「ACTIVE REGION」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

An AlGaN layer 6 is formed on a substrate side of the active region.例文帳に追加

上記活性領域の基板側には、ＡｌＧａＮ層６が設けられている。 - 特許庁

The active region includes a quantum well layer and a barrier layer containing indium.例文帳に追加

活性領域は、量子井戸層と、インジウムを含有する障壁層とを含む。 - 特許庁

Especially in the Kinai region, the rice-field donation to dominant temples and shrines became active. 例文帳に追加

特に畿内では、有力寺社へ田地を寄進する動きが活発となった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING LATERAL EXTENDED ACTIVE REGION AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

側方拡張活性領域を有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

The light emitting device includes an n-type layer, a p-type layer, an active region, and a substrate.例文帳に追加

発光デバイスは、ｎ型層と、ｐ型層と、活性領域と、基板とを含む。 - 特許庁

The membrane 30 is composed of a central active region 30a (ion conductive) which can conduct proton through the active region 30a of the membrane 30 and a deactivated end region 30b (ion nonconductive) which surrounds the active region 30a and interferes conduction of proton through the deactivated region 30b of the membrane 30.例文帳に追加

膜３０は、膜３０の活性領域３０ａを通じてプロトンを伝導することができる中央の活性領域３０ａ（イオン伝導性）と、活性領域３０ａの周りを囲み膜３０の不活性化領域３０ｂを通じてのプロトンの伝導を妨害する不活性化端領域３０ｂ（イオン非伝導性）とからなる。 - 特許庁

The semiconductor device includes an active region 12c surrounded by an element isolation region 11, gate electrodes 13a and 13b cutting across the active region 12c and the source/drain diffused layers 20 and 21 which are formed in the active region 12c while positioned on both sides of the gate electrodes 13a and 13b.例文帳に追加

半導体装置は、素子分離領域１１に囲まれた活性領域１２ｃと、活性領域１２ｃを横切るゲート電極１３ａ，１３ｂと、ゲート電極１３ａ，１３ｂの両側に位置し活性領域１２ｃ内に形成されるソース／ドレイン拡散層２０，２１とを備える。 - 特許庁

A first gate oxide film 106, which is relatively the thickest, is formed on an input/output MOSFET active region, a first internal MOSFET active region and a second internal MOSFET active region which are mutually separated by a trench separation region 105.例文帳に追加

トレンチ分離領域１０５によって互いに分離されている入出力ＭＯＳＦＥＴ活性領域、第１の内部ＭＯＳＦＥＴ活性領域及び第２の内部ＭＯＳＦＥＴ活性領域のそれぞれの上に、相対的に最も厚い第１のゲート酸化膜１０６を形成する。 - 特許庁

The first source/drain region is formed in a trench 20 disposed in the first active region and includes the silicon mixed layer 21 for generating first stress in a gate length direction of a channel region in the first active region.例文帳に追加

第１のソースドレイン領域は、第１の活性領域に設けられたトレンチ２０内に形成され、第１の活性領域におけるチャネル領域のゲート長方向に第１の応力を生じさせるシリコン混晶層２１を含む。 - 特許庁

A first semiconductor region (4) located just under the fuse element (5) in the active region (2) and a second semiconductor region (2a) located at the lower part of both sides of the fuse element (5) in the active region (2) have the same conductivity type.例文帳に追加

そして、活性領域（２）におけるヒューズ素子（５）の直下に位置する第１の半導体領域（４）と、活性領域（２）におけるヒューズ素子（５）の両側下方に位置する第２の半導体領域（２ａ）とは、同一の導電型である。 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes an active region 30 composed of a silicon semiconductor layer having a drain region 21, a channel region 20 stacked on the drain region 21, and a source region 16 stacked on the channel region 20.例文帳に追加

半導体装置１は、ドレイン領域２１と、ドレイン領域２１に積層されたチャネル領域２０と、チャネル領域２０に積層されたソース領域１６とを有するシリコン半導体層からなる活性領域３０を含む。 - 特許庁

The generation of a phenomenon can be prevented in which current leaks along the active layer 6 of the circumference of a gate electrode 18 between the source region 12 and the drain region 13 of the active layer 6 while detouring the channel region 11.例文帳に追加

活性層６のソース領域12とドレイン領域13との間でゲート電極18周辺の活性層６を伝ってチャネル領域11を迂回して電流がリークする現象の発生を防止できる。 - 特許庁

The first to fourth MFSFETs 16A-16D which own the same well region 11 in common and adjoin one another own the first active region 17S or the second active region 17D.例文帳に追加

同一のウェル領域１１を共有し且つ互いに隣り合う第１〜第４のＭＦＳＦＥＴ１６Ａ〜１６Ｄは、第１の活性領域１７Ｓ又は第２の活性領域１７Ｄを共有している。 - 特許庁

A transistor 10 comprising an active region having a channel layer, with source and drain electrodes 20, 22 formed in contact with the active region and a gate 24 formed between the source and drain electrodes and in contact with the active region.例文帳に追加

トランジスタ１０は、チャネル層を有する活性領域を含み、この活性領域と接触してソースおよびドレイン電極２０，２２が形成され、このソース電極とドレイン電極との間にあって活性領域と接触したゲート２４が形成される。 - 特許庁

The laminated body 4 comprises an active portion 6 which is a piezoelectrically active region constituted by arranging the internal electrodes 2 at a predetermined interval and a piezoelectrically inactive non-active portion 7 which is a region other than the active portion.例文帳に追加

積層体４は、内部電極２が所定の間隔を空けて配置されることによって構成された圧電的に活性な領域である活性部６と、活性部を除く領域である圧電的に不活性な非活性部７とを有している。 - 特許庁

The SOI active region is electrically connected to the external body contact through a semiconductor region under the partially isolated region and is capable of eliminating the floating body effects.例文帳に追加

ＳＯＩ活性領域は部分分離領域下の半導体領域を通して、外部のボディコンタクトと電気的に接続され、フローティングボディ効果を除去できる。 - 特許庁

The first mirror 11 is roughly divided into a first region R1 in contact with the active layer 12, and a second region R2 located below the first region R1.例文帳に追加

第１ミラー１１は、活性層１２に接する第１領域Ｒ１と、第１領域Ｒ１の下方に位置する第２領域Ｒ２とに大別される。 - 特許庁

This element comprises a cell region defined on a semiconductor substrate, and plurality of parallel element isolation films which are formed on the cell region and define an active region.例文帳に追加

この素子は、半導体基板に定義されたセル領域と、セル領域に形成されて活性領域を限定する複数個の平行な素子分離膜を含む。 - 特許庁

A group-III nitride semiconductor region 13-1 is provided on an active layer 15-1 and includes a first region 13a-1 and a second region 13b-1.例文帳に追加

III族窒化物半導体領域１３−１は、活性層１５−１上に設けられ、また第１領域１３ａ−１及び第２領域１３ｂ−１を含む。 - 特許庁

A transistor including an oxide semiconductor film as an active layer is provided with microscopic cavities in a source region and a drain region adjacent to a channel region.例文帳に追加

酸化物半導体膜を活性層に用いるトランジスタにおいて、チャネル領域と隣接するソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設ける。 - 特許庁

In a nitride semiconductor laser element, a photonic crystal region 21 and a rare earth doped region 22 are formed within an InGaN active layer 14.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ活性層１４中に、フォトニック結晶領域２１および希土類ドープ領域２２を形成する。 - 特許庁

Regions of a gate insulating film 16 that are to be on a source region 12 and a drain region 13 of an active layer 5 constitute thin-film sections 18.例文帳に追加

活性層５のソース領域12およびドレイン領域13となる部分上のゲート絶縁膜16を薄膜部18とする。 - 特許庁

Bit lines BL-1 to BL-4 are formed on the active region 210, and electrically connected to the region of source and drain.例文帳に追加

アクティブ領域210上にビット線ＢＬ−１〜ＢＬ−４を形成し、ソースとドレインの領域と電気的に接続する。 - 特許庁

A saturable absorbing region is formed at a lateral region in an active layer, and pulsation can stably be induced.例文帳に追加

したがって、活性層内部の横領域で可飽和吸収域を作り、安定にパルセーションを誘起させることができる。 - 特許庁

The memory cell 10 has a memory cell active region 20 having a minute plane pattern width and a memory cell element isolation region 18.例文帳に追加

メモリセル部１０は、微細な平面パターン幅のメモリセル活性領域２０及びメモリセル素子分離領域１８を有する。 - 特許庁

In a conventional semiconductor device, depths of a drain region and a source region are shallower (thinner) than a thickness of an active layer.例文帳に追加

従来の半導体装置では、ドレイン領域やソース領域の深さが活性層の厚みよりも浅く(薄く)なっていた。 - 特許庁

The active layer 5 is provided between the first conductivity type semiconductor region 3 and the second conductivity type semiconductor region 7.例文帳に追加

活性層５は、第１導電型半導体領域３と第２導電型半導体領域７との間に設けられる。 - 特許庁

Impurities in the diffusion source layer 12 are diffused into the predetermined region to disorder the active layer 5 in the region.例文帳に追加

拡散源層１２中の不純物を所定の領域に拡散させてその領域の活性層５を無秩序化させる。 - 特許庁

Gate patterns 34 and the bit line patterns 69 are sequentially formed on the active region 9 and the inactive region 6.例文帳に追加

活性領域９及び不活性領域上６にゲートパターン３４及びビットラインパターン６９が順に形成される。 - 特許庁

To form an element separating region having a uniform height within a wafer surface without decreasing an active region and without generating voids.例文帳に追加

アクティブ領域を減少させず、ボイドを発生させずに、ウェハ面内で均一な高さの素子分離領域を形成する。 - 特許庁

A center position in the gate width direction of the first active region is aligned with the center position in the gate width direction of the second active region with the well boundary as reference.例文帳に追加

第１の活性領域のゲート幅方向の中心位置は、ウエル境界を基準として第２の活性領域のゲート幅方向の中心位置と揃えられている。 - 特許庁

A silicide film formed on an active region 130 of a substrate 101 and a silicide film 535 formed on an active region 230 of the substrate 101 are provided.例文帳に追加

基板１０１の活性領域１３０上に形成されたシリサイド膜と、基板１０１の活性領域２３０上に形成されたシリサイド膜５３５とを備えている。 - 特許庁

It is arranged such that a cell charge recording layer pattern crosses the cell active region.例文帳に追加

セル電荷記録層パターンが前記セル活性領域を横切るように配置される。 - 特許庁

An active region is disposed between the first reflection layer and a second reflection layer.例文帳に追加

活性領域は、第１反射層と第２反射層との間に配置されている。 - 特許庁

To provide a method of forming an active region pattern of an uneven semiconductor device.例文帳に追加

不均一な半導体装置のアクティブ領域パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor provides a common active region for the plurality of transistor cells.例文帳に追加

半導体によって、複数のトランジスタセルの共通活性領域が提供される。 - 特許庁

Then, the protective insulating film 105 on the low leak MOSFET active region is removed, and a second gate insulating film is formed on the low leak MOSFET active region.例文帳に追加

その後、低リークＭＯＳＦＥＴ活性領域上の保護絶縁膜１０５を除去して、低リークＭＯＳＦＥＴ活性領域上に第２のゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

An exposure surface 1a is formed wherein the active region 2a to be observed is exposed.例文帳に追加

観察すべきアクティブ領域２ａを露出させた露出面１ａを形成する。 - 特許庁

An element separation film 3 for separating an active region 2 is formed in a surface of a substrate 1 in the surface of which the active region 2 has been formed.例文帳に追加

表面内に活性領域２が形成されている基板１に対して、活性領域２を分離する素子分離膜３を基板１の表面内に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device which facilitates carrier transport toward an active region thereof.例文帳に追加

活性領域へのキャリヤの移動が容易な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The surface emission semiconductor laser comprises an N-type lower DBR 106 formed on a substrate, an active region 108, and a P-type upper DBR formed on the active region 108.例文帳に追加

基板上に形成されたＮ型の下部ＤＢＲ１０６と、活性領域１０８と、活性領域１０８上に形成されたＰ型の上部ＤＢＲとを含む。 - 特許庁

The p type layer of the active region may be a quantum well layer or a barrier layer.例文帳に追加

活性領域のｐ型層は、量子井戸層又はバリア層とすることができる。 - 特許庁

An injection barrier 5 is formed between the contact 4 and the active region 23.例文帳に追加

注入障壁５がコンタクト部４と活性領域２３の間に形成される。 - 特許庁

On the insulating layer at the upper part of the first active region, an opening is formed.例文帳に追加

第１アクティブ領域の上部の絶縁層には、開口部が形成されている。 - 特許庁

The p-type layer in the active region can be a quantum well layer or a barrier layer.例文帳に追加

活性領域のｐ型層は、量子井戸層又はバリア層とすることができる。 - 特許庁