| 例文 (7件) |
極薄やすりの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
半導体層のサイズを小さくしても簡素な工程で製造でき、ソース電極とソース領域との接触抵抗やドレイン電極とドレイン領域との接触抵抗を増加させない薄膜トランジスタの提供。例文帳に追加
To provide a thin film transistor which can be manufactured in a simple process even a size of a semiconductor layer is small and does not increase contact resistances between a source electrode and a source area and between a drain electrode and a drain area. - 特許庁
硬度や耐擦傷性に優れた極薄膜の硬化塗膜を、紫外線硬化により、連続して製造することができる紫外線照射式硬化装置を提供することにある。例文帳に追加
To provide an ultraviolet irradiation-type curing apparatus which can continuously produce an ultrathin cured coating film having excellent hardness and scratch resistance by ultraviolet curing. - 特許庁
巻取りコイルの形状不良を防止し、フィルムラミネート法により３ピース缶の缶胴を製造する際に、幅精度の良いスリット作業や貼り付け作業が可能な極薄鋼帯大単重コイルを提供する。例文帳に追加
To provide a large unit weight coil of ultra thin steel strip capable of executing a slitting work excellent in the accuracy of width and a sticking work at the time of manufacturing a three-piece can be the film laminating method by preventing defect in shape of a coiled coil. - 特許庁
薄板状のスペーサ１０２０は行方向に沿って配置され、冷陰極素子１０１２および蛍光膜１０１８のなす領域に挟まれた範囲から外側まで延長されている。例文帳に追加
The thin plate-shaped spacer 1020 is arranged in a line direction, and extended from a range interposed between regions formed with a cold cathode element 101 and a fluorescent screen 1018 to the outside. - 特許庁
ｐ型よりｎ型のポリシリコンの方がエッチング速度が速いため、ｎＭＯＳ領域ＢよりもｐＭＯＳ領域Ａのポリシリコン膜４を薄くすることにより、ゲート電極形成時に、ｐＭＯＳ領域ＡとｎＭＯＳ領域Ｂのポリシリコン膜４のエッチングをほぼ同時に終了できる。例文帳に追加
Since n-type polysilicon has a larger etching rate than p-type polysilicon has, the etching of the polysilicon film 4 in the p and n-type MOS regions A and B can be completed at nearly the same time, when the thickness of the film 4 in the region A is made thinner than that of the film 4 in the region B. - 特許庁
チャネル形成領域、ソース領域、及びドレイン領域を有する半導体層と、島状のゲート電極とを備えた薄膜トランジスタを有し、ゲート電極が接続する第１配線と、ソース領域又はドレイン領域が接続する第２配線とは直交し、第２配線や容量配線と平行かつ重なるように配置されている。例文帳に追加
In the front type projector having a thin film transistor including a semiconductor layer having a channel forming region, a source region and a drain region and an island-shaped gate electrode, first wiring to which the gate electrode is connected and second wiring to which the source region or the drain region is connected are orthogonal to each other and the second wiring is disposed so as to be parallel to and superposed on the capacity wiring. - 特許庁
樹脂フイルムや金属箔等からなる極めて薄くて延びやすい帯状材、あるいはこれらの帯状材をベースとして、その帯状材に他の物質が塗布されて積層帯状材とされたもの等を延びを与えることなく、また表面に擦り傷等の欠陥を誘発させることもなくスリットすることができる丸刃式切断装置を提供する。例文帳に追加
To provide a cutting device fitted with circular blades for a band material of very thin and ductile constitution made from a resin film, metal foil, etc., or a laminated band material using such a band material as the base which is coated with other substance, whereby it is practicable to slit the band material without resulting in an elongation or without generating flaw on its surface such as scratches. - 特許庁
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