「半溶融加工」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

従来の方法で光ファイバアレイを得ようとすると、半田を、溶融後圧延して得た後、所望の形状に加工しなければならず、半田材の切断時に不良の発生を防止できないと言う問題があり、手間、コスト面での問題となっている。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an optical fiber array which solves conventional problems. - 特許庁

このため、端面電極５に溶融したクリーム半田９を付着させることができると共に、クリーム半田９の表面張力によってその一部を加工用基板１の裏面１Ｂから突出させることができる。例文帳に追加

As a result of this, the fused cream solder 9 can be adhered on the end electrodes 5, and at the same time, one part of the cream solder 9 can be made to protrude from the rear surface 1B of the substrate 1 due to the surface tension of the cream solder 9. - 特許庁

これにより、クリーム半田９は端面電極５からの熱が伝わって溶融すると共に、残余の加工用基板１Ｃに比べて高温となった端面電極５に引付けられる。例文帳に追加

In this way, the cream solder 9 is fused by heat transferred from the end electrodes 5 and is attached to the end electrodes 5 at a higher temperature than that of the remaining substrate 1C. - 特許庁

ピンフィン２は、例えば連続供給される金属線材を設定長さに切断し、連続的にヘッダー加工することで形成し、その表面に設けた半田メッキ１７を溶融してベース部３に固定する。例文帳に追加

The pin fins 2 are formed, for example, by cutting a continuously supplied metal wire to a set length, and performing header machining continuously, and are fixed to the base section 3 by melting solder plating 17 provided on it. - 特許庁

レーザ加工装置３０は、光源３２から出射されるレーザ光４５を、レーザビーム投影マスク３５を通して、ステージ３８上に載置される半導体素子３１に照射することによって、半導体素子３１のシリコン膜を溶融し、凝固させて結晶成長させる。例文帳に追加

The laser machining apparatus 30 is configured in such a way that a semiconductor element 31 placed on a stage 38 is irradiated with a laser light 45, emitted from a light source 32 through a laser beam projection mask 35 to melt the silicon film of the semiconductor element 31 and makes the same solidified and crystal grown. - 特許庁

キャストドラム３と金属無端ベルト４とで圧接される全区間において、金属無端ベルト４とキャストドラム３とで圧接加工中に溶融ポリプロピレン樹脂２の圧縮応力により金属無端ベルト４はキャストドラム３の半径方向に変位可能としてある。例文帳に追加

The belt 4 is enabled for displacement in the radial direction of the drum 3 by way of the compressive stresses of molten polypropylene resin 2 during the pressure welding treatment with the belt 4 and drum 3 in the entire zone to be pressure-welded by the drum 3 and the belt 4. - 特許庁

タングステン電極軸１２２の放電側先端部にタングステンコイル１２３を取り付け、当該コイルを取り付けた電極先端部に対して、間欠的な加熱溶融加工を行うことにより、電極先端部１２４を半球状に成形する。例文帳に追加

A tungsten coil 123 is fixed to a tip part on the discharge side of a tungsten electrode shaft 122, and intermittent heat melting work is conducted to the tip part of an electrode to which the coil is fixed to form the tip 124 of the electrode in a hemispherical shape. - 特許庁

これにより、溶融した半田ボール１０は、裏面電極４、端面電極５に沿って貫通孔２内に侵入し、その一部が加工用基板１の裏面１Ｂよりも突出した状態で裏面電極４、端面電極５に固着することができる。例文帳に追加

Consequently, the molten solder ball 10 penetrates into a through hole 2 along the back electrode 4 and a side electrode 5, and the part of the ball adheres to the back electrode 4 and the side electrode 5 in a protruded form from the back surface 1B of the work substrate 1. - 特許庁

集光後レーザ光６が半導体装置（被加工物）２０に照射されると照射部の絶縁膜２及びシリコン基板１の表面が溶融され、流水３により冷却され、トレンチ７ａと、照射部周辺の絶縁膜２上に残渣物８ａとが形成される。例文帳に追加

When the semiconductor device (workpiece) 20 is irradiated with the condensed laser beam 6 the surfaces of the insulating film 2 and a silicon substrate 1 at the irradiated portion are melted; and then they are cooled with the water flow 3, a trench 7a and residues 8a are thus formed on the insulating film 2 on the periphery of the irradiated portion. - 特許庁

鏡面研磨を行った主面に乾式または湿式のブラスト加工を施した後、熱リン酸または熱リン酸と熱硫酸の混酸または熱溶融水酸化カリウム中に浸漬し、エッチピットを有する半導体発光素子に適した単結晶サファイア基板を作製する。例文帳に追加

A single crystal sapphire substrate having etch pits that is suitable for a semiconductor light emitting device is manufactured by conducting dry or wet blasting on a mirror-polished principal plane of the sapphire substrate, and then dipping the sapphire substrate into heat phosphoric acid, a mixed acid of heat phosphoric acid and heat sulfuric acid, or heat-melt potassium hydroxide to form etch pits. - 特許庁

この溶融加工により成分Ａのアニオン性官能基と金属カチオンとの反応生成物が現場で生成して、成分Ｂの存在下で成分Ａの疑似架橋構造が形成され、かくして成分Ａと成分Ｂとの貫入または半貫入網状構造が形成される。例文帳に追加

By the melt processing, a reaction product of the anionic function group of the ingredient A with the metallic cation is produced on site, thus, a pseudo-crosslinked structure of the ingredient A is formed in the presence of the ingredient B and a penetration or semi-penetration net structure of the ingredient A with the ingredient B is formed. - 特許庁

半導体レーザＤＤＬによるアルミニウムニウム合金板ＡＬ１、ＡＬ２の重ね溶接において、アルミニウムニウム合金ＡＬ１表面のレーザ照射点に溝Ｍを機械加工し、溝内をレーザビームが多重反射して内部に進行する事によって、レーザビームの実質吸収率を上げ溶融効率を増加させて、溶接する。例文帳に追加

In a lap welding of aluminum alloy plates AL1 and AL2 with the semiconductor laser DDL, a groove M is mechanically machined at a point which is irradiated with a laser beam on the surface of the aluminum alloy AL1 and the welding is performed by increasing the substantial absorption rate of the laser beam and increasing the melting efficiency by making the laser beam repeatedly reflect in the groove and propagate inside the groove. - 特許庁