「化学的機械的研磨」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

化学機械的研磨を利用した自己整列コンタクトパッド形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a self-aligned contact pad using a Chemical Mechanical Polishing process. - 特許庁

集積回路の銅相互結線プロセスにおいて銅の化学機械的研磨を最適化する方法例文帳に追加

METHOD FOR OPTIMIZING CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF COPPER IN COPPER INTERCONNECTING PROCESS FOR INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁

化学機械的な研磨酸化物スラリーは研磨粒子と二つまたはそれ以上の相異なるパッシベーション剤を含む水溶液とよりなる。例文帳に追加

A chemical mechanical polishing oxide slurry comprises polishing particles and an aqueous solution containing two or more passivation agents different from each other. - 特許庁

その後、デバイス形成に適した膜厚となるようシリコンゲルマニウム単結晶層３を化学機械的研磨法を用いて研磨する。例文帳に追加

Thereafter, the silicon germanium crystalline layer 3 is polished by a CMP method, to make the thickness suitable for device formation. - 特許庁

直接気圧式ウェハ研磨圧力システムを有するヘッドを用いた化学機械的研磨（ＣＭＰ）装置及びその方法例文帳に追加

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING(CMP) APPARATUS AND METHOD USING HEAD HAVING WAFER POLISH PRESSURE SYSTEM OF DIRECT ATMOSPHERIC-PRESSURE TYPE - 特許庁

化学的機械研磨加工の施された半導体デバイスの研磨面に炭酸エチレンの皮膜を形成する。例文帳に追加

An ethylene carbonate film is formed on a surface to be polished of the semiconductor device which has been chemically and mechanically polished. - 特許庁

更に、半導体ウェハの表面を研磨するために上記化学機械的研磨組成物を用いる方法を提供する。例文帳に追加

Furthermore, for polishing a surface of a semiconductor wafer, a method for using a chemical and mechanical abrasive composition is provided. - 特許庁

研磨中の化学機械的研磨装置４０−１〜４へのスラリー供給時以外は、スラリー供給ポンプ７３−１〜４の運転を停止しておく。例文帳に追加

The operation of the slurry feed pumps 73-1-4 is stopped anytime except the slurry feeding time to the chemical mechanical grinding devices 40-1-4 during the grinding. - 特許庁

次に、化学的機械研磨法を用いて、その半導体デバイスをその側面から断面観察位置まで断面研磨する。例文帳に追加

Subsequently, the semiconductor device is polished from the side face to the position for observing the cross-section using a chemical mechanical polishing method. - 特許庁

研磨後の試料に酸化、腐食又はその他の不具合が発生することを防止できる化学的機械研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing method that prevents oxidation, corrosion, or other trouble from occurring to a sample having been polished. - 特許庁

本発明は化学機械的研磨装置１００、パッドコンディショナアセンブリ１６０及び研磨パッドコンディショニング方法に関する。例文帳に追加

The present invention relates to a chemical machinery polishing apparatus 100, a pad conditioner assembly 160, and a polishing pad conditioning method. - 特許庁

化学機械的研磨装置は研磨パッド１４０、ウェーハキャリア２２０、第1リング２７０、第2リング２８０及び洗浄液供給管２８１を含む。例文帳に追加

A chemical-mechanical polishing device comprises a polishing pad 140, a wafer carrier 220, a first ring 270, a second ring 280 and a cleaning liquid feed pipe. - 特許庁

固定砥粒研磨パッド上に平坦化溶液が分配される、固定砥粒研磨パッド上で基板を化学機械的に平坦化する方法を開示する。例文帳に追加

A method of chemical mechanical planarization of the substrate on the fixed abrasive grain polishing pad to which planarizing solution is dispensed, is disclosed. - 特許庁

研磨粒子の分散の程度が異なるスラリーを用いて化学的機械研磨を複数回行うことにより基板表面を平坦化する。例文帳に追加

Chemical and mechanical polishing is conducted several times, by using a slurry having different degree of dispersing abrasive particles to planarize a surface of a substrate. - 特許庁

化学機械的研磨装置、パッドコンディショナアセンブリ及び研磨パッドコンディショニング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical machinery polishing apparatus, a pad conditioner assembly and a polishing pad conditioning method. - 特許庁

この化学的機械研磨法を用いて例えばＣｕ膜２４を研磨することにより、接続孔２３内にプラグ２５を形成する。例文帳に追加

A Cu film 24 is, for example, polished by using this chemical and mechanical polishing method to form a plug 25 in a connecting hole 23. - 特許庁

基板の裏面と研磨ヘッドとの吸着不良を低減することができる基板の受け渡し方法および機械化学的研磨装置を提供する。例文帳に追加

To provide a board transfer method and a mechanical and chemical polishing device capable of reducing improper suction of a rear surface of a board and a polishing head. - 特許庁

半導体ウェーハの化学的機械研磨において、ウェーハの表面全体にわたって均一に研磨可能なウェーハキャリアを提供する。例文帳に追加

To provide a wafer carrier by which the whole surface of a wafer is uniformly polished in chemical mechanical polishing of a semiconductor wafer. - 特許庁

蛍光または燐光物質で着色された樹脂を含有する、光検知可能な研磨用粒子を化学的機械研磨方法に使用する。例文帳に追加

The photodetectable abrasive particle containing a resin colored with a fluorescent or phosphorescent substance is used for the chemical mechanical polishing method. - 特許庁

被研磨物である半導体ウェハのディッシングやエロージョンを低減できる化学的機械研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing method which reduces a dishing or erosion of a semiconductor wafer as an object to be polished. - 特許庁

またかかる研磨組成物により含浸された織物を含む機械化学的研磨材及びそのような研磨材を用いて酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、低誘電率を持つ高分子層をこすることによる機械化学的研磨法が提供されている。例文帳に追加

The mechanochemical polishing material contains a woven fabric impregnated with the polishing composition and the mechanochemical polishing is to polish an oxide layer, a silicon nitride layer and a polymeric layer having a low permittivity with the polishing material. - 特許庁

化学機械研磨による被加工面の平坦化工程において十分な研磨速度で研磨進行し、ディッシング等の表面欠陥が抑えられ、現実の使用においてもコストを十分に抑えることが出来る、半導体デバイス製造工程における被加工体の化学的機械的研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing method of a workpiece in a semiconductor device manufacturing process which can progress polishing at a sufficient polishing speed in a planarizing process of a surface to be processed by the chemical mechanical polishing, suppress surface defect such as dishing, and sufficiently suppress a cost in practical usage. - 特許庁

化学機械的研磨効率を低下することなく、インサイチュ終末点検出が可能な研磨テーブル、及びその製造方法、並びにそれを用いた化学機械的研磨工程のモニター方法および研磨工程の終末点検出方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing table which detects a in-situ termination without reducing chemical mechanical polishing efficiency, its manufacturing method, and a method for monitoring a chemical mechanical polishing process using the method, and a method for detecting a termination of polishing process. - 特許庁

ウェハーなどの被研磨物の研磨面に生じるスクラッチの大幅な低減を図り、フィルターなどの消耗材を利用しないことにより化学的機械研磨を低コストで行うことを可能とし、しかも化学的機械研磨の際のコンタミネーションを最小限に抑える。例文帳に追加

To significantly reduce scratches generated on a polished face of a material to be polished such as a wafer, to permit a chemical mechanical polish at a low cost not by using a consuming material such as a filter and to minimize contamination caused by the chemical mechanical polishing. - 特許庁

半導体ウェハ類を化学機械的に研磨する装置に、マイクロゴムＡ硬度が８０度以上でありポリウレタンとビニル化合物から重合される重合体を含有し独立気泡を有する研磨パッドを取り付けて、半導体ウェハを研磨した後、研磨パッド表面を非破壊で洗浄し、研磨パッド上の研磨屑を除去するを特徴とする化学機械研磨方法。例文帳に追加

In this chemical mechanical polishing method, the polishing pad which has microrubber A hardness of 80 degrees or more, contains a polymer polymerized from polyurethane and a vinyl compound, and has independent air bubbles is attached to a device polishing a semiconductor wafer like a chemical mechanical to wash the surface of the polishing pad in a non- destruction manner after polishing the semiconductor wafer and remove polishing dust on the polishing pad. - 特許庁

基板上に形成された研磨膜を酸化セリウム研磨剤を用いて化学機械的に研磨するためのパッドにおいて、パッド表面に同一形状の微小突起が配列されている酸化セリウム研磨剤用ＣＭＰパッド。例文帳に追加

In a CMP pad for cerium oxide polishing agent for chemically/ mechanically polishing a polishing film formed on a substrate by using cerium oxide polishing agent, fine projections of the same shape are disposed on a pad surface. - 特許庁

連続的な研磨途中で組成の異なる研磨スラリーに切り替えてもその中の研磨砥粒の凝集を防止することが可能な化学機械研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing method for preventing polishing abrasives in polishing slurry from being aggregated even if the slurry is changed to the polishing slurry having a different composition in process of continuous polishing. - 特許庁

研磨中にウエーハ表面が酸化されて電気伝導率が変化し、それが研磨レートの変化につながることを防止する、電解研磨を付加した化学的機械研磨方法及びその装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing method and a chemical mechanical polishing apparatus added with electrolytic polishing for preventing a polishing rate from being changed by a change in an electronic conductivity caused by oxidization on a surface of a wafer during polishing. - 特許庁

被研磨面の面内均一性および研磨速度の長期的な安定性を確保することができ、かつ、研磨パッドの寿命を大きく改善することができる化学機械研磨パッドのドレッシング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a dressing method of a chemical mechanical polishing pad in which the in-plane uniformity of a polished surface and the long term stability of polishing speed are ensured while improving the lifetime of the polishing pad sharply. - 特許庁

研磨用部材層２２と研磨用部材より軟質な部材よりなる裏打ち層２４とが接着シート２６により貼り合わされてなる機械化学的研磨装置用の研磨パッド２０とする。例文帳に追加

A polishing member layer 22 and a lining layer 24 composed of a member softer than the polishing member are pasted by an adhesive sheet 26 to from a polishing pad 20 for mechanochemical polishing device. - 特許庁

被研磨膜に対して化学的機械研磨を行なう際に、研磨レート、研磨レートの面内均一性、平坦化特性及び欠陥特性等のすべてを満足できるようにする。例文帳に追加

To enable a polishing pad to entirely satisfy the polishing rate, the in-plane uniformity of polishing rate, flattening property, defect characteristic, etc., when the pad is used for the chemical mechanical polishing of a film to be polished. - 特許庁

その後、第１研磨阻止層１０４を食刻除去した後、第２研磨阻止層１０２を研磨阻止層として用いて２次化学機械的研磨(CMP)工程を実施する。例文帳に追加

Thereafter, after the first polish preventing layer 104 is removed by etching, the second polish preventing layer 102 is used as the polish preventing layer, and a secondary chemical-mechanical polishing(CMP) step is executed. - 特許庁

高い研磨速度を達成しつつ、ディッシングの発生を効果的に抑制するとともに、チタンからなるバリア層を用いた半導体デバイスの化学的機械的研磨工程において、チタンからなるバリア層と導電性金属との研磨速度の選択比が高い金属研磨用組成物および該金属研磨用組成物を用いた化学的機械的研磨方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a composition for polishing metals which has the high selecting ratio of the polishing speed of a titanium barrier layer to the polishing speed of a conductive metal, and provide a chemical mechanical polishing method using the composition for polishing metals, in the chemical mechanical polishing process for semiconductor devices which suppresses effectively the occurrence of dishing and uses the titanium barrier layer while achieving a high polishing speed. - 特許庁

硬度の異なる二層の絶縁体層を有する半導体装置の化学機械的研磨において高度の平坦性が得られ、材料の剥がれやスクラッチ等の表面欠陥が発生することのない化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a pad and method for chemical mechanical polishing which can establish high flatness when chemically and mechanically polishing a semiconductor device that is provided with two layers of insulator having different hardness and hardly generates surface defect such as peeling or scratch of a material. - 特許庁

半導体デバイス製造の化学的機械的平坦化に用いられる、被研磨体である白金族系金属膜を効率良く高品質で研磨し、ストッパーである絶縁膜との研磨速度比の確保に優れた金属用研磨液、及びそのような研磨液を用いた化学的機械的研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing solution for metal excellent in insurance of polish velocity ratio with an insulating film which serves as a stopper, which is used for chemical-mechanical planarization of semiconductor device manufacture and polishes platinum group-based metal films to be polished with a high efficiency and quality; and to provide a chemical-mechanical polishing method using such polishing solution. - 特許庁

半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨に用いた際に、研磨速度が迅速であり、研磨における配線メタル／バリアメタル選択性を向上でき、且つ、被研磨面におけるエロージョンの発生を抑制しうる金属研磨用組成物、及びそれを用いた化学的機械的研磨方法の提供。例文帳に追加

To provide metal polishing composition, having quick polishing speed and being capable of improving wiring metal/barrier metal selectivity in polishing, while capable of suppressing the generation of erosion in a surface to be polished, upon employing for chemical mechanical polishing, in the manufacturing process of a semiconductor device, and to provide a chemical mechanical polishing method that uses the composition. - 特許庁

化学的機械的研磨用スラリー、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、及び化学的機械的研磨用スラリーの取り扱い方法例文帳に追加

SLURRY FOR CHEMICAL AND MECHANICAL POLISHING (CMP), METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, APPARATUS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF HANDLING CMP SLURRY - 特許庁

このような構成により、１回目の化学的機械的研磨によって形成された酸化物が２回目の化学的機械的研磨の際に略完全に除去されるので、腐食痕が発生しない。例文帳に追加

According to this configuration, since an oxide formed in the first chemical mechanical polishing is removed substantially completely in the second chemical mechanical polishing, the corrosion marks will not generate. - 特許庁

本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）有機酸と、（Ｃ）非イオン性界面活性剤と、を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、前記（Ａ）シリカ粒子は、下記の化学的性質を有することを特徴とする。例文帳に追加

The aqueous dispersion for chemical mechanical polishing contains (A) silica particles, (B) an organic acid, and (C) a nonionic surfactant. - 特許庁

本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）有機酸と、を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、前記（Ａ）シリカ粒子は、下記の化学的性質を有することを特徴とする。例文帳に追加

The aqueous dispersion for chemical mechanical polishing contains (A) silica particles and (B) an organic acid. - 特許庁

半導体デバイス製造における被研磨体の化学的機械的平坦化に用いる金属用研磨液であって、下記成分（１）、（２）、（３）及び（４）を含有し、銅又は銅を含む合金からなる配線と、バリア金属膜とを一つの研磨液で連続的に研磨するために用いられることを特徴とする金属用研磨液。例文帳に追加

The polishing solution for metal is used for chemical mechanical planarization of a workpiece to be polished in semiconductor device manufacture. - 特許庁

ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層を有する被研磨体の化学的機械的研磨において、ポリシリコン以外のケイ素系材料を含む層の研磨速度が迅速であり、ポリシリコンを含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨液を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing liquid with a high polishing speed of a layer containing a silicon material other than polysilicon and capable of selectively suppressing polishing of a layer containing polysilicon in chemical mechanical polishing of a body to be polished having a layer containing polysilicon or modified polysilicon. - 特許庁

本発明は、バリア層と層間絶縁膜とを化学的機械的に研磨するバリアメタルＣＭＰに用いられる研磨液であって、特に、層間絶縁膜に対する優れた研磨速度が得られ、且つ、研磨後欠陥であるスクラッチの低減を同時に実現し得る研磨液を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a polishing solution used for barrier metal CMP for chemically and mechanically polishing a barrier layer and an interlayer insulating film, especially, a polishing solution with which a superior polishing speed is obtained for the interlayer insulating film and a scratch as a defect after polishing is reducible as well. - 特許庁

化学的機械研磨（ＣＭＰ）装置は、研磨テーブル１２、ヘッド１１、スラリー供給部１６、機械的コンディショナ１４、及び化学的コンディショナ１５を有する。例文帳に追加

The chemical mechanical polishing (CMP) apparatus includes: a polishing table 12; a head 11; a slurry supply 16; a mechanical conditioner 14; and a chemical conditioner 15. - 特許庁

化学的機械的研磨方法による被研磨面の平坦化工程において、スクラッチをはじめとした表面欠陥が抑えられ、現実の使用においてもコストを十分に抑える事が出来る化学的機械的研磨方法を提供することを目的とする例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing method capable of suppressing surface defect including scratches, and sufficiently suppressing a cost in practical usage in a planarizing process of a surface to be polished by the chemical mechanical polishing method. - 特許庁