanical polishing for polishing a surface to be polished of a semiconductor integrated circuit device, (A) oxide particulate, (B) pullulan, and (C) water are contained. - 特許庁

バリア層を有する半導体集積回路の平坦化工程において、化学的機械的研磨に用いる固体砥粒を含む研磨液であって、ディッシング及びエロージョンの発生を抑える研磨液および研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide polishing solution containing solid abrasive grains and being used for chemical mechanical polishing in a process for planarizing a semiconductor integrated circuit having a barrier layer while suppressing occurrence of dishing and erosion, and to provide a polishing method. - 特許庁

化学的機械研磨が行なわれた被研磨膜に対してバフ研磨を行なう際に、局所的な残存段差及び点欠陥耐性を向上させると共に、研磨砥粒が蓄積されたときにコンディショニングを行なえるようにする。例文帳に追加

To enable a local residual level difference and point defect resistance to be enhanced, and conditioning to be performed when abrasive grains are accumulated for the buffing of a polishing target film which has been chemicomechanically polished. - 特許庁

本発明の研磨剤は、単結晶シリコンを含む被研磨面を化学的機械的に研磨するための研磨剤であり、酸化セリウム粒子と水溶性ポリアミンと水をそれぞれ含有し、ｐＨが８〜１３の範囲にあることを特徴とする。例文帳に追加

The abrasive is the one for chemically and mechanically polishing the surface to be polished, containing the single-crystal silicon, and contains cerium oxide particles and water-soluble polyamine and has a pH of 8 to 13. - 特許庁

半導体デバイスの製造における化学的機械的研磨に用いられ、被研磨体の高研磨速度と低ディッシングとを両立させた金属研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for polishing metal which is used for chemical and mechanical polishing for the manufacture of a semiconductor device and makes both high-speed polishing and low dishing of a matter to be polished compatible. - 特許庁

研磨パッド（１２）上に第１の薬液（１８）と第２の薬液（２１）とを供給しつつ、被研磨膜を前記研磨パッドに摺接させることにより化学的機械的に研磨する方法である。例文帳に追加

The method is used to chemically and mechanically polish a film to be polished by bringing it into contact with a polishing pad (12) for rubbing, while supplying a first chemical (18) and a second chemical (21) onto the polishing pad (12). - 特許庁

化学的機械的研磨における研磨レートや研磨時間の設定を、研磨対象の製品ウエハや使用する装置等の機差を考慮して高精度に行えるようにする。例文帳に追加

To highly accurately set a polishing rate and a polishing time in chemicalmechanical polishing in consideration of a product wafer to be polished and a mechanical difference in devices to be used or the like. - 特許庁

本発明は、特別な酸化剤又は化学エッチャントの使用を必要とせず、従来の化学機械研磨組成物と比べて、貴金属含有基板のより効率的な研磨を可能にする化学機械研磨組成物、及び基板を研磨するためにそれを用いる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing composition capable of polishing a noble metal-containing substrate more efficiently than conventional chemical mechanical polishing compositions, without the need for using a specialized oxidant or chemical etchant, and a method for using the chemical mechanical polishing composition for polishing a substrate. - 特許庁

半導体平坦化ＣＭＰプロセス（化学機械的研磨）におけるＣＭＰパッドコンディショナー例文帳に追加

CMP PAD CONDITIONER IN SEMICONDUCTOR PLANARIZATION CMP PROCESS (CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING) - 特許庁

半導体平坦化ＣＭＰプロセス（化学機械的研磨）におけるＣＭＰパッドコンディショナー。例文帳に追加

CMP PAD CONDITIONER IN SEMICONDUCTOR PLANARIZATION CMP PROCESS - 特許庁

化学機械的研磨（ＣＭＰ）工程用スラリー及びこれを用いた半導体素子の製造方法例文帳に追加

SLURRY FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) PROCESS, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SLURRY - 特許庁

化学・機械的研磨（ＣＭＰ）中における銅のディッシングを防止するための局部領域合金化例文帳に追加

LOCAL REGION ALLOYING FOR PREVENTING COPPER DISHING DURING CHEMICAL/MECHANICAL POLISHING (CMP) - 特許庁

ここでは、絶縁層４に対して半導体基板１を選択的に化学機械研磨する。例文帳に追加

In hear, the substrate 1 is selectively subjected to chemical and mechanical polishing to the layer 4. - 特許庁

化学機械的研磨装置にウェーハをローディング／アンローディングするためのロードカップのペデスタル例文帳に追加

PEDESTAL OF LOAD CUP FOR LOADING/UNLOADING WAFER ON/FROM CHEMICAL AND MECHANICAL POLISHING APPARATUS - 特許庁

アルミニウムまたはアルミニウム合金導電性材料の層の機械化学的研磨方法例文帳に追加

MECHANICAL-CHEMICAL POLISHING METHOD OF ALUMINUM OR ALUMINUM ALLOY CONDUCTIVE MATERIAL LAYER - 特許庁

化学的機械研磨装置およびこれを用いた半導体集積回路装置の製造方法例文帳に追加

CHEMICAL MACHINE POLISHING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING IT - 特許庁

スラリー組成物及びそれを用いる化学機械的研磨工程を含む半導体素子の製造方法例文帳に追加

SLURRY COMPOSITIONS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESSES USING THE SAME - 特許庁

半導体集積回路の平坦化方法及びそのための化学的機械研磨スラリ例文帳に追加

METHOD FOR PLANARIZING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY THEREFOR - 特許庁

化学的機械研磨（ＣＭＰ）法によって形成されるメタル配線の防蝕技術を提供する。例文帳に追加

To provide an anticorrosion technique for metal wiring formed by a chemical-mechanical polishing (CMP) method. - 特許庁

最後に、ＳｉＯ２膜１０５上の金属膜を化学機械的研磨法により除去する。例文帳に追加

Lastly, the metal film on the SiO2 film 195 is removed by a chemical-mechanical polishing method. - 特許庁

化学的機械研磨後、半導体基板の表面に残留する異物を少なくする。例文帳に追加

To reduce the foreign matter remaining on the surface of a semiconductor substrate after chemical mechanical polishing. - 特許庁

めっき法で金属層７を堆積するとともに、化学的機械研磨法で金属層７を除去する。例文帳に追加

A metal layer 7 is deposited by the plating method and the metal layer 7 is removed by the chemical-mechanical polishing method. - 特許庁

２次化学的機械研磨工程では、本発明に係るセリアスラリーが使用される。例文帳に追加

In the secondary chemical mechanical polishing process, ceria slurry of the invention is used. - 特許庁