「容量性帰還」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

発振用トランジスタのエミッタとグランド間の発振用帰還容量のＱ値低下を抑え、Ｃ／Ｎ特性の劣化を防止する。例文帳に追加

To prevent the deterioration of C/N characteristics by suppressing the lowering of a Q value of an oscillation feedback capacitance between the emitter of an oscillation transistor(TR) and the ground. - 特許庁

帰還容量を低減することにより、従来よりも高周波特性を改善した縦形ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vertical MOS transistor, whose high-frequency characteristics are more improved than conventional by reducing a feedback capacity, and to provide a method for manufacturing the transistor. - 特許庁

また、こうして容量性負荷に印加された駆動信号を、駆動信号の基準となる駆動波形信号に負帰還させる。例文帳に追加

The drive signal thus applied to the capacitive load is negatively fed back to the drive waveform signal on which the drive signal is based. - 特許庁

したがって、フォトダイオードＤの正の温度係数を帰還抵抗Ｒｆ１ｐ，Ｒｆ２ｐの負の温度係数で補償し、かつアンプ入力抵抗Ｒｅｘｔを外付けとして感度調整を行うことで、前記帰還抵抗Ｒｆ１ｐ，Ｒｆ２ｐに並列の帰還容量との時定数ＣＲも変化せず、応答特性の悪化を招くこともない。例文帳に追加

Therefore, the positive temperature coefficient of the photodiode D is compensated for by the negative temperature coefficient of the feedback resistors Rf1p and Rf2p, and sensitivity adjustment is made with an amplifier input resistor Rext as an external mount, thus preventing change in a time constant CR with feedback capacity in parallel with the feedback resistors Rf1p and Rf2p, and hence preventing deterioration in response characteristics. - 特許庁

耐湿性を低下させずに、コレクタ電極とベース電極パッド間の寄生容量（帰還容量）を小さくし、高周波特性を劣化させないようにする。例文帳に追加

To reduce parasitic capacitance (feedback capacity) between a collector electrode and a base electrode pad without reducing the moisture resistance of the device so as not to deteriorate its high-frequency characteristics. - 特許庁

受信回路のチャンネル選択フィルタの信号帯域幅を低い値に設定する際、帰還容量の容量値の増加を軽減して雑音特性の劣化を軽減する。例文帳に追加

To alleviate an increase in a capacitance value of a feedback capacitance and alleviate deterioration in noise characteristics, when a signal band width is set to a low value for a channel selecting filter in a reception circuit. - 特許庁

交流信号を生成する信号発生回路２と、前記信号発生回路にて生成された交流信号を増幅して容量性素子６に印加する増幅回路４，５と、前記容量性素子に印加された交流信号の一部を前記増幅回路へ帰還入力する帰還回路７，８と、を備える。例文帳に追加

The drive unit for capacitive elements includes: a signal generation circuit 2 for generating an AC signal; amplifier circuits 4, 5 for amplifying the AC signal generated by the signal generating circuit and applying it to the capacitive element 6; and feedback circuits 7, 8 for feeding back one portion of the AC signal applied to the capacitive element to the amplifier circuits for input. - 特許庁

位相補償容量Ｃを含み帰還ループを有する増幅回路と、所定の周波数における前記増幅回路の出力電圧の振幅を測定し、前記振幅の比に基づいて前記位相補償容量の容量値を調整する安定性判定調整回路２と、を備える。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit is equipped with: an amplifier circuit which includes phase compensation capacitance C and has a feedback loop; and a stability judgment and adjustment circuit 2 which measures the amplitude of an output voltage from the amplifier circuit in a predetermined frequency and adjusts a capacitance value of the phase compensation capacitance based on a ratio of the amplitude. - 特許庁

演算増幅器１１の第１の帰還コンデンサＣｆ１は、可変容量型のＭＯＳ容量素子を用いて構成され、コンデンサＣｍによって発生された入力信号の振幅の増加と共にその容量値が増加する特性を有する。例文帳に追加

A first feedback capacitor Cf1 of an operational amplifier 11 is formed using a changeable capacitance type MOS capacitor element, and has a characteristic of increasing the capacitance value together with an increase of the amplitude of an input signal generated by a capacitor Cm. - 特許庁

線型の電力増幅器において、高周波特性に影響を及ぼす帰還容量のドレイン電圧依存性を抑えて歪み特性の劣化を防ぐことができる技術を提供する。例文帳に追加

To provide such a technology that can suppress the drain voltage dependency of feedback capacity affecting high-frequency characteristic, and can prevent the degradation of distortion characteristic in a liner type power amplifier. - 特許庁

反転及び非反転入力及び出力を有するオペアンプから構成される負帰還回路において、非容量性インピーダンス素子がオペアンプの出力とその反転入力との間に挿入され。例文帳に追加

In a negative feedback circuit constituted of an operational amplifier(OA) having inverted and non-inverted inputs and outputs, a non- capacitive impedance element is inserted between the output and inverted input of the OA. - 特許庁

オン抵抗と帰還容量との間のトレードオフの関係を改善し、且つ、十分に高い信頼性を有する縦型または横型ＭＯＳＦＥＴ構造の半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sufficiently reliable vertical or lateral MOSFET structure semiconductor device improved in a trade-off relation between on-state resistance and feedback capacitance. - 特許庁

配線で接続された容量性負荷を駆動する際、配線の入力側からの帰還信号に減算器や変調回路の動作範囲を超える変調周波数帯域の信号振幅が残るのを防止する。例文帳に追加

To prevent remaining of signal amplitude of modulation frequency bands exceeding an operation region of a subtractor or a modulation circuit in a return signal from an input side of wiring during driving a capacitive load connected by the wiring. - 特許庁

発振回路２１は、固定抵抗２５と正の温度特性を示すサーミスタ２６とを直列接続した帰還抵抗２４の抵抗値と検知電極１４の容量との積により決まる時定数に基づいて発振する。例文帳に追加

The oscillating circuit 21 oscillates based on a time constant, which is determined by the product of the resistance value of a feedback resistance 24 and the capacity of a detection electrode 14, the resistance 24 comprising a fixed resistance 25 and a thermistor 26 connected in series, with the thermister 26 showing a positive temperature coefficient characteristic. - 特許庁

耐圧の低下、入力容量Ｃｉｅｓ及び帰還容量Ｃｒｅｓの増加、負荷短絡時における発振の発生を回避しながら、容易且つ効果的に低オン電圧及び高速スイッチング特性を実現できる構成のプレーナゲート型ＩＧＢＴを提供する。例文帳に追加

To provide a planar gate IGBT having a constitution which easily and effectively realizes the characteristics of low ON voltage and high-speed switching while avoiding deterioration of a breakdown voltage, increases of an input capacitance Cies as well as a feedback capacitance Cres and generation of oscillation upon short-circuiting a load. - 特許庁

超音波振動子１１とオペアンプ１３有する受信回路１２とを含む超音波受信器１０において、オペアンプ１３の出力端子と反転入力端子との間に挿入された帰還抵抗１５と並列に、超音波振動子１１の静電容量以上の静電容量を備え、静電容量変化の温度特性が前記超音波振動子の圧電体と実質的に等しい容量体１４を挿入する。例文帳に追加

In the ultrasonic receiver 10 including an ultrasonic vibrator 11 and an receiving circuit 12 with an operational amplifier 13, a capacitance above that of the ultrasonic vibrator 11 is provided and a capacity body 14 whose temperature characteristic of capacitance variation is actually identical to the piezoelectric material of the ultrasonic vibrator is inserted. - 特許庁

増幅回路１ａは、入力信号が供給されるオペアンプ１０と、オペアンプ１０の出力端と入力端とを抵抗１６−１又は２を介して接続する帰還回路と、抵抗素子１６−１又は２の温度特性と互いに逆関係にある温度特性を有する容量素子と、を備える。例文帳に追加

The amplifier circuit 1a comprises an operational amplifier 10 to which an input signal is supplied, a feedback circuit for connecting an output end and an input end of the operational amplifier 10 through a resistance 16-1 or 16-2, a capacitive element having temperature characteristics in converse relation with temperature characteristics of the resistance element 16-1 or 16-2. - 特許庁

発振回路の周波数を選択可能な帰還ループに、インダクタンスＬとバリキャップダイオードＣ３とを直列に接続した周波数選択回路１０を設け、バリキャップダイオードＣ３の容量を電気的に制御することにより、負性抵抗を調整する発振器である。例文帳に追加

The oscillator is provided with a frequency selecting circuit 10, having an inductance L and a varicap diode C3 connected in series, in a feedback loop capable of selecting the frequency of an oscillation circuit, and the negative resistance is adjusted by electrically controlling the capacity of the varicap diode C3. - 特許庁

また、こうして容量性負荷に印加された駆動信号をデジタル信号に変換し、位相進み補償と、所定周波数以上の周波数帯域でのゲインを抑制するゲイン補償とを加えた後、駆動信号の基準となる駆動波形信号に負帰還させる。例文帳に追加

The drive signal thus applied to the capacitive load is converted to a digital signal, subjected to phase advance compensation and gain compensation for reducing the gain in a frequency band of a predetermined frequency or more, and then negatively fed back to the drive signal waveform signal being the basis of the drive signal. - 特許庁

このとき電流の切り換えのタイミングでコイル両端に生成するスパイク状電圧は、ゲート・ドレイン間の寄生容量を通じてゲートに帰還するが、逆極性のスパイク状電圧がコンデンサー４、６、８、１０を通じて各トランジスターのゲートにそれぞれ供給されるため寄生容量の作用が打ち消される。例文帳に追加

A spike-like voltage produced in both ends of the coil at that time with a changeover timing is fed back to a gate through a parasitic capacity between the gate and a drain, but the operation of the parasitic capacitance is negated since the spike-like voltages of opposite polarity are supplied respectively to the gate of each transistor through capacitors 4, 6, 8, 10. - 特許庁