「MAGNETORESISTANCE- EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of forming the Ru film includes a step of giving a predetermined bias potential to a substrate 20 when a non-magnetic Ru film interposed between a pair of ferromagnetic films is formed by a sputtering method, in the case that the tunnel magnetoresistance effect layer is formed on the substrate 20.例文帳に追加

本発明は、基板２０上にトンネル磁気抵抗効果多層膜を形成する場合において、一対の強磁性膜に挟まれる非磁性Ｒｕ膜をスパッタリング法によって形成する際、前記基板２０に所定のバイアス電位を与える工程を有するものである。 - 特許庁

The magnetoresistance effect device is provided with a first shielding layer 3 and a second shield layer 8 arranged separating by the prescribed interval, a MR element 5 arranged between the first shielding layer 3 and a second shielding layer 8, and a substrate 4 arranged between first shielding layer 3 and a MR element 5.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置は、所定の間隔を開けて配置された第１のシールド層３および第２のシールド層８と、第１のシールド層３と第２のシールド層８との間に配置されたＭＲ素子５と、第１のシールド層３とＭＲ素子５との間に配置された下地層４とを備えている。 - 特許庁

The second permanent magnet 25 is provided on a reverse face of a substrate 23, and a magnetization direction 33a of free magnetic layers for all the magnetoresistance effect elements formed on a surface 23a of the substrate 23 are directed to a direction orthogonal to a magnetization direction (PIN direction) of a fixed magnetic layer 31 and along the same direction.例文帳に追加

基板２３の裏面に第２の永久磁石２５を設け、前記基板２３の表面２３ａに形成された全ての磁気抵抗効果素子のフリー磁性層の磁化方向３３ａを、固定磁性層３１の磁化方向（ＰＩＮ方向）と直交する方向で且つ同一方向に向ける。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element includes at least two first magnetization fixed layers 1a, 1b whose direction of magnetization is fixed, a magnetization free layer 2 whose direction of magnetization formed on a XY plane is variable, and a second magnetization fixed layer 4 which is connected to the magnetization free layer 2 through a non-magnetic layer 3.例文帳に追加

本発明に係る磁気抵抗効果素子は、磁化の向きが固定された少なくとも２つの第１磁化固定層１ａ，１ｂと、ＸＹ面上に形成され磁化の向きが可変な磁化自由層２と、非磁性層３を介して磁化自由層２に接続された第２磁化固定層４とを備える。 - 特許庁

The magnetic sensor is equipped with a detection part, the selection device electrically connected to one end of the detection part and a sensing amplifier for inputting the signal from the detection part, and the detection part comprises at least two magnetoresistance effect films electrically connected in series.例文帳に追加

検出部と、前記検出部の一端に電気的に接続された選択デバイスと、前記検出部からの信号を入力とするセンスアンプを備え、前記検出部のそれぞれは、電気的に直列に接続された少なくとも２つ以上の磁気抵抗効果膜からなる。 - 特許庁

The sensor is provided further with a differential amplifier AMP for detecting the difference V0 of voltage drops generated, respectively in the magnetoresistance effect elements 1A, 1B by the constant currents 10, and the detection-object current Im is detected, based on the voltage drop difference V0.例文帳に追加

さらに定電流Ｉ０によって磁気抵抗効果素子１Ａ，１Ｂのそれぞれに生ずる電圧降下の差分Ｖ０を検出する差動増幅器ＡＭＰを備え、その電圧降下の差分Ｖ０に基づいて検出対象電流Ｉｍを検出するように構成されている。 - 特許庁

To provide a structure in a thin film magnetic head using a magnetoresistance effect wherein a width of a magnetic response area corresponding to a reproduction track width can be correctly formed, an active current to the magnetic response area is increased and, a step missing of an insulating film at a step part of a lead is prevented.例文帳に追加

磁気抵抗効果を用いた薄膜磁気ヘッドにおいて、再生トラック幅に対応する磁気応答領域幅を正確に形成でき、磁気応答領域への有効電流を増やし、かつリードの段差部における絶縁膜の段切れを防止できる構造を提供する。 - 特許庁

In the evaluation device for applying a magnetic field 3 from the outside to a magnetic head 1 using a magnetoresistance effect element to evaluate electromagnetic transduction characteristics of the magnetic head 1, a temperature evaluation is carried out for the electromagnetic transduction characteristics by heating and cooling the magnetic head 1 in non-contact therewith.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド１に対して外部から磁界３を印加して磁気ヘッドの電磁変換特性を評価する評価装置において、磁気ヘッド１に非接触状態で磁気ヘッドを加熱及び／又は冷却して、電磁変換特性の温度評価を行うこと。 - 特許庁

A plurality of magnetoresistance effect elements 41-45 are provided which are magnetically parallelly connected to a magnetic path (magnetic field guiding yoke 6) for guiding a signal magnetic field Ms and which are electrically serially connected by flowing a detecting electric current Is in the film thickness direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、信号磁界Ｍｓを誘導する磁路（磁界誘導ヨーク６）に磁気的に並列接続され、膜厚方向に検出電流Ｉｓを流して電気的に直列接続された複数の磁気抵抗効果素子４１〜４５を備える。 - 特許庁

When a read-out current I_R is supplied between the second wiring W2 for the supply of the read-out current I_R and the common wiring WC since this is not through the spin filter SF, a spin polarized current is not supplied to the inside of the magnetoresistance effect element MR, and the reversal of the magnetization of the magnetically sensitive layer F becomes difficult.例文帳に追加

読み出し電流Ｉ_Ｒの供給用の第２配線Ｗ２と共通配線ＷＣとの間に、読み出し電流Ｉ_Ｒを供給すると、これはスピンフィルタＳＦを介していないため、磁気抵抗効果素子ＭＲ内には、スピン分極電流が供給されず、感磁層Ｆの磁化反転は困難となる。 - 特許庁

The manufacturing method provides for a magnetoresistance effect element which includes a first magnetic layer containing a ferromagnetic material, a second magnetic layer containing a ferromagnetic material, and an intermediate layer 16 provided between the first and second magnetic layers and including an insulating layer 161 and a conductive layer 162 penetrating through the insulating layer.例文帳に追加

強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、第１磁性層と第２磁性層との間に設けられ、絶縁層１６１と、絶縁層を貫通する導電部１６２と、を含む中間層１６と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法が提供される。 - 特許庁

The positive magnetoresistance effect element may be constituted by a mixture of CrO_2 or CrO_2 and Ni_80Fe_20 (a first conductive magnetic material having positive spin polarizability) powder, and CrO_2 or CrO_2 and Ni_80Fe_20 (a second conductive magnetic material having negative spin polarizability) powder.例文帳に追加

正の磁気抵抗効果素子が、ＣｒＯ_2またはＣｒＯ_2およびＮｉ_80Ｆｅ_20（正のスピン分極率を有する第１導電性磁性体）の粉状体と、ＣｒＯ_2またはＣｒＯ_2およびＮｉ_80Ｆｅ_20（負のスピン分極率を有する第２導電性磁性体）の粉状体との混合物により構成されていてもよい。 - 特許庁

Further, a magnetoresistance effect device can be constructed with ease, in which an inverse magnetic field of the memory magnetic layer is reduced, and the direction of the magnetization is maintained stably by making the magnetization of a pin magnetic layer optimum with the aid of the composition and film construction of the pin magnetic layer 13 by constituting the pin magnetic layer 13 with a TbFe or TbFeCo alloy.例文帳に追加

更に、ピン磁性層１３を、ＴｂＦｅまたはＴｂＦｅＣｏ合金とすることで、組成及び膜構成によりピン磁性層の磁化を最適化し、メモリ磁性層の反転磁界を低減すると共に、磁化方向を安定に維持する磁気抵抗効果素子を容易に構成することができる。 - 特許庁

Electric resistance of a magnetoresistance effect element of about 51 Ω can be achieved when an MR height is made same dimension with a track width by making an electrode into a two-step structure and using an Rh film of a thickness of about 20 nm for a first electrode layer 5, and an Au film of about 100 nm of film thicknesses for a second electrode layer 6.例文帳に追加

電極を二段構造にし、第１電極層５に厚さ約２０ｎｍのＲｈを用い、第２電極層６に膜厚約１００ｎｍのＡｕを用いることによって、トラック幅と同じ寸法のＭＲ高さとしたときの磁気抵抗効果素子の電気抵抗は約５１Ωを実現することができる。 - 特許庁

To provide a method of forming a conductive lead layer and a spin valve magnetoresistance effect reproducing element having the conductive lead layer which reveals a high conductivity, high hardness, high melting point, high corrosion resistance and high durability in server manufacturing environments and operating environments and is applicable to the present and future magnetic reproducing heads.例文帳に追加

高導電性、高硬度、高融点、高耐食性および苛酷な製造環境や動作環境における高耐久性を示し、現在および将来の磁気再生ヘッドについて適用可能な導電リード層の形成方法およびこの導電リード層を備えたスピンバルブ型磁気抵抗効果再生素子を提供する。 - 特許庁

A position detecting signal is reproduced by a magnetic disk apparatus which comprises a magnetic head having a magnetoresistance effect element for reproducing a recorded signal recorded on a magnetic disk, and positioning control means for controlling the position of this magnetic head based on the position detecting signals that are recorded at every sector interval on the magnetic disk.例文帳に追加

磁気ディスク２２に記録された記録信号を再生する磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッド２３と、この磁気ヘッド２３の位置を磁気ディスク２２のセクタ間隔ごとに記録された位置検出信号に基づいて制御する位置決め制御手段とを備えた磁気ディスク装置にて位置検出信号を再生する。 - 特許庁

This rotary encoder is provided with a first member 10 having an NS magnetic pole part 20 alternately magnetized with N and S polarities in a ring shape inside a case body 11 made of a magnetism shielding material and a second member 50 inserted into the first member 10 and provided with the magnetoresistance effect element 70 arranged opposedly to the NS magnetic pole part 20.例文帳に追加

磁気シールド材料からなるケース１１内にリング状に交互にＮ，Ｓ磁極を着磁してなるＮＳ磁極部２０を設けた第１の部材１０と、第１の部材１０内に挿入されてＮＳ磁極部２０に対向する位置に磁気抵抗効果素子７０を設置してなる第２の部材５０とを具備する。 - 特許庁

As a result, even when the head 10 becomes a posture in which it bends its head so that the side of the electomagnetic tranducer 60 gets near a recording medium 2 when it is floated from the medium 2, the amount of thermal expansion by heat of the heat layer 80 of the magnetoresistance effect element 40 becomes lager than that of the element 60.例文帳に追加

従って、記録媒体２からの浮上時に電磁変換素子６０側が記録媒体に近づくように薄膜磁気ヘッド１０がうつむく姿勢になった場合でも、発熱層８０の熱による熱膨張量が電磁変換素子６０よりも磁気抵抗効果素子４０の方が大きくなる。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element 2 comprises a first magnetic sensing film 9 for detecting an external field generated from a recording medium and directed in parallel to a medium surface of the recording medium; and a second magnetic sensing film 7 for detecting an external field generated from the recording medium, and directed perpendicularly to the medium surface of the recording medium.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子２は、記録媒体から生じる、記録媒体の媒体面に対して平行方向の外部磁界を検知する第１の感磁膜９と、記録媒体から生じる、記録媒体の媒体面に対して直交方向の外部磁界を検知する第２の感磁膜７と有している。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element comprises a first magnetic layer whose magnetization direction is substantially fixed; a thin film layer which is arranged on top of the first magnetic layer and consists of either an oxide, a nitride, an oxynitride, or a metal; and a second magnetic layer which is arranged on top of the thin film layer, and whose magnetization direction is substantially fixed.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に固着された第１の磁性層と，前記第１の磁性層上に配置され，かつ酸化物，窒化物，酸窒化物，金属のいずれか１つからなる薄膜層と，前記薄膜層上に配置され，かつ磁化方向が実質的に固着された第２の磁性層と，を具備する。 - 特許庁

At least one selected from an antiferromagnetic layer constituting the spin valve film of a magnetoresistance effect type magnetic head, a magnetization fixed layer, a magnetization free layer, and a nonmagnetic layer is set such that a corrosive current density is 0.1 mA/cm^2 or less in a polarization curve (anode curve) using the NaCl solution of a concentration of 0.1 mol/L.例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッドのスピンバルブ膜を構成する反強磁性層、磁化固定層、磁化自由層、及び非磁性層の少なくともいずれかの単層膜が、濃度０．１ｍｏｌ／ＬのＮａＣｌ溶液を用いた分極曲線（アノード曲線）において、腐食電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^2以下となるようにする。 - 特許庁

To reduce wear of a high-sensitivity magnetoresistance effect type magnetic head capable of obtaining high sliding durability without generating magnetic spacing loss and increasing the capacity, in a magnetic tape in which a carbon protective film 3 is formed on a metal magnetic film 2 on a nonmagnetic support body, by a chemical vapor deposition method.例文帳に追加

非磁性支持体上の金属磁性膜２に、化学的気相成長法によってカーボン保護膜３を形成した磁気テープにおいて、磁気的スペーシング損失を発生させることなく高耐摺動性が得られるとともに、高容量化が実現できる感度の高い磁気抵抗効果型の磁気ヘッドの摩耗を軽減することができるようにする。 - 特許庁

The three terminal-type magnetoresistance effect element includes: a first ferromagnetic layer; a second ferromagnetic layer having a larger magnetic coercive force than that of the first ferromagnetic layer; a nonmagnetic material of which the film thickness provided between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer monotonously changes; and a gate electrode provided on the first ferromagnetic layer via a gate insulating film.例文帳に追加

第１の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層より保磁力の大きな第２の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間に設けられた膜厚が単調に変化する非磁性体と、前記第１の強磁性体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを設ける。 - 特許庁

According to the typical configuration, at each completion of measurement, the strength of the given coil magnetic field H is returned to the initial value and the spin-valve type magnetoresistance effect elements 11, 12 are magnetically saturated, so that an operating point of current control is always performed at a fixed route from among routes having linearity in a hysteresis curve.例文帳に追加

この特徴的な構成によると、測定が完了するたびに、与えられるコイル磁界Ｈの強度が初期値に戻されるとともに、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子１１，１２が磁化飽和されるから、電流制御の動作点は、常に、ヒステリシス曲線の線形性を有するルート部分のうち、一定のルート部分で行われることになる。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element 10 is manufactured by the method including a ferromagnetic layer formation process for forming a layer made of a ferromagnetic material on a substrate 14, and a patterning process for patterning the formed layer to set the maximum length of the nano-junction 12 for connecting the ferromagnetic layers 11, 13 to the Fermi length or smaller of the ferromagnetic material.例文帳に追加

こうした磁気抵抗効果素子１０は、基板１４上に強磁性材料からなる層を形成する強磁性層形成工程と、形成された層をパターニングして、前記２つの強磁性層１１，１３を連結するナノ接合部１２の最大長さを前記強磁性材料のフェルミ長以下にするパターニング工程とを有する方法により製造される。 - 特許庁

The magnetic recording medium, in which a signal is reproduced by a reproducing head using a magnetoresistance effect element, includes a non-magnetic support, a magnetic layer including a granular iron nitride-based magnetic powder with an average particle size of 5 to 50 nm, a binder, and a nitro-triazole derivative on the non-magnetic support.例文帳に追加

磁気抵抗効果型素子を利用した再生ヘッドによって信号が再生される磁気記録媒体であって、非磁性支持体と、前記非磁性支持体上に、５〜５０ｎｍの平均粒子径を有する粒状の窒化鉄系磁性粉末、結合剤、及びニトロ基を有するトリアゾール誘導体を含有する磁性層とを備える磁気記録媒体。 - 特許庁

On each of the radiation axes that pass through a center O, in the radial direction, inside the region where the magnetic field varies as a linear function of the direction of the radiation axis, the position of the detector 10 on the X-Y coordinate can be known, by detecting the variations in the electrical resistance of each of the magnetoresistance effect elements inside the detector 10.例文帳に追加

中心Ｏを通り半径方向に延びるそれぞれの放射軸上において、放射軸の方向の磁界の強度が一次関数で変化する領域内では、前記検知器１０内の各磁気抵抗効果素子の電気抵抗の変化を検知することで、検知器１０のＸ−Ｙ座標上の位置を知ることができる。 - 特許庁

The spin valve type huge magnetoresistance effect element comprises a first antiferromagnetic layer 1, a fixed magnetic layer 2 connected to the first antiferromagnetic layer 1, a nonmagnetic conductive layer 3, a free magnetic layer 4 changing in the magnetizing direction by the signal magnetic field, and a second antiferromagnetic spacer layer 22 to be long distance exchange connected to the magnetic layer 4 via the spacer layer 21.例文帳に追加

第１の反強磁性層１と、この第１の反強磁性層１と接合する固定磁性層２と、非磁性導電層３と、信号磁界により磁化方向が変化する自由磁性層４と、この自由磁性層４に非磁性スペーサ層２１を介して長距離交換結合される第２の反強磁性層２２とを有する構成とする。 - 特許庁

The magnetic sensors 13A, and so on contain a bias magnet 14, a substrate 15 to be disposed on a magnetic pole surface of the bias magnet 14, and magnetoresistance effect elements a, and so on disposed point-symmetrically about a central point O of the substrate 15 in four regions 15a, and so on respectively positioned at an identical distance from the central point O along two axes extended orthogonally at the central point O.例文帳に追加

磁気センサ１３Ａ等を、バイアス磁石１４と、バイアス磁石１４の磁極面に配置される基板１５と、基板１５の中心点Ｏで直交して延びる２つの軸に沿い中心点Ｏからそれぞれ同一距離の位置に設定された４つの領域１５ａ等に、中心点Ｏを中心として点対称に配置された磁気抵抗効果素子ａ等で構成した。 - 特許庁

At least one of the three or more magnetoresistance effect elements is located on the slopes of a plurality of wedge-like grooves in which the plurality of band-like portions are mutually adjacently and formed on the substrate in parallel.例文帳に追加

複数の帯状部と該複数の帯状部のうち隣接する２つを接続するバイアス磁石とからなる３個以上の磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子が配設される基板とを備え、３個以上の磁気抵抗効果素子のうち少なくとも１個は複数の帯状部が基板に互いに隣り合って平行に形成された複数の楔型溝の斜面上に配置されたものである磁気センサ。 - 特許庁

This magnetoresistance effect element comprises three or more metal magnetic layers, two or more connection layers provided between the three or more metal magnetic layers wherein the connection layer includes an insulating layer and current narrowing portions formed of a metal magnetic material penetrating this insulating layer, and electrodes for passing a current through the metal magnetic layers and the connection layers in the direction perpendicular to their surfaces.例文帳に追加

３層以上の金属磁性層と、前記３層以上の金属磁性層の間に設けられた、絶縁層とこの絶縁層を貫通する金属磁性材料で形成された電流狭窄部とを含む２層以上の接続層と、前記金属磁性層および接続層の膜面垂直方向に電流を通電させる電極とを有する磁気抵抗効果素子。 - 特許庁

A DC current (DCT current) which generates a magnetic field in the direction opposite to the predetermined magnetizing direction of the pin layer adjacent to an antiferromagnetic layer, is supplied to the spin valve magnetoresistance effect element 23 (SV element) while supplying a nearly rectangular alternating current (ACT current) to a recording element 22 of the magnetic head 21 equipped with the recording element 22 and the SV element 23.例文帳に追加

記録素子２２とスピンバルブ磁気抵抗効果素子２３（ＳＶ素子）とを備える磁気ヘッド２１の記録素子２２に略矩形状の交番する電流（ＡＣＴ電流）を供給しつつ、ＳＶ素子２３に反強磁性層に隣接するピン層の所定の磁化方向に対して逆方向の磁界を発生させる直流電流（ＤＣＴ電流）を供給する。 - 特許庁

A method of manufacturing a magnetoresistance effect element including a magnetization free layer 28, a magnetization fixed layer 26, and a barrier layer 27 provided between the magnetization free layer 28 and the magnetization fixed layer 26, includes steps of: laminating a MgO layer, a Mg layer, and a ZnO layer to form the barrier layer 27; and heating the barrier layer in vacuum after the formation of the barrier layer.例文帳に追加

磁化自由層２８と、磁化固定層２６と、前記磁化自由層２８と前記磁化固定層２６との間に配置されたバリア層２７とを備える磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記バリア層２７として、ＭｇＯ層／Ｍｇ層／ＺｎＯ層を成膜する工程と、前記バリア層を成膜した後、該バリア層を真空中において加熱する工程と、を有する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element is provided with a magnetization fixing layer in which a magnetization direction is substantially fixed in one direction, a spacer layer arranged on the magnetization fixing layer while having an insulating layer and a metallic conductor penetrating through the insulating layer, and a magnetization free layer which is arranged on the spacer layer oppositely to the metallic conductor and in which the magnetization direction changes corresponding to an external magnetic field.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と，磁化固着層上に配置され，かつ絶縁層と，この絶縁層を貫通する金属導電体と，を有するスペーサ層と，スペーサ層上に，金属導電体と対向して配置され，かつ磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と，を具備する。 - 特許庁

A magnetoresistance effect laminated film is formed by laminating a ferromagnetic thin film containing at least one or more kinds of metals selected from among transition metals of iron, cobalt, and nickel and an alloy thin film containing manganese and platinum upon another and the crystal structure of the alloy thin film becomes cubic near the boundary between the laminated layers and tetragonal at a distant portion from the boundary.例文帳に追加

本発明の磁気抵抗効果積層膜は、鉄、コバルトおよびニッケルの遷移金属から選ばれる少なくとも１種類以上を含む強磁性薄膜と、マンガンおよび白金を成分とする合金薄膜を積層した構造を有する磁気抵抗効果積層膜であって、前記合金薄膜の結晶構造が積層界面の近傍で立方晶系であり、積層界面から離れた部分で正方晶系になっていることを特徴とする。 - 特許庁