「MAGNETORESISTANCE- EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目)

本発明は、磁気抵抗効果素子の製造方法に関し、より詳細には磁気抵抗効果素子の形成過程においてハード膜成膜後のリフトオフを行った後にイオンミリングを行い、磁気抵抗効果素子の最上層近辺のハード膜先端部分を加工することによりハードバイアスの効率を高めた磁気抵抗効果素子を製造する方法に関するものである。 - 特許庁

To solve problems with the surface roughness of an antiferromagnetic layer and the crystallinity of a tunnel barrier layer to obtain favorable magnetoresistance characteristics, for achieving the thinning of a tunnel magnetoresistance effect element layer.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の薄層化を図るべく、反強磁性層の表面粗さやトンネルバリア層の結晶性の問題を解消し、良好な磁気抵抗特性を得る。 - 特許庁

To provide a current sensor capable of reducing discontinuity error in response of a magnetoresistance effect element, for suppressed variation in performance, by optimizing direction of magnetic field which is applied to the magnetoresistance effect element from a primary conductor.例文帳に追加

一次導体から磁気抵抗効果素子に印加する磁界の方向を最適化することで、磁気抵抗効果素子の応答における不連続な誤差を低減でき、性能のばらつきを抑制した電流センサを提供すること。 - 特許庁

例文

This azimuth meter has a plane coil of a quadrilateral having parallel opposite sides, and four sets of spin valve type giant magnetoresistance effect element pairs comprising two of the spin valve type giant magnetoresistance effect elements provided in a plane parallel thereto.例文帳に追加

平行な対辺対を持った四辺形をした平面コイルと、それに平行な平面に設けられたスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子２個からなるスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子対４組とを有する方位計である。 - 特許庁

例文

To provide a magnetoresistance effect element having a large MR change rate, and to provide a magnetic head assembly, a magnetic recorder/reproducer, and a memory cell array using the same, and a manufacturing method of a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

本発明の実施形態によれば、劣化しにくく、ＭＲ変化率の大きい磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置、メモリセルアレイ、及び磁気抵抗効果素子の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

In this magnetoresistance effect thin-film magnetic head of a magnetic flux induction type, the width Ws of a magnetoresistance effect element (an MR element or a GMR element) 4 is formed in the range of 0.85 times to 0.95 times the width W1 of a first magnetic flux induction film 3.例文帳に追加

磁束誘導タイプの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子（MR素子又はGMR素子）４の幅Ｗｓが、第１磁束誘導膜３の幅Ｗ１の0.85倍から0.95倍の範囲内で形成されている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect device that has a high MR ratio, a high productivity and a high marketability, in a magnetoresistance effect device having a pair of ferromagnetic layers and an intermediate layer disposed between the pair of ferromagnetic layers.例文帳に追加

一対の強磁性層及び該一対の強磁性層の間に位置する中間層を有する磁気抵抗効果素子において、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

On the surface of a substrate, a magnetoresistance effect element layer 11 and a reference resistance layer 21 are connected in series and formed thereon, and a reference resistance layer 22 and a magnetoresistance effect element layer 12 are connected in series and formed thereon.例文帳に追加

基板の表面に、磁気抵抗効果素子層１１と参照抵抗層２１とが直列に接続されて形成され、参照抵抗層２２と磁気抵抗効果素子層１２とが直列に接続されて形成されている。 - 特許庁

To provide a method and device for manufacturing a magnetoresistive effect element having a high MR ratio (Magnetoresistance ratio) even at a low RA (electrical resistance value).例文帳に追加

低ＲＡでも高ＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

The barrier layer in the resonance tunnel magnetoresistance effect element includes at least two layers among layers 3021, 3022 and 3023.例文帳に追加

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子における障壁層は少なくとも２層３０２１，３０２２，３０２３で構成される。 - 特許庁

The magnetoresistance effect film 46 and a magnetic domain control film 47 are processed in final shapes after a contact hole 53 is formed.例文帳に追加

コンタクトホール５３の形成後に磁気抵抗効果膜４６および磁区制御膜４７は最終形状に削り出される。 - 特許庁

To provide a giant magnetoresistance effect element which enhances an S/N ratio and durability at a large MR change rate.例文帳に追加

大きなＭＲ変化率で、Ｓ／Ｎ比及び耐久性を向上させる巨大磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element with a high MR change rate and a magnetic recording/reproducing device using the element.例文帳に追加

本発明は、ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To enlarge an MR ratio and to reduce the coercive force of a free layer in an MR element using a tunnel magnetoresistance effect.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果を用いたＭＲ素子において、ＭＲ比を大きくし且つ自由層の保磁力を小さくする。 - 特許庁

The magnetic element and latch circuit 17 has magnetoresistance effect elements M1 and bM1, in which the tuning information is stored.例文帳に追加

磁性素子＆ラッチ回路１７は、磁気抵抗効果素子Ｍ１，ｂＭ１を有し、これにチューニング情報が記憶される。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT FOR LAMINATING HEUSLAR MAGNETIC LAYER AND NON-MAGNETIC INTERMEDIATE LAYER IN BODY-CENTERED CUBIC STRUCTURE AND MAGNETIC HEAD例文帳に追加

ホイスラー磁性層と体心立方構造の非磁性中間層を積層した磁気抵抗効果素子および磁気ヘッド - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element of a spin injection writing system which is capable of carrying out magnetization inversion at low current.例文帳に追加

低電流での磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To enlarge an MR ratio and reduce the coercive force of a free layer in an MR element using a tunnel magnetoresistance effect.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果を用いたＭＲ素子において、ＭＲ比を大きくし且つ自由層の保磁力を小さくする。 - 特許庁

To make an electric current to be conducted turnable into a high frequency current, and to enhance the sensitivity of a magnetic sensor using a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

通電する電流の高周波化が可能として、磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサの感度を高める。 - 特許庁

An element which can exhibit extraordinary magnetoresistance (EMR) effect includes an elongated channel (2) formed of silicon.例文帳に追加

異常磁気抵抗（ＥＭＲ）効果を示すことができる素子はシリコンにより形成された細長チャネル（２）を含んでいる。 - 特許庁

A TMR element 4 is a magnetoresistance effect element comprising a magnetism sensitive layer 44 where a magnetization direction changes by spin implantation.例文帳に追加

ＴＭＲ素子４は、スピン注入によって磁化方向が変化する感磁層４４を含む磁気抵抗効果素子である。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element MR is electrically connected to the second wiring W2 without interposing a spin filter SF.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子ＭＲは、スピンフィルタＳＦを介することなく第２配線Ｗ２に電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a resistance value measuring method by which the resistance value of a magnetoresistance effect element is measured with high precision.例文帳に追加

高い精度で磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定することができる抵抗値測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetoresistance effect element that is stable in a free layer and a magnetic domain at a nano-junction and is high in sensitivity in the magnetroresistance effect element for magnetic heads having BMR effect.例文帳に追加

ＢＭＲ効果を有する磁気ヘッド用の磁気抵抗効果素子において、自由層やナノ接合部の磁区の安定性や感度の高い磁気抵抗効果素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

The distance between the surface of the slope 5 of the magnet 4 and magnetoresistance effect element varies according to the rotational position of the magnet 4 and hence the flux density interlinked with the magnetoresistance effect element is univocally determined according to the rotational position of the magnet 4.例文帳に追加

この磁石４のスロープ面５の表面と磁気抵抗効果素子との間の距離は磁石４の回転位置に応じて変化するので、磁気抵抗効果素子に鎖交する磁束密度は磁石４の回転位置に応じて一義的に決定される。 - 特許庁

To provide a current sensor which can suppress variance in performance by reducing a discontinuous error in a response of a magnetoresistance effect element without an attaching means of adjusting a direction of a magnetic field to be applied to the magnetoresistance effect element from a primary conductor.例文帳に追加

一次導体から磁気抵抗効果素子に印加する磁界の方向を調整する手段を設けずに、磁気抵抗効果素子の応答における不連続な誤差を低減でき、性能のばらつきを抑制した電流センサを提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect device, a magnetic head and a read/write device using it, the magnetoresistance effect device being capable of detecting the variation of a very small amount of leakage flux from a high density magnetic recording medium made to have a narrow track with high sensitivity and high resolution.例文帳に追加

狭トラック化された高密度磁気記録媒体からの微小な漏洩磁束の変化を高感度に、かつ高分解能に検出することができる磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ヘッドならびに記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistance effect element, a tunnel magnetoresistance effect head and manufacturing methods therefor, which provides a high TMR ratio and low resistance at room temperature and allows the thickness of the tunnel barrier layer to be reduced, as compared with the conventional cases.例文帳に追加

室温下において、高ＴＭＲ比が得られると共に、低抵抗が得られ、トンネルバリア層の厚みを従来より大きくすることのできるトンネル磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗効果型ヘッドおよびそれらの製造方法を提供する - 特許庁

To manufacture an element which greatly develops the tunnel phase transform magnetoresistance (TPMR) effect or the tunnel magnetoresistance (TMR) effect by precisely controlling the shape and size of a cluster electrode, the location and thickness of layers, and spin direction.例文帳に追加

クラスタ電極の形状、サイズ、各層の位置、厚さ、ならびに、スピンの方向を精密に制御することにより、トンネル相変態磁気抵抗（ＴＰＭＲ）効果、あるいは、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）効果が大きく発現する素子を作製すること。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element capable of reducing an interlayer coupling magnetic field (Hin) between a fixed magnetic layer and a free magnetic layer, without making the sheet resistivity (RA) increase, while keeping a magnetoresistance effect rate (MR ratio) to be not less than a predetermined value.例文帳に追加

面積抵抗（ＲＡ）を増加させることなく、所定値以上の磁気抵抗効果率（ＭＲ比）を確保しつつ、固定磁化層と自由磁化層との間の層間結合磁界（Ｈｉｎ）の低減が可能な磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a resistance measuring method of a thin film capable of measuring with high precision resistance in a direction perpendicular to the film face of the thin film such as a thin film magnetoresistance effect film, and a forming method of a magnetoresistance effect film using the resistance measuring method.例文帳に追加

薄膜磁気抵抗効果膜等の薄膜について、その膜面に垂直方向の抵抗を高精度に計測することを可能にする薄膜の抵抗測定方法及びこれを用いた磁気抵抗効果膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device which includes a magnetoresistance effect element using a spin injection magnetization reversal mechanism and can prevent malfunction due to leaked magnetic field of wiring provided adjacent to the magnetoresistance effect element, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

スピン注入磁化反転機構を用いた磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置に関し、磁気抵抗効果素子の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界による誤動作を防止しうる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method includes steps of forming a material layer which is used for the magnetoresistance effect element 23, forming the magnetoresistance effect element 23 by processing at least a part of the material layer, and forming a protecting film 24 covering sides of the magnetoresistance effect element 23 under consistent vacuum condition within a device which is formed by processing at least a part of the material layer.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリの製造方法は、磁気抵抗効果素子２３となる材料層を形成する工程と、材料層の少なくとも一部を加工し、磁気抵抗効果素子２３を形成する工程と、材料層の少なくとも一部を加工した装置内において、真空一貫状態で、磁気抵抗効果素子２３の側面を覆う保護膜２４を形成する工程と具備する。 - 特許庁

The spin injection magnetic random access memory relating to the example executes write to a magnetoresistance effect element MTJ by using a spin polarized electron generated by a spin injection current Is, and is provided with means AL, D1 and S1 for impressing a magnetic field in the magnetization hard axis direction of the magnetoresistance effect element MTJ to the magnetoresistance effect element MTJ when executing the write.例文帳に追加

本発明の例に関わるスピン注入磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入電流Ｉｓにより発生させたスピン偏極電子を用いて磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対する書き込みを実行し、書き込み時に、磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対して、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの磁化困難軸方向の磁場を印加する手段ＡＬ，Ｄ１，Ｓ１を備える。 - 特許庁

The memory is provided with first magnetoresistance effect elements MTJ1 to 0 arranged in a matrix to be used as storage elements, and a second magnetoresistance effect element BMTJ1 inserted in between a bit line to which the first magnetoresistance effect elements are connected and a reading bias power source to supply a negative current from the reading bias power source circuit.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、記憶素子として使用するマトリクス状に配置された第１の磁気抵抗効果素子ＭＴＪ１−０と、該第１の磁気抵抗効果素子が接続されたビット線と読み出し用バイアス電源との間に介挿されて、該読み出し用バイアス電源回路からの負荷電流を供給する第２の磁気抵抗効果素子ＢＭＴＪ１とを具備する。 - 特許庁

A magnetoresistance-effect layer comprises a tunnel-barrier layer 26, which is interposed by a pinned layer 25 in the lower side and a free layer 27 in the upper side.例文帳に追加