「化学的機械的研磨」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

表面に異常突起がみられない程度に被加工物表面を高度に平坦化できる化学的機械的研磨加工方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing work method capable of flatening a workpiece surface in a high degree to an extent with no abnormal protrusion on the surface. - 特許庁

表面に異常突起がみられない程度にガラス基板を鏡面加工できる化学的機械的研磨加工方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a chemical and mechanical polishing method capable of mirror finishing a glass substrate to a degree where no abnormal protrusions can be seen on a surface. - 特許庁

本発明の磁気ヘッドスライダ加工方法は、ＡＢＳ面に機械的研磨を施した後に、そのＡＢＳ面に化学的機械的研磨を行いながら磁気ヘッドに磁界を印加し、センス電流を与えて得られる磁界印加前後の磁気ヘッドの出力に基づいて該化学的機械的研磨を制御する、よう構成する。例文帳に追加

The method of machining the magnetic head slider is constituted so that after mechanically grinding the ABS plane, a magnetic field is applied to the magnetic head while chemically mechanically grinding the ABS plane, and the chemical mechanical grinding is controlled based on an output of the magnetic head before and after applying magnetic field obtained by giving a sense current. - 特許庁

半導体配線基板の製造における銅配線形成のための化学的機械研磨において、銅の研磨効率が高く、かつエロージョン等の配線欠損を発生せずに研磨面を平坦化できる研磨用組成物、この研磨方法で研磨された半導体配線基板及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for polishing a semiconductor substrate, which is high in copper polishing efficiency and can flatten the polished surface of the substrate without generating a deficit in wiring, such as erosion, in a chemical and mechanical polishing method for forming a copper wiring in the manufacture of a semiconductor wiring board, and to provide the semiconductor wiring board polished by this polishing method and the manufacturing method of the wiring board. - 特許庁

化学的機械研磨装置の研磨ヘッド１０に装着され、半導体ウェハー３０を固定するリテーナリング１２０において、前記研磨ヘッドのキャリアー１１０に結合され、その内部に空間部が形成された樹脂材質の第１部材１２２と、前記第１部材の空間部に挿設される金属材質の第２部材１２４とによって構成された化学的機械研磨装置のリテーナリングとした。例文帳に追加

The retainer ring 120 which is mounted to the polishing head 10 of the chemical mechanical polishing apparatus and fixes a semiconductor wafer 30, includes a first member 122 of a resin material in which a space is formed in its interior, and a second member 124 of a metal material inserted into the space of the first member. - 特許庁

本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）２個以上のカルボキシル基を有する有機酸と、を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、前記（Ａ）シリカ粒子は、下記の化学的性質を有することを特徴とする。例文帳に追加

The aqueous dispersion for chemical mechanical polishing contains (A) silica particles and (B) an organic acid having two or more carboxyl radicals. - 特許庁

本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）有機酸と、（Ｃ）５万以上５００万以下の重量平均分子量を有する水溶性高分子と、を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、前記（Ａ）シリカ粒子は、下記の化学的性質を有することを特徴とする。例文帳に追加

The aqueous dispersion for chemical mechanical polishing contains (A) silica particles, (B) an organic acid, and (C) a nonionic surface-active agent. - 特許庁

本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）有機酸と、（Ｃ）５万以上５００万以下の重量平均分子量を有する水溶性高分子と、を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、前記（Ａ）シリカ粒子は、下記の化学的性質を有することを特徴とする。例文帳に追加

The aqueous dispersion for chemical mechanical polishing contains (A) silica particles, (B) an organic acid, and (C) a water soluble polymer having a weight-average molecular weight of 50,000-5,000,000. - 特許庁

化学的機械的平坦化技術パッドを一様に仕上げまたは調整する研磨材粒子を用いることができる化学的機械的平坦化技術パッド仕上げ用具を提供すること。例文帳に追加

To provide a finishing tool of a chemical/mechanical flatting technology pad capable of using abrasive grains for uniformly finishing or adjusting the chemical/mechanical flatting technology pad. - 特許庁

化学的機械的研磨時における過研磨を防ぎ、周囲の本番部へ与える影響をなくすることができるように改良された半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device wherein excessive grinding is prevented during chemical and mechanical grinding and influence given to the main part of the periphery is eliminated. - 特許庁

したがって、第２の工程において、ウエハＷの処理面Ｓ２を第２の処理液により目的厚さまで化学的研磨しても、ウエハＷの処理面Ｓ２に機械的研磨に起因するピットが生じることを防止できる。例文帳に追加

In a second process, even when the treatment face S2 of the wafer W is chemically ground to target thickness by second treatment solution so that it is possible to prevent any pit caused by mechanical grinding from being generated on the treatment face S2 of the wafer W. - 特許庁

ルテニウムの化学機械的研磨工程において、硝酸二アンモニウムセリウム(IV)(diammonium cerium(IV) nitrate)[(NH_4)_2Ce(NO_3)_6]を含むスラリー組成物を用いる。例文帳に追加

A slurry composition containing diammonium cerium (IV) nitrate [(NH_4)_2Ce(NO_3)_6] is utilized in a process of chemically, mechanically polishing a ruthenium material. - 特許庁

ＣＭＰスラリー、前記ＣＭＰスラリーを使用する化学機械的研磨方法、及び前記ＣＭＰスラリーを使用する金属配線の形成方法例文帳に追加

CMP SLURRY, CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD USING THE CMP SLURRY, AND METHOD OF FORMING METAL WIRING USING THE CMP SLURRY - 特許庁

化学機械的研磨組成物は、任意に酸性成分及び／又はその塩を含有してもよく、それによって更に除去速度を高めることができる。例文帳に追加

The chemical and mechanical abrasive compound may arbitrarily contain an acid composition and/or its salt, thereby further enhancing the removal rate. - 特許庁

これらの組成物は化学機械的平坦化（ＣＭＰ）用途においても基材の研磨用途においても有用である。例文帳に追加

The composition is useful in the chemical-mechanical planarization (CMP) use and also in a polishing use of a base substrate. - 特許庁

化学的機械研磨を用いて、ディッシング及びエロージョンが低減された、集積回路の銅配線を形成する方法が提供される。例文帳に追加

This method is for forming a Cu wiring of an integrated circuit with reduced dishing and erosion, using chemical and mechanical polishing. - 特許庁

トラック加工に用いたレジストマスク４の除去前に化学的機械研磨法あるいはエッチバック法による平坦化工程（ｄ）を導入する。例文帳に追加

A planarization process (d) by a chemical and mechanical polishing method or etch back method is introduced before the removal of the resist mask 4 used for processing tracks. - 特許庁

そして、基板上の一面に上側絶縁膜を形成し、その表面にＣＭＰ（化学的機械研磨）処理を施す。例文帳に追加

Then, an upper insulating film is formed on one surface of the substrate and its surface is subjected to CMP (chemicalmechanical polishing) processing. - 特許庁

本発明の実施形態は、一般的に、化学機械研磨システムにおいて基板上に配設された金属を処理するための方法を提供する。例文帳に追加

Embodiments described herein generally provide a method for processing metals disposed on a substrate in a chemical mechanical polishing system. - 特許庁

低誘電率を有するポリマーに基づいた絶縁材料における層の機械化学的研磨のための組成物例文帳に追加

COMPOSITION FOR MECHANOCHEMICAL POLISHING OF LAYER IN INSULATING MATERIAL BASED ON POLYMER HAVING LOW DIELECTRIC CONSTANT - 特許庁

化学機械的研磨装置において加圧チャンバを複数の加圧ゾーンに分ける区画リングを有するキャリアヘッドを提供する。例文帳に追加

To provide a carrier head having a division ring for dividing a pressure chamber into a plurality of pressure zones, in a chemical and mechanical polishing apparatus. - 特許庁

酸性スラリを用いたＷ膜の化学的機械研磨をＴｉＮ膜及びＴｉ膜を残留させた状態で終了する。例文帳に追加

The chemical mechanical polishing for a W film using acidic slurry is finished in the state where a TiN film and a Ti film remain. - 特許庁

化学機械的研磨中に銅膜などが剥離し難い純粋な金属化合物膜を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a pure metal compound film which hardly causes a copper film etc. to be peeled off during chemo-mechanical polishing. - 特許庁

化学的機械研磨（ＣＭＰ）リフトオフ・プロセスにより除去されるアンダカットの無いフォトレジスト構造物を用いた読み取りセンサ形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING READ SENSOR USING PHOTORESIST STRUCTURES WITHOUT UNDERCUT WHICH ARE REMOVED BY USING CHEMICAL-MCCHANICAL POLISHING (CMP) LIFT-OFF PROCESSES - 特許庁

化学的機械研磨によるシームの拡大を抑制し、低抵抗なＷプラグを形成するための半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for restraining the spread of a seam caused by chemical mechanical polishing to form a low resistance W plug. - 特許庁

基板に形成されたアルミ配線の破壊を防止できる基板の受け渡し方法および機械化学的研磨装置を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate delivery method which is capable of protecting an aluminum wiring formed on a board against damage, and to provide a mechanical chemical polishing device. - 特許庁

化学機械的研磨装置のロードカップ２３０内には第１ノズル２３５、第２ノズル２３６及び第３ノズル２３７を備えている。例文帳に追加

First, second and third nozzles 235, 236, 237 are provided in the load cup 230 of a chemical mechanical polishing system. - 特許庁

次いで、絶縁誘電体層を構造全体の上に付着し、絶縁体の化学的機械研磨（ＣＭＰ）平坦化を行い、導電ポリマー線を作り出す。例文帳に追加

Then an insulating dielectric layer is adhered to the whole structure, and conductive polymer wires are produced by planarizing an insulator by the chemical mechanical polishing (CMP). - 特許庁

めっき法による金属層７の堆積と、化学的機械研磨法による金属層７の除去とを交互に反復してもよい。例文帳に追加

The deposition of the metal layer 7 by the plating method and the removal of the metal layer 7 by the chemical-mechanical polishing method may be alternately repeated. - 特許庁

化学的機械研磨後の洗浄過程において、基板上導電体の腐食が発生することを防止する。例文帳に追加

To prevent the occurrence of a corrosion of a conductor on a board in a cleaning step, after chemical and mechanical polishing. - 特許庁

ウェーハ上のマイクロスクラッチ現象を抑制するためのクリーニング流体管を含む化学機械的研磨装置を提供する。例文帳に追加

To obtain a chemical-mechanical polishing device comprising a cleaning fluid pipe for suppressing microscratch phenomenon on a wafer. - 特許庁

化学的機械研磨加工の施された半導体デバイス表面を防錆するベンゾトリアゾールに代わる簡便な防錆方法を提供する。例文帳に追加

To provide a simple and easy corrosion preventing method for preventing corrosion of the surface of a semiconductor device which has been chemically and mechanically polished as an alternative to benzotriazol. - 特許庁

改良された平坦性を有する化学機械的研磨（ＣＭＰ）によって金属を平坦化するためのスラリーを提供する。例文帳に追加

To provide a slurry for chemically and mechanically polishing(CMP) a metal, so as to make it improved in planarity. - 特許庁

化学機械的研磨操作中に金属層の終了点を検出するための方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for detecting the polishing end point of a metal layer in a chemical mechanical polishing process. - 特許庁

本発明の目的は、銅膜や絶縁膜に欠陥を引き起こすことなく、高研磨速度と高平坦化特性を両立させながら、銅残り（銅残渣）や腐食無く研磨することができる化学機械研磨用水系分散体、および該分散体の調製方法、ならびに半導体装置の化学機械研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide an aqueous dispersing element for chemical mechanical polishing capable of performing polishing without any copper remainder (copper residue) and corrosion while striking a balance between high polishing speed and highly flat characteristics without causing any defects in a copper film and an insulation film, to provide a method of preparing the dispersing element, and to provide a method of performing chemical mechanical polishing of a semiconductor device. - 特許庁

絶縁膜上にタンタル系金属膜が形成された基板の研磨において、ディッシングやエロージョンの発生を抑制し、且つ高い研磨速度で、信頼性の高い電気的特性に優れた埋め込み型の電気的接続部の形成を可能とする化学的機械的研磨用スラリーを提供する。例文帳に追加

To provide a slurry for chemical mechanical polishing which inhibits the generation of dishing or erosion and enables the formation of a highly reliable, electrically superior, embedded-type electrical joint at a high polishing speed when polishing a base plate having a tantalic metal film formed on an insulated film. - 特許庁

化学機械的研磨（ＣＭＰ）による基板処理工程の一部または全部を、純水、好ましくは超純水等を用いた電解加工に置き換えることにより、化学機械的研磨（ＣＭＰ）の負荷を軽減させ、更に高効率で平坦性の高い加工を行うことができるようにする。例文帳に追加

To alleviate the load of chemical-mechanical polishing (CMP), enhance machining efficiency, and improve on substrate surface flatness by replacing the whole or part of substrate processing in CMP with electrochemical machining using pure water or, preferably, ultrapure water. - 特許庁

半導体集積回路の作製において、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層を有する被研磨体に対する化学的機械的研磨に用いることができ、ポリシリコン又は変性ポリシリコン以外のケイ素系材料を含む層の研磨速度が迅速であり、且つ、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing method in manufacturing a semiconductor integrated circuit, which can be used for chemical mechanical polishing of a body to be polished having a layer containing polysilicon or modified polysilicon, which provides a high polishing speed of a layer containing a silicon material other than polysilicon or modified polysilicon, and which can selectively suppress polishing of the layer containing polysilicon or modified polysilicon. - 特許庁

３０〜１００℃に加温したアルカリ性溶液である研磨液７を研磨砥石３と被加工物６との間に供給し、この状態で研磨砥石３と被加工物６とを相対的に異なる方向に回転させると、両者間に摩擦力が発生して被加工物６の研磨面が化学的機械的に研磨される。例文帳に追加

Polishing fluid 7 of an alkaline solution heated in the range of 30 to 100°C is supplied between the polishing tools 3 and the workpiece 6, in which condition, rotating both of them in relatively different directions generates frictional force between them to provide chemical/mechanical polishing of the polishing surface of the workpiece 6. - 特許庁

ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層を有する被研磨体に対する化学的機械的研磨に用いることができ、ポリシリコン又は変性ポリシリコン以外のケイ素系材料を含む層の研磨速度が迅速であり、且つ、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨液を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing liquid that can be used for chemical mechanical polishing to a body to be polished having a layer containing polysilicon or modified polysilicon, can increase the polishing speed of a layer containing a silicon-based material other than polysilicon or modified polysilicon, and can selectively suppress the polishing of the layer containing polysilicon or modified polysilicon. - 特許庁

レジスト膜１１をマスクにして、プラズマ酸化膜１０を選択的にエッチングし、写真関連マーク部である凹部４の近傍に、化学的機械的研磨時の過研磨に対する支えとなる過研磨防止用支え部材１７を残す。例文帳に追加

A resist film 11 is masked to selectively etch the plasma oxidation film 10, and a support member 17 for excessive grinding prevention being a support for the excessive grinding during the chemical and mechanical grinding in the neighborhood of the recess part 4 being a photograph associated mark part is left. - 特許庁

半導体デバイス製造工程における化学的機械的研磨に用いられ、窒素原子を３または４つ有するアゾール基を側鎖に有するポリマー、酸化剤および有機酸を含有することを特徴とする金属用研磨液。例文帳に追加

The polishing solution for metals is used for the chemical mechanical polishing in a semiconductor device manufacturing process, and contains a polymer having an azole group with three or four nitrogen atoms at a side chain, an oxidant, and organic acid. - 特許庁

研磨材、酸化剤および水を含有する化学的機械的研磨用スラリーに、ベンゾトリアゾール系化合物およびトリアゾール系化合物を含有させる。例文帳に追加

A benzotriazole-based compound and a triazol-based compound are contained in the slurry for chemical-mechanical polishing, containing a polishing material, an oxidizer, and water. - 特許庁

本発明の化学的機械的研磨スラリーは、脱イオン水に分散された研磨剤を含むスラリーと、スラリーの粘度を０．５ｍＰａｓ（ｃｐｓ）〜３．２ｍＰａｓ（ｃｐｓ）に調節するように添加される有機物の粘度調節剤とを含む。例文帳に追加

The chemical mechanical polishing slurry includes slurry containing abrasive powder dispersed in demineralized water, and organic viscosity modifier added for adjusting the viscosity of the slurry to 0.5-3.2 mPa s(cps). - 特許庁

半導体デバイスの化学的機械的平坦化において、主として銅配線の研磨に用いられる使用される金属用研磨液であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする。例文帳に追加

The polishing solution for metal is mainly used for polishing copper wiring in the chemical mechanical flattening of a semiconductor device, and contains at least one compound expressed by a general formula (I). - 特許庁