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「自己トラップ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 自己トラップに関連した英語例文

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自己トラップの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 20



例文

本発明の電池用添加剤は、自己放電に関係するアンモニアガスをトラップすることにより、電池の自己放電を抑制する。例文帳に追加

The additive for a battery suppresses self-discharge of the battery by trapping ammonia gas relating to self-discharge. - 特許庁

深い記憶トレンチに自己整列した埋込みストラップの形成方法および半導体デバイス例文帳に追加

METHOD OF FORMING EMBEDDED SELF-ALIGNED STRAP IN DEEP STORAGE TRENCH, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

自己整列された電荷トラップ層を含む半導体メモリ素子及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING SELF-ALIGNED CHARGE TRAPPING LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

深い記憶トレンチに自己整列した埋込みストラップを形成するための方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming an embedded self-aligned strap in a deep storage trench. - 特許庁

例文

...における自己プログラミングは、2キロバイトの追加EEPROM...であるブートストラップ記憶装置と共に実装される。例文帳に追加

Self-programming in the ... is implemented with the bootstrap memory, which is an additional 2-kbyte EEPROM ...  - コンピューター用語辞典


例文

該電力発生部は蒸気トラップから放出された流体を受け取り、自己発生電力を発生させる。例文帳に追加

The power generation component receives a fluid discharged from the steam trap and generates a self-generated electric power. - 特許庁

自己整列された電荷トラップ層を含む半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device having a self-aligned charge trapping layer, and also to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

これにより、エリア内におけるそのトラップの配置場所を表示画面上で認識でき、ひいては自己の現在位置を直観的に把握できる。例文帳に追加

Consequently, the arrangement position of the trap can be recognized on the display picture and also the current position of the user himself can be intuitively grasped. - 特許庁

リーン空燃比による圧縮自己着火燃焼を行うエンジンにおいて、NOxトラップ触媒の再生のため、排気空燃比をリッチ化制御する場合に、圧縮自己着火燃焼を継続可能とする。例文帳に追加

To continue compression self-igniting combustion when carrying out an enrichment control of an exhaust air-fuel ratio to regenerate an NOx trapping catalyst in an engine carrying out the compression self-igniting combustion by a lean air-fuel ratio. - 特許庁

例文

各単位レベル変換回路LS1〜LS3の第2ブートストラップ回路120において、当該第2ブートストラップ回路120の出力ノードN6Yを充電するトランジスタQ1Yは、自己の前に活性化される他の単位レベル変換回路からの信号に応じてオン状態になり、自己の次に活性化される他の単位レベル変換回路からの信号に応じてオフ状態になる。例文帳に追加

In a second bootstrap circuit 120 of each of the unit level conversion circuits LS1 to LS3, a transistor Q1Y charging an output node N6Y of the second bootstrap circuit 120 turns on in response to a signal from another unit level conversion circuit activated before itself and turns off in response to a signal from another unit level conversion circuit activated right after itself. - 特許庁

例文

流水による負圧発生で引き起こされる自己サイフォン作用を制御することを可能とし、パイプのトラップ部に装着される通気弁取り付けの省スペース化、装着の容易性確保並びに装着後の排水のパイプからの漏れの危険性を解消せしめるトラップを提供する。例文帳に追加

To provide a trap capable of controlling self-siphon action caused by occurrence of negative pressure by flowing water, saving a space for attaching a vent valve mounted in a trap part of a pipe, ensuring ease of mounting of it, and eliminating risk of leakage from the pipe for drain water after mounting. - 特許庁

また、着用状態では肩ストラップ6からの作用力はカップ支持部材7に間接的に伝わり、カップ部1の自己保形性が向上される。例文帳に追加

The force exerted from the shoulder strap 6 in worn state is indirectly applied to the cup-supporting member 7 to improve the self shape-retention of the cup part 1. - 特許庁

電圧印加回路は、自己維持アーク放電がホイル・トラップ内で生じることがある閾値より低い値に、ストリップ34への電流を制限するように構成される電流制限回路を含む。例文帳に追加

The voltage-applying circuit includes a current-limiting circuit constituted so that the current to the strips 34 is limited to a value lower than the threshold, at which self-sustained arc discharge is be caused in the wheel trap. - 特許庁

ゲートにおいて誘電体膜の長さが左右対称になる自己整列電荷トラップ層を形成し、マスク作業によるミスアラインを防止する半導体素子及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which forms a self-aligned electron trap layer where the length of a dielectric film becomes right-left symmetrical in a gate and prevents misalignment due to masking work, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

トラップ層13は、GaAs層又はInGaAs層の上にInAs層を成長する場合に、GaAs層又はInGaAs層の上に、InAsからなる量子ドットが自己組織的に形成される。例文帳に追加

In the trap layer 13, when an InAs layer grows on a GaAs layer or InGaAs layer, quantum dots of InAs are formed in a self-organized manner on the GaAs or InGaAs layer. - 特許庁

もし自己準同形写像を、従って[z]を反転させる問題がEにおける離散値対数問題と同じく難しければ、暗号群のサイズはRSAトラップドア1方向性関数のために使われる群より小さくなり得る。例文帳に追加

If the self-homomorphic mapping, that is, the problem of inverting (z) is difficult in the same way as a discrete logarithm problem in E, the size of an encryption group can be smaller than a group used for an RSA trap door one-way function. - 特許庁

マネージャ12は、監視対象とするエージェント10に、自己アドレスと有効時間を含むトラップ登録要求を発行して登録させ、またリリース確認要求に対しリリース要求又は時間延長要求を発行する。例文帳に追加

The manager 12 issues a trap registration request including its address and an effective time to the agent 10 to be monitored and makes the agent register them, and also issues a release request or time extension request at a release confirmation request. - 特許庁

展張可能な袋の高速膨張およびそれによるバッグの中身の完全排出に関し、自己排出バッグの効果的な作動を可能とし、かつ、バッグ等をひったくりをされた際にバッグの携帯者が怪我などをしないように肩掛けストラップ等が安全に解放されるようにする。例文帳に追加

To effectively actuatable a self ejection bag, and at the same time, to safely release a strap being put onto a shoulder or the like for preventing a person who has the bag from being injured when the bag or the like is snatched a way concerning a high-speed expansion of an extendable bag and the complete ejection of the contents of the bag by the high-speed expansion. - 特許庁

軽負荷時には、スイッチQ1をオンさせる直前にスイッチQ2を所定時間だけオンしてブートストラップコンデンサC1を介してインダクタL0に電流を流し、その後オフさせると自己誘導起電力によりインダクタL0の入力側電位が急速に上昇しスイッチQ1を確実にZVS動作とすることができる。例文帳に追加

In a light load, when current is flown to the inductor L0 via the bootstrap capacitor C1 by turning the switch Q2 on for predetermined time just before turning the switch Q1 on, and the switch Q2 is turned off after that, input side potential of the inductor L0 rapidly rises by self-induction electromotive force to certainly perform the ZVS operation of the switch Q1. - 特許庁

例文

純金属の薄い層を半導体保護膜層上に形成し、接触構造の形成中に、この薄い金属層を保護膜層と反応させ、結果的に得られる反応層によって保護膜層及び近傍の金属層内に拡散する移動性不純物及び自己侵入物をトラップして、半導体デバイスのアクティブ領域内へのマイグレーションを防止する。例文帳に追加

During the formation of the contact structure which is formed by forming a thin layer of a pure metal on a semiconductor cap layer, the thin metal layer is caused to react with the cap layer, and the migration of impurities to the active area of the semiconductor device is prevented by trapping mobile impurities and self-interstitials diffusing within the cap layer and in nearby metal layers in the resulting reacted layer. - 特許庁

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