「Memory Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent malfunction of a memory cell due to leakage current.例文帳に追加

メモリセルのリーク電流による誤動作を防止する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETORESISTIVE MEMORY CELL例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果メモリー素子 - 特許庁

TWO-TRANSISTOR PMOS MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

２トランジスタＰＭＯＳメモリセル及びその製造方法 - 特許庁

The memory cell array 50 is divided into plural banks 52.例文帳に追加

メモリセルアレイ５０は、複数のバンク５２に分割される。 - 特許庁

MATRIX STRUCTURE OF MEMORY CELL AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

メモリセルのマトリックス構造体及びその製造方法 - 特許庁

A voltage corresponding to a boosting voltage VDDR is applied to the gate of a dummy memory cell 186 having a threshold voltage corresponding to the memory cell of a redundant memory cell array 1a to read the data of the dummy memory cell 186.例文帳に追加

冗長メモリセルアレイ１ａ中のメモリセルに対応する閾値電圧を有するダミーメモリセル１８６のゲートに、昇圧電圧ＶＤＤＲに対応する電圧を与えてダミーメモリセル１８６のデータ読出しを行う。 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY CELL USING OXIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

酸化物半導体を用いた強誘電体メモリ素子 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

不揮発性半導体メモリセル及びその製造方法 - 特許庁

The block selecting circuit so selects the first memory cell block that the first memory cell block corresponding to the height order address substitutes for a defective memory cell block in reverse order when the first memory cell block substitutes for it.例文帳に追加

前記ブロック選択回路は欠陥メモリセルブロックが第１メモリセルブロックによって代替される時に、最上位アドレスに対応する第１メモリセルブロックから逆順で代替されるように、前記第１メモリセルブロックを選択する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a memory cell 100.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、メモリセル１００を含む。 - 特許庁

To provide a flash memory cell and its manufacturing method.例文帳に追加

フラッシュメモリセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor storage device 100 includes a normal memory cell array 120 having a plurality of nonvolatile memories, redundant memory cell arrays 132 to 138 respectively having a plurality of nonvolatile memory cells for relieving a defective memory cell in the normal memory cell array 120, and a redundant memory cell array selection circuit 140 for selecting at least one redundant memory cell array among the redundant memory cell arrays 132 to 138.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１００は、複数の不揮発性メモリーを有する正規メモリーセルアレイ１２０と、それぞれが正規メモリーセルアレイ１２０内の不良メモリーセルを救済するための複数の不揮発性メモリーセルを有する冗長メモリーセルアレイ１３２〜１３８と、冗長メモリーセルアレイ１３２〜１３８のうち少なくとも１つの冗長メモリーセルアレイを選択する冗長メモリーセルアレイ選択回路１４０とを含む。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a first memory circuit including a memory cell and a redundant memory cell, a second memory circuit for storing the address of a defective memory cell included in the first memory circuit, a holding circuit including a latch circuit, a replacement circuit for replacing the defective memory cell by a redundant memory cell, and an inspection circuit for writing the information of the second memory circuit in the holding circuit.例文帳に追加

本発明は、メモリセルと冗長メモリセルを含む第１の記憶回路と、第１の記憶回路が含む不良メモリセルのアドレスを記憶する第２の記憶回路と、ラッチ回路を含む保持回路と、不良メモリセルを冗長メモリセルに置き換える置き換え回路と、第２の記憶回路の情報を保持回路に書き込む検査回路とを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The memory element has a memory cell (202) electrically-communicating with a node (A), when first voltage is applied to the memory cell, the memory element is operated so as to indicate a binary value concerning data stored in the memory cell during read-out operation.例文帳に追加

メモリ素子は、ノード（Ａ）と電気通信するメモリセル（２０２）を有し、第１の電圧がメモリセルに印加されたとき、読出し動作中にメモリセルに記憶されたデータと関連した２進値を示すように動作する。 - 特許庁

At a P3, the last row of the memory cell block is selected to inspect the memory cells.例文帳に追加

Ｐ３ではメモリサブブロックの最後の行が選択されてメモリセルが検査される。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND SYSTEM INCLUDING PHASE-CHANGE OTP MEMORY CELL, AND RELATED METHOD例文帳に追加

相変化ＯＴＰメモリセルを含む不揮発性メモリ素子、システム及びその方法 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ - 特許庁

The semiconductor memory includes an electrically rewritable nonvolatile real memory cell.例文帳に追加

半導体メモリは、電気的に書き換え可能な不揮発性のリアルメモリセルを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device storing access information for a memory cell.例文帳に追加

メモリセルに対するアクセス情報を貯蔵する半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY CELL, METHOD FOR RECORDING THEREBY AND MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

磁気メモリ素子及びその記録方法、並びにその磁気メモリ素子を用いたメモリ - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which reads out a memory cell at high speed.例文帳に追加

メモリセルの読み出し速度が速い不揮発半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory in which memory cell density is high and current leakage is small.例文帳に追加

メモリセル密度が大きく、漏れ電流が小さい、改善されたメモリの実現。 - 特許庁

A plurality of memory cell lines comprise static memory cells which align in one direction.例文帳に追加

複数のメモリセル行が、一方向に並ぶスタティックメモリセルにより構成される。 - 特許庁

RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING SELECTED REFERENCE MEMORY CELL, AND METHOD OF OPERATING THE SAME例文帳に追加

選択された基準メモリセルを含む抵抗型メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁

To improve the operating efficiency of a memory by decreasing a memory access time per one cell.例文帳に追加

１セルあたりのメモリアクセス時間が掛からず、メモリの使用効率を良くする。 - 特許庁

To provide a resistance change memory device for facilitating measures against failure of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの不良対策を容易化した抵抗変化メモリ装置を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING READING ACCESS OF MEMORY CELL, AND DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加

メモリセルの読み出しアクセスを制御する方法およびダイナミックランダムアクセスメモリデバイス - 特許庁

REDUNDANT MEMORY CELL FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING TWIST TYPE BIT LINE ARCHITECTURE例文帳に追加

ツイスト型ビット線アーキテクチャを有するダイナミックランダムアクセスメモリ用冗長メモリセル - 特許庁

MEMORY CELL HAVING ELECTRIC FIELD PROGRAMMABLE MEMORY ELEMENT AND OPERATING METHOD THEREFOR例文帳に追加

電界プログラム可能記憶素子を有するメモリ・セル、およびそれを作動させる方法 - 特許庁

To stabilize operation of a PMC memory cell using a CBRAM memory array.例文帳に追加

ＣＢＲＡＭメモリアレイを使用したＰＭＣメモリセルの動作の安定化を図る。 - 特許庁

To propose a magnetic random access memory (MRAM) having a cell array structure suitable for high integration of a cell.例文帳に追加

セルの高集積化に適したセルアレイ構造のＭＲＡＭを提案する。 - 特許庁

To provide a test circuit of a memory circuit having a real cell array and a parity cell array.例文帳に追加

リアルセルアレイとパリティセルアレイを有するメモリ回路の試験回路を提供する。 - 特許庁

To build a memory cell section having a cell capacitor, and a peripheral transistor, on a semiconductor substrate.例文帳に追加

基板上にセルキャパシタを有するメモリセル部と周辺トランジスタとを作り込む。 - 特許庁

To provide a method for forming a memory cell array capable of reducing an interval between floating gates of memory cells and to provide the memory cell array.例文帳に追加

メモリセルの浮遊ゲート間の間隔を縮小させることができるメモリセルアレイの形成方法およびメモリセルアレイを提供すること。 - 特許庁

To enable parallel write for a plurality of memory cells one memory cell row of a VG type memory cell array and to shorten a whole programming time.例文帳に追加

ＶＧ型メモリセルアレイの１つのメモリセル行内の複数のメモリセルへの並列書き込みを可能とし、かつ総プログラム時間を短縮する。 - 特許庁

To provide a method and a device which are used to read data from a memory cell such as a ferroelectric substance memory cell (4) in a memory device (102).例文帳に追加

メモリ装置（１０２）における強誘電体メモリセル（４）のようなメモリセルからデータを読み取る方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory cell for writing magnetic information with an electrical device, and also to provide a large capacity multi-value magnetic memory loading the same memory cell.例文帳に追加

電気的手段により磁気情報の書込みを行う磁気メモリセル及びそれを装備した大容量多値磁気メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of surely detecting a memory cell causing an unstable operation due to insufficient memory cell current.例文帳に追加

メモリセル電流が少ないために不安定な動作を引き起こすメモリセルを確実に検出できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory including a redundant circuit in which a defective normal memory cell column is repaired by a redundant memory cell column.例文帳に追加

欠陥があるノーマルメモリセルのカラムを冗長メモリセルのカラムでリペアする冗長回路を含む半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of reducing the influence of source resistance to a selected memory cell by an adjacent memory cell.例文帳に追加

隣接メモリセルによる選択メモリセルに対するソース抵抗の影響を低減することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The control unit 4 can replace the normal memory cell array by a portion of a plurality of redundancy memory cells constituting the redundancy memory cell array.例文帳に追加

制御部４は、冗長メモリセルアレイを構成する複数の冗長メモリセルの一部で、正規メモリセルアレイを置換することが可能である。 - 特許庁

To screen a memory cell which applies disturbance to other memory cells sharing bit lines and source lines during a memory cell writing operation.例文帳に追加

メモリセルに書き込み動作を行う時、ビット線及びソース線を共通にする他のメモリセルにディスターブを与えるメモリセルをスクリーニングする。 - 特許庁

FinFET SONOS memory cells are employed, and a first SONOS memory cell 136a and a second SONOS memory cell 136b are provided.例文帳に追加

ｆｉｎＦＥＴＳＯＮＯＳメモリセルを採用し、第１のＳＯＮＯＳメモリセル１３６ａ、および、第２のＳＯＮＯＳメモリセル１３６ｂを備える。 - 特許庁

To prevent that a normal memory cell is screened by detecting such an abnormal cell that a normal memory cell is guided to an over-erasion state.例文帳に追加

正常なメモリセルを過消去状態に導くような異常セルを検出して、正常なメモリセルがスクリーニングされるのを防ぐ。 - 特許庁

Therefore, the faulty memory cell can be specified, and a yield can be improved by replacing the cell by a redundant memory cell.例文帳に追加

したがって不良メモリセルを特定することができ、冗長メモリセルと置換することにより歩留りを向上させることができる。 - 特許庁