「相変化材料」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

制御光パルス照射によって、相変化材料部１０９は結晶状態に相変化し、光スイッチはバー状態に遷移する。例文帳に追加

A phase change material portion 109 is subjected to a phase change to a crystalline state with control light pulse irradiation, and the optical switch is subjected to transition to a bar state. - 特許庁

前記光ディスクの製造においては、スパッタ法を用いて相変化記録層と相変化材料層を連続的に成膜する。例文帳に追加

In the manufacture of the optical disk, the phase change recording layer and the phase change material layer are successively formed by a sputtering method. - 特許庁

入力導波路と、相変化材料膜が積層された導波路と、出力導波路とを直列に接続し、前記相変化材料膜の一部が結晶相とし、残りをアモルファス相とする。例文帳に追加

An input waveguide, a waveguide with a phase change material film laminated, and an output waveguide are connected in series, and a part of the phase change material film is in a crystal phase and the remaining part is in an amorphous phase. - 特許庁

相変化材料が第１の相のときには半導体構造はバイポーラ接合トランジスタとして動作し、相変化材料が第２の相のときには半導体構造は電界効果トランジスタとして動作する。例文帳に追加

The semiconductor structure is operated as a bipolar junction transistor when the phase change material is in a first phase, and the semiconductor structure is operated as a MOSFET when the phase change material is in a second phase. - 特許庁

例えば記録層３を相変化材料で構成した場合、情報記録時に記録層３に記録光を照射して相変化材料を加熱溶融しても、溶融した相変化材料が隣のトラックの記録層に移入することが防止される。例文帳に追加

For example, when the recording layer 3 is made from a phase transition material and the phase transition material is heated and molten by irradiation the recording layer 3 with recording light during recording the information, the molten phase transition material is prevented from moving to the recording layer in the adjacent track. - 特許庁

容器と、容器内部に配設された相変化材料と、相変化材料と接触している少なくとも１つの熱交換インタフェースと、相変化材料のバルク内部に延在する少なくとも１つの黒鉛フォイルのシートとを備える潜熱蓄熱装置とする。例文帳に追加

This latent heat storage device includes a vessel, a phase change material disposed within the vessel, at least one heat exchange interface in contact with the phase change material, and at least one sheet of graphite foil which extends within the bulk of the phase change material. - 特許庁

相変化メモリセル２０２は、第１材料がドープされた相変化材料２０４を含み、ドープされた相変化材料２０４は、一方の端部において第１電極２０８に、もう一方の端部において第２電極２１０に、電気的に結合されている。例文帳に追加

A phase change memory cell 202 contains a phase change material 204 whose first material is doped, and the doped phase change material 204 is electrically joined to a first electrode 208 at one edge and to a second electrode 210 at another edge. - 特許庁

各圧電材料の組成比は、結晶系が変化する相境界を構成する組成比である。例文帳に追加

The composition ratio of each piezoelectric material is the composition ratio constituting a phase boundary in which the crystal systems are changed. - 特許庁

現像可能な層は、相変化材料、薄膜遷移金属または金属酸化物を含む。例文帳に追加

The developable layer may comprise a phase-change material, a thin film transition metal, or a metal oxide. - 特許庁

記録層１５は相変化材料によって構成され、記録層１５には窒素が添加されている。例文帳に追加

The recording layer 15 is configured with a phase change material, and nitrogen is added to the recording layer 15. - 特許庁

少なくとも一方の前記表面には、相変化材料層が形成されている。例文帳に追加

A phase transformation material layer is formed on at least one of the surfaces. - 特許庁

当該記憶場所は、相変化材料を含んでおり、また、上記第１の電極と接触している。例文帳に追加

The storage location includes a phase change material, and is in contact with the first electrode. - 特許庁

ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング例文帳に追加

SPUTTERING OF COMPOSITE TARGET FOR FORMING DOPED PHASE CHANGE MATERIAL - 特許庁

ヒータ素子（２）及びカルコゲニック材料のメモリ領域（３）を有する相変化メモリデバイス（１０）。例文帳に追加

A phase change memory device 10 includes a heater element (2) and a memory region (3) of a chalcogenic material. - 特許庁

相変化材料を含む記録層を備えた不揮発性メモリ素子の発熱効率を高める。例文帳に追加

To enhance the heat generating efficiency of a non-volatile memory element provided with a recording layer containing a phase changing material. - 特許庁

光ディスク上に、相変化材料から成るピットとそれとは異なる記録膜を設ける。例文帳に追加

A pit made of a phase change material and a recording film that differs from it are provided on an optical disk. - 特許庁

相変化材料領域は、第２ソース／ドレイン電極に直接、接続されている。例文帳に追加

The phase change material area is directly connected to the second source/drain electrode. - 特許庁

書き込み回路１０２は、ターゲットメモリセル１０６ａ〜１０６ｄ内の相変化材料をリセットする。例文帳に追加

Phase change materials in target memory cells 106a to 106d are reset by a write circuit 102. - 特許庁

相変化カルコゲナイド材料を、縦ヒータ素子の上に直接堆積させている。例文帳に追加

A phase change chalcogenide material is directly deposited on the vertical heater element. - 特許庁

前記光ディスクの初期化は、相変化材料層が結晶化するように行われる。例文帳に追加

The optical disk is initialized so as to crystallize the phase change material layer. - 特許庁

特に相変化材料を含む半導体装置において、読み出し動作の信頼性を向上させる。例文帳に追加

To enhance reliability in read operation especially in a semiconductor device including a phase change material. - 特許庁

相変化材料を含む記録層を備えた不揮発性メモリ素子の発熱効率を高める。例文帳に追加

To elevate the heating efficiency of a nonvolatile memory element having a recording layer containing a phase-changing material. - 特許庁

情報記録媒体に用いる相変化記録材料、及びそれを用いた情報記録媒体例文帳に追加

PHASE-CHANGE RECORDING MATERIAL USED FOR INFORMATION RECORDING MEDIUM AND INFORMATION RECORDING MEDIUM USING THE SAME - 特許庁

相変化材料，これを用いる光情報記録媒体及び光情報記録再生装置例文帳に追加

PHASE TRANSITION MATERIAL, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND OPTICAL INFORMATION RECORDING/REPRODUCING DEVICE USING THE SAME - 特許庁

相変化材料を含む記録層を備えた不揮発性メモリ素子の発熱効率を高める。例文帳に追加

To improve heat generating efficiency of a non-volatile memory element, provided with a recording layer containing a phase changing material. - 特許庁

相変化材料を含む記録層を備えた不揮発性メモリ素子の発熱効率を高める。例文帳に追加

To enhance the heat generating efficiency of a non-volatile memory element, provided with a recording layer containing a phase changing material. - 特許庁

情報記録媒体に用いる相変化記録材料、及びそれを用いた情報記録媒体例文帳に追加

PHASE CHANGE RECORDING MATERIAL USED FOR INFORMATION RECORDING MEDIUM AND INFORMATION RECORDING MEDIUM USING IT - 特許庁

メモリセルは、第１の電極、第２の電極、絶縁材料２０６、および相変化材料２０８を有している。例文帳に追加

A memory cell has a first electrode, a second electrode, an insulating material 206, and a phase variation material 208. - 特許庁

隔離は、真空または適切な材料により提供でき、低温を維持するために相変化材料を電子回路に隣接して設置することができる。例文帳に追加

Isolation can be provided by vacuum or a suitable material, and a phase change material can be located adjacent to electronic circuitry to maintain a low temperature. - 特許庁

固体水素燃料、液体吸収材料、及び相変化材料を有する水素生成システムを提供する。例文帳に追加

To provide a hydrogen generating system having a solid hydrogen fuel, a liquid absorbing material and phase-change material. - 特許庁

これらの少なくとも第１の記録層および第２の記録副層（Ｒ１、Ｒ２）の材料は、合金化した材料が、合金化した材料の相変化としてさらなるデータを記録するように適合された相変化材料であるように選択される。例文帳に追加

The material of at least the first and second recording layers (R1 and R2) is chosen such that the alloyed material is a phase-change material adapted for recording additional data as phase change of the alloyed material. - 特許庁

このポリシランを用いた高分子液晶材料は、温度変化及び濃度変化のうちの少なくとも一方に応じて相構造が、カラムナー液晶相、スメクチック液晶相、ネマチック液晶相に変化する。例文帳に追加

The phase structure of the polymer liquid crystal material using the polysilane changes among a columnar, a nematic and a smetic liquid crystal phases depending at least on either of temperature change or concentration change. - 特許庁

位置決め後の環境の変化による相対位置の変化を抑えることができる異種材料部品の位置決め構造を提供すること。例文帳に追加

To provide a positioning structure of dissimilar material components capable of restraining changes in relative positions caused by environmental changes. - 特許庁

第１のステップは、プリントヘッドを備えるプリンティング・システムを使用して、相変化材料が第１のプリント・パターンで堆積し、その結果、第１のプリント・パターンが、相変化材料の液相から固相への変化に続いて残存し、第１のプリント・パターンがギャップを画定する。例文帳に追加

In the 1st step, a printing system provided with a print head is used and the phase change material is deposited in a 1st printing pattern and consequently the 1st printing pattern remains after change of the phase change material from a liquid phase to a solid phase and the 1st printing pattern defines the gap. - 特許庁

ケイ素又は他の半導体、或いは、ケイ素系や他の半導体系の添加剤を有する相変化材料層が、ケイ素や他の半導体及び相変化材料を含む複合スパッタターゲットを使用することによって形成される。例文帳に追加

A phase change material layer having silicon or other semiconductor, or a silicon-based or other semiconductor-based additive is formed by using a composite sputter target containing silicon or other semiconductor and a phase change material. - 特許庁

基板と、基板の上部に形成された相変化材料層を含むメモリ素子のスタックとを含み、前記相変化材料層は、アンチモン及び亜鉛合金で形成される。例文帳に追加

The non-volatile memory device includes a substrate and a stack of the memory device including a phase change material layer formed in an upper part of the substrate. - 特許庁

導波路型光ゲートスイッチに関し、相変化材料部の放熱効率を高めて、相変化材料部のアモルファス化を確実に且つ短時間で行う。例文帳に追加

To reliably perform amorphization of a phase change material portion in a short time in a waveguide optical gate switch by enhancing the heat radiation efficiency of the phase change material portion. - 特許庁

相変化材料７２は、複合サイクル発電システム部品６６の外面の周りに配置され、相変化材料７２が蓄積された潜熱を放出するよう構成されている。例文帳に追加

The phase change material 72 is disposed around an external surface of the combined cycle power generation system component 66, and the phase change material 72 is configured to release stored latent heat. - 特許庁

高速記録消去が可能な書き換え型情報記録媒体に用いる相変化記録材料、及び前記相変化記録材料を用いた書き換え型情報記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a phase-change recording material used for a rewritable information recording medium on which recording/erasing is performed at a high speed and to provide the rewritable information recording medium using the phase-change recording material. - 特許庁

光スイッチは、相変化材料で構成される導波路１０１、Si導波路１０２、SiO_2クラッド１０３、Si基板１０４、及び相変化材料で構成される導波路１０１に電流を流す配線１０５からなる。例文帳に追加

The optical switch includes: the waveguide 101 comprising the phase change material; Si waveguides 102; an SiO_2 cladding 103; an Si substrate 104; and wiring 105 to feed current through the waveguide 101 comprising the phase change material. - 特許庁

結晶相とアモルファス相の間を相変化する相変化材料の表面を走査型電子顕微鏡で観察して得られる電子線像において、結晶相の輝度をＬｃ、アモルファス相の輝度をＬａとするとき、Ｌｃ＞Ｌａである相変化材料を記録層とする相変化型記録媒体。例文帳に追加

The phase transition type recording medium has the phase transition material, of which relation: Lc>La is satisfied when brightness of the crystalline phase is Lc and brightness of the amorphous phase is La in an electronic ray image obtained by observing a surface of the phase transition material the phase of which changes between the crystalline phase and the amorphous phase with a scanning type electronic microscope, as the recording layer. - 特許庁

相変化メモリ装置では、基板と、基板上に形成される金属栓と、金属栓上に形成され、金属栓と電気的に接続される相変化材料層と、相変化材料層上に形成され、相変化材料層と電気的に接続される加熱電極と、加熱電極上に形成される導電層とを含む。例文帳に追加

This phase change memory device includes a substrate, a metal plug formed on the substrate, a phase change material layer formed on the metal plug while electrically connected to it, a heating electrode formed on the phase change material layer while electrically connected to it, and a conductive layer formed on the heating electrode. - 特許庁

第２トラックは反射率において第１の相と識別される第３の相の相変化材料で構成される。例文帳に追加

The second track is made of the phase changeable material with a third phase type distinguished from the first phase type in reflective coefficient. - 特許庁

（１）記録層を構成する相変化記録材料が、少なくともＧａ又はＩｎと、Ｓｂ、Ｚｒ、Ｍｇを含む相変化合金である相変化型光記録媒体。例文帳に追加

In the phase change optical recording medium, a phase change recording material constituting a recording layer is formed from a phase change alloy containing at least Ga or In and Sb, Zr, and Mg. - 特許庁

相変化材料を記憶セルとして用いる相変化型不揮発性記憶装置（Ovonic-memory）の原理的問題点を解決し、記憶装置として確実且つ容易に動作する相変化型不揮発性記憶装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a phase change type nonvolatile memory operated surely and easily as a storage device by solving a basic problem of a phase change type nonvolatile memory (Ovonic memory) using phase change materials as a storage cell. - 特許庁