「MAGNETORESISTANCE- EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

LAMINATED THIN-FILM FUNCTIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC REPRODUCTION HEAD, AND MAGNETIC REPRODUCTION DEVICE例文帳に追加

積層薄膜機能素子、磁気抵抗効果素子、磁気再生ヘッド、および磁気再生装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RECORDING EQUIPMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING SAME, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，磁気再生装置，および磁気抵抗素子の製造方法 - 特許庁

The electric resistance of the tunnel junction magnetoresistance effect (TMR) element as a whole is reduced.例文帳に追加

トンネル接合磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子全体の電気抵抗値は低減される。 - 特許庁

NONVOLATILE SOLID-STATE MEMORY ELEMENT UTILIZING MAGNETORESISTANCE EFFECT, MEMORY, AND ITS RECORDING/ REPRODUCING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリ素子およびメモリとその記録再生方法 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which can cope with high-density recording of at least 500 Gbit/inch^2.例文帳に追加

５００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２以上の高密度記録に対応できる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

MAGNETIC FIELD SENSOR EQUIPPED WITH MACRO- MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND ITS MANUFACTURE AND MANUFACTURING DEVICE例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサおよびその製造方法と製造装置 - 特許庁

THIN FILM MAGNETIC HEAD EQUIPPED WITH MAGNETORESISTANCE EFFECT THIN FILM MAGNETIC ELEMENT AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁

An upper-layer body 39b on a magnetoresistance effect film 39 is sandwiched between insulators 58.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜３９の上層体３９ｂは絶縁体５８に挟み込まれる。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT SENSOR, THIN FILM MAGNETIC HEAD, AND THIN FILM WAFER EQUIPPED WITH THAT THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果センサ、薄膜磁気ヘッド及び該薄膜磁気ヘッドを備えた薄膜ウエハ - 特許庁

To actualize high magnetoresistance effect by accelerating regularization of a Heusler alloy inexpensively.例文帳に追加

低コストでホイスラー合金の規則化を促進させ、高い磁気抵抗効果を実現すること。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD SLIDER, HEAD GIMBAL ASSEMBLY AND HARD DISK DRIVE DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスクドライブ装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE REPRODUCTION MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC RECORDING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果型再生磁気ヘッド及びその再生磁気ヘッドを用いた磁気記録装置 - 特許庁

The magnetic sensor has a magnetoresistance effect film equipped with a magnetic film, a current source for allowing a current which has magnitude and a direction capable of changing the magnetized state of the magnetic film, to flow to the magnetoresistance effect film and a detection means for detecting the resistance value of the magnetoresistance effect film.例文帳に追加

磁性膜を備える磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に、前記磁性膜の磁化状態を変化させ得る大きさと方向の電流を流す電流源と、前記磁気抵抗効果膜の抵抗値を検出する検出手段と、を有する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, a magnetoresistance effect head, a magnetoresistance conversion system and a magnetic recording system wherein sense current is prevented from flowing in a vertical bias layer, noises in a regenerating wave is little, and S/N ratio and bit error rate are superior.例文帳に追加

センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、（Ｓ／Ｎ）比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, a magnetoresistance effect head, a magnetoresistance conversion system and a magnetic recording system wherein sense current is prevented from flowing in a vertical bias layer, noises in a regenerating wave is little and S/N ratio and bit error rate are superior.例文帳に追加

センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、（Ｓ／Ｎ）比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。 - 特許庁

LAMINATE HAVING HEUSLER ALLOY, SPIN MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING THE LAMINATE, AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which realizes a high magnetoresistance changing amount by restraining or recovering the deterioration of crystallinity.例文帳に追加

結晶性の劣化を抑制するかまたは回復させることによって、高い磁気抵抗変化量を実現した磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

A perpendicular magnetization magnetoresistance effect element corrects a difference in record holding time corresponding to storing information by differentiating areas of a reference layer 106 and a record layer 107 which compose the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する参照層１０６と記録層１０７の面積を異ならせることにより、保存している情報に応じた記録保持時間の差を補正する。 - 特許庁

A magnetic sensor 10 includes a single substrate 10a, a plurality of magnetoresistance-effect elements 11 to 18, a wiring section 19 via which the plurality of magnetoresistance-effect elements are connected, and a control circuit section 31.例文帳に追加

磁気センサ１０は、単一の基板１０ａ、複数の磁気抵抗効果素子１１〜１８、複数の磁気抵抗効果素子を接続する配線部１９、及び、制御回路部３１を含む。 - 特許庁

This one-dimensional magnetoresistance effect element has a structure in which a plurality of magnetic dot bodies 30 composed of magnetoresistance effect elements are coupled one-dimensionally by a coupling body 40 composed of a nonmagnetic conductive material (e.g. an aluminum material).例文帳に追加

磁気抵抗効果素子よりなる複数の磁気ドット体３０を非磁性の導電材料（例えばアルミニウム）よりなる連結体４０で一次元的に結合した構造を有する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element having a lower resistance in its barrier layer and a good MR ratio, and also to provide its manufacturing method, and a magnetic storage device equipped with the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

バリア層の低抵抗化を図るとともに、良好なMR比を備える磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びに磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, two huge magnetoresistance effect elements whose magnetic field detection directions are antiparallel mutually can be formed close, by forming on a substrate 11 the first huge magnetoresistance effect element 20 wherein the direction of magnetization of the fixed layer is fixed to the same direction and an ordinary huge magnetoresistance effect element.例文帳に追加

従って、固定層の磁化の向きを同じ向きに固定した第１巨大磁気抵抗効果素子２０と通常の巨大磁気抵抗効果素子とを基板１１上に形成すれば、互いに磁界検出向きが反平行の二つの巨大磁気抵抗効果素子を近接して形成することができる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect device, that achieves high MR ratio without containing oxygen, Si atoms, or the like in a structure body as much as possible, and at the same time, has superior thermal stability in the magnetoresistance effect device, having an artificial-lattice-type or a spin- valve-type structure body, and to provide a method for manufacturing the magnetoresistance effect device.例文帳に追加

人工格子型又はスピンバルブ型の構造体を備えた磁気抵抗効果素子において、構造体内に酸素やＳｉ原子などを極力含有させずに高いＭＲ比を実現し、かつ、熱的安定性にも優れる磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE MAGNETIC FIELD DETECTING DEVICE, ITS PRODUCTION AND MAGNETIC HEAD USING THE SAME例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果型磁界検出素子及びその製造方法とそれを用いた磁気ヘッド - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, THIN FILM MAGNETIC HEAD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果装置およびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁

The first huge magnetoresistance effect element is equipped with a fixed layer P, a spacer layer S and a free layer F.例文帳に追加

第１巨大磁気抵抗効果素子は、固定層Ｐ、スペーサ層Ｓ及びフリー層Ｆを備える。 - 特許庁

The resist film 61 is partitioned with a pattern space 62 forming the contour of the magnetoresistance effect film.例文帳に追加

レジスト膜６１には、磁気抵抗効果膜の輪郭を象ったパターン空間６２が区画される。 - 特許庁

To provide a method capable of inhibiting deterioration of magnetic characteristics by protecting a magnetoresistance effect element from outgas of an interlayer film.例文帳に追加

層間膜のアウトガスから磁気抵抗効果素子を保護し、磁気特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY, AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果装置、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 - 特許庁

The magnetic resistance of the magnetoresistance effect element changes when the thin film layer detects an external magnetic field.例文帳に追加

薄膜層が外部磁場を検知することで，磁気抵抗効果素子の磁気抵抗が変化する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND THIN FILM MAGNETIC HEAD AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッド - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND HIGH-SPEED MAGNETIC RECORDING DEVICE BASED ON DOMAIN WALL DISPLACEMENT BY PULSE CURRENT例文帳に追加

パルス電流による磁壁移動に基づいた磁気抵抗効果素子および高速磁気記録装置 - 特許庁

A bias magnetic field Hb and an external magnetic field Hex are applied to a magnetoresistance effect element 2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子２には、バイアス磁界Ｈｂおよび外部磁界Ｈｅｘが印加される。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which does not use a multilayer structure of a pin layer, a spacer layer, and a free layer.例文帳に追加

ピン層，スペーサ層，フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD USING THE SAME, MAGNETIC HEAD UNIT AND MAGNETIC DISC UNIT例文帳に追加

磁気抵抗効果型素子とそれを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、磁気ディスク装置 - 特許庁

SPIN VALVE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS PRODUCTION AND THIN FILM MAGNETIC HEAD EQUIPPED WITH THAT ELEMENT例文帳に追加

スピンバルブ型磁気抵抗効果素子およびその製造方法とその素子を備えた薄膜磁気ヘッド - 特許庁

ANTIFERROMAGNETIC FILM, EXCHANGE-COUPLING FILM USING THE SAME, MAGNETORESISTANCE-EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC DEVICE例文帳に追加

反強磁性体膜とそれを用いた交換結合膜、磁気抵抗効果素子および磁気装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, SUBSTRATE, WAFER, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HARD DISC DEVICE, MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MAGNETIC SENSOR ASSEMBLY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、基体、ウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、磁気メモリ素子、および磁気センサアセンブリ - 特許庁

The sensing part and the reference part are formed wholly of the same magnetoresistance effect element in this way.例文帳に追加

このように、センシング部及びリファレンス部を全て同じ磁気抵抗効果素子で形成している。 - 特許庁

METHODS OF MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND THIN FILM MAGNETIC HEAD, AND THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッド - 特許庁

From such a constitution, the high reproducing output level of this magnetoresistance effect element is obtained by the current constricting effect of the current controlling region 8a.例文帳に追加

このような構成により、電流制御領域８ａの電流狭窄効果によって高い再生出力レベルを得る。 - 特許庁

To reduce the film thickness of a magnetoresistance effect element, to facilitate narrowing the shield gap, and to reduce the noise due to the spin injection effect.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子において、膜厚を抑え、狭シールドギャップ化を容易とし、かつスピン注入効果によるノイズを低減する。 - 特許庁

To suppress a spin-torque effect, to achieve a high magnetoresistance effect and to reduce a gap between shields in a magnetic field detecting element.例文帳に追加

磁界検出素子において、スピントルク効果を抑えると共に、高い磁気抵抗効果の実現とシールド間ギャップの低減を図る。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, capable of obtaining a high MR changing rate and coping with high-density, as well as a magnetic head, a magnetic recording reproducing device and a magnetic random access memory employing the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

高ＭＲ変化率が得られ、高密度化への対応が期待できる磁気抵抗効果素子、ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気ランダムアクセスメモリーを提供する。 - 特許庁