「相変化材料」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目)

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例文 (404件)

相変化材料の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 404件

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例文

相変化材料を記憶セルとして用いる相変化型不揮発性記憶装置（Ovonic-memory）の原理的問題点を解決し、記憶装置として確実且つ容易に動作する相変化型不揮発性記憶装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a phase change type nonvolatile memory operated surely and easily as a storage device by solving a basic problem of a phase change type nonvolatile memory (Ovonic-memory) using phase change materials as a storage cell. - 特許庁

例えば、金属−アモルファスシリコン金属材料、位相変化材料またはペロブスカイト材料等のプログラマブル抵抗材料は、抵抗性メモリデバイスにおいて典型的に用いられ、印加された電気パルスによって可逆的にかつ反復可能に抵抗を変化させる能力を有する。例文帳に追加

For example, programmable resistor materials such as a metal-amorphous silicon metal material, phase shift material and perovskite material are typically used and those materials are capable of changing resistance reversibly and repetitively by impressed electrical pulse. - 特許庁

相変化不揮発性メモリセル用の相変化材料に関し、素子作成プロセス中に前記相変化材料近傍において剥離などの破壊を生じさせない初期結晶化を行い、書き換えの初期から特性を安定させる結晶化装置を提供する。例文帳に追加

To provide a crystallization equipment which carries out an initial crystallization which will not cause the breakage of peeling etc. near a phase-change material in an element preparing process, concerning the phase-change material for a phase-change non-volatile memory cell, and stabilizes its characteristics since the initiation of rewriting. - 特許庁

複合層２０は、ケイ素含有の化合物、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、あるいは、それらの混合物である誘電材料１６と、相変化物質、窒素をドープした相変化物質、あるいは、酸素をドープした相変化物質である低熱伝導材料１８、との交錯層、あるいは、混合層である。例文帳に追加

The composite layer 20 is a complex layer or a mixed layer of the dielectric material 16 which is a silicon-containing compound, for example, silicon oxide, silicon nitride or a mixture of them, and the low heat-conducting material 18 which is a phase change material, a phase change material doped with nitrogen, or a phase change material doped with oxygen. - 特許庁

例文

具体的には、相変化メモリ装置は半導体構造を含み、半導体構造は、第１のドープ領域を含み１組の第２のドープ領域がその両側に配置された基板と、第１のドープ領域上に配置された相変化材料と、相変化材料上に配置された導体とを含む。例文帳に追加

Concretely, the phase change memory device contains a semiconductor structure, and the semiconductor structure includes a substrate where a first doped area is contained and a set of second doped areas are disposed at both ends thereof; the phase change material disposed on the first doped area; and a conductor disposed on the phase change material. - 特許庁

例文

電磁波の照射により非晶相及び結晶相間を可逆的に相転移する相変化型記録材料からなる記録層を有する相変化型光情報記録媒体において、該相変化型記録材料が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ並びにＭｇ及び／又はＣａから構成されていることを特徴とする相変化型光情報記録媒体。例文帳に追加

In the phase change type optical information recording medium having a recording layer made of a phase change type recording material, the phase of which reversibly changes between an amorphous phase and a crystalline phase through the irradiation with electromagnetic waves, the phase change type recording material consists of Ge, Ga, Sb, Te and Mg and/or Ca. - 特許庁

液相の材料が固相化するときに、液相から固相までの変化の状態を的確に監視でき、さらに相変化の完了時期を的確に推定する。例文帳に追加

To accurately monitor a change state from a liquid phase to a solid phase when a liquid phase material is solidified, and accurately estimate a finish time of a phase change. - 特許庁

潜熱蓄熱装置における相変化材料の低い熱伝導率という問題点を、相変化材料を高い熱伝導率を備える補助構成要素（例えば黒鉛）と組み合わせた潜熱蓄熱複合材料を提供することによって解消する。例文帳に追加

To solve the problem of low heat conductivity of a phase change material in a latent heat storage device by providing a latent heat storage composite material prepared by combining the phase change material with an auxiliary component (for instance, graphite) having high heat conductivity. - 特許庁

相変化光ディスクにおいて、データが記録される相変化記録層の上部に該記録層の結晶化に対する活性化エネルギーＥ１よりも大きい活性化エネルギーＥ２を有する相変化材料層を接して形成された相変化光ディスク。例文帳に追加

In the phase change optical disk, a phase change material layer provided with activation energy E2 larger than the activation energy E1 for the crystallization of a phase change recording layer where data are to be recorded is formed in contact at the upper part of the recording layer. - 特許庁

例文

本発明の配線基板100は、基板上に、電気絶縁状態と導電状態とを相互に相変化可能な相変化材料を含む相変化層10の少なくとも一部に、前記相変化層10の相変化により導電状態にされた導電性線路20,21が形成されており、前記相変化材料は、カルコゲナイド半導体を含み、レーザ光の照射によって電気絶縁状態と導電状態とに変化し、結晶相で導電状態となり、アモルファス相で電気絶縁状態となる。例文帳に追加

The phase change material includes a chalcogenide semiconductor, and changes to the electrical insulating state and the conductive state by irradiating the laser beam, and becomes the conductive state by a crystal phase, and becomes the electrical insulating state by an amorphous phase. - 特許庁

例文

基板上に相変化材料をグレーティング状に配置し、相変化材料の結晶とアモルファス状態に転移させることにより、照射される光の反射方向を変化させることを特徴とする光路切替素子及び光路切替方法である。例文帳に追加

The optical path switching element and the optical path switching method are such that the direction of reflection of an emitted light is changed, by arranging a phase change material in a grating shape on a substrate, and subjecting crystals of the phase change material to transition into an amorphous state. - 特許庁

基板の上に相変化材料を堆積させる第１のステップと、ギャップ内に少なくとも部分的にターゲット材料を堆積させてターゲット材料のフィーチャを形成する、第２のステップと、相変化材料を除去し、基板上にターゲット材料のフィーチャを残す、第３のステップと、を含む方法により、基板上に構造体を形成する。例文帳に追加

The structure is formed on a substrate by a process comprising a 1st step of depositing a phase change material on the substrate, a 2nd step of forming a feature of a target material by depositing the target material at least partially in a gap and a 3rd step of removing the phase change material to leave the feature of the target material on the substrate. - 特許庁