「化学的機械的研磨」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

保存性に優れ、迅速なＣＭＰ速度を有し、スクラッチが少なく、平坦性が向上したＬＳＩの作製を可能とする水系研磨液、及び、前記水系研磨液を用いた化学機械的研磨方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an aqueous polishing slurry having a high CMP rate and less scratch and dishing, and enabling fabrication of an LSI having improved flatness, and to provide a chemical mechanical polishing method employing the aqueous polishing slurry. - 特許庁

研磨材の凝集物である粗大粒子が発生せず、研磨材をリサイクル使用しても、半導体基板やその表面皮膜を傷つけてしまわないような化学的機械研磨材のリサイクル方法及びその装置の提供。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for recycling a chemical-mechanical abrasive which causes no coarse particles that are the agglomerations of the abrasive or does not cause damage on a semiconductor substrate and the surface coating of the substrate even when the abrasive is recycled. - 特許庁

研磨定盤の上に貼着され、絶縁膜又は導電膜からなる被研磨膜に対して化学的機械研磨を行なう際に用いられる研磨パッド１０１であって、該研磨パッド１０１は、研磨定盤側に設けられた不織布部１０１ｂと、被研磨膜側に設けられた発砲ポリウレタン部１０１ａとからなる積層構造を有している。例文帳に追加

The polishing pad 101 which is used in the chemical mechanical polishing on the film to be polished which is stuck to a turntable and is composed of an insulating film or conductive film has a laminated structure composed of a nonwoven fabric section 101b provided on the turntable side, and a foamed polyurethane section 101a provided on the film to be polished side. - 特許庁

半導体デバイス製造において銅又は銅合金からなる導体膜とバリア金属膜とを同一の金属用研磨液で連続的に化学的機械的研磨する際に用いる金属用研磨液であって、下記成分（１）、下記成分（２）及び下記成分（３）を含むことを特徴とする金属用研磨液。例文帳に追加

The polishing solution for metal is used to continuously apply chemical mechanical polishing to the conductor film made of copper or copper alloy and the barrier metal film with the same polishing solution for metal in semiconductor device manufacture. - 特許庁

上記装置は、電気化学的研磨ステーションの一部分でよく、任意であるが、該ステーションは、化学的機械的研磨ステーションを含むシステムの一部分でよい。例文帳に追加

The apparatus may be a portion of an electrochemical polishing station, and arbitrarily, the station may be a portion of the system including a chemical mechanical polishing station. - 特許庁

薄板化処理は、初期厚さＷＡの主基板２６の他方面を機械的に研削する処理と、主基板２６の研削された面を機械的に研磨する処理と、主基板２６の研磨された面の少なくとも一部分を化学的に研磨する処理とを含む。例文帳に追加

The processing making the substrate thin consists of a processing of mechanically grinding the other surface of the main substrate 26 having initial thickness WA, a processing of mechanically polishing the ground surface of the main surface 26 and a treatment of chemically polishing at least one part of the polished surface of the main substrate 26. - 特許庁

半導体デバイス製造工程において、銅又は銅合金からなる導体膜を化学的機械的に研磨する際に用いられ、下記（１）、（２）、及び（３）の成分を含むことを特徴とする金属用研磨液、及び該金属用研磨液を用いた研磨方法である。例文帳に追加

The polishing solution for metal used in the fabrication process of semiconductor device when a conductor film composed of copper or a copper alloy is polished chemically and mechanically contains following components (1), (2) and (3). - 特許庁

主として銅または銅合金からなる導体膜の研磨速度に優れ、その研磨速度が導体膜の面内において均一であり、且つ平坦性の向上された半導体デバイスの作製を可能とする金属研磨用組成物、及びそれを用いた化学的機械的研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a metal polishing composition excellent in polishing speed of a conductor film mainly made of copper or copper alloy, having the polishing speed uniform within a plane of the conductor film and capable of production of a semiconductor device with improved flatness, and a chemical mechanical polishing method using the composition. - 特許庁

銅又は銅金属からなる導体膜の研磨速度に優れ、研磨における銅／タンタル、および銅／チタンの選択性が向上することによって、エロージョンの発生を抑制し、且つ平坦性が向上した金属研磨用組成物および化学的機械的研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a metal polishing composition which exhibits superior polishing speed of a conductor film consisting of copper or a copper metal, and improves the planarity, by improving selectivity of copper/tantalum and copper/titanium in polishing, thereby controlling the occurrence of erosion, and to provide a chemical mechanical polishing method. - 特許庁

迅速な研磨速度を有し、且つ、研磨における配線メタル／バリアメタル選択性が向上され、エロージョンが少なく平坦性が向上したＬＳＩの作製を可能とする金属研磨用組成物、及びそれを用いた化学的機械的研磨方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a metal polishing composition which has rapid polishing speed, is improved in selectivity of wiring metal/barrier metal in polishing, and can make an LSI with little erosion and improved flatness, and a chemical mechanical polishing method using the composition. - 特許庁

化学的機械的に研磨して埋込配線７を形成する際に、研磨されるＣｕまたはＣｕを主成分とするＣｕ合金からなるＣｕ系導電材料３或いは研磨剤６の少なくとも一方に研磨速度を向上させる効果をもたらす物質４を含有させる。例文帳に追加

In the interconnection forming method for forming buried interconnects 7 by chemical mechanical polishing, a substance 4 that brings an effect of increasing the polishing rate is added at least to a Cu-based conductive material 3 to be polished and composed of Cu or a Cu alloy mainly composed of Cu, or to an abrasive 6. - 特許庁

バリア金属膜用のタンタル系金属膜を十分な研磨速度で研磨・除去できるとともに、埋め込み配線用の銅系金属膜の過度な研磨が抑えられ、ディッシングの発生を軽減できる化学的機械的研磨スラリーを提供する。例文帳に追加

To provide chemical mechanical polishing slurry, which can polish/remove a tantalum metallic film for a barrier metallic film at sufficient polishing speed while inhibiting the excessive polishing of a copper metallic film for a buried wiring and can reduce the generation of a dishing. - 特許庁

本発明の課題は、高い研磨速度であって、且つウェハ表面におけるディッシングの発生が抑制され、銅配線とバリア金属との研磨速度比を確保することができるバリア層用研磨液及び化学的機械的研磨方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a polishing solution for a barrier layer for polishing at a high speed and capable of preventing the occurrence of dishing at the wafer surface, and ensuring the polishing speed ratio between copper wiring and a barrier metal, and to provide a chemical and mechanical polishing method. - 特許庁

半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨方法であって、低比誘電率の絶縁膜にバリアメタル層を介して埋め込み配線を形成してなる被研磨体を、表面の一部がアルミニウム原子で覆われたコロイダルシリカを含有する研磨液を用いて研磨する。例文帳に追加

In the chemical mechanical polishing method in a manufacturing process of a semiconductor device, the object to be polished with an embedded interconnection formed in the low relative permittivity insulation film via the barrier metal is polished, by using a polishing solution containing colloidal silica, with a part of the surface covered with aluminum atoms. - 特許庁

円滑な電気的研磨のために、小さな半球状の空洞が、機械的または化学的に陽極の中に作られる。例文帳に追加

For smooth electropolishing, a small hemispherical cavity is made in the anode either mechanically or chemically.  - 科学技術論文動詞集

銅膜を高速かつ高平滑に研磨することができ、高性能配線板やＴＳＶ等の厚い金属膜の研磨が必要とされる用途においても短時間の研磨処理が可能であり十分な生産性を確保できる銅用研磨剤、及びその研磨剤を用いる化学的機械的研磨方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an abrasive for copper and a chemical mechanical polishing method using the abrasive, which polish a copper film at a high speed with high flatness, finish polishing in a short period of time, and secure sufficient productivity even in applications in which grinding a thick metal film such as a high performance wiring board or a TSV is needed. - 特許庁

半導体集積回路の作製において、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層を有する被研磨体に対する化学的機械的研磨に用いることができ、ポリシリコン又は変性ポリシリコン以外のケイ素系材料を含む層の研磨速度が迅速であり、且つ、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨液、及びそれを用いた研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing liquid that can be used for chemical mechanical polishing to a body to be polished having a layer containing polysilicon or modified polysilicon, can increase the polishing speed of a layer containing a silicon-based material other than polysilicon or modified polysilicon, and can selectively suppress the polishing of the layer containing polysilicon or modified polysilicon in the manufacture of a semiconductor integrated circuit; and to provide a polishing method using the polishing liquid. - 特許庁

半導体基板３上に形成された被研磨物３１の凹凸形状に応じて部分的に電気伝導性が変動し得る研磨パッド１に対して、半導体基板３を押し付けながら、電解液、砥粒、及び薬液成分を含有する研磨液４１を半導体基板３と研磨パッド１の間に供給し、被研磨物３１の化学的機械的研磨を行う。例文帳に追加

While pushing a semiconductor substrate 3 against a polishing pad 1 having electrical conductivity variable partially depending on the irregular shape of an object 31 to be polished formed on the semiconductor substrate 3, polishing liquid 41 containing electrolyte, abrasive grains and a chemical component is supplied between the semiconductor substrate 3 and the polishing pad 1 and chemical mechanical polishing of the object 31 is carried out. - 特許庁

研磨されている多結晶表面のそれぞれの結晶面の相対的酸化速度に影響を及ぼすように選択された極性を有する、化学的に活性なスラリーを用いる化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスを提供すること。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing (CMP) process employing chemically active slurry having polarity selected to have an effect on the relative oxidation rate of respective crystal faces of a polished polycrystalline surface. - 特許庁

基板はポリシングパッド４１０の表面突起とスラリー５３８に含まれた研磨粒子とによる機械的除去作用、ならびにスラリー５３８に含まれる化学物質による化学的除去作用により研磨される。例文帳に追加

The wafer is polished by a mechanical removing operation by surface protrusions on polishing pads 410 and polishing grains contained in a slurry 538, and by a chemical removing operation by a chemical substance contained in the slurry 538. - 特許庁

また、機械的研磨の際に、機械処理面２３に溝２８が形成されるが、化学的研磨工程で金属箔１１がエッチング液に溶解すると、機械処理面２３と共に溝２８が除去され、平滑な化学処理面２４が形成される。例文帳に追加

Grooves 28 generated in the mechanically treated surface 23 during the polishing process are removed together with the surface 23 in a chemical polishing process by the melting of the foil 11 in the etchant, and this results in a chemically treated flat surface 24. - 特許庁

絶縁膜に形成した開口部の内側および外側に形成された導電体を、酸化剤を混合した研磨液で化学的機械的研磨した後、絶縁膜の上部および開口部の内側に形成された導電体の上部を、水素機能水を混合し超音波を印加したアルカリ性の研磨液を用いて化学的機械的研磨する。例文帳に追加

A conductor formed on the inside and outside of an opening formed on an insulating film is polished chemically mechanically with a polishing liquid mixed with an oxidizer, and then, the upper part of the conductor formed on top of the insulating film and the inside of the opening is polished chemically by polished using an alkali polishing liquid mixed with a hydrogen function water and applied with ultrasonic waves. - 特許庁

基板を平坦化するための化学的機械研磨に用いられる研磨パッドにおいて、親水性でかつ水不溶性の高分子と複合構造を形成し、かつ以下に示す（Ａ）および／または（Ｂ）の要件を満たす研磨層を含むことを特徴とする研磨パッド。例文帳に追加

The polishing pad for chemical mechanical polishing used to planarize wafer comprises composite construction formed by hydrophilic and water fusible polymer and polishing layers filling requirements of the following (A) and (B). - 特許庁

半導体基板上に設けられた膜の表面を、研磨パッドによって化学機械的に研磨するプロセス（ＣＭＰプロセス）における研磨速度のバラツキを低減し、プロセス制御が容易な半導体基板の研磨方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a polishing method of a semiconductor substrate which reduces variation in polishing speed in a chemical mechanical polishing process (CMP process) for polishing the surface of a film provided on a semiconductor substrate by a polishing pad, and facilitates the process control. - 特許庁

二重層よりなる研磨阻止層１０２，１０４を半導体基板１００上に積層し、トレンチを形成した後、素子分離膜用絶縁膜１０６を積層し、第１研磨阻止層１０４を研磨阻止層として用いて前記素子分離膜用絶縁膜１０６を化学機械的研磨(CMP)する。例文帳に追加

In this polishing method, after polish preventing layers 102, 104 composed of a double layer are laminated on a semiconductor substrate 100 to form a trench, an element isolating film insulating film 106 is laminated, and a first polish preventing layer 104 is used as a polish preventing layer, and the element isolating film insulating film 106 is subject to a chemical and mechanical polishing(CMP). - 特許庁

無機物と分子量が５００以上である非電解質の有機物とからなる複合粒子を研磨砥粒として溶媒に分散し、さらに研磨促進剤を添加して研磨液としたものを用いることにより被研磨体表面を化学機械的に予担化する。例文帳に追加

The surface of a material to be polished is chemically and mechanically flattened by using a polishing solution obtained by dispersing complex particles composed of an inorganic substance and a nonelectrolytic organic substance having ≥500 molecular weight as abrasive grains into a solvent and adding a polishing promoter to the dispersion. - 特許庁

ウエハの上に形成された被研磨膜の研磨面をウエハの全面にわたって均一にかつ高精度で平坦化することができると共に、ウエハの周方向に凹凸がある場合及び研磨装置に研磨のくせがあるような場合でも、被研磨面をウエハ全面にわたって高精度で平坦化することができる化学的機械的研磨装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To flatten a polishing surface of a film formed on a wafer uniformly and at high precision along the whole surface of the wafer, and flatten the surface at high precision along the whole surface of the wafer even when irregularity exists in a circumferential direction of the wafer, and when a polishing device has peculiarity in polishing. - 特許庁

多孔性材料から形成される微細経路を備える薄膜を、化学的機械的研磨法を用いて作製する方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING MEMBRANE COMPRISING MICROPASSAGE MADE FROM POROUS MATERIAL, BY CHEMICAL MECHANICAL POLISHING - 特許庁

パッド領域１は、半導体装置において化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により平坦化される配線構造と同時に形成される配線端部である。例文帳に追加

A pad region 1 is a wiring end formed simultaneously with a wiring structure flattened by chemical mechanical polishing(CMP) in the semiconductor device. - 特許庁

多孔性材料から形成される微細経路を有する薄膜を、化学的機械的研磨法を用いて作製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a membrane comprising micropassages made from a porous material, by using a chemical mechanical polishing method. - 特許庁

半導体ウエハの化学的機械的研磨において、ウエハとパッドとの間にスラリを注入するための装置と、それを使用するための方法例文帳に追加

To provide an apparatus for injecting slurry between a semiconductor wafer and a pad in chemical mechanical polishing of semiconductor wafers, and a method for use therefor. - 特許庁

使用する液体中に金属が溶出することを極力抑えることができ、且つ加工が容易な化学的機械的研磨(CMP)装置用管を提供する。例文帳に追加

To provide a pipe for chemical mechanical polishing (CMP) apparatus which minimizes elution of metal into a liquid used, and which is easy in processing. - 特許庁

短時間で安定してレジスト膜等の有機膜を化学的機械的に研磨する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for chemically mechanically polishing an organic film of a resist film or the like stably in a short time. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、本発明に係るこのＣＭＰ用スラリー１を用いて化学的機械的研磨処理を行う工程を含んでいる。例文帳に追加

The manufacturing method of a semiconductor device includes a process for carrying out chemical mechanical polishing treatment by the slurry 1 for CMP. - 特許庁

ウェーハ表面にスクラッチを発生させる汚染物質を効果的に除去する化学機械的研磨装置と汚染物質洗浄方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing apparatus in which contaminants causing scratch on the wafer surface are removed effectively and a method for cleaning away contaminants. - 特許庁

さらに、ニードル７の白金鍍金層Ｔの表面は機械的又は化学的に研磨されて表面粗さが小さくなっている。例文帳に追加

Further, the surface of the platinum plating layer T of the needle 7 is mechanically or chemically polished to reduce the surface roughness. - 特許庁

化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法を用いて不要な電極膜を除去する際のエロージョンによる膜減りの発生を防止する。例文帳に追加

To prevent film reduction due to erosion, when an unwanted electrode film is removed using chemical mechanical polishing(CMP) method. - 特許庁

金属物質を形成後にエッチング防止膜１０２が露出されるように化学的機械的研磨工程を進行して金属配線を形成する。例文帳に追加

A metallic wiring is formed by progressing a chemical mechanical polishing process so as to allow the etching preventive film 102 to be exposed after a metallic substance is formed. - 特許庁

化学的エッチングと機械的研磨能力とのバランスに優れるＣＭＰ用水系分散体を提供する。例文帳に追加

To provide an aqueous dispersion for chemical and mechanical polishing(CMP) which excels in the balance between chemical etching and mechanical polishing capacity. - 特許庁

ステップ１２において、化学的機械的研磨後の段階で平坦化を不均一にしている被平坦化処理層の特定領域を選定する。例文帳に追加

In step 12, specified regions, causing the unevenness of the planarization, is selected at a step after the chemical mechanical polishing. - 特許庁

半導体ウエハの化学的機械的研磨における欠陥密度低減方法及びスラリ流量制御方法例文帳に追加

METHOD FOR REDUCING DEFECT DENSITY AND METHOD FOR CONTROLLING FLOW RATE OF SLURRY IN CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁

配線設計データを利用した化学的機械的研磨方法、加工物の製造方法、およびデザインルール決定方法例文帳に追加

CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING METHOD UTILIZING WIRING DESIGN DATA, METHOD FOR MANUFACTURING WORKED PRODUCT AND METHOD FOR DETERMINING DESIGN RULE - 特許庁

そして、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用して、その上層部Ｔを平坦化した。例文帳に追加

The upper layers T of the liquid-repellent banks 14b are planarized by means of chemical mechanical polishing method (CMP). - 特許庁

一様な間隔を置かれた研磨材粒子（１８０）を有する化学的機械的平坦化技術パッド仕上げ用具が開示されている。例文帳に追加

This finishing tool of the chemical/mechanical flatting technology pad has the abrasive grains 180 disposed at a uniform interval. - 特許庁

本発明は、化学機械研磨（ＣＭＰ）プレーナー化処理の選択性を実質的に増加させる方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a method of substantially enhancing the selectivity of the chemical-mechanical polishing(CMP) planarizing process. - 特許庁