「ACTIVE REGION」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

An active region 5 is formed on a partial region of a ring waveguide in a laminated shape.例文帳に追加

リング導波路の一部の領域には、積層された形で活性領域５が形成されている。 - 特許庁

A floating gate pattern is formed in a region in which the active region and the control gate pattern intersect.例文帳に追加

活性領域と制御ゲートパターンが交差する領域には浮遊ゲートパターンが形成される。 - 特許庁

Preferably, the light source contact part 4 has no active region and is of a device isolation region.例文帳に追加

光源接触部は、能動領域を有しない方が、また、素子分離領域であるのが好ましい。 - 特許庁

An inactive region 6 which defines the active region 9 is arranged at a semiconductor substrate 3.例文帳に追加

半導体基板３に活性領域９を画定する不活性領域６が配置される。 - 特許庁

The semiconductor device has a substrate region, an active region on the substrate region, a gate pattern on the active region, and first and second impurity regions formed along both edges of the active region.例文帳に追加

基板領域と、基板領域上に位置するアクティブ領域と、アクティブ領域上に位置するゲートパターンと、アクティブ領域の両側エッジに沿ってそれぞれ形成される第１不純物ドーピング領域及び第２不純物ドーピング領域を具備する半導体装置である。 - 特許庁

Thus a contact hole reaching an active region 2 is formed.例文帳に追加

これにより、活性領域２に達するコンタクトホール１８を形成する。 - 特許庁

To prevent a partial concentration of electric field in an active region.例文帳に追加

活性領域における電界の部分的な集中を防止する。 - 特許庁

By this setup, an epitaxial layer is formed only in the active region 5.例文帳に追加

これにより、アクティブ領域５にのみエピタキシャル層が形成される。 - 特許庁

An insulating film is formed in between the word line and the active region.例文帳に追加

ワードラインと活性領域間に絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

The active region includes at least one additional p-type layer.例文帳に追加

活性領域は、少なくとも１つの付加的なｐ型層を含む。 - 特許庁

In an active region of a semiconductor substrate, a transistor is formed.例文帳に追加

半導体基板の活性領域内にトランジスタが形成されている。 - 特許庁

The active region has three layers of quantum well layers 16a-16c.例文帳に追加

活性領域は、３層の量子井戸層１６ａ〜１６ｃを含む。 - 特許庁

A peripheral gate pattern is formed on the peripheral active region.例文帳に追加

前記周辺活性領域上に周辺ゲートパターンが形成される。 - 特許庁

PEPTIDE INCLUDING IMMUNOLOGICALLY ACTIVE REGION OF HEPATITIS C VIRUS例文帳に追加

Ｃ型肝炎ウイルスの免疫学的に活性な領域を含むペプチド - 特許庁

An active region 21 is formed on the semiconductor substrate 30.例文帳に追加

半導体基板３０上には、アクティブ領域２１が形成される。 - 特許庁

The active region includes at least one additonal p type layer.例文帳に追加

活性領域は、少なくとも１つの付加的なｐ型層を含む。 - 特許庁

LIGHT EMITTING DIODE HAVING ACTIVE REGION OF MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE例文帳に追加

多重量子ウェル構造の活性領域を有する発光ダイオード - 特許庁

A trench is formed in the active region of a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００の活性領域にトレンチが形成される。 - 特許庁

LIGHT-EMITTING DIODE HAVING ACTIVE REGION OF MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性領域を有する発光ダイオード - 特許庁

The active region 17 is formed on the InP substrate 21.例文帳に追加

活性領域１７は、ＩｎＰ基板２１上に設けられている。 - 特許庁

In this case, each active region has a groove, and the groove has a bottom surface that is lower than the upper surface of the active region.例文帳に追加

このとき、前記活性領域のそれぞれは溝を有し、前記溝は、前記活性領域の上部面より低い底面を有する。 - 特許庁

To maintain superior contact between a wiring and an active region by suppressing increase in the active region, while making the wiring and contact fine.例文帳に追加

配線及びコンタクトを微細化しながら活性領域の増大を抑制して、配線と活性領域とのコンタクトを良好に保つ。 - 特許庁

The fuel cell stack is provided with a sealing part extended around an active region of the stack between a stack header and the active region 12.例文帳に追加

燃料電池スタックは、スタックヘッダーと活性領域１２との間でスタックの活性領域の周りを延在するシール部を備える。 - 特許庁

A boron ion flow is used for an ion implantation like a boron ion to the sidewall of an active region like the active region of the FET.例文帳に追加

ボロンイオン流が、ＦＥＴの活性領域のような活性領域の側壁に対するボロンイオンのようなイオン注入に使用される。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes a semiconductor substrate including an active region and first and second memory cell strings on the active region.例文帳に追加

不揮発性メモリー素子は、活性領域を含む半導体基板及び前記活性領域上の第１及び第２メモリーセルストリングを含む。 - 特許庁

The first active region and the second active region are arranged on a straight line parallel to the gate electrode of the first transistor and that of the second transistor.例文帳に追加

第１及び第２活性領域は第１及び第２トランジスタのゲート電極と平行した一直線上に配置される。 - 特許庁

In a PMOS transistor, a p-type active region 122 is formed so as to be overlapped on the partial region of an n-type active region 121 in the width direction of a line.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタにおいて、ｐ型活性領域１２２が、ラインの幅方向においてｎ型活性領域１２１の一部の領域と重なるように形成される。 - 特許庁

While the second active region is coated with the first and second cap film, the source/drain region is etched in the first active region, thereby forming a recess part.例文帳に追加

第２活性領域を第１及び第２キャップ膜で覆った状態で、第１活性領域において、ソース／ドレイン領域をエッチングすることにより、凹部を形成する。 - 特許庁

A silicide layer 16 is located on the active region on both the sides of the gate electrode and is formed, at least on the first side face of the active region which is a source-drain region.例文帳に追加

シリサイド層１６は、ゲート電極の両側の活性領域に位置し、ソース、ドレイン領域としての活性領域の少なくとも第１の側面に形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor device provided with a transition region surrounding an active region, a trench 5 is provided in the active region to selectively surround a p-type layer 3.例文帳に追加

活性領域を囲むように遷移領域が設けられた半導体装置において、活性領域には、トレンチ５がｐ型層３を選択的に囲むように設けられている。 - 特許庁

An active region 1 for construction of the MIS transistor and an element isolation region 2 surrounding the active region 1 are formed on a surface region of a silicon semiconductor substrate taking crystal plane (100) as a principal surface.例文帳に追加

（100）結晶面を主面とするシリコン半導体基板の表面領域に、ＭＩＳトランジスタを構成するための活性領域１と、活性領域１を囲む素子分離領域２とが形成されている。 - 特許庁

A band gap E_2 in a region 20d (a region 22b of an active layer 22) having the resonator surface 20a is larger than a band gap E_1 in a region 20e (a region 22a of the active layer 22).例文帳に追加

そして、共振器面２０ａを有する領域２０ｄ（活性層２２の領域２２ｂ）でのバンドギャップＥ_２が、領域２０ｅ（活性層２２の領域２２ａ）でのバンドギャップＥ_１よりも大きい。 - 特許庁

In a capacitor forming region 1B, an active region 7b is formed between element isolation regions 6 and a capacitor 20 is formed on the element isolation region 6 and the active region 7b.例文帳に追加

キャパシタ形成領域１Ｂにおいて、素子分離領域６の間に活性領域７ｂが設けられており、素子分離領域６および活性領域７ｂ上にキャパシタ２０が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate including an active region and a gate region, and a gate channel formed in a portion of the active region that overlaps the gate region.例文帳に追加

以上のようにして製造された半導体素子は活性領域とゲート領域を含む半導体基板と、ゲート領域と重畳する活性領域の一部に形成されたゲートチャンネルとを含む。 - 特許庁

The Si film 14 comprises a source region 6 and a drain region 7 which are placed via an LDD region 5 on both adjacent sides of an active region 4.例文帳に追加

Ｓｉ膜１４においては、活性領域４の両隣に、ＬＤＤ領域５を介して、ソース領域６とドレイン領域７とが配置されている。 - 特許庁

The EEPROM cell has a source region 80, a buried N + region 56, and a drain region 82, mutually separately formed along the side in an active region.例文帳に追加

活性領域内に互いに離隔されて側方に沿って形成されたソース領域８０、埋没Ｎ＋領域５６及びドレイン領域８２を有する。 - 特許庁

In the active region between the buried N + region 56 and a drain region 82, a cell depletion region 78 is formed and mutually electrically connected.例文帳に追加

埋没Ｎ＋領域５６とドレイン領域８２との間の活性領域内にセル空乏領域７８が形成され、互いに電気的に連結される。 - 特許庁

Preferably, the silicon layer 3 includes a main region that becomes an active element region, and the gettering region is included in a part other than the main region within the silicon layer 3.例文帳に追加

好ましくは、シリコン層３は、能動素子領域となる主領域を含み、ゲッタリング領域は、シリコン層３のうち、主領域以外の部分に含まれる。 - 特許庁

The first body region is connected to a second body region 13b provided outside of the active region, and the second body region is brought into contact with a first electrode layer (source electrode).例文帳に追加

第１ボディ領域は、動作領域外に設けられた第２ボディ領域に接続し、第２ボディ領域が第１電極層（ソース電極）とコンタクトする。 - 特許庁

The CMOS image element includes a semiconductor substrate including an element isolation region and an active region, plural gate electrodes formed at predetermined portions in the active region, and a gate electrode contact for transferring external signals to a predetermined portion in the active region, and the gate electrode contact overlaps the active region.例文帳に追加

素子分離領域及びアクティブ領域を含む半導体基板、前記アクティブ領域の所定部分に形成される複数のゲート電極、及び前記ゲート電極それぞれに外部信号を伝達するゲート電極コンタクトを含み、前記ゲート電極コンタクトは、アクティブ領域とオーバーラップされるように形成されるＣＭＯＳイメージ素子。 - 特許庁

Meanwhile, the programming voltage is applied to the control active region and reading active region, and a minus voltage is applied to the erase active region, and by improving an electric field between the capacity coupled floating gate and the erase active region, an F-N tunneling is furthermore often generated.例文帳に追加

一方、制御活性領域及び読み取り活性領域にプログラミング電圧を印加し、消去活性領域にマイナス電圧を印加して、容量結合された浮遊ゲートと消去活性領域との間の電界を高めることによって、Ｆ−Ｎトンネリングをさらによく起こす。 - 特許庁

In the isolation insulation film 4, the upper surface of a periphery 4b provided around the active region 1b is positioned below the upper surface of the active region 1b, and the upper surface of a periphery 4c provided around the active region 1c is positioned below the upper surface of the active region 1c.例文帳に追加

素子分離絶縁膜４では、活性領域１ｂの周辺に位置する周辺部分４ｂの上面が活性領域１ｂの上面よりも下方に位置し、活性領域１ｃの周辺に位置する周辺部分４ｃの上面が活性領域１ｃの上面よりも下方に位置している。 - 特許庁

A pattern of a silicidation block layer is formed on a silicon substrate in which an active region and a field region are defined to cover the field region and a region that is partially extended out of the field region, thereby a first region that is a residual active-region is exposed.例文帳に追加

アクティブ領域及びフィールド領域が定義されたシリコン基板上にシリサイデーション阻止層パターンを形成して前記フィールド領域及び前記フィールド領域の外部へ一部拡張された領域をカバーし、残りのアクティブ領域である第１領域を露出させる。 - 特許庁

A multi-finger transistor 400 comprises an active region 420, a multi-finger gate 450, a source region 460, and a drain region 470.例文帳に追加

マルチフィンガートランジスタ４００は、アクティブ領域４２０、マルチフィンガーゲート４５０、ソース領域４６０、及びドレイン領域４７０を含む。 - 特許庁

A second conductivity type semiconductor region 21 is located between the active region 17 and the first conductive type semiconductor region 19.例文帳に追加

第２導電型半導体領域２１が活性領域１７と第１導電型半導体領域１９との間に位置する。 - 特許庁