「Memory Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

In this semiconductor memory device, three memory cell parts 100, 101, 102 consisting of one memory cell compose, and data can be stored in this memory cell block.例文帳に追加

この半導体記憶装置は、１個のメモリセルからなる３つのメモリセル部１００,１０１,１０２がメモリセルブロックを構成し、このメモリセルブロックにデータを記憶させることができる。 - 特許庁

Each of the memory blocks has a memory cell array; a row selection circuit that selects any row in the memory cell array; and a column selection circuit that selects any column in the memory cell array.例文帳に追加

メモリブロックのそれぞれは、メモリセルアレイと、メモリセルアレイの任意の行を選択する行選択回路と、メモリセルアレイの任意の列を選択する列選択回路と、を有する。 - 特許庁

A semiconductor memory device comprises a nonvolatile memory cell, bit lines connected to the nonvolatile memory cell, and a control circuit part connected to the nonvolatile memory cell and the bit lines.例文帳に追加

不揮発性メモリセル、その不揮発性メモリセルに接続されたビットライン及びその不揮発性メモリセルとビットラインに接続された制御回路部を含む半導体記憶装置。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a memory cell array 1 including a memory cell transistor MC, an output latch circuit 3, a dummy memory cell (DC) 6, a CMOS inverter 4, and a read control circuit 5.例文帳に追加

メモリセルトランジスタＭＣを有するメモリセルアレイ１と、出力ラッチ回路３と、ダミーメモリセル（ＤＣ）６と、ＣＭＯＳインバータ４および読み出し制御回路５とを有する。 - 特許庁

The cell selecting circuit selects the prescribed memory cell out of memory cell arrays selected by the bank selecting signal, and performs read-operation and write-operation for this memory cell.例文帳に追加

セル選択回路は、バンクセレクト信号により選択されたメモリセルアレイの中の所定のメモリセルを選択して、このメモリセルに対するリード動作およびライト動作を行う。 - 特許庁

A method and an apparatus are provided for writing data to a magnetic memory cell such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.例文帳に追加

スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリセルへデータを書込むための方法および装置。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a dummy memory cell is arranged on the out side of a memory cell array without increasing a chip size.例文帳に追加

チップサイズを増大させることなく、メモリセルアレイの外部にダミーメモリセルを配置した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A memory device 100 comprises a memory cell array 10 constituted by laminating two memory cell arrays of different types.例文帳に追加

メモリ装置１００は、互いに異なる種類の２つのメモリセルアレイを積層して構成されたメモリセルアレイ１０を備える。 - 特許庁

MEMORY APPARATUS INCLUDING PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MULTI-BIT MEMORY CELL, AND APPARATUS AND METHOD FOR DEMARCATING MEMORY STATE OF THE CELL例文帳に追加

プログラマブル不揮発性複数ビットメモリセルを有する記憶装置およびそのセルの記憶状態を分界する装置と方法 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which operation stability of a memory cell is secured and area of the memory cell is reduced.例文帳に追加

メモリセルの動作安定性を確保すると共にメモリセルの面積を縮小する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

An MRAM device 50 includes a memory array (MRAM cell block 52 and reference MRAM cell block 54) including a magnetic memory cell.例文帳に追加

ＭＲＡＭデバイス５０は、磁気メモリセルからなるメモリアレイ（ＭＲＡＭセルブロック５２，基準ＭＲＡＭセルブロック５４）を備える。 - 特許庁

This enables the memory cell of the designated address in the regular memory cell part 40 to be intentionally made into the defective cell.例文帳に追加

これによって、正規のメモリセル部４０における所定アドレスのメモリセルを、意図的に不良セル化させることができる。 - 特許庁

This device has a reference cell for detecting a state of a memory cell and for verifying data written in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの状態を検出するための、そしてメモリセルに書き込まれたデータを検証するための基準セルを有する。 - 特許庁

A memory cell layer 12 is formed on the first wiring 11 in a cell array, and a second wiring 13 is formed on the memory cell layer.例文帳に追加

セルアレイ内の第１配線の上にメモリセル層１２を形成し、メモリセル層の上に第２配線１３を形成する。 - 特許庁

Cell selection circuits 2, 3 are operative to select from the memory cell array MA a memory cell MC whose data is to be read, and to select from the reference cell array RA a reference cell RA at a position corresponding to a position of the memory cell MC selected in the memory cell array MA.例文帳に追加

セル選択回路２，３は、メモリセルアレイＭＡの中からデータを読み出すメモリセルＭＣを選択すると共に参照セルアレイＲＡの中からメモリセルアレイＭＡにおける選択されたメモリセルＭＣの位置に対応する位置の参照セルＲＡを選択する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory provided with a memory unit storing an address of a memory cell having an error and for which a memory cell test is performed, and to reduce a demand for a memory of a memory unit as far as possible.例文帳に追加

エラーを有するメモリセルのアドレスを記憶する前述のメモリユニットを備えたメモリセルテストにかけられる半導体メモリを提供し、メモリユニットのメモリ需要を可能な限り小さくする。 - 特許庁

The memory layer includes a first memory cell array including memory cells connected to the first wiring; and a second memory cell array that is apposed with the first memory cell array along the first direction and contains memory cells connected to the first wiring.例文帳に追加

メモリ層は、第１配線と接続されたメモリセルを含む第１メモリセルアレイ部と、第１メモリセルアレイ部と第１方向に沿って並置され第１配線と接続されたメモリセルを含む第２メモリセルアレイ部と、を含む。 - 特許庁

The multi-bit non-volatile memory device includes a memory cell array that includes a plurality of memory cells, and a storage unit that is electrically connected to the memory cell array.例文帳に追加

マルチ-ビット不揮発性メモリー装置は、複数のメモリーセルを含むメモリーセルアレイとメモリーセルアレイに電気的に連結した記憶ユニットとを含む。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY CELL, ITS PROGRAMING METHOD AND NONVOLATILE MEMORY ARRAY例文帳に追加

不揮発性メモリセルおよびそのプログラム方法ならびに不揮発性メモリアレイ - 特許庁

MEMORY CELL ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

メモリセルアレイおよびその製造方法、ならびに強誘電体メモリ装置 - 特許庁

RESONANCE TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

A memory cell array 1 has a plurality of memory cells arranged in a matrix form.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、複数のメモリセルがマトリックス状に配置されている。 - 特許庁

The memory cell array 2 includes a plurality of memory cells including a floating gate.例文帳に追加

メモリセルアレイ２は、フローティングゲートを備える複数のメモリセルを有している。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR WRITING AND ERASING FOR MEMORY CELL例文帳に追加

半導体記憶装置及びメモリセルの書き込み並びに消去方法 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device includes a memory cell array and a control part.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイと制御部とを備える。 - 特許庁

The ferroelectric memory device comprises a simple matrix type memory cell array.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、単純マトリクス型のメモリセルアレイを有する。 - 特許庁

To provide a device for pumping a memory cell in a memory and a method therefor.例文帳に追加

メモリにおけるメモリセルをポンピングする装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the memory cell area of a nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のメモリセルの面積を縮小化する。 - 特許庁

A memory cell array 40 is divided into memory blocks 40-N, 40-F.例文帳に追加

メモリセルアレイ４０は、メモリブロック４０−Ｎ，４０−Ｆに分割される。 - 特許庁

To provide a method of biasing a memory cell array and a semiconductor memory device.例文帳に追加

メモリアレイのバイアシング方法及び半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The m step memory cells are divided into continuous 2 step memory cell pairs.例文帳に追加

上記ｍ段のメモリセルは、連続する２段毎のメモリセル対に分ける。 - 特許庁

The memory cell arrays are made with memory cells arrayed in a matrix form.例文帳に追加

上記メモリセルアレイは、メモリセルがマトリックス状に配置されて形成される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING VERTICAL POTENTIAL TRAP MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

垂直電荷トラップメモリセルを有する半導体メモリおよび製造方法 - 特許庁

The memory device includes a memory cell array, a test data storage section and a decision section.例文帳に追加

メモリ装置はメモリセルアレイ、テストデータ貯蔵部、及び判断部を含む。 - 特許庁

A memory device includes a memory cell possessing two series tunnel junctions.例文帳に追加

メモリ・デバイスは、２つの直列のトンネル接合を有するメモリ・セルを含む。 - 特許庁

MEMORY CELL AND STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY HAVING THE SAME例文帳に追加

メモリセル及びそのメモリセルを有する半導体不揮発性メモリの構造。 - 特許庁

The first ferroelectric memory 100 comprises a first memory cell array 110.例文帳に追加

第１強誘電体メモリ１００は、第１メモリセルアレイ１１０を含む。 - 特許庁

To reduce the cell size of a memory cell by eliminating the constraints in a circuit configuration when combining a pair of cell units for composing the memory cell.例文帳に追加

一対のセルユニットを組み合わせてメモリセルを構成する場合、回路構成上の制約をなくすことによりメモリセルのセルサイズを縮小する。 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING DUMMY CELL ARRANGED IN CELL STRING例文帳に追加

セルストリングに配置されるダミーセルを持つ不揮発性半導体メモリ装置 - 特許庁

In addition, the first and second memory cell arrays are arranged facing each other in a column direction, the second memory cell 102 has a larger area than the first memory cell 101, and the area of the first memory cell array 201 is two or more times the area of the second memory cell array 202.例文帳に追加

また、第１及び第２のメモリセルアレイは、互いに列方向に対向配置され、第２のメモリセル１０２は第１のメモリセル１０１よりも面積が大きく、第１のメモリセルアレイ２０１は第２のメモリセルアレイ２０２の２倍以上の面積である。 - 特許庁

To perform data transfer between memory cell arrays at high speed.例文帳に追加

高速でメモリアレイ間でデータ転送を行なう。 - 特許庁

In a first write operation, a memory cell current for a write reference memory cell is selected as a write reference current, and data is written to the memory cell and either a first or a second memory cell.例文帳に追加

第１書き込み動作において、書き込みリファレンスメモリセルのメモリセル電流が、書き込みリファレンス電流として選択され、メモリセルと第１および第２リファレンスメモリセルの一方とにデータが書き込まれる。 - 特許庁

MANUFACTURE OF FLAT CELL-TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

フラットセル型半導体メモリ装置の製造方法 - 特許庁

A memory cell includes a switch element and a resistor circuit.例文帳に追加

メモリセルは、スイッチ素子と抵抗回路を有する。 - 特許庁

A memory cell MC stores data of a plurality of bits.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、複数ビットのデータを記憶する。 - 特許庁