「MESAS」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Dopants are implanted at an angle into mesas in the predetermined area.例文帳に追加

ドーパントが所定領域のメサに或る角度で打込まれる。 - 特許庁

Alternatively, some of the mesas may be finger-shaped and intersect with a central mesa or a bridge mesa, and some or all of the ohmic contact metal layers are interdigitated with the finger-shaped mesas.例文帳に追加

代替として、若干のメサは指形であって、中央メサまたはブリッジメサと交叉し、また若干の、または全てのオーミック接触金属層は指形メサと指を組合わせた形状である。 - 特許庁

The VCSEL1 has a first set of mesas 10, 12, 14, and 16 and a second set of mesas 20, 22, 24, and 26 arranged on a substrate.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１は、基板上に、第１組のメサ１０、１２、１４、１６と、第２組のメサ２０、２２、２４、２６を含み、第１組および第２組のメサは、基板上の基準点Ｃに関し回転対称に配置されている。 - 特許庁

The present device includes a plurality of mesa regions in which Schottky contact metal layers 310 are formed on mesas.例文帳に追加

本デバイスは複数のメサ領域を含み、これらのメサの上にショットキー接触金属層３１０が形成される。 - 特許庁

The polysilicon is recessed from an adjoining mesas, and the polysilicon is insulated from the contacting metal with an oxide layer.例文帳に追加

ポリシリコンは、隣接するメサに対してリセスされており、酸化物層によってコンタクト金属から絶縁されている。 - 特許庁

This method is the inspection method of the front and rear of the compound semiconductor wafer in which mesas are formed on both the front and rear.例文帳に追加

表面および裏面の両方にメサが形成された化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法である。 - 特許庁

The plurality of mesas may be isolated from one another and have sizes and shapes optimized for reducing the forward resistance.例文帳に追加

複数のメサは、互いに他から分離され、順方向抵抗を低下させるように、サイズ及び形状が最適化されている。 - 特許庁

The mesas 30 to 36 having such metal balls 60 and the wires 62 function as projections for preventing electrostatic discharge damage.例文帳に追加

これらの金属ボール６０およびワイヤ６２を形成したメサ３０〜３６は、静電破壊防止用の突出部として機能する。 - 特許庁

The first and second sets of mesas are arranged symmetrically with respect to a reference point C on the substrate.例文帳に追加

第１組のメサ１０〜１６は、配線層１８によって相互に接続され、かつ電極パッド４０に接続される。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes a mesa 20 for a VCSEL formed on a substrate 12, and a plurality of dummy mesas 30 to 36 arranged around the mesa 20.例文帳に追加

本発明に係る半導体レーザ装置は、基板１２上にＶＣＳＥＬ用のメサ２０と、メサ２０の周囲に配置されたダミー状の複数のメサ３０〜３６を含む。 - 特許庁

The electrostatic chuck for receiving a substrate in a substrate processing chamber comprises a ceramic puck having a substrate receiving surface and an opposing backside surface with a plurality of spaced apart mesas.例文帳に追加

基板処理チャンバ内で基板を受容する静電チャックは、基板受容面と、複数の隔置されたメサを有する対向する裏面とを有するセラミックパックを備えている。 - 特許庁

The first multilayer film Bragg reflectors 102A to 102D of the mesas 100A to 100D have different thermal resistance values so that the surface-emitting lasers 10A to 10D oscillate at different wavelengths.例文帳に追加

各メサ１００Ａ〜１００Ｄの第一多層膜ブラッグ反射鏡１０２Ａ〜１０２Ｄの熱抵抗値を異ならせ、各面発光レーザ１０Ａ〜１０Ｄから発振される波長を異なるものとしている。 - 特許庁

The surface-emitting lasers 10A to 10D include mesas 100A to 100D which respectively have first multilayer film Bragg reflectors 102A to 102D, an active layer 103, a semiconductor layer 104, and a second multilayer film Bragg reflector 105.例文帳に追加

面発光レーザ１０Ａ〜１０Ｄは、それぞれ、第一多層膜ブラッグ反射鏡１０２Ａ〜１０２Ｄ、活性層１０３、半導体層１０４，第二多層膜ブラッグ反射鏡１０５を有するメサ１００Ａ〜１００Ｄを備える。 - 特許庁

After forming the three mesas of an emitter-contact mesa, a base-collector mesa, and a sub-collector mesa to complete the fundamental structure of the transistor, the whole of the fundamental structure is covered with a protective insulating film.例文帳に追加

エミッタコンタクトメサ、ベース・コレクタメサ、サブコレクタメサの三つのメサを形成してトランジスタ基本構造を完成後、全体を保護絶縁膜で覆う。 - 特許庁

This forms mesas with rectangular cross-sections, erosion remainder parts having the multilayered seed layer at their flat top parts are positioned at a cycle L of ≈20 μm, and the sapphire substrate 101 is partially exposed at trough parts of the wing.例文帳に追加

これより、断面形状が略矩形のメサが形成され、上記の複層のシード層を平頂部に有する侵食残骸部が配置周期Ｌ≒２０μｍで配置され、ウイングの谷部にサファイア基板１０１の一部が露出した。 - 特許庁

A gate electrode 13G which is constituted of the nitride of high melting point metal WSiN, for example, whose nitrogen percent content continuously or increases stepwise gradually from a GaAs substrate 11 side and whose two sides in cross section form vertical or inverse mesas is installed.例文帳に追加

高融点金属の窒化物である例えばＷＳｉＮで構成され且つ窒素含有率がＧａＡｓ基板１１側から連続的或いは段階的に漸増し横断面形状の両側面が垂直乃至逆メサをなすゲート電極１３Ｇを備えてなることを特徴とする。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 1 includes an epitaxial layer 4 in which a plurality of trenches 7 are formed by digging from a surface and mesas 8 are formed between the adjacent trenches 7, and a Schottky metal 11 formed in contact with the surface of the epitaxial layer 4 including an inner wall surface of the trenches 7.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１は、表面から掘り下げた複数のトレンチ７が形成され、隣接するトレンチ７の間にメサ部８が形成されたエピタキシャル層４と、トレンチ７の内壁面を含むエピタキシャル層４の表面に接するように形成されたショットキメタル１１とを含む。 - 特許庁

The monitor structure 44 for monitoring the shape of the periodic structures 42a-42g is measured, as well as, on the basis of the result of the measurement, a desired periodic structure is selected from among the periodic structures 42a-42g; and a stripe mesas including the desired periodic structure is formed.例文帳に追加

該周期構造４２ａ〜４２ｇの形状のモニタ用のモニタ構造物４４を測定すると共に、測定の結果に基づき周期構造４２ａ〜４２ｇから所望の周期構造を選択して、所望の周期構造を含むストライプメサを形成する。 - 特許庁

Recesses 11 and 12 are provided to the ends of an emitter mesa and base/collector mesas, respectively, insulating organic films 13 and 14 are formed in the recesses 11 and 12, respectively, and an interface between the end of the emitter layer 5 and the base layer 4 and another interface between the base layer 4 and the collector layer 3 are covered with the insulating organic films 13 and 14.例文帳に追加

エミッタメサおよびベース・コレクタメサの端部に凹部１１および１２を形成し、これらの凹部にそれぞれ絶縁性有機膜１３および１４を形成して、エミッタ層５の端面とベース層４との界面、およびベース層４とコレクタ層３との界面を絶縁性有機膜で被覆する。 - 特許庁

The plurality of internal conductive leads 26 on the first surface of the HIC 11 lead from the etched portions of the plurality of mesas 20 up to the plurality of external conductive leads 30 on the second surface of the HIC 11 through the plurality of bias 28 in the substrate layer 12.例文帳に追加

ＨＩＣの第１面上の複数の内部導電性リード２６は、複数のメサのエッチングされた部分２０から基板層１２の中の複数のバイア２８を通ってＨＩＣの第２面上の複数の外部導電性リード３０まで通じる。 - 特許庁

After a second mask is formed, which has first and second patterns on desired first and second periodic structures positioned in different element sections, the second mask is used to form first and second striped mesas in first and second sections in a stage S110.例文帳に追加

別の素子区画に位置する第１及び第２の所望の周期構造上にそれぞれ第１及び第２のパターンを有する第２のマスクを形成した後に、第２のマスクを用いて第１及び第２の区画にそれぞれ第１及び第２のストライプメサを工程Ｓ１１０で形成する。 - 特許庁

The HIC 11 includes a plurality of vias 28 in a substrate layer 12, a plurality of mesas 20 having etched portions, a sealing ring 18, a plurality of internal conductive leads 26 formed on the first surface of the HIC 11, and a plurality of external conductive leads 30 formed on the second surface of the HIC 11.例文帳に追加

ＨＩＣ１１は、基板層１２の中の複数のバイア２８と、エッチングされた部分を有する複数のメサ２０と、シールリング１８と、ＨＩＣ１１の第１面上の複数の内部導電性リード２６と、ＨＩＣの第２面上の複数の外部導電性リード３０とを含む。 - 特許庁

In the respective mesas 100A to 100D of the surface-emitting lasers 10A to 10D, the semiconductor layer 104 has an equal outside dimension in plan view from the side of the substrate, and a current injection region 104A surrounded by a current constriction region formed by oxidation of a part of the semiconductor layer 104 has approximately an equal area.例文帳に追加

各面発光レーザ１０Ａ〜１０Ｄの各メサ１００Ａ〜１００Ｄは、基板面側からの平面視において半導体層１０４の外形寸法が等しく、かつ、半導体層１０４の一部を酸化して形成された電流狭窄領域に囲まれる電流注入領域１０４Ａが略同一面積である。 - 特許庁