「Memory Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

DYNAMIC INTEGRATED SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING REDUNDANT UNIT OF MEMORY CELL, AND SELF-RESTORATION METHOD FOR MEMORY CELL OF DYNAMIC INTEGRATED SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

メモリセルの冗長ユニットを有するダイナミック集積化半導体メモリ及び該ダイナミック集積化半導体メモリのメモリセルの自己修復方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SENSE AMPLIFIER CIRCUIT, AND MEMORY CELL READING METHOD例文帳に追加

半導体メモリデバイス、センスアンプ回路、および、メモリセルの読み出し方法 - 特許庁

The second ferroelectric memory 200 comprises a second memory cell array 210.例文帳に追加

第２強誘電体メモリ２００は、第２メモリセルアレイ２１０を含む。 - 特許庁

In this case, the object memory cell is judged as an abnormal cell when memory output does not coincide with the refreshed data even when the data are written for over prescribed frequency, the data are written by using a redundant memory cell part as an alternative memory cell part and the redundant memory cell part is used for access to a defective memory cell part.例文帳に追加

この時、所定の回数以上書き込みを行っても、メモリ出力がリフレッシュデータと一致しない場合には対象メモリセルを異常セルと判定し、冗長メモリセル部を代わりのメモリセル部としてデータを書き込み、不良メモリセル部へのアクセスには冗長メモリセル部を使用する。 - 特許庁

A dummy memory cell DCP includes two cell units CU0 and CU1.例文帳に追加

ダミーメモリセルＤＣＰは、２個のセルユニットＣＵ０およびＣＵ１を含む。 - 特許庁

A semiconductor memory is provided with a memory cell block 100 comprising a memory cell section 101 having a plurality of memory cells in which each cell comprises ferroelectric capacitor respectively, and a memory cell section 103 for test having a plurality of memory cells for the test.例文帳に追加

半導体記憶装置は、それぞれが強誘電体キャパシタを含む、複数のメモリセルを有するメモリセル部１０１と、複数のテスト用メモリセルを有するテスト用メモリセル部１０３とを含むメモリセルブロック１００を具える。 - 特許庁

METHOD FOR OPERATING MEMORY CELL ASSEMBLY, MEMORY CONTROLLER, MEMORY CHIP, AND COMPUTER PROGRAM例文帳に追加

メモリ・セル集合体を操作するための方法、メモリ・コントローラ、メモリ・チップ、およびコンピュータ・プログラム - 特許庁

MAGNETIC MEMORY, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE AND MEMORY CELL USING THE MEMORY例文帳に追加

磁気メモリ、その製造方法、磁気メモリを用いた磁気記録再生装置及びメモリセル - 特許庁

To provide a magnetic memory device with magnetic memory cells of which heat loss is reduced, and to facilitate magnetic memory cell switching.例文帳に追加

磁気メモリセルの熱損失を減少させて、磁気メモリセルの切替えを容易にすること。 - 特許庁

The memory device includes the nonvolatile memory cell 103 and two volatile memory cells 104, 105.例文帳に追加

メモリ装置は、不揮発性メモリセル１０３と、２つの揮発性メモリセル１０４、１０５を有する。 - 特許庁

A memory includes: a memory cell array which stores data therein; and a write driver which writes data to memory cells.例文帳に追加

メモリは、データを記憶するメモリセルアレイと、メモリセルにデータを書き込むライトドライバとを備える。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, MEMORY CELL, AND RECORDING/REPRODUCING METHOD OF MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗素子、それを用いたメモリ素子、メモリセル及びメモリ素子の記録再生方法 - 特許庁

The memory collar 2 is provided with a memory output result analyzing circuit 3 and a memory cell 21.例文帳に追加

メモリカラー２には、メモリ出力結果解析回路３及びメモリセル２１が設けられる。 - 特許庁

The memory cell array part includes a first memory string, a second memory string and an element isolation insulator layer.例文帳に追加

メモリセルアレイ部は、第１メモリストリングと、第２メモリストリングと、素子分離絶縁層と、を含む。 - 特許庁

To reduce the programming voltage of a flash memory cell.例文帳に追加

フラッシュメモリセルのプログラミング電圧を低減する。 - 特許庁

A memory cell performing this verification/read-out may be provided separately, or a memory cell of one part of the memory cell array MCA can be used.例文帳に追加

この検証読み出しを行うメモリセルは、メモリセルアレイＭＣＡと別に設けてもよいし、メモリセルアレイＭＣＡ内の一部のメモリセルを用いてもよい。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR TESTING MEMORY CELL例文帳に追加

半導体記憶装置、及びメモリセルテスト方法 - 特許庁

To reduce a memory cell area per bit.例文帳に追加

１ビットあたりのメモリセル面積を縮小する。 - 特許庁

STRESS TEST METHOD FOR MEMORY CELL OXIDE FILM OF DRAM例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセル酸化膜のストレステスト方法 - 特許庁

A source line S1 is shared by a memory cell MC1A and a memory cell MC8A.例文帳に追加

本発明では、ソース線Ｓ１がメモリセルＭＣ１ＡとメモリセルＭＣ８Ａで共通となっている。 - 特許庁

A memory cell array block 202 outputs a data signal of a memory cell through an I/O line 216.例文帳に追加

メモリセルアレイブロック２０２は、メモリセルのデータ信号をＩ／Ｏライン２１６を介して出力する。 - 特許庁

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, DEVICE COMPRISING THE CELL, AND MANUFACTURING METHOD FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリセル、これを含むデバイス、及びダイナミックランダムアクセスメモリ記憶装置の製造方法 - 特許庁

The capacitor is disposed just below the memory cell array.例文帳に追加

キャパシタは、メモリセルアレイの直下に設けられる。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY CELL INCLUDING NANOCOMPOSITE INSULATOR例文帳に追加

ナノコンポジット絶縁体を有する相変化メモリセル - 特許庁

The memory cell arrays are composed by arranging the memory cell MC in a plurality of matrix shapes.例文帳に追加

メモリセルアレイは、このメモリセルＭＣを、複数マトリクス状に配列することにより構成されている。 - 特許庁

The memory cell 161a and the memory cell 161b arranged in the direction of column are activated by a word line WL1.例文帳に追加

列方向に並ぶメモリセル１６１ａ，メモリセル１６１ｂをワード線ＷＬ１で活性化する。 - 特許庁

NONVOLATILE STORAGE MEDIUM AND ITS MEMORY CELL CIRCUIT例文帳に追加

不揮発性記憶媒体及びそのメモリセル回路 - 特許庁

The layout data of the chip of a semiconductor memory cell are divided into a peripheral circuit and a memory cell matrix.例文帳に追加

半導体記憶素子のチップのレイアウトデータを周辺回路とメモリセルマトリックスに分割する。 - 特許庁

A memory cell array 100 is divided into first and second sub- memory cell arrays 100.1 and 100.2.例文帳に追加

メモリセルアレイ１００は、第１および第２のサブメモリセルアレイ１００．１および１００．２に分割される。 - 特許庁

METHOD OF ADJUSTING THRESHOLD VOLTAGE OF MEMORY CELL例文帳に追加

メモリセルのしきい値電圧を調節する方法 - 特許庁

The memory device includes a reference cell array and a plurality of banks each of which includes a memory cell.例文帳に追加

本発明によるメモリ装置は、基準セルアレイと各々がメモリセルを含む複数個のバンクを含む。 - 特許庁

A write for raising the threshold voltage of the memory cell 1 is performed after the write to the neighboring memory cell 2.例文帳に追加

隣接するメモリセル２の書き込み後、メモリセル１の閾値電圧を上げる書き込みを行なう。 - 特許庁

ACCESSING METHOD TO MULTILEVEL CELL FLASH MEMORY AND DEVICE例文帳に追加

マルチレベルセルフラッシュメモリのアクセス方法及び装置 - 特許庁

To enable screening a memory cell in which data retention is defective without separating a memory cell from an external power source.例文帳に追加

メモリセルを外部の電源から切り離さずに、データリテンション不良のスクリーニングを可能にする - 特許庁

The memory cell has two data storing cells.例文帳に追加

該メモリセルは２個のデータ格納セルを有している。 - 特許庁

MEMORY CELL AND METHOD FOR FORMING THE SAME例文帳に追加

メモリセル及びメモリセルを形成するための方法 - 特許庁

MEMORY CELL DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

メモリセル装置およびメモリセル装置の製造方法 - 特許庁

To reduce the size of a memory cell of a twin-cell mode DRAM for storing one-bit data in two memory cells.例文帳に追加

1ビットのデータを２メモリセルで記憶するツインセルモードＤＲＡＭのメモリセルのサイズを低減する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR AND-TYPE FLASH MEMORY CELL例文帳に追加

アンド（ＡＮＤ）タイプフラッシュメモリセルの製造方法 - 特許庁

A source line SL is formed between a memory cell MC1 and a memory cell MC2, in the manner of self-alignment.例文帳に追加

メモリセルＭＣ１とメモリセルＭＣ２の間に自己整合的にソース配線ＳＬを形成する。 - 特許庁

UNIPOLAR TRANSISTOR MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ユニポーラトランジスタメモリーセルおよびその製造方法 - 特許庁

PROGRAMMABLE FUNCTION DEVICE AND MEMORY CELL FOR THE DEVICE例文帳に追加

プログラマブル機能デバイス及びそのためのメモリセル - 特許庁

TECHNIQUES OF RECOVERING DATA FROM MEMORY CELL AFFECTED BY FIELD COUPLING WITH ADJACENT MEMORY CELL例文帳に追加

隣接メモリセルとのフィールド結合によって、影響を受けたメモリセルからのデータ回復を行う技法 - 特許庁

A sense amplifier unit 3a detects data read from a selected memory cell MC of the memory cell array.例文帳に追加

センスアンプユニット３ａは、メモリセルアレイの選択されたメモリセルＭＣから読み出されたデータを検知する。 - 特許庁

To enable evaluating cell characteristics of a memory circuit having a pair of complementary memory cell arrays with the same standard as a memory circuit having a single cell array.例文帳に追加

相補メモリセル対アレイを有するメモリ回路のセル特性を、シングルセルアレイを有するメモリ回路と同等の基準で評価できるようにする。 - 特許庁