例文 (999件) |
Material Changeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2814件
To efficiently perform material change and color change in a short time.例文帳に追加
材料替え、色替えを、効率よく短時間で行なう。 - 特許庁
RESISTANCE CHANGE DETECTION MATERIAL例文帳に追加
抵抗変化検出材料 - 特許庁
MATERIAL HAVING SMALL OPTICAL PATH LENGTH CHANGE例文帳に追加
光路長変化の小さい材料 - 特許庁
LOWER POWER PHASE CHANGE MEMORY CELL HAVING DIFFERENT PHASE CHANGE MATERIAL例文帳に追加
異なる相変化材料を有する低電力相変化メモリセル - 特許庁
RECORDING MATERIAL FOR PHASE CHANGE SOLID MEMORY AND PHASE CHANGE SOLID MEMORY例文帳に追加
相変化固体メモリの記録材料及び相変化固体メモリ - 特許庁
The phase-change memory cell includes a phase-change layer, formed of a phase-change material on a semiconductor body.例文帳に追加
相変化メモリセルは、相変化材料から成る相変化層を半導体ボディ上に含む。 - 特許庁
POROUS MATERIAL VOLUME CHANGE CHARACTERISTIC EVALUATION APPARATUS, POROUS MATERIAL VOLUME CHANGE CHARACTERISTIC EVALUATION METHOD例文帳に追加
多孔材料体積変化特性評価装置、多孔材料体積変化特性評価方法 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING PHASE CHANGE MATERIAL, THE PHASE CHANGE MATERIAL, AND STORAGE/TRANSPORT TECHNIQUE USING THE SAME例文帳に追加
相変化物質製造方法および相変化物質ならびにこれを用いた保存・輸送技術 - 特許庁
PHASE CHANGE MATERIAL LAYER, METHOD FOR FABRICATIBG PHASE CHANGE MATERIAL LAYER, AND MANUFACTURING METHOD FOR PHASE CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
相変化物質層、相変化物質層形成方法、及びこれを利用した相変化メモリ装置の製造方法 - 特許庁
It's difficult to change material that have been approved. 例文帳に追加
一度承認された資料を変更するのは難しい。 - Weblio Email例文集
This storage medium contains a phase change material.例文帳に追加
その記憶媒体は相変化材料を含む。 - 特許庁
PHASE-CHANGE MATERIAL ELEMENT AND SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
相変化材料素子および半導体メモリ - 特許庁
MEMORY CELL CONTAINING DOPED PHASE CHANGE MATERIAL例文帳に追加
ドープされた相変化材料を含むメモリセル - 特許庁
The phase-change material may include Ge, Sb, and Te.例文帳に追加
相変化材料はGe、Sb、及びTeを含む。 - 特許庁
PHASE CHANGE STATE DETECTOR FOR LIQUID PHASE MATERIAL例文帳に追加
液相材料の相変化状態検出装置 - 特許庁
MULTI-LEVEL DATA MEMORISATION DEVICE WITH PHASE CHANGE MATERIAL例文帳に追加
相変化材料を有するマルチレベル・データ記憶装置 - 特許庁
ATTITUDE CHANGE DEVICE FOR DISASSEMBLY OF LARGE-SIZED WASTE MATERIAL例文帳に追加
大型廃棄物の解体用姿勢変更装置 - 特許庁
PHASE-CHANGE MATERIAL CONTAINING INHIBITOR AND PREPARATION THEREOF例文帳に追加
抑制剤を含む相変化物質およびその製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE RECORDING MATERIAL AND INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加
相変化記録材料及び情報記録用媒体 - 特許庁
INFORMATION RECORDING MEDIUM AND PHASE CHANGE RECORDING MATERIAL例文帳に追加
情報記録媒体及び相変化記録材料 - 特許庁
POWER GENERATION USING THERMOELECTRIC GENERATOR AND PHASE CHANGE MATERIAL例文帳に追加
熱電発電器および相変化材料を使用する発電 - 特許庁
PHASE-CHANGE RECORDING MATERIAL AND INFORMATION-RECORDING MEDIUM例文帳に追加
相変化記録材料及び情報記録用媒体 - 特許庁
ADJUSTABLE PHASE CHANGE MATERIAL RESISTOR例文帳に追加
調整可能な相変化材料抵抗器 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING RESISTANCE CHANGE MATERIAL AND SENSOR例文帳に追加
抵抗変化材料の製造方法およびセンサ - 特許庁
WEIGHT CHANGE TYPE BUILDING BLOCK FOR FILLING OTHER MATERIAL例文帳に追加
他材質物充填用重量変換型積みブロック - 特許庁
PHASE CHANGE MATERIAL TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
相変化材料ターゲットおよびその製造方法 - 特許庁
A material data link change part 44 performs change so as to make the link indicating the material data 21a in the contents data 22 indicate the material data 21b.例文帳に追加
素材データリンク変更部44はコンテンツデータ22中で素材データ21aを指しているリンクが素材データ21bを指すように変更する。 - 特許庁
The second phase change memory element includes a second phase change material having a second crystallization temperature.例文帳に追加
前記2相変化メモリ要素は第2結晶化温度を有する第2相変化物質を備える。 - 特許庁
The first phase change memory element includes a first phase change material having a first crystallization temperature.例文帳に追加
前記1相変化メモリ要素は第1結晶化温度を有する第1相変化物質を備える。 - 特許庁
PHASE CHANGE MATERIAL, PHASE CHANGE RAM CONTAINING THE SAME, AND MANUFACTURE AND OPERATION METHOD OF THE SAME例文帳に追加
相変化物質、それを含む相変化RAM並びに、その製造及び動作方法 - 特許庁
METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MATERIAL THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
相変化物質薄膜の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁
To provide a phase change material, a phase change RAM containing the same, and a manufacture and an operation method of the same.例文帳に追加
相変化物質、それを含む相変化RAM並びに、その製造及び動作方法を提供する。 - 特許庁
To provide a phase change memory device containing a phase change material and to provide a method forming it.例文帳に追加
相変化物質を含む相変化メモリ装置及びその形成方法を提供する。 - 特許庁
FORMING METHOD OF PHASE-CHANGE MATERIAL LAYER, MANUFACTURING METHOD OF PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT USING THIS METHOD例文帳に追加
相変化物質層の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁
CONNECTION ELECTRODE SUITABLE FOR PHASE CHANGE MATERIAL, PHASE CHANGE MEMORY DEVICE PROVIDED WITH CONNECTION ELECTRODE, AND MANUFACTURING METHOD OF PHASE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加
相変化材料に適した接続電極、該接続電極を備えた相変化メモリー素子、および該相変化メモリー素子の製造方法 - 特許庁
The method of forming the phase-change material layer, the method of forming the phase-change memory element using the method and the phase-change memory element are disclosed.例文帳に追加
相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。 - 特許庁
FORMING METHOD OF PHASE-CHANGE MATERIAL LAYER, FORMING METHOD OF PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT USING THE METHOD, AND PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT例文帳に追加
相変化物質層の形成方法、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法、及び相変化記憶素子 - 特許庁
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