「Memory Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(177ページ目) - Weblio英語例文検索

A through-hole 43 and a contact hole 21, which connect the lower electrode 49 of the noise reduction capacitor Cn to an N+-type semiconductor region 6 are wider in opening area than a through-hole 43 and a contact hole 21 which connect the data storage capacitor element Cs to either of the source and drain (N--type semiconductor region 11) of the memory cell selection MISFET Qs.例文帳に追加

また、ノイズ対策用容量素子Ｃn の下部電極４９とｎ^+ 型半導体領域６とを接続するスルーホール４３とコンタクトホール２１の開孔面積は、情報蓄積用容量素子Ｃs とメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴＱs のソース、ドレイン（ｎ^- 型半導体領域１１）の一方とを接続するスルーホール４３とコンタクトホール２１の開孔面積よりも広い。 - 特許庁

If an RCM (risk control matrix) from a user terminal apparatus 2 is received by a communication interface 24 of a document data check apparatus 1, a document data check section 15 reads a message for users related with adaptation representation which is in agreement with each word of the RCM or a representation in each clause, in adaptation representation on a single cell rule database 13 memorized by a memory device 12.例文帳に追加

文書データチェック装置１の通信インタフェース２４によりユーザ端末装置２からのＲＣＭ（リスクコントロールマトリックス）が受信されると、文書データチェック部１５は、記憶装置１２に記憶される単セルルールデータベース１３上の適合表現のうち、ＲＣＭの各単語や各文節中の表現と一致する適合表現と関連付けられるユーザ向けメッセージを読出す。 - 特許庁

A load MISFET Qp_2 comprising the SRAM memory cell is formed by embedding a gate insulating film composed of a high dielectric constant material 19 and a gate electrode composed of a metal film 20 within a gate groove 18 after forming the gate groove 18 on a semiconductor wafer 1, and further, a capacity insulating film of a coupling capacitor C_1 is formed of the high dielectric constant material 19.例文帳に追加

半導体基板１上にゲート溝１８を形成した後、ゲート溝１８の内部に高誘電率材料１９からなるゲート絶縁膜および金属膜２０からなるゲート電極を埋め込んでＳＲＡＭメモリセルを構成する負荷用ＭＩＳＦＥＴＱｐ_2を形成し、さらに上記高誘電率材料１９によってカップリング容量Ｃ_1の容量絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In reading, specified voltages are applied to word lines and source lines to set the voltage of the bit line BL according to the threshold voltage of a selected memory cell, the level change of a node ND0 is detected with a stepwise varying level type read signal VBLA3H applied to the gate of a high-withstand voltage transistor N1, thereby judging the voltage of the bit line BL.例文帳に追加

読み出しのとき、ワード線およびソース線にそれぞれ所定の電圧を印加することにより、選択メモリセルのしきい値電圧に応じてビット線ＢＬの電圧が設定され、高耐圧トランジスタＮ１のゲートに階段状にレベルが変化する読み出し信号ＶＢＬＡ３Ｈを印加しながら、ノードＮＤ０のレベル変化を検出することにより、ビット線ＢＬの電圧を判定する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory cell has a plurality of floating gate type transistor T2, T3 which are controlled by a common control gate CG and connected in parallel, wherein the floating gate type transistors T2, T3 and a selecting transistor T1 are linearly arranged on a semiconductor substrate and the drains of the floating gate type transistors T2, T3 are each connected by a metal wiring 22.例文帳に追加

共通のコントロールゲートＣＧで制御されるとともに、互いに並列接続された複数のフローティングゲート型トランジスタＴ２、Ｔ３を有し、複数のフローティングゲート型トランジスタＴ２、Ｔ３と選択トランジスタＴ１とが半導体基板上で直線状に配列されたものであって、複数のフローティングゲート型トランジスタＴ２、Ｔ３の各ドレインが直線状のメタル配線２２で接続される。 - 特許庁

The hold memory circuit 24 is provided with: a delay circuit for delaying an inputted horizontal synchronizing signal LS; a hold latch cell for latching display data DR, DG and DB on the basis of the horizontal synchronizing signal LS delayed by the delay circuit; and a control circuit for outputting an output timing signal LSOUT to the switch circuit 28 when the horizontal synchronizing signal LS delayed by the delay circuit is inputted.例文帳に追加

ホールドメモリ回路２４は、入力された水平同期信号ＬＳを遅延させる遅延回路と、遅延回路により遅延された水平同期信号ＬＳに基づいて表示データＤＧ・ＤＢ・ＤＢをラッチするホールドラッチセルと、遅延回路により遅延された水平同期信号ＬＳが入力されるとスイッチ回路２８に出力タイミング信号ＬＳＯＵＴを出力するコントロール回路とを備える。 - 特許庁

Information is written or rewritten to the memory cell by turning on the write transistor and applying a potential to a node where one of a source electrode and drain electrode of the write transistor, one electrode of the capacitor, and a gate electrode of the read transistor are electrically connected to one another, and then turning off the write transistor so that the prescribed amount of charge is held in the node.例文帳に追加

該メモリセルへの情報の書き込み及び書き換えは、書き込み用トランジスタをオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子の電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極とが電気的に接続されたノードに電位を供給し、その後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させることで行う。 - 特許庁

The writing circuit divides the pulse width of the writing pulse into a plurality of sections to change the pulse height among the sections to provide voltages for writing to different target threshold levels, and brings the bit line connected with the memory cell in which writing to the respective target threshold levels is performed, into a writable selected state by synchronizing it with the applying period to the respective target threshold level.例文帳に追加

書き込み回路は、書き込みパルスのパルス幅を複数の区間に分割して各区間で異なる目標しきい値レベルへの書き込み用電圧となるようにパルス高さを切り替えると共に、各目標しきい値レベルへの書き込みが行われるメモリセルが接続されたビット線を各目標しきい値レベルへの印加期間に同期させて書き込み可能な選択状態とすることを特徴とする。 - 特許庁

A data converting circuit converting parallel data of a plural of bits read out from a memory cell section to serial data has a selector control section generating a control signal based on burst length information and address information, and a selector section receiving parallel data of a plural of bits, selecting the prescribed number out of the plural of bits based on the control signal, and outputting the selected bit in serial.例文帳に追加

メモリセル部から読み出された複数ビットのパラレルデータをシリアルデータに変換するデータ変換回路は、バースト長情報とアドレス情報に基づいて制御信号を生成するセレクタ制御部と、前記複数ビットのパラレルデータを受け、前記制御信号に基づいて前記複数ビットのうちの所定数を選択し、その選択したビットをシリアルに出力するセレクタ部を有することを特徴とする。 - 特許庁

A chemical mechanical polishing step of a trench element separating film 29 is performed by a slurry having a high polishing selection ratio to an oxide film 23 rather than to a nitride film 25, a self-alignment floating gate is formed by a slurry having a high polishing selection ratio to a polycrystal silicon rather than to the oxide film, so that the flash memory cell is manufactured.例文帳に追加

窒化膜２５より酸化膜２３に対して高い研磨選択比を有するスラリーでトレンチ素子分離膜２９の化学的な機械的な研磨（Ｃｈｅｍｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程をおこない、酸化膜より多結晶シリコンに対して高い研磨選択比を有するスラリーで自己整列フローティングゲートを形成してフラッシュメモリ素子を製造することを特徴とする。 - 特許庁

The memory cell includes: a first control gate electrode CG1; a first interpoly insulation film IPD1 formed on the first control gate electrode CG1; floating gate electrodes FG formed on the first interpoly insulation film IPD1; a second interpoly insulation film IPD2 formed on the floating gate electrodes FG; and a second contact gate electrode CG2 formed on the second interpoly insulation film IPD2.例文帳に追加

メモリセルは、第１コントロールゲート電極ＣＧ１と、第１コントロールゲートＣＧ１電極上に形成された第１インターポリ絶縁膜ＩＰＤ１と、第１インターポリ絶縁膜ＩＰＤ１上に形成されたフローティングゲート電極ＦＧと、フローティングゲート電極ＦＧ上に形成された第２インターポリ絶縁膜ＩＰＤ２と、第２インターポリ絶縁膜ＩＰＤ２上に形成された第２コンタクトゲート電極ＣＧ２と、を有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor storage device comprises the steps of forming a floating gate formed via a tunnel oxide film on a semiconductor substrate between a source region and a drain region formed on the substrate in a laminated structure of a first conductive film and a second conductive film, and constituting a memory cell having a control gate formed on the floating gate via the interlayer capacitive film.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたソース領域とドレイン領域との間の前記半導体基板上にトンネル酸化膜を介して形成されたフローティングゲートが第１導電膜と第２導電膜より積層構造に形成され、前記フローティングゲート上に層間容量膜を介して形成されたコントロールゲートとを備えたメモリセルより構成される半導体記憶装置により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

Write data externally given is latched to data latch circuits DLL, DLR, it is discriminated that latched write data corresponds to which threshold of multi-level values for every write operation of plural stages, write control information being a discriminated result is latched to a sense latch circuit SL, write operation for setting threshold voltage of a multi-level to a memory cell is performed step up step.例文帳に追加

外部から与えられる書込みデータをデータラッチ回路（ＤＬＬ，ＤＬＲ）にラッチし、ラッチした書込みデータが多値のどの閾値に対応するかを複数段階の書込み動作毎に判定してその判定結果である書込み制御情報をセンスラッチ回路（ＳＬ）にラッチさせ、ラッチされた書込み制御情報に従って、多値の閾値電圧をメモリセルに設定するための書込み動作を段階的に行なう。 - 特許庁

The memory cell 106 includes a first electrode 120, a second electrode 122, a layer 124 of phase change material extending from a first contact 130 with the first electrode 120 to a second contact 132 with the second electrode 122, and a sidewall spacer 126 contacting the second electrode 122 and a sidewall of the layer 124 of phase change material adjacent to the second contact 132.例文帳に追加

メモリセル１０６は、第１の電極１２０と、第２の電極１２２と、上記第１の電極１２０との第１接触部１３０から上記第２の電極１２２の第２接触部１３２へと伸びる相変化材料の層１２４と、上記第２の電極１２２と、上記相変化材料の層１２４の上記第２接触部１３２に隣接する側壁とに接触する側壁スペーサ１２６とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a sensing unit including first cross-coupled MOS transistors to sense and amplify difference between voltage applied to a first node and that to a second node, and a unit cell latching data by using second cross-coupled MOS transistor and providing a first signal and a second signal corresponding to the latched data to the first node and the second node.例文帳に追加

本発明の半導体メモリ装置は、第１のクロスカップルされたＭＯＳトランジスタを備え、第１のノード及び第２のノードに印加される電圧の差を検出して増幅するセンシング部と、第２のクロスカップルされたＭＯＳトランジスタを用いてデータをラッチし、ラッチされたデータに対応する第１の信号及び第２の信号を前記第１のノード及び第２のノードに提供する単位セルとを備える。 - 特許庁

Concerning the semiconductor integrated circuit having a memory cell array 1, plural word lines 2, plural bit lines 8, a selector circuit 3 and plural sense amplifiers 4, this circuit is provided with plural sense amplifier enable signal lines 5 respectively individually connected to the plural sense amplifiers and a sense amplifier activate signal generating circuit 6 for independently outputting a sense-amplifier-enable signal at arbitrary timing.例文帳に追加

メモリセルアレイ１と、複数のワード線２と、複数のビット線８と、セレクタ回路３と、複数のセンスアンプ４とを有する半導体集積回路において、複数のセンスアンプのそれぞれに個別に接続される複数のセンスアンプイネーブル信号線５と、複数のセンスアンプイネーブル信号線５に接続されて、独立的に任意のタイミングでセンスアンプイネーブル信号を出力するセンスアンプ活性化信号発生回路６とを備える。 - 特許庁

It is possible to improve the performance of a charge pump and select a plurality of memory cell blocks by inputting a frequency, which is at least a clock frequency at a clock deleting operation or a clock writing operation, the clock being to be supplied to the charge pump, at the time of reading and at the time of standby.例文帳に追加

1つのメモリセルブロックを消去及び書込みする能力をもつチャージポンプ回路を含む電源回路で、メモリセルブロックを1つづつ選択することで、複数メモリセルブロックの消去及び書込みができ、 読出し及びスタンバイ時には、チャージポンプへ供給するクロックを消去及び書込み動作時のクロック周波数以上の周波数を入力することで、チャージポンプ能力を高め複数のメモリセルブロックを選択できるようにする。 - 特許庁

The NAND flash memory device includes: a cell array including a plurality of pages; a page buffer storing program data of the plurality of pages; a data storage circuit providing program verification data to the page buffer; and a control unit programming the plurality of pages without program verification operation and performing a program verification operation on the plurality of pages by using the program verification data.例文帳に追加

本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリ装置は、複数のページを有するセルアレイと、前記複数のページのプログラムデータを格納するページバッファと、プログラム検証データを前記ページバッファに提供するためのデータ格納回路と、プログラム検証動作なしに前記複数のページをプログラムし、前記プログラム検証データを用いて前記複数のページに対するプログラム検証動作を行うための制御ユニッと、を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory having a charge storage layer and a control gate, and its fabricating method, in which integration is enhanced by suppressing back bias effect and the ratio of capacity between a floating gate and a control gate is increased furthermore without increasing the occupation area while suppressing variation of cell characteristics caused by the fabrication process.例文帳に追加

電荷蓄積層及び制御ゲートを有する半導体記憶装置のバックバイアス効果による影響を低減させることにより集積度を向上させ、占有面積を増加させずに浮遊ゲートと制御ゲートとの容量の比をより一層増大させるとともに、製造プロセスに起因するセル特性のばらつきが抑制された半導体記憶装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a TC parallel unit serially connected type ferroelectric memory, a dummy upper electrode 25 which is not connected to another element is disposed in a capacitor of a terminal end of the block in which a block selecting transistor 6 or a plate line is disposed, so that an upper electrode 20 in the capacitor used for the cell is not disposed at an outermost periphery to prevent a deterioration of the ferroelectric capacitor characteristics.例文帳に追加

ＴＣ並列ユニット直列接続型強誘電体メモリにおいて、ブロック選択トランジスタ６、又は、プレート線が配置されるメモリセルブロックの終端のキャパシタ内に、他の素子に接続されないダミー上部電極２５を配置し、メモリセルに使用しているキャパシタ内の上部電極２０が最外周にこない様にして、ブロック終端部における、強誘電体キャパシタ特性の劣化を防止する。 - 特許庁

The memory cell MC includes a first gate electrode WG formed on a channel region 4 in a semiconductor substrate 1 through a gate insulation film 5, a second gate electrode CG formed at a side of the first gate electrode WG and coupled with the first gage electrode WG through an insulation substance, and an electric charge trap film 6 formed at least between the channel region 4 and the second gate electrode CG.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、半導体基板１中のチャネル領域４上にゲート絶縁膜５を介して形成された第１ゲート電極ＷＧと、第１ゲート電極ＷＧの側方に形成され絶縁体を介して第１ゲート電極ＷＧとカップリングする第２ゲート電極ＣＧと、チャネル領域４と第２ゲート電極ＣＧとの間に少なくとも形成された電荷トラップ膜６とを有する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory cell 20 corresponding to input address information has a variable resistive element 14 comprising materials having a perovskite type crystal structure, in which resistance values between electrodes change reversibly by voltage values impressed between a pair of electrodes, and the resistance values are sustained after impression of the voltage; and a MOS transistor in which the variable resistive element 14 and a drain area 13 which is a driving area are connected.例文帳に追加

入力アドレス情報に対応した不揮発性半導体メモリセル２０は、一対の電極間に印加される電圧値によって、電極間の抵抗値が可逆的に変化し、電圧印加後も抵抗値を保持するペロブスカイト型結晶構造を有する材料から成る可変抵抗素子１４と、その可変抵抗素子１４と駆動領域であるドレイン領域１３とが接続されたＭＯＳトランジスタとを有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the nonvolatile memory cell comprises the steps of: forming a tunnel oxide film, a floating gate electrode, a dielectric film, and a control gate electrode; forming a source and drain region by processing a source/drain ion implantation; forming an oxide layer on the source and drain region by selectively processing oxidation; and forming a spacer on the both sides of the floating gate electrode and the control gate electrode.例文帳に追加

半導体基板上部にトンネル酸化膜、フローティングゲート電極、誘電体膜及びコントロールゲート電極を形成する段階と、ソース／ドレインイオン注入工程を行ってソース及びドレイン領域を形成する段階と、選択的酸化工程を行って前記ソース及びドレイン領域上に酸化層を形成する段階と、前記フローティングゲート電極及びコントロールゲート電極の両側面にスペーサを形成する段階とを含んでなる。 - 特許庁

This bootstrap circuit is constituted so that a high potential power source voltage HVCC and a low potential power source voltage LVCC are sensed, clamp is performed at only the high potential power source voltage HVCC, and normal operation is performed at the low potential power source voltage LVCC, and read-out operation of a flash memory cell can be performed stably by controlling easily a level of word line boost voltage.例文帳に追加

高電位電源電圧ＨＶｃｃと低電位電源電圧ＬＶｃｃを感知し、高電位電源電圧ＨＶｃｃでのみクランプを行い、低電位電源電圧ＬＶｃｃでは正常動作を行うようにブートストラップ回路を構成してワードラインブースト電圧のレベルを容易に制御することにより、フラッシュメモリセルの読出動作を安定的に行うことが可能なブートストラップ回路を提示する構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

A method for programming the semiconductor memory device includes the steps of: charging at least one inhibit string channel connected to a program bit line among a plurality of bit lines and at least one channel among inhibit strings connected to an inhibit bit line, to a precharge voltage supplied to a common source line; and boosting the precharged channel by supplying a word line voltage to a plurality of cell strings.例文帳に追加

本発明による半導体メモリー装置のプログラム方法は、複数のビットラインの中でプログラムビットラインに連結される少なくとも１つのインヒビットストリングのチャンネルと、インヒビットビットラインに連結されるインヒビットストリングの中で少なくとも何れか１つのチャンネルとを共通ソースラインに供給されるプリチャージ電圧に充電する段階と、ワードライン電圧を複数のセルストリングに供給してプリチャージされたチャンネルをブースティングさせる段階と、を有する。 - 特許庁

The integrated circuit comprising a switching device which is a switching device connected to at least one line pair to which dual rail signals are applicable, can be controlled by the signal applied to a control terminal and can be used for transmitting the dual rail signals (applied to the line pair) to the further line pair and a memory cell which is connected to a supply potential connection by the controllable switch.例文帳に追加

本発明は、デュアルレール信号が印加され得る少なくとも１つのラインペアに接続されたスイッチングデバイスであって、制御端子に印加された信号によって制御され得、かつ、（ラインペアに印加された）デュアルレール信号をさらなるラインペアに伝送するために用いられ得る、スイッチングデバイスと、さらなるラインペアに接続され得るメモリセルであって、制御可能スイッチにより供給電位接続に接続される、メモリセルとを特徴とする集積回路を提示する。 - 特許庁

A readout transistor 10 which reads data out by detecting the deviation of the polarization of the ferroelectric film of a selected ferroelectric capacitor 30 is connected to one end of a series circuit constituted by connecting multiple ferroelectric capacitors 30 successively in a bit-line direction and a memory cell block is composed of multiple ferroelectric capacitors 30, selection transistors 20, and one readout transistor 10.例文帳に追加

複数個の強誘電体キャパシタ３０がビット線方向に連続に接続されてなる直列回路の一端には、選択された強誘電体キャパシタ３０の強誘電体膜の分極の偏位を検知することによりデータを読み出す読み出しトランジスタ１０が接続されており、複数個の強誘電体キャパシタ３０、複数個の選択トランジスタ２０及び１個の読み出しトランジスタ１０によってメモリセルブロックが構成されている。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device including an OTPROM, each memory cell transistor 101 has a drain 102 electrically connected to a projecting part 107 formed integrally with a bit line 105 at directly under the projecting part 107, and the device is programmed by fusing the bases 106 of the predetermined projecting parts 107 selected for the bit line 105.例文帳に追加

本発明のＯＴＰＲＯＭを含む半導体集積回路装置は、各メモリセルトランジスタ１０１のドレイン１０２が、ビット線１０５と一体に形成された突出部１０７の直下で突出部１０７に電気的に接続されており、選択された所定の突出部１０７のビット線１０５に対する付け根１０６がレーザ１１２で溶断されプログラムされたことを特徴とするＯＴＰＲＯＭを含む半導体集積回路装置である。 - 特許庁

While a bit line is pre-charged by two different voltage being the exact opposite each other having a first voltage value and a second voltage value, read-out can be performed in a memory cell, two voltage values obtained in this case are attained by enabling buffer to a first or a second capacitor respectively before these two voltage values are supplied to an evaluator to be compared.例文帳に追加

上記課題は、本発明によれば、ビットラインが２つの互いに異なる正反対の電圧に第１の電圧値及び第２の電圧値によってプリチャージされている間に、メモリセルは次々に読み出し可能であり、この場合に得られる２つの電圧値は、これら２つの電圧値が互いに比較されるために評価器に供給される前に、それぞれ第１の乃至は第２のキャパシタンスにバッファ可能であることによって解決される。 - 特許庁

A restorable RAM block comprises plural segment of a RAM memory cell being restorable respectively, a state machine generating restoring data for restoring one or plural defective segments, a scan address machine generating data discriminating one or plural defective segments, and a mapping circuit mapping restored data generated by a state machine to one or plural defective segments discriminated by the scan address machine.例文帳に追加

本発明は、それぞれ修復可能なＲＡＭメモリセルの複数のセグメントと、1つまたは複数の欠陥セグメントを修復するための修復データを生成する状態機械と、１つまたは複数の欠陥セグメントを識別するデータを生成するスキャンアドレスマシンと、スキャンアドレスマシンにより識別された１つまたは複数の欠陥セグメントに状態機械により生成された修復データをマップするマッピング回路と、を含む修復可能なＲＡＭブロックを提供する。 - 特許庁

The semiconductor storage has: a word line selection circuit connected to a row address signal so that a desired word line is selected according to address input; and a pseudo word line potential fixation circuit connected to the word line of the pseudo memory cell.例文帳に追加

アドレス入力に応じて所望のワード線を選択するように行アドレス信号と接続されたワード線選択回路と、疑似メモリセルのワード線に接続された疑似ワード線電位固定回路とを備え、疑似ワード線電位固定回路をワード線選択回路と同様にＮＡＮＤゲートＮＡＮＤＲ（ｉ）（ｉ＝−１〜ｍ＋２）とインバータＩＮＶＲ（ｉ）（ｉ＝−１〜ｍ＋２）で構成し、疑似ワード線電位固定回路の入力は疑似メモリセルのワード線を常に非選択となるように行アドレス信号と接続されている。 - 特許庁

The ferroelectrics memory cell used for an FeRAM element includes a first active region 10 including the gate of a depletion type transistor, a second active region 20 including the gate of an enhancement type transistor and abutting on the first active region 10, a word line 66 connected with the gates of the depletion type and enhancement type transistors, and a ferroelectrics capacitor for storing data therein and connected with the drain of the enhancement type transistor.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ素子に用いられる強誘電体メモリセルにおいて、空乏形トランジスタのゲートを含む第１活性領域１０と、エンハンスメント形トランジスタのゲートを含んで、前記第１活性領域と接する第２活性領域２０と、前記空乏形トランジスタのゲート及び前記エンハンスメント形トランジスタのゲートが接続されているワードライン６６と、データを貯蔵し、前記エンハンスメント形トランジスタのドレインに接続された強誘電体キャパシタとを含んでなる。 - 特許庁

In this case, the circuit is provided with an arithmetic part 56 for logically operating the parallel data read of each memory cell 16a, 16b on the rest mode.例文帳に追加

外部から供給される直列データを並列データに変換する入力変換部４２と、並列データの各データをそれぞれ書き込む複数のメモリセル領域１６ａ、１６ｂと、各メモリセル領域１６ａ、１６ｂから読み出されるデータにより生成される並列データを直列データに変換する出力変換部４４とを備えた半導体集積回路において、試験モード時に、各メモリセル領域１６ａ、１６ｂから読み出される並列データを論理演算する演算部５６を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

A VPP generating circuit 100 included in a semiconductor integrated circuit comprises a VPP dividing circuit 10 dividing boosting voltage VPP, a VDDA dividing circuit 11 dividing array voltage supplied to a memory cell array region, a VREFD generating circuit 12 generating reference voltage VREFD based on an output of the VDDA dividing circuit 11, and a comparator section 13 comparing reference voltage VREFD with voltage VPPn outputted by the VPP dividing circuit 10.例文帳に追加

本発明に係る半導体集積回路に含まれるＶＰＰ発生回路１００は、昇圧電圧ＶＰＰを分割するＶＰＰ分割回路１０、メモリセルアレイ領域に供給するアレイ電圧を分割するＶＤＤＡ分割回路１１、ＶＤＤＡ分割回路１１の出力に基づき基準電圧ＶＲＥＦＤを発生するＶＲＥＦＤ発生回路１２、および基準電圧ＶＲＥＦＤとＶＰＰ分割回路１０の出力する電圧ＶＰＰｎとを比較するコンパレータ部１３とを含む。 - 特許庁