「JBs」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a technique capable of suppressing a conduction deterioration phenomenon without lowering surge resistance in an SiC JBS diode.例文帳に追加

ＳｉＣ製のＪＢＳダイオードにおいて、サージ耐量を低下させることなく、通電劣化現象を抑制することのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a SiC semiconductor device including JBS for preventing breakdown of an element caused by concentrated electric field when surge current is generated.例文帳に追加

サージ発生時に電界集中による素子破壊を防止できるＪＢＳを備えたＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

By connecting a planar structure and a JBS structure within one chip in parallel, the JBS structure is applied in a low-current region with forward voltage characteristics, and the planar structure, i.e., a guard ring structure composed of a Schottky metal with a barrier height higher than 0.70 eV, is applied in a high-current region.例文帳に追加

プレーナ構造とＪＢＳ構造を１チップ内で並列接続することで、低電流領域での順方向電圧特性にはＪＢＳ構造、大電流域ではバリアハイトが０．７０ｅＶより高いショットキーメタルから構成されたガードリング構造（プレーナ構造）が作用する。 - 特許庁

To provide constitution which is manufacturable at a low cost for which the ratio of a Schottky junction part to an ohmic junction part is sufficiently high in a JBS diode and an MPS diode.例文帳に追加

ＪＢＳダイオードやＭＰＳダイオードにおいて、オーミック接合部に対するショットキー接合部の比率が十分に高く、かつ安価に製造可能な構成とすること。 - 特許庁

To provide a JBS having a short reverse recovery time, a low forward voltage drop, a small reverse leakage current, a low noise, and a high reverse breakdown voltage, at a low cost.例文帳に追加

逆回復時間がより短く順方向電圧降下がより低く逆方向リーク電流が少なく低ノイズで逆耐圧の高いＪＢＳを安価に具現化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a MPS structure or a JBS structure, capable of maintaining both of low forward drop voltage VF and high reverse breakdown voltage VR, and having short reverse recovery time trr and low reverse leakage current IR.例文帳に追加

ＭＰＳ構造又はＪＢＳ構造を有し、低い順方向降下電圧ＶＦ及び高い逆方向耐圧ＶＲを両立させることが可能で、さらには、逆回復時間ｔｒｒが短く、かつ、逆方向リーク電流ＩＲが低い半導体装置を提供する。 - 特許庁

When it is assumed that the charge amounts are made to coincide with each other, design of each part can be easily carried out, and a JBS (junction barrier Schottky diode) capable of balancing provision of a high breakdown voltage with reduction of resistance of the p-type layers 8a-8e for forming a PN diode can be easily designed.例文帳に追加

このようにチャージ量を一致させることを前提とすれば、各部の設計を容易に行うことが可能となると共に、高耐圧を得ることとＰＮダイオードを構成するためのｐ型層８ａ〜８ｅを低抵抗にすることの両立を図ることができるＪＢＳを容易に設計することが可能となる。 - 特許庁

To simplify wiring of a circuit and enhance wire-harness productivity by making it possible to absorb both splices between distribution wires and splices between sub-harnesses without using conventional JBs or JCs for absorbing splices of branch-part wires.例文帳に追加

分岐部電線のスプライス（継ぎ目）を吸収するために従前のＪ／ＢやＪ／Ｃを用いず、分配電線間およびサブハーネス間の双方のスプライスを吸収でき、回路配線量を簡素化し、ワイヤハーネス生産性を向上させる。 - 特許庁

In the power converter according to an embodiment, a PiN diode is connected in reverse parallel with the power conversion circuit between a P pole and an N pole closer to AC side than a capacitor so that reverse current is diverted to the PiN diode to reduce flowing current of reflux diodes, an SBD and a JBS, for suppressing element destruction.例文帳に追加

実施の形態の電力変換装置は、コンデンサより交流側のＰ極−Ｎ極間に、電力変換回路とは逆並列にＰｉＮダイオードを接続し、反転電流をＰｉＮダイオードにも分流させて、還流ダイオードであるＳＢＤ、ＪＢＳの通電電流を低減し素子破壊を抑制するようにしたものである。 - 特許庁