「Memory Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To read a memory cell at high speed by a large current by preventing read disturbance of the memory cell using a spin injection magnetization reversal.例文帳に追加

スピン注入磁化反転を用いたメモリセルの読み出しディスターブを防ぎ、大電流で高速に読み出す。 - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT HAVING MEMORY CELL AND OPERATION METHOD THEREFOR例文帳に追加

メモリセルを有する集積回路、およびその動作方法 - 特許庁

A row of a normal memory cell comprising a memory cell in which defect is caused can be substituted by a useful row of a redundant memory cell having no defect by controlling operation of such the selection circuit 32 without connecting a row of a redundant memory cell and a row of a normal memory cell substituted generally.例文帳に追加

このような選択回路３２の作動を制御することによって、不良が生じたメモリセルを含むノーマルメモリセルのローは、リダンダントメモリセルのローが一般的に代えられたノーマルメモリセルのローと連結されていなくても、不良がないリダンダントメモリセルの有用なローに代えることができる。 - 特許庁

A control circuit applies a first voltage to the first wirings and the second wirings in a non-selected second memory cell array that shares the first wirings with the selected first memory cell array and in a non-selected memory cell array positioned farther than the second memory cell array when viewed from the first memory cell array.例文帳に追加

制御回路は、選択された第１のメモリセルアレイと第１配線を共有する非選択の第２のメモリセルアレイ、及び第１のメモリセルアレイから見て第２のメモリセルアレイよりも遠い側にある非選択のメモリセルアレイにおいて、第１配線及び第２配線に第１の電位を与える。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC STORAGE CELL, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気記憶セルおよび磁気メモリデバイス - 特許庁

FLASH MEMORY BY IDENTICAL CELL STRUCTURE AND DRAM HYBRID CIRCUIT例文帳に追加

同一セル構造によるフラッシュメモリとＤＲＡＭ混載回路 - 特許庁

The memory cell is a three terminal element and a read current does not flow through the conductor path of the memory cell during read operation.例文帳に追加

メモリセルは３端子素子であり、読み取り操作中、読み取り電流はメモリセルの導体経路を流れない。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY CELL HAVING STEP-LIKE PROGRAMMING CHARACTERISTICS例文帳に追加

階段状のプログラミング特性を有する相変化メモリセル - 特許庁

A second reading operation is executed to read data from a dummy memory cell before a first reading operation for reading data from a real memory cell by using a reference memory cell.例文帳に追加

リファレンスメモリセルを利用してリアルメモリセルからデータを読み出す第１読み出し動作の前に、ダミーメモリセルからデータを読み出す第２読み出し動作が実行される。 - 特許庁

MANUFACTURE OF MEMORY CELL CAPACITOR AND SUBSTRATE PROCESSING EQUIPMENT例文帳に追加

メモリセル用キャパシタの製作方法及び基板処理装置 - 特許庁

To stably and correctly execute reading from a memory cell.例文帳に追加

メモリセルからの読み出しを、誤りなく安定して行う。 - 特許庁

MULTIBIT FLUSH MEMORY CELL AND METHOD OF PROGRAMMING USING THE SAME例文帳に追加

マルチビットフラッシュメモリセル及びこれを用いたプログラム方法 - 特許庁

MEMORY CELL, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

メモリセル及び半導体記憶装置及びその製造方法 - 特許庁

PROGRAMMING/ERASING VOLTAGE SUPPLY CIRCUIT OF FLASH MEMORY CELL例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のプログラム／消去電圧供給回路 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND METHOD FOR CONTROLLING DATA WRITE/READ AT NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性半導体メモリセル、並びに、不揮発性半導体メモリセルにおけるデータ書き込み・読み出し制御方法 - 特許庁

To miniaturize an individual cell constituting a memory circuit.例文帳に追加

メモリ回路を構成する個々のセルを小さくすること。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DETERIORATION CELL COLUMN RELIEVING METHOD例文帳に追加

半導体記憶装置及び劣化セル列救済方法 - 特許庁

The memory cell array in the semiconductor storage system is configured so that 3-bit information can be stored in one memory cell MC.例文帳に追加

メモリセルアレイは、１つのメモリセルＭＣ中に３ビットの情報を記憶することが可能に構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a memory cell MC1 and a memory cell MC2, which are formed on a main face of a substrate 1S and are adjacently arranged.例文帳に追加

基板１Ｓの主面に形成され、隣り合って配置されたメモリセルＭＣ１およびメモリセルＭＣ２を含む。 - 特許庁

This gives that as a memory cell is programmed after being initialized to a reset or set state, it is possible to correctly program the memory cell without influence from the previous state of the memory cell.例文帳に追加

これにより、メモリセルをリセット状態又はセット状態に初期化した後に所望の状態にプログラムするので以前状態の影響を受けず正確にプログラムできる。 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY CELL AND DATA LATCH INCORPORATING IT例文帳に追加

不揮発性メモリセル及び不揮発性メモリセル内蔵データラッチ - 特許庁

To store data for each cell such as a memory test.例文帳に追加

メモリテスト等の各セル毎のデータの保存を可能にする。 - 特許庁

To miniaturize addresses of a memory cell having errors.例文帳に追加

エラーを有するメモリセルのアドレスを大幅にコンパクト化する。 - 特許庁

A power source cut off circuit is provided corresponding to a memory cell group for each entry, a power source is not supplied to a memory cell of a memory cell group of entry in which stored data is invalid, and an off-leak current is prevented to flow in a memory cell of a memory cell group of entry in which stored data is invalid.例文帳に追加

エントリごとにメモリセル群に対応して電源切断回路を設け、記憶データが無効であるエントリのメモリセル群のメモリセルには電源を供給しないようにし、記憶データが無効であるエントリのメモリセル群のメモリセルにオフリーク電流が流れないようにする。 - 特許庁

NAND FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD OF IMPROVING CHARACTERISTIC OF CELL IN THE SAME例文帳に追加

ナンドフラッシュメモリ装置とそのセル特性改善方法 - 特許庁

A memory cell controlling means 4 turns a memory cell 5 into a rewritable state by the detected signal B.例文帳に追加

このときの検出信号Ｂによると、メモリセル制御手段４はメモリセル５を再書込み可能状態とする。 - 特許庁

DETECTING DEVICE AND DETECTION FOR FAULTY CELL IN MEMORY例文帳に追加

メモリの故障セル検出装置及びその検出方法 - 特許庁

A gate transistor is connected to the memory cell unit in series.例文帳に追加

ゲートトランジスタは、メモリセルユニットに直列に接続される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory cell and its manufacturing method.例文帳に追加

不揮発性メモリセルとその製造方法が提供される。 - 特許庁

To improve data holding stability in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルにおけるデータ保持の安定性を向上させる。 - 特許庁

To improve stability of data holding in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルにおけるデータ保持の安定性を向上させる。 - 特許庁

To improve use efficiency of a redundant memory cell and yield as products by relieving a memory cell in an optimum state without being affected by variation of occurrence conditions of a defective memory cell.例文帳に追加

欠陥メモリセルの発生状況の変化に影響を受けずに最適にメモリセル救済し、冗長メモリセルの使用効率や製品としての歩留まりを向上させる。 - 特許庁

To provide a memory cell having high certainty in data recording.例文帳に追加

データの記録の確実性が高いメモリセルを提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MULTI-LEVEL PROGRAMMING OF MEMORY CELL例文帳に追加

メモリセルのマルチレベルプログラミングのための方法及び装置 - 特許庁

To extend a lifetime of a non-volatile semiconductor memory cell.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリセルの寿命を延長する。 - 特許庁

To correctly perform read-out of a selected memory cell even when a threshold value of a non-selection memory cell sharing a word line is low.例文帳に追加

ワード線を共有する非選択メモリセルの閾値が低い場合でも選択メモリセルの読み出しを正しく行う。 - 特許庁

MEASUREMENT FOR THRESHOLD VOLTAGE DISTRIBUTION OF MEMORY ARRAY BIT CELL IN CIRCUIT例文帳に追加

回路内メモリ・アレイ・ビット・セル・スレシホルド電圧分布測定 - 特許庁

CYLINDRICAL STORAGE CAPACITOR FOR MEMORY CELL AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

メモリセルのシリンダ型ストレ—ジキャパシタ及びその製造方法 - 特許庁

There are further comprised switching circuits 7a-7e for switching the I/O 6a-6e of the memory cell array 4a-4e to the adjacent memory cell array 4b-4e and the redundancy memory cell array 5, respectively.例文帳に追加

また、メモリセルアレイ４ａ〜４ｅのＩ／Ｏ６ａ〜６ｅを隣接するメモリセルアレイ４ｂ〜４ｅ、及び冗長メモリセルアレイ５に接続を切替える切替え回路７ａ〜７ｅを備える。 - 特許庁

The cell is electrically programmable as a non- volatile memory.例文帳に追加

セルは不揮発性メモリとして、電気的にプログラマブルである。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF RELIEVING DEFECTIVE CELL例文帳に追加

半導体記憶装置および不良セルの救済方法 - 特許庁

According to an embodiment, a semiconductor memory device includes a memory cell 12, a dummy cell 16, a write control part, and a row decoder 13.例文帳に追加

実施形態によれば、メモリセル１２と、ダミーセル１６と、書き込み制御部と、ロウデコーダ１３が設けられている。 - 特許庁

The programming section programs data on the selected memory cell.例文帳に追加

プログラミング部は、選択されたメモリセルにデータをプログラムする。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY CELL HAVING COB STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR MEMORY CELL MANUFACTURED BY THE SAME例文帳に追加

ＣＯＢ構造を有する半導体メモリ素子の製造方法及びこれにより製造された半導体メモリ素子 - 特許庁

The number of reference cells forming the series reference cell group is less than the number of memory cells forming the series memory cell group.例文帳に追加

直列リファレンスセル群をなすリファレンスセルの個数が直列メモリセル群をなすメモリセルの個数よりも少ない。 - 特許庁