「相変化材料」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

液相材料の相変化状態検出装置例文帳に追加

PHASE CHANGE STATE DETECTOR FOR LIQUID PHASE MATERIAL - 特許庁

相変化メモリセルは、相変化材料から成る相変化層を半導体ボディ上に含む。例文帳に追加

The phase-change memory cell includes a phase-change layer, formed of a phase-change material on a semiconductor body. - 特許庁

その記憶媒体は相変化材料を含む。例文帳に追加

This storage medium contains a phase change material. - 特許庁

相変化材料素子および半導体メモリ例文帳に追加

PHASE-CHANGE MATERIAL ELEMENT AND SEMICONDUCTOR MEMORY - 特許庁

ドープされた相変化材料を含むメモリセル例文帳に追加

MEMORY CELL CONTAINING DOPED PHASE CHANGE MATERIAL - 特許庁

相変化材料はＧｅ、Ｓｂ、及びＴｅを含む。例文帳に追加

The phase-change material may include Ge, Sb, and Te. - 特許庁

相変化材料を有するマルチレベル・データ記憶装置例文帳に追加

MULTI-LEVEL DATA MEMORISATION DEVICE WITH PHASE CHANGE MATERIAL - 特許庁

相変化記録材料及び情報記録用媒体例文帳に追加

PHASE CHANGE RECORDING MATERIAL AND INFORMATION RECORDING MEDIUM - 特許庁

情報記録媒体及び相変化記録材料例文帳に追加

INFORMATION RECORDING MEDIUM AND PHASE CHANGE RECORDING MATERIAL - 特許庁

アニーリングによる相変化材料の状態の遷移例文帳に追加

STATE TRANSITION OF PHASE CHANGE MATERIAL CAUSED BY ANNEALING - 特許庁

相変化記録材料及び情報記録用媒体例文帳に追加

PHASE CHANGE RECORDING MATERIAL AND MEDIUM FOR INFORMATION RECORDING - 特許庁

相変化材料の電子メモリ構造例文帳に追加

ELECTRONIC MEMORY STRUCTURE OF PHASE CHANGE MATERIAL - 特許庁

熱電発電器および相変化材料を使用する発電例文帳に追加

POWER GENERATION USING THERMOELECTRIC GENERATOR AND PHASE CHANGE MATERIAL - 特許庁

相変化記録材料及び情報記録用媒体例文帳に追加

PHASE-CHANGE RECORDING MATERIAL AND INFORMATION-RECORDING MEDIUM - 特許庁

調整可能な相変化材料抵抗器例文帳に追加

ADJUSTABLE PHASE CHANGE MATERIAL RESISTOR - 特許庁

相変化材料ターゲットおよびその製造方法例文帳に追加

PHASE CHANGE MATERIAL TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

第１トラックは第１の相の相変化材料で構成され、第１記録マークは第２の相の相変化材料で構成される。例文帳に追加

The first track is made of a phase changeable material with a first phase type and the first recording marks are made of the phase changeable material with a second phase type. - 特許庁

相変化材料２０８は、第１の相変化部分２１０ａ、第２の相変化部分２１０ｂ、第３の相変化部分２１０ｃ、第４の相変化部分２１０ｄ、および第５の相変化部分２１０ｅを有している。例文帳に追加

The phase variation material 208 has a first phase variation portion 210a, a second phase variation portion 210b, a third phase variation portion 210c, a fourth phase variation portion 210d, and a fifth phase variation portion 210e. - 特許庁

相変化材料層２０８は、スペーサ材料層２０６および第２の電極２１０に接触している。例文帳に追加

The phase-change material layer 208 contacts the spacer material layer 206 and the second electrode 210. - 特許庁

可変抵抗成分は相変化材料を含み、不活性成分は誘電材料を含む。例文帳に追加

The variable resistance component may include a phase-change material and the inert component may include a dielectric material. - 特許庁

また、下地膜３に用いられる無機材料は、相変化材料であることが好ましい。例文帳に追加

The inorganic material used for the base film 3 is desirably a phase change material. - 特許庁

メモリセル２０２は、絶縁材料２０６内に配置された相変化材料２０４を含んでいる。例文帳に追加

A memory cell 202 includes a phase change material 204 arranged in an insulation material 206. - 特許庁

記録層には相変化材料を使用し、さらに相変化材料の他にＣ及びＦ、又はＣ及びＳｉを含むポリマーが含まれている。例文帳に追加

A phase change material is employed in the recording layer 3 while a polymer, containing C, F, or a polymer containing C and Si are contained except the phase change material. - 特許庁

このパルスは、相変化材料２０４をリセットし、残り３つの状態のいずれか１つを相変化材料２０４にプログラムする。例文帳に追加

The pulse resets the phase change material 204 and programs one of the other three states into the phase change material 204. - 特許庁

相変化材料層の膜厚は10nm以下であること、相変化記録層と相変化材料層との合計膜厚は30nm以下であること、相変化記録層と相変化材料層の構成元素の80％以上がSbとTeであることがそれぞれ好ましい。例文帳に追加

It is respectively preferable that the film thickness of the phase change material layer is 10 nm or less, the total film thickness of the phase change recording layer and the phase change material layer is 30 nm or less and 80% or more of the constituting elements of the phase change recording layer and the phase change material layer are Sb and Te. - 特許庁

相変化材料に適した接続電極、該接続電極を備えた相変化メモリー素子、および該相変化メモリー素子の製造方法例文帳に追加

CONNECTION ELECTRODE SUITABLE FOR PHASE CHANGE MATERIAL, PHASE CHANGE MEMORY DEVICE PROVIDED WITH CONNECTION ELECTRODE, AND MANUFACTURING METHOD OF PHASE CHANGE MEMORY DEVICE - 特許庁

相変化メモリ材料を製造するためのテルル（Ｔｅ）前駆体例文帳に追加

TELLURIUM (Te) PRECURSOR FOR MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY MATERIAL - 特許庁

相変化材料を含むメモリ装置、半導体装置、及びその形成方法例文帳に追加

MEMORY DEVICE CONTAINING PHASE CHANGE MATERIAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SAME - 特許庁

相変化材料から成る共通ボリューム内に記憶場所を有するメモリ例文帳に追加

MEMORY HAVING STORAGE LOCATION IN COMMON VOLUME COMPRISING PHASE CHANGE MATERIAL - 特許庁

相変化材料を用いたＭＲＩ傾斜コイルの熱伝達の強化例文帳に追加

ENHANCEMENT OF HEAT TRANSFER OF MRI INCLINED COIL USING PHASE-CHANGE MATERIAL - 特許庁

相変化材料２０４は、階段状のプログラミング特性を有している。例文帳に追加

The phase change material 204 has step-like programming characteristics. - 特許庁

メモリ・セルは、半導体フィーチャおよび相変化材料を含む。例文帳に追加

To provide a memory cell etc. containing semiconductor features and a phase-change material. - 特許庁

電子部品のためのヒート・シンクにおける相変化材料の使用法例文帳に追加

METHOD OF USING PHASE CHANGING MATERIAL IN HEAT SINK FOR SEMICONDUCTOR COMPONENT - 特許庁

一実施形態においては、基板は相変化材料に被覆されている。例文帳に追加

The substrate is covered with a phase changing material. - 特許庁

メモリは、相変化材料から成るボリュームと、上記相変化材料から成るボリューム内の第１の記憶場所にアクセスするために上記相変化材料から成るボリュームに結合されている第１のトランジスタと、上記相変化材料から成るボリューム内の第２の記憶場所にアクセスするために上記相変化材料から成るボリュームに結合されている第２のトランジスタと、を含んでいる。例文帳に追加

A memory comprises: a volume comprising a phase change material; a first transistor coupled with the volume comprising the phase change material for accessing a first storage location in the volume comprising the phase change material; and a second transistor coupled with the volume comprising the phase change material for accessing a second storage location in the volume comprising the phase change material. - 特許庁

第１の電極２０２は、誘電体材料層２０４、スペーサ材料層２０６、および相変化材料層２０８に接触している。例文帳に追加

The first electrode 202 contacts the dielectric material layer 204, the spacer material layer 206 and the phase-change layer 208. - 特許庁

誘電体材料層２０４およびスペーサ材料層２０６は、内部に相変化材料が堆積される孔２０９を形成している。例文帳に追加

The dielectric material layer 204 and the spacer material layer 206 form a hole 209 for depositing the phase-change material layer therein. - 特許庁

結晶相とアモルファス相の間を相変化する相変化材料の結晶相の電気抵抗をＲｃ、アモルファス相の電気抵抗をＲａとするとき、電気抵抗比Ｒａ／Ｒｃが１×１０^4以上である相変化材料を記録層とする相変化型記録記録媒体。例文帳に追加

When electric resistance of a crystalline phase of a phase transition material the phase of which transits between the crystalline phase and an amorphous phase is Rc and electric resistance of the amorphous phase is Ra, the phase transition type recording medium has the phase transition material of which electric resistance ratio Ra/Rc is ≥1×104 as a recording layer. - 特許庁

メモリセルＭＣの動作時に、圧電材料層１２２の電歪効果を利用して相変化材料（記憶層１２４）に圧縮応力を印加することにより、相変化材料の最高到達温度（相からα相への相変化温度）を下げ、書き換え電流を低減する。例文帳に追加

The maximum temperature reached (phase change temperature from a phase to an α phase) of the phase change material is lowered to reduce the rewriting current by utilizing an electrostrictive effect of the piezoelectric material layer 122 to apply the compressive stress to the phase change material (the memory layer 124) during the operation of a memory cell MC. - 特許庁

相変化材料の相変化に用いるジュール熱をさらに効率よく相変化材料に加えることができる半導体記憶装置を提供し、当該半導体記憶装置を容易に製造することができる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage device, in which Joule heat used for a phase change of a phase change material can be applied more efficiently to the phase change material, and to provide a manufacturing method capable of manufacturing the same easily. - 特許庁

ＭＩＳＦＥＴをメモリセル選択用トランジスタＱＭとして用いる相変化メモリのメモリセル形成領域において、相変化材料を用いた抵抗素子Ｒからなるメモリセルの相変化材料層ＣＧを共通化する。例文帳に追加

In the memory cell forming region for a phase change memory wherein a MISFET is used as a memory cell selecting transistor QM, a phase change material layer CG is common to the memory cells comprising resistance elements R using the phase change material. - 特許庁

次に、ナノホール中に、強誘電体材料、強磁性体材料、抵抗変化材料、相変化材料、及び蛍光体材料等の機能性材料１０を充填することによって、種々の機能を有するナノホール構造体を作製する。例文帳に追加

Then, a functional material 10 such as a ferroelectric material, a ferromagnetic material, a variable resistance material, a phase transition material and a phosphor material is filled into the nanoholes, by which the nanohole structure having various functions is produced. - 特許庁

超解像型光記録媒体に含まれる相変化材料層に相当する層の材料を最適化することにより、信号特性を改善する。例文帳に追加

To improve signal characteristics by optimizing a material of a layer corresponding to a phase transition material layer contained in a super resolution type optical recording medium. - 特許庁

相変化メモリセル２００ａは、第１の電極２０２、誘電体材料層２０４、スペーサ材料層２０６、相変化材料層２０８、および第２の電極２１０を有している。例文帳に追加

The phase-change memory cell 200a includes a first electrode 202, a dielectric material layer 204, a spacer material layer 206, a phase-change layer 208, and a second electrode 210. - 特許庁

基板１上に少なくとも相変化記録層３を設け、該相変化記録層３に接して、該相変化記録層の結晶化温度Ｔｃ１よりも高い結晶化温度Ｔｃ２を有する相変化材料層４を設ける。例文帳に追加

At least a phase change recording layer 3 is formed on a substrate 1 and a phase change material layer 4 having the crystallization temperature Tc2 higher than the crystallization temperature Tc1 of the phase change recording layer 3 is formed in adjacent to the phase change recording layer 3. - 特許庁