「対数ダイオード」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

湿度センサ７から出力される電流信号を逆並列接続された２つのダイオードＤ１ａ及びＤ１ｂで構成される対数圧縮回路９を通すことによって対数圧縮された電圧信号に変換する。例文帳に追加

A current signal outputted from a humidity sensor 7 is passed through a logarithmic compression circuit 9 made up of antiparallel-connected two diodes D1a, D1b to convert it into a logarithmically compressed voltage signal. - 特許庁

対数変換型画素構造において、フォトダイオードの暗電流を大幅に低下させて対数変換可能な光電流の下限を拡大し、感度の向上とダイナミックレンジの拡大を図る。例文帳に追加

To improve sensitivity and to enlarge a dynamic range by remarkably reducing a dark current of a photo-diode and enlarging a lower limit of an optical current that can be logarithmically transformed, in a logarithmic transformation type pixel structure. - 特許庁

対数変換型画素構造において、フォトダイオードの暗電流を大幅に低下させて対数変換可能な光電流の下限を拡大し、感度の向上とダイナミックレンジの拡大を図る。例文帳に追加

To provide a logarithmic transform type pixel structure where a dark current of a photodiode is greatly decreased to extend the lower limit of an optical current able to be logarithmically transformed, thereby enhancing the sensitivity and the dynamic range. - 特許庁

そして、埋込型フォトダイオードＰＤで線形的又は自然対数的に変化したポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤに転送し、ＭＯＳトランジスタＴ３，Ｔ４を通じて映像信号として出力する。例文帳に追加

And a potential varied linearly or natural logarithmically by the embedded type photo diode PD is transmitted to a N type suspended diffusion layer FD and outputted as an image signal through MOS transistors T3, T4. - 特許庁

画像セルＣａは、フォト・ダイオードＰＤのカソードに接続されサブ・スレッショルド領域で動作する第１トランジスタＴ１によりセンスノードＮ１の電位を対数変換する。例文帳に追加

An image cell Ca applies logarithmic conversion to the potential of a sense node N1 by a first transistor T1 connected to the cathode of a photodiode PD and operating in a subthreshold region. - 特許庁

その結果、画像セルＣａは、Ｈレベルの駆動信号Φｗ１によって第１トランジスタＴ１がサブ・スレッショルド領域で動作し、フォト・ダイオードＰＤに流れる光電流を対数変換した信号を出力する。例文帳に追加

As this result, the image cell Ca outputs a signal obtained by applying logarithmic conversion to an optical current with which the first transistor T1 operates in the subthreshold region by the driving signal Φw1 of H level and which flows to the photodiode PD. - 特許庁

微小電流領域での電圧−電流特性が対数特性を示し、入射光量に応じて対数的に変化する電圧信号を出力するＰＮ接合によるフォトダイオードまたはフォトトランジスタを用いて光センサ回路を構成する。例文帳に追加

The photosensor circuit comprises a PN junction photodiode or phototransistor outputting a voltage signal exhibiting logarithmical voltage- current characteristics in a microcurrent region and varying logarithmically depending on the quantity of incident light. - 特許庁

フォトダイオードの飽和以降の光電変換特性（対数特性）を使ってダイナミックレンジを拡大する場合に、後段の読み出し回路のゲインを変更しても対数特性部分を後段回路の動作レンジ内に収めることができる固体撮像装置及びその駆動方法を得ること。例文帳に追加

To collect a logarithmic characteristic section in the operating range of a post-stage circuit even when a gain for a reading circuit at a post stage is changed, when a dynamic range is expanded by using photoelectric-conversion characteristics (logarithmic characteristics) after the saturation of a photodiode. - 特許庁

この光電式エンコーダは、負帰還回路１２が差動増幅器７の直流出力を対数圧縮部をなすダイオード５,６の入力側に負帰還させるので、変動する受光信号自身に基づいて、受光信号の直流オフセットを低減することができる。例文帳に追加

Since a negative feedback circuit 12 negatively feeds back a DC output of a differential amplifier 7 to the input side of diodes 5, 6 forming a logarithm compression section, this photoelectric encoder can reduce a DC offset of a light receiving signal based on a fluctuating light receiving signal itself. - 特許庁

その結果、画像セルＣａは、Ｈレベルの駆動信号Φｗ１によって第１トランジスタＴ１がサブ・スレッショルド領域で動作し、フォト・ダイオードＰＤに流れる光電流を対数変換した信号を出力する。例文帳に追加

As a result, the image cell Ca outputs a signal in which the first transistor T1 operates in the sub-threshold area by the driving signal Φw1 at an H level and the logarithmic transformation of a photocurrent which flows to the photodiode PD is performed. - 特許庁

この切換信号によって、エリアセンサ１０内に設けられた各画素内のフォトダイオードから光電流が流れるＭＯＳトランジスタのバイアス電圧を変化させることで、エリアセンサ１０を対数変換動作、又は線形変換動作に切り換えることができる。例文帳に追加

The logarithmic conversion or the linear conversion is switched for the area sensor by changing a bias voltage of a MOS transistor(TR) to which an optical current is supplied from photo diodes of each pixel provided in the area sensor 10 by this switching signal. - 特許庁

一定又は時間的に変化する制御電圧（Ｖ_ｃ）を適正に選択することにより、フォトダイオード（１）の線形及び非線形の組合せ、好ましくは対数の照度応答が可能になり、その結果、大きさで１０の５乗のオーダー以上の高いダイナミック光検出レンジが得られる。例文帳に追加

By properly selecting the constantly or temporally changed control voltage (VC), the linear and non-linear shapes of the photodiode 1 can be combined, and preferably the illumination response of the logarithm can be performed, as a result, high dynamic optical detection range of the order of the fifth power of ten or more can be obtained. - 特許庁

また、ノイズデータ取得時に、ＭＯＳトランジスタＴ８をオンにし、ＭＯＳトランジスタＴ９によるリセットを行った後、ＭＯＳトランジスタＴ８をオフにし、信号φＶＰＳを制御することによって対数変換用ＭＯＳトランジスタＴ１を閾値電圧に応じてリセットし、その後ＰＮ接合フォトダイオードＰＤへの入射光に関係しない出力を行う。例文帳に追加

Furthermore, when acquiring noise data, the MOS transistor T8 is turned on to allow the MOS transistor T9 to carry out the resetting, and thereafter, controlling the signal ϕVPS resets the logarithmic transform MOS transistor T1, in response to the threshold voltage and provides an output independently of the incident light to the P-N junction photodiode PD. - 特許庁

撮像データ取得時に、ＭＯＳトランジスタＴ８をオンにし、ＭＯＳトランジスタＴ９によるリセットを行った後、信号φＶＰＳを制御することによって対数変換用ＭＯＳトランジスタＴ１を閾値電圧に応じてリセットし、その後ＰＮ接合フォトダイオードＰＤへの入射光に応じた出力を行う。例文帳に追加

When acquiring image data, a MOS transistor T8 is turned on to allow a MOS transistor T9 to carry out resetting, and thereafter, controlling a signal ϕVPS resets a logarithmic transform MOS transistor T1, in response to a threshold voltage and provides an output in response to an incident light to a P-N junction photodiode PD. - 特許庁

光電変換素子と、ＰＮ接合のダイオード特性を用いて前記光電変換素子からの信号を対数に比例した電圧に変換する対数変換部とを備えた光電変換装置において、前記対数変換部のＰＮ接合をバイボーラトランジスタのエミッタ、ベース、コレクタの内のいずれか２つの端子により形成し、残り一つの端子が半導体基板に接続されている事を特徴とする光電変換装置を提供する。例文帳に追加

The photoelectric converting device equipped with a photoelectric converting element and a logarithmic conversion part which converts a signal from the photoelectric converting element into a voltage proportional to a logarithm by using a diode characteristic of a PN junction is characterized in that the PN junction of the logarithmic conversion part is formed of two terminals among the emitter, base, and collector of a bipolar transistor and the remaining one terminal is connected to a semiconductor substrate. - 特許庁