「MAGNETORESISTANCE- EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a magnetoresistance effect film which uses a vertical magnetization film and has a greater change rate of magnetoresistance.例文帳に追加

垂直磁化膜を用いかつ大きな磁気抵抗変化率を有する磁気抵抗効果膜を提供する。 - 特許庁

FERRITE POWDER FOR ENORMOUS MAGNETORESISTANCE EFFECT MATERIALS, SINTERED FERRITE MATERIAL THEREFOR AND BULK MAGNETORESISTANCE ELEMENT例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果材料用フェライト粉末、同用フェライト焼結体及びバルク磁気抵抗素子 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element or the like exhibiting a high magnetoresistance change rate and having a good bias point.例文帳に追加

高い磁気抵抗変化率を示し、良好なバイアスポイントを有する磁気抵抗効果素子等の提供。 - 特許庁

The magnetometric sensor is provided with a thin filmlike magnetic tunnel effect element (magnetoresistance effect element) 11.例文帳に追加

磁気センサは、薄膜状の磁気トンネル効果素子（磁気抵抗効果素子）１１を備えている。 - 特許庁

The magnetoresistance effect type head, the thin film magnetic memory and the thin film magnetic sensor are each constituted by providing the giant magnetoresistance effect element 1.例文帳に追加

また、上記巨大磁気抵抗効果素子１を備えて、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、薄膜磁気センサを構成する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, SUBSTRATE, WAFER, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HARD DISK DEVICE, MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC SENSOR ASSEMBLY, AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、基体、ウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、磁気メモリ素子、磁気センサアセンブリ、および磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

EXCHANGE JUNCTION FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT USING THE EXCHANGE JUNCTION FILM, AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD USING THE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド - 特許庁

To provide a CPP-structure magnetoresistance effect element which can contribute to reduce Barkhausen noise and to provide a method of manufacturing the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

バルクハウゼンノイズの低減に大いに寄与することができるＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC RECORDING/REGENERATIVE APPARATUS例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気記録再生装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN-FILM MAGNETIC HEAD AND THEIR PRODUCTION例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING HOLE AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

空孔の形成方法および磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRONIC CARD AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC MEMORY USING THE ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリ - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD ASSEMBLY AND MAGNETIC RECORDING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC HEAD THEREOF例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、及びトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC STORAGE DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びに磁気記憶装置 - 特許庁

Complementary data are stored in the magnetoresistance effect elements M1 and bM1.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子Ｍ１，ｂＭ１には、相補のデータが記憶される。 - 特許庁

MAGNETIC DISK DEVICE AND METHOD FOR CORRECTING CHARACTERISTIC OF MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE HEAD例文帳に追加

磁気ディスク装置及び磁気抵抗効果型ヘッド特性補正方法 - 特許庁

Dry etching treatment is not applied to the magnetoresistance effect film at all.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜には全くドライエッチング処理は施されない。 - 特許庁

Further, a Za-phase signal is output from a terminal electrode 22A at the middle point between a magnetoresistance effect element 22a and a magnetoresistance effect element 22b, and a Zb-phase signal is output from a terminal electrode 22B at the middle point between a magnetoresistance effect element 22c and a magnetoresistance effect element 22d.例文帳に追加

また、磁気抵抗効果素子２２ａと磁気抵抗効果素子２２ｂとの中点の端子電極２２ＡからＺａ相の信号が、磁気抵抗効果素子２２ｃと磁気抵抗効果素子２２ｄとの中点の端子電極２２ＢからＺｂ相の信号が出力される。 - 特許庁

An A-phase signal is output from a terminal electrode 21A at the middle point between a magnetoresistance effect element 21a and a magnetoresistance effect element 21b, and a B-phase signal is output from a terminal electrode 21B at the middle point between a magnetoresistance effect element 21c and a magnetoresistance effect element 21d.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子２１ａと磁気抵抗効果素子２１ｂとの中点の端子電極２１ＡからはＡ相の信号が、磁気抵抗効果素子２１ｃと磁気抵抗効果素子２１ｄとの中点の端子電極２１ＢからＢ相の信号が出力される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of magnetoresistance effect devices, for preventing short-circuiting in a spin-tunnel magnetoresistance effect film and deterioration in magnetization characteristics, and for obtaining superior magnetoresistance ratio, even if it is subjected to heat treatment.例文帳に追加

加熱処理しても、スピントンネル効果膜の短絡および磁化特性の劣化を招くことのない、良好な磁気抵抗比が得られる磁気抵抗素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE HEAD, ITS MANUFACTURE AND MAGNETIC STORAGE DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法および磁気記憶装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ヘッド、及び、磁気ディスク装置 - 特許庁

To reduce processing time of an ion milling process of a magnetoresistance effect film for use in a magnetoresistance effect element, thereby improve resolution of a lead element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子に使用する磁気抵抗効果膜のイオンミリング工程の加工時間を短縮し、リード素子の分解能を向上させる。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING APPARATUS, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気メモリ - 特許庁

MAGNETORESISTANCE-EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, HEAD SUSPENSION ASSEMBLY, AND MAGNETIC DISC UNIT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 - 特許庁

RESONANCE TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

To miniaturize a magnetometric sensor using a huge magnetoresistance effect element.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子を使用した磁気センサを小型化すること。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE THIN FILM MAGNETIC HEAD AND MANUFACTURE OF THE HEAD例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及び該ヘッドの製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置および磁気メモリ装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気メモリ - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁

DIRECTION-OF-MAGNETIZATION CONTROLLED FILM AND MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE SENSOR USING THE SAME例文帳に追加

磁化方向制御膜及びこれを用いた磁気抵抗効果型センサ - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element that is stable in a free layer and a magnetic domain at a nano-junction and is high in sensitivity in the magnetroresistance effect element for magnetic heads having BMR effect, and to provide a method for manufacturing the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

ＢＭＲ効果を用いた磁気ヘッド用の磁気抵抗効果素子において、自由層やナノ接合部の磁区の安定性や感度の高い磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

SPIN TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT FILM AND ELEMENT, AND MAGNETORESISTANCE SENSOR USING THE SAME, AND MAGNETIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

スピントンネル磁気抵抗効果膜及び素子及びそれを用いた磁気抵抗センサー、及び磁気装置及びその製造方法 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element and a magnetoresistance effect type storage element for improving selectivity and output signals by controlling an application bias.例文帳に追加

印加バイアスを制御することにより、選択性および出力信号を改善した磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型記憶素子を提供する。 - 特許庁

For temperature correction of an output of the magnetoresistance effect element, a temperature sensor 13 is provided to detect the temperature of the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

本発明では、前記磁気抵抗効果素子の出力を温度補正するために、前記磁気抵抗効果素子の温度を検出する温度センサ（１３）を設ける。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR HEUSLER METAL, AND MANUFACTURING METHOD FOR MAGNETORESISTANCE EFFECT FILM例文帳に追加

ホイスラー金属の製造方法および磁気抵抗効果膜の製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY CELL USING THE SAME, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetoresistance effect element having an improved MR change rate, and to provide a magnetoresistance effect element, a magnetic head assembly, and a magnetic recording and reproducing device.例文帳に追加

ＭＲ変化率を向上した磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetoresistance effect element having a high MR ratio, high reliability and a ferromagnetic tunnel junction and to provide the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

ＭＲ比が高く、かつ信頼性の高い強磁性トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気記憶装置の製造方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a CPP structure magnetoresistance effect film, by which the short-circuiting of an upper side electrode and a magnetoresistance effect film can surely be inhibited.例文帳に追加

上側電極と磁気抵抗効果膜との短絡を確実に阻止することができるＣＰＰ構造磁気抵抗効果膜の製造方法を提供する。 - 特許庁