「MAGNETORESISTANCE- EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

In the processing, the magnetoresistance effect film 46 is completely taken out outside a resist 73.例文帳に追加

この削り出しにあたってレジスト７３の外側で磁気抵抗効果膜４６は完全に取り払われる。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果装置およびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁

SPIN-VALVE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD WITH THE DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THESE DEVICES例文帳に追加

スピンバルブ型磁気抵抗効果素子及びそれを備えた薄膜磁気へッドとそれらの製造方法 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element for adjusting dispersion in magnetization directions on a fixed layer.例文帳に追加

固定層における磁化方向のばらつきを調整することができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To evaluate characteristics while proper mechanical stress is applied to a magnetoresistance effect element of a magnetic head.例文帳に追加

磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子への適正な機械的応力印加のもとで、特性を評価する。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnetoresistance effect element comprises the step of depositing a first ferromagnetic layer (fixed layer) 103 on an anti ferromagnetic layer 102.例文帳に追加

反強磁性体層１０２の上に、第１の強磁性体層（固定層）１０３を堆積する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element includes an antiferromagnetic layer 53 laminated on a base layer 52 formed of nitride.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、窒化物で形成される下地層５２上に反強磁性層５３は積層される。 - 特許庁

To provide a low-resistance magnetoresistance effect type element of a spin-injection writing system.例文帳に追加

低抵抗なスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果型素子を提供することを可能にする。 - 特許庁

In such a magnetoresistance effect element, priority orientation of the surface (002) is performed in the reference layer 56.例文帳に追加

こういった磁気抵抗効果素子ではリファレンス層５６で（００２）面が優先配向されることができる。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR INSPECTING CHARACTERISTIC OF TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND HARD DISK DRIVE APPARATUS例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の特性検査方法および特性検査装置、ならびにハードディスクドライブ装置 - 特許庁

The X-direction detection element 20x and the Y-direction detection element 20y are each magnetoresistance effect element, respectively.例文帳に追加

Ｘ方向検知素子２０ｘとＹ方向検知素子２０ｙは、それぞれ磁気抵抗効果素子である。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element MR is positioned also between a second wiring W2 and a common wiring WC.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子ＭＲは、第２配線Ｗ２と共通配線ＷＣとの間にも位置している。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE HEAD HAVING TWO STEP ELECTRODE AND RECORDING AND REPRODUCTION DISCRETE TYPE MAGNETIC HEAD USING THIS例文帳に追加

二段電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドおよびこれを用いた記録再生分離型磁気ヘッド - 特許庁

The wafer is bombarded with ions to reduce the giant magnetoresistance effect of the unmasked region.例文帳に追加

このウェハに対して、非マスク領域の巨大磁気抵抗効果が減少するように、イオン照射を行う。 - 特許庁

To reduce accurately distortions in a multiplication signal output from a magnetoresistance effect element to a transmission line.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子から伝送路に出力される乗算信号の歪みを確実に低減する。 - 特許庁

The memory cell comprises a spin-torque magnetization reversal layer and a tunnel magnetoresistance effect film on a C-MOSFET.例文帳に追加

C-MOSFET上にスピントルク磁化反転層とトンネル型磁気抵抗効果膜を備えることを特徴とする。 - 特許庁

Magnetoresistance effect elements A1, A2, B1, B2, MR1, MR2 having the same layer constitution are formed on a common substrate 23.例文帳に追加

共通の基板２３上に、同じ層構成の磁気抵抗効果素子Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２，ＭＲ１，ＭＲ２が形成されている。 - 特許庁

To provide a high speed and low power consumption nonvolatile memory using a resonance tunnel magnetoresistance effect element.例文帳に追加

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子を用いた高速・低消費電力不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory which protects a magnetoresistance effect element against outgas from an inter-layer film and suppresses deterioration of the magnetic characteristics.例文帳に追加

層間膜のアウトガスから磁気抵抗効果素子を保護し、磁気特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

A magnetic sensing sensor element and a fixed resistance element are formed with the same magnetoresistance effect film, and a magnetoresistance effect expression of the magnetoresistance effect film forming the fixed resistance element is inhibited by preparing a surface roughness of a foundation forming the fixed resistance element at 5.0 nm or more or heating the fixed resistance element to 350°C or more.例文帳に追加

感磁センサー素子と固定抵抗素子を同一の磁気抵抗効果膜で形成し、固定抵抗素子を形成する下地の面粗さを５．０ｎｍ以上とするか固定抵抗素子を３５０℃以上に加熱して、固定抵抗素子を形成する磁気抵抗効果膜の磁気抵抗効果発現を抑える。 - 特許庁

This current sensor includes two magnetoresistance effect elements arranged at positions where induction field intensities from the current to be measured are different from each other, and a circuit connected to the two magnetoresistance effect elements and obtaining outputs of the two magnetoresistance effect elements proportional to the difference between the induction field intensities.例文帳に追加

本発明の電流センサは、被測定電流からの誘導磁界強度が異なる位置に配置される２つの磁気抵抗効果素子と、前記２つの磁気抵抗効果素子が接続され、誘導磁界の強度差に比例した前記２つの磁気抵抗効果素子の出力を得る回路と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The magnetic sensor includes: a magnetoresistance effect element including a magnetized fixed layer, a nonmagnetic intermediate layer, and a magnetization-free layer; a microwave oscillating element for inducing magnetic resonance in the magnetization-free layer of the magnetoresistance effect element; and a microwave detector for detecting microwave output of the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁化固定層と、非磁性中間層と、磁化フリー層とを含む磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の磁化フリー層に磁気共鳴を誘起するマイクロ波発振素子と、前記磁気抵抗効果素子のマイクロ波出力を検波するマイクロ波検波器とを具備することを特徴とする磁気センサー。 - 特許庁

A first magnetoresistance effect element 15 and a second magnetoresistance effect element 16 are provided on the same sensor chip, and each of the magnetoresistance effect element has an element part in which a free magnetic layer and a fixed magnetic layer are stacked via a non-magnetic layer, and a hard bias layer for supplying a bias magnetic field to the element part.例文帳に追加

同じセンサチップに第１磁気抵抗効果素子１５と第２磁気抵抗効果素子１６が設けられており、各磁気抵抗効果素子は、フリー磁性層と固定磁性層とが非磁性層を介して積層された素子部と、前記素子部に対してバイアス磁界を供給するためのハードバイアス層を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tunnel magnetoresistance effect film having a structure of ferromagnetic layer/barrier layer/ferromagnetic layer and exhibiting a high magnetoresistance change ratio.例文帳に追加

強磁性層／バリア層／強磁性層の構造を備えるトンネル磁気抵抗効果膜において、磁気抵抗変化率が高いトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element capable of achieving a low element resistance and shortening a lead gap length, to provide its fabrication method, and to provide a magnetic storage equipped with the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の素子抵抗を低く抑えると共にリードギャップ長の短小化が可能な磁気抵抗効果素子、その製造方法、およびその磁気抵抗効果素子を備える磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element the film thickness of the spin valve film of which can be made thin and the magnitude of the anisotropic magnetic filed and the MR ratio of the spin valve film of which can be enhanced and to provide a read head including the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

本発明は、スピンバルブ膜の膜厚を薄くすることができ、かつスピンバルブ膜の異方性磁界の大きさやＭＲ比を向上させる磁気抵抗効果素子、及び、それを有する読み取りヘッドを提供する。 - 特許庁

To develop a bulk enormous magnetoresistance effect material which contains an oxide magnetic material as a main component and has an MR ratio in characteristics, comparative to or exceeding that of the conventional enormous magnetoresistance effect material of thin films.例文帳に追加

酸化物磁性体を主体とし、従来の薄膜の巨大磁気抵抗効果材料に匹敵又はそれを上回る特性のＭＲ比を持つバルク巨大磁気抵抗効果材料を開発することを課題とする。 - 特許庁

A magnetic filmed medium detector comprises at least a pair of spin-valve-type magnetoresistance effect elements R1, R2; and a permanent magnet 10 as a magnetic field generating means for applying a bias magnetic field to the spin-valve-type magnetoresistance effect elements R1, R2.例文帳に追加

少なくとも一対のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子Ｒ１，Ｒ２と、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子Ｒ１，Ｒ２にバイアス磁界を加える磁界発生手段としての永久磁石１０とを備える。 - 特許庁

To obtain relatively large magnetoresistance effect in a magnetoresistance effect film using a ferrimagnetic substance which takes rare earth metals such as Gd, Dy, and Tb and transition metals such as Fe, Co, and Ni as chief components.例文帳に追加

Ｇｄ，Ｄｙ、Ｔｂなどの希土類金属とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの遷移金属を主成分とするフェリ磁性体を用いた磁気抵抗効果膜において、比較的大きな磁気抵抗効果が得られるようにする。 - 特許庁

This device is provided with a holding section 11 for a head base 6 or a rotary drum 7 for supporting a magnetoresistance effect magnetic head 5 for reproducing information from a magnetic tape, while the magnetoresistance effect magnetic head 5 is being assembled.例文帳に追加

磁気テープから情報を再生する磁気抵抗効果型磁気ヘッド５を支持するヘッドベース６又は回転ドラム７を、磁気抵抗効果型磁気ヘッド５が組み付けられた状態で保持する保持部１１を備えている。 - 特許庁

Inside the detector 10, a magnetoresistance effect element which can detect the magnetic field and the strength in an X-direction is provided, and a magnetoresistance effect element which can detect the direction and the strength of the magnetic field in a Y-direction is provided.例文帳に追加

検知器１０内にはＸ方向の磁界の方向とその強度を検知できる磁気抵抗効果素子と、Ｙ方向の磁界の方向とその強度を検知できる磁気抵抗効果素子とが設けられている。 - 特許庁

To provide a direction of magnetization controlled film which is formed thin, and to provide a magnetoresistance effect-type sensor which uses the control film.例文帳に追加

薄く形成した磁化方向制御膜及びこれを用いた磁気抵抗効果型センサを提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, MAGNETORESISTANCE DETECTION SYSTEM, AND MAGNETIC RECORDING SYSTEM例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果素子の製造方法および磁気抵抗検出システムならびに磁気記録システム - 特許庁

To provide a high-output ferromagnetic tunneling magnetoresistive effect film which has a magnetoresistance ratio small in bias dependency.例文帳に追加

高出力且つ磁気抵抗比のバイアス依存性の小さい強磁性トンネル型磁気抵効果膜を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM MAGNETIC HEAD, AND METHOD OF MANUFACTURING MEMORY ELEMENT例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法およびメモリ素子の製造方法 - 特許庁

ELECTRICAL WIRING, ELECTRONIC DEVICE, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC MEDIUM, RECORDING DEVICES, AND MANUFACTURING METHOD OF THE ABOVE例文帳に追加

電気配線、電子デバイス、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気媒体、記録装置、及びそれらの製造方法 - 特許庁

The respective tunnel magnetoresistance effect elements 1a and 1b are laminated, for example, by sandwiching a word line 3.例文帳に追加

この２つのトンネル磁気抵抗効果素子１ａ、１ｂの各々は、たとえばワード線３を挟んで積層されている。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element is mounted at a position facing the magnet 4 on the end face of the oscillator actuator.例文帳に追加

揺動アクチュエータの端面において磁石５と対向する部位には磁気抵抗効果素子が搭載されている。 - 特許庁

SPIN VALVE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD PROVIDED WITH THE SAME, AND MANUFACTURE OF THE SAME例文帳に追加

スピンバルブ磁気抵抗効果素子、該素子を備えた薄膜磁気ヘッド及びスピンバルブ磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN-FILM MAGNETIC HEAD, HEAD-GIMBAL ASSEMBLY, HEAD-ARM ASSEMBLY, MAGNETIC DISK DEVICE, MAGNETIC SENSOR, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、磁気ディスク装置、磁気センサおよび磁気メモリ - 特許庁

EXCHANGE-COUPLING FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY, AND MAGNETIC DISK UNIT例文帳に追加

交換結合膜、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC MEMORY STRUCTURE AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE REPRODUCING HEAD例文帳に追加

磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気メモリ構造ならびにトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド - 特許庁

To improve the sensitivity, output and output stability of a magnetoresistance effect device or a thin-film magnetic head.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置または薄膜磁気ヘッドの感度、出力および出力安定性を向上させる。 - 特許庁

To set a resistance value of a magnetoresistance effect element to a proper value, and to increase an MR (Magnetoresistive) change ratio sufficiently.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の抵抗値を適当な大きさにし、且つＭＲ変化率を十分に大きくする。 - 特許庁

To improve the characteristics of a memory layer such as the inversion of magnetization and the maintenance of the magnetization direction of the memory layer in a magnetoresistance effect device.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子においてメモリ層の磁化反転や磁化方向の維持などの特性を改善する。 - 特許庁