「Memory Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

At a P4, a memory row below the twist part in the memory cell block is selected to inspect the memory cells.例文帳に追加

Ｐ４ではメモリサブブロック中のツイスト部の下側のメモリ行が選択されてメモリセルが検査される。 - 特許庁

MEMORY DEVICE COMPRISING MULTI-BIT MEMORY CELL, ETC., HAVING MAGNETISM, RESISTOR MEMORY COMPONENT, ETC., AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

磁気及び抵抗メモリ要素等を有するマルチビットのメモリセル等を備えるメモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

The semiconductor memory is provided with a memory cell array 11 having a plurality of memory cells MC.例文帳に追加

たとえば、この半導体記憶装置は、複数のメモリセルＭＣを有するメモリセルアレイ１１を備えている。 - 特許庁

MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR DRAWING MEMORY CELL ELECTRICALLY ISOLATED IN MEMORY ARRAY TO NON-FLOATING STATE例文帳に追加

メモリデバイス、及びメモリ配列中の電気的に隔離されたメモリセルを非フローティング状態へ引き寄せる方法 - 特許庁

This memory block has a memory cell array consisting of a plurality of memory cells 210 arranged in a matrix state.例文帳に追加

このメモリブロックは、マトリックス状に配された複数のメモリセル２１０からなるメモリ・セル・アレイを有している。 - 特許庁

An MRAM cell array includes a memory cell group 200 and a reference cell, connected to the same bit line BL2.例文帳に追加

ＭＲＡＭセルアレイは、同じビット線ＢＬ２に接続されたメモリセルグループ２００と参照セルとを含む。 - 特許庁

A memory cell array is divided into a left cell array 1L and a right cell array 1R which are composed respectively of a plurality of blocks.例文帳に追加

メモリセルアレイは、それぞれ複数個のブロックからなる左右セルアレイ１Ｌ，１Ｒに分けられている。 - 特許庁

To provide a system for controlling the pre-charge level of a dual bit memory cell in a memory cell.例文帳に追加

本発明は、メモリセル内の二重ビットセルのプリチャージレベルを制御するシステムを提供することを目的とする。 - 特許庁

To detect the defective mode of stored data of a memory cell level.例文帳に追加

メモリセルレベルの記憶データの不良モードを検出する。 - 特許庁

To provide a selection circuit for a memory cell which realizes increase in a storage capacity and cost reduction of the memory cell.例文帳に追加

メモリセルの記憶容量の増大およびコストの削減を実現する、メモリセルの選択回路を提供すること。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR AUTOMATICALLY REFRESHING SEMICONDUCTOR MEMORY CELL例文帳に追加

半導体メモリ素子の自動リフレッシュ方法及び装置 - 特許庁

In this case, N-well is located at the corner of the memory cell.例文帳に追加

ここでＮウェルはメモリセルの一隅に配列される。 - 特許庁

METHOD FOR ERASURE OF ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY CELL例文帳に追加

電気的に消去可能なメモリーセルを消去する方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY CELL ARRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

半導体不揮発性メモリセルアレイとその製造方法 - 特許庁

GAIN-CELL TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF例文帳に追加

ゲインセル型半導体メモリ装置およびその駆動方法 - 特許庁

The first memory cell and the second memory cell are allocated to different addresses, and errors are corrected at different timings.例文帳に追加

上記第１メモリセルと上記第２メモリセルは、異なるアドレスに割り当てられ、異なるタイミングでエラー訂正される - 特許庁

A memory cell current is made to flow in a memory cell when reading out data is compared with a reference current set in accordance with wiring width of word lines connected to this memory cell.例文帳に追加

データの読み出し時にメモリセルに流れるメモリセル電流が、このメモリセルに接続されたワード線の配線幅に応じて設定される基準電流と比較される。 - 特許庁

To reduce the layout area of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイのレイアウト面積を低減できるようにする。 - 特許庁

MEMORY CELL USING RESISTANCE VARIATION ELEMENT AND ITS CONTROLLING METHOD例文帳に追加

抵抗変化素子を用いたメモリセルとその制御方法 - 特許庁

SIDE WALL PROCESS FOR IMPROVING FLASH MEMORY CELL PERFORMANCE例文帳に追加

フラッシュ・メモリセル性能を改良するための側壁プロセス - 特許庁

To provide the layout of the metallic lines of a memory cell for simultaneously removing various constraints relating to the design of a memory cell.例文帳に追加

メモリ・セルの設計に関する種々の制約を同時に叶えるメモリ・セルの金属ラインのレイアウトを提供する。 - 特許庁

MRAM MEMORY CELL AND METHOD FOR ACCELERATING INVERSION OF SPONTANEOUS MAGNETIZATION例文帳に追加

ＭＲＡＭメモリセル及び自発磁化反転促進方法 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR READING NON-VOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性メモリセルを読み出すための装置および方法 - 特許庁

The semiconductor device includes a memory cell MC and drivers.例文帳に追加

半導体装置は、メモリセルＭＣとドライバとを備えている。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL ARRAY, AND METHOD FOR SELECTING AND RECORDING MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL例文帳に追加

磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセル、磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイ、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルの選択記録方法 - 特許庁

A sense amplifier compares a current flowing in the memory cell with the reference voltage and detects data read out from the memory cell.例文帳に追加

センスアンプは、メモリセルに流れる電流と基準電圧を比較してメモリセルから読み出されたデータを検出する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING SELF-ALIGNED FLOATING GATE IN FLASH MEMORY CELL例文帳に追加

フラッシュメモリセルの自己整列フローティングゲート形成方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY UNIT AND ITS MULTILEVEL CELL PROGRAMMING METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリ装置及びそのマルチレベルセルプログラム方法 - 特許庁

CHARGE INJECTION METHOD AND WRITING METHOD TO MEMORY CELL例文帳に追加

メモリセルへの電荷注入方法および書き込み方法 - 特許庁

Meanwhile, the control circuit applies a second voltage to the first wirings and the second wirings in a non-selected third memory cell array that shares the second wirings with the selected first memory cell array and in a non-selected memory cell array positioned farther than the third memory cell array when viewed from the first memory cell array.例文帳に追加

一方、選択された第１のメモリセルアレイと第２配線を共有する非選択の第３のメモリセルアレイ、及び前記第１のメモリセルアレイから見て前記第３のメモリセルアレイよりも遠い側にある非選択のメモリセルアレイにおいて、第１配線及び第２配線に第２の電位を与える。 - 特許庁

And in a test for the redundant memory cell regions 1b and 1c, when the redundant memory cell column or the redundant memory cell row is already replaced, it is judged that the redundant memory cell column or the redundant memory cell row should be excluded from an object of replacement.例文帳に追加

そして、冗長メモリセル領域１ｂ及び１ｃに関するテストにおいて、冗長メモリセル列又は冗長メモリセル行が置換済みである場合には、当該冗長メモリセル列又は当該冗長メモリセル行を置換の対象から除外すべきと判断されるように構成している。 - 特許庁

This device has a memory cell transistor and a peripheral circuit transistor.例文帳に追加

メモリセルトランジスタと周辺回路トランジスタとを有する。 - 特許庁

METHOD OF SHAPING PHASE-CHANGE LAYER IN PHASE-CHANGE MEMORY CELL例文帳に追加

相変化メモリセルにおける相変化層の成形方法 - 特許庁

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC HEAD例文帳に追加

強磁性トンネル接合素子、磁気メモリセル及び磁気ヘッド - 特許庁

The flash cell array is composed of a plurality of flash memory cells.例文帳に追加

フラッシュセルアレイは、複数のフラッシュメモリセルで構成される。 - 特許庁

This device has a first bit line pair BM, /BM reading data from an arbitrary memory cell in a memory cell column, a second bit line pair BS, /BS writing data in the other arbitrary memory cell in the memory cell column, and a readout line OLCD for display reading successively display data from the memory cell column.例文帳に追加

メモリセル列の任意のメモリセルよりデータを読み出す第１のビット線対ＢＭ，／ＢＭと、メモリセル列の他の任意のメモリセルにデータを書き込む第２のビット線対ＢＳ，／ＢＳとは、メモリセル列から順次表示データを読み出す表示用読み出し線ＯＬＣＤとを有する。 - 特許庁

A pair of word line accesses a memory cell so that any word line being enabled accesses data in a memory cell.例文帳に追加

イネーブルされたいずれかのワード線がメモリセル内のデータへアクセスするように一対のワード線がメモリセルへアクセスする。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY RESISTOR CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリ抵抗体セル及びその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS MEASURING METHOD OF CELL CURRENT例文帳に追加

半導体メモリ装置およびそのセル電流測定方法 - 特許庁

MEMORY CELL PROVIDED WITH TRENCH CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

トレンチキャパシタを備えたメモリセル及びその製造方法 - 特許庁

An equalizing circuit is formed by utilizing a dummy memory cell group arranged conventionally around a regular memory cell group.例文帳に追加

正規のメモリセル群の周辺に従来から配置されていたダミーメモリセル群を利用してイコライズ回路を形成する。 - 特許庁

STACKED FERROELECTRIC MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スタック型強誘電体メモリセル及びその製造方法 - 特許庁

MEMORY CELL HAVING SIDEWALL SPACER OF IMPROVED HOMOGENEITY例文帳に追加

均質性が改善された側壁スペーサを備えたメモリセル - 特許庁

The selection control circuit 16 is connected to a memory cell block 5, and provided for each memory cell block 5.例文帳に追加

選択制御回路１６は、メモリセルブロック５に接続され、各メモリセルブロック５に対してそれぞれ設けられる。 - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT AND CHARGE METHOD OF TRAP CHARGE LAYER OF MEMORY CELL例文帳に追加

集積回路とメモリセルのトラップチャージ層のチャージ方法 - 特許庁