「金属ハイドライド」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ケミカルハイドライドと呼ばれる金属水素化物の加水分解反応の反応率を向上し、効率的に水素ガスを生成する。例文帳に追加

To provide a hydrogen gas generating apparatus which produces hydrogen gas efficiently by improving hydrolysis reaction rate of a metal hydride, called a chemical hydride. - 特許庁

水素貯蔵物質としてアリール又はアルキルを含む有機−遷移金属ハイドライドのより改善された製造方法例文帳に追加

IMPROVED PREPARATION METHOD OF ORGANIC-TRANSITION METAL HYDRIDE CONTAINING ARYL OR ALKYL AS HYDROGEN STORAGE SUBSTANCE - 特許庁

ケミカルハイドライドと呼ばれる金属水素化物を用いて要求量に応じた水素ガスを安定的に生成する。例文帳に追加

To stably produce hydrogen gas complying with a demand by using metal hydride called chemical hydride. - 特許庁

ケミカルハイドライドと呼ばれる金属水素化物を用いて燃料電池用の燃料ガス生成システムの小型化を図る。例文帳に追加

To miniaturize a fuel gas generating system for a fuel cell by using a metal hydride which is called chemical hydride. - 特許庁

アルミニウム金属、アルカリ金属と水素を原料として、溶剤に芳香族炭化水素を使用して、粉末アルカリ金属アルミニウムハイドライド（ＭＡＬＨ_4）のスラリーを合成し、あるいはさらに溶剤を除去して、その粉末を製造し、ついで、前記の反応で得られたアルカリ金属アルミニウムハイドライド（ＭＡＬＨ_4）と、アルカリ金属アルミニウムテトラアルコキサイド（ＭＡＬＺ_4）を反応することを特徴とする一般式ＭＡＬＨ_mＺ_pで示される有機置換アルカリ金属・アルミニウム水素化物を溶解した芳香族炭化水素溶剤の溶液を製造する方法。例文帳に追加

Metallic aluminum, an alkali metal, and hydrogen are used as feedstocks and an aromatic hydrcarbon is used as a solvent to synthesize the slurry of a powdery alkali metal aluminum hydride (MAlH4), or further the solvent is removed, to produce a powder of alkali metal aluminum hydride. - 特許庁

水と、イオン化化合物と、金属ボロハイドライドと、キレート剤とを含有する水素発生装置用電解質溶液及びこれを用いる水素発生装置を提供する。例文帳に追加

The electrolyte solution for hydrogen generating apparatus which comprises water, an ionic compound, a metal borohydride and a chelating agent, and the hydrogen generating apparatus using the electrolyte solution are provided. - 特許庁

金属水素錯化合物例えば水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ４）のアルカリ水溶液を燃料とするボロハイドライド燃料電池と水素を燃料とする水素燃料電池とを組み合わせる。例文帳に追加

A borohydride fuel cell using alkaline aqueous solution of a metal hydride complex compound, for instance, potassium borohydride (NaBH4) as fuel and a hydrogen fuel cell using hydrogen as fuel are combined. - 特許庁

（Ｒ）−ムスコンをトリ−セカンダリー−ブチルボロハイドライドアルカリ金属塩により還元することを特徴とする式Ｉで示される（１Ｒ，３Ｒ）−ムスコールの製造方法。例文帳に追加

This method for producing (1R,3R)-muscol represented by the formula I comprises reducing (R)-muscone with an alkali metal salt of tri- secondary butylborohydride. - 特許庁

高容量・高効率の水素貯蔵ができ、生成物の分離及び精製の問題点を克服してより安定的な有機−遷移金属ハイドライドの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a preparation method of a more stable organic-transition metal hydride which is capable of storing high volume of hydrogen in high efficiency, by overcoming the problems accompanying separation and purification of the product. - 特許庁

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The light emission layer portion 24 is formed by metal organic chemical vapor deposition, and the current diffusion layer 7 whose conductivity type is n-type is formed on the light emission layer portion 24 by hydride vapor-phase deposition. - 特許庁

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にｐ型の電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The light emitting layer 24 is formed by a metal organic vapor phase epitaxy process, and the p-type current diffusion layer 7 is formed on the light emitting layer 24 by a hydride vapor phase epitaxy process. - 特許庁

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The light emitting layer portion 24 is formed in a metal organic vapor phase epitaxy process, and the current diffusion layer 7 having the n-type of conductivity is formed on the light emitting layer portion 24 in a hydride vapor phase epitaxy process. - 特許庁

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にＧａＡｓ_１−ａＰ_ａ（０．５≦ａ≦０．９）よりなる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The layer 24 is formed by an organic metal vapor phase growing process, and the blocking layer 7 made of GaAs_1-aP_a (0.5≤a≤0.9) is formed on the layer 24 by a hydride vapor phase growing process. - 特許庁

金属塩化物ガスの発生装置および金属塩化物ガスの発生方法、並びに、ハイドライド気相成長装置、窒化物半導体ウエハ、窒化物半導体デバイス、窒化物半導体発光ダイオード用ウエハ、窒化物半導体自立基板の製造方法および窒化物半導体結晶例文帳に追加

METAL CHLORIDE GAS GENERATOR AND METAL CHLORIDE GAS GENERATION METHOD, AND HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH APPARATUS, NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, WAFER FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DIODE, MANUFACTURING METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR SELF-SUPPORTING SUBSTRATE, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL - 特許庁

金属ボロハイドライドおよびＸＢＨ_３（式中、Ｘは置換アミン；置換ホスフィン；またはテトラヒドロフランである）を組み合わせることにより、Ｍ_ｎＢ_１２Ｈ_１２（式中、Ｍは金属またはアンモニウムカチオンであり、ｎは１または２である）を製造する方法。例文帳に追加

The method for producing M_nB_12H_12(wherein, M is a metal atom or ammonium cation; n is 1 or 2) includes combining a metal borohydride and XBH_3(wherein, X is a substituted amine, substituted phosphine or tetrahydrofuran). - 特許庁

分子構造中にＳｉ−Ｈを有するシラン化合物、亜燐酸エステル、銅(II)錯体、銅（I）錯体、金属アミド化合物、金属アルコキシド化合物、アルキル金属化合物及び金属ハイドライド化合物からなる群から選択される少なくとも１種のプレカーサを含有してなり、水分含有量が１ｐｐｍ以下である気化プロセス用薄膜原料。例文帳に追加

In the raw material of the thin film for the vaporization process, a molecular structure contains at least one precursor selected from a group composed of silane compound having Si-H, phosphite, copper (II) complex, copper (I) complex, metal amide compound, metal alkoxide compound, alkyl metal compound, and metal hydride compound, and the water content is ≤ 1 ppm. - 特許庁

半導体材料のナノ構造（１２）は、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）又はハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）によって基板（１０）上に成長させることができる。例文帳に追加

Nanostructures (12) of semiconductor materials can be grown on foreign substrates (10) by molecular beam epitaxy (MBE), chemical vapor deposition (CVD), metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) or hydride vapor phase epitaxy (HVPE). - 特許庁

そして、該オフアングルを有する単結晶基板１上に、２種以上のＩＩＩ族元素を含む混晶化合物半導体よりなる発光層部２４を有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The layer 24 made of a mixed crystal compound semiconductor containing two or more types of group III elements is formed by an organic metal vapor phase growing process, and the diffusion layer 7 is formed on the layer 24 by a hydride vapor growing process. - 特許庁

ＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板１の主表面直上に、ハイドライド気相成長法にてＳｉＣエピタキシャル層９をホモエピタキシャル成長させ、該ＳｉＣエピタキシャル層９の上に、有機金属気相成長法にてＧａＮ系化合物半導体層３をヘテロエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The method of manufacturing the heteroepitaxial wafer includes the steps of homoepitaxially growing an SiC epitaxial layer 9 by a hydride vapor deposition directly on the main surface of the SiC substrate 1 made of an SiC single crystal, and heteroepitaxially growing the GaN compound semiconductor layer 3 by an organic metal vapor deposition on the SiC epitaxial layer 9. - 特許庁

本発明は、電気化学的に有機ハイドライドを製造する装置において、その電極構造が、触媒層として金属触媒担持カーボンもしくは金属触媒が、プロトン伝導性固体高分子電解質と適度に混ざり合ったマトリクスになっている構造であり、それらの触媒層が、透過水をブロックする層が形成されたプロトン伝導性固体高分子電解質膜の表裏に形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

The device for electrochemically manufacturing the organic hydride includes an electrode structure having a matrix in which a metal catalyst supporting carbon or a metal catalyst is suitably intermingled with a proton conductive solid polymer electrolyte as catalyst layers, and these catalyst layers are formed on the front and back of a proton conductive solid polymer electrolyte film on which a layer that blocks water from passing through is formed. - 特許庁