「P- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

To allow a region where p/n-type inversion is caused to be formed in a depth range deeper than before.例文帳に追加

ｐ／ｎ型反転の起きる領域を従来よりより深々度範囲に形成可能とする。 - 特許庁

A dummy gate electrode 13 is provided on the P-type layer 11 via an insulating film 12.例文帳に追加

Ｐ型層１１上に絶縁膜１２を介してダミーゲート電極１３が設けられている。 - 特許庁

Further, the distance between the p^+-type semiconductor layer 21 and an active layer 15 is set to be 0.15 μm or larger.例文帳に追加

そして、ｐ^+型半導体層２１と活性層１５との間隔を０.１５μm以上にしている。 - 特許庁

A reflective ohmic contact part 18 is formed on its p-type InAlGaN layer 20a.例文帳に追加

反射性のオーム接触部（１８）はそのｐ型ＩｎＡｌＧａＮ層（２０ａ）上に形成される。 - 特許庁

A P-type embedded region 2 divided into plurality is formed inside an extension drain region 3.例文帳に追加

延長ドレイン領域３の内部に複数に分割したＰ型埋込領域２を形成する。 - 特許庁

A P-type GaN layer 18 is formed on the layer 16, and a metal film 20 is formed.例文帳に追加

Ｐ型クラッド層１６上にＰ型ＧａＮ層１８を形成して金属膜２０を形成する。 - 特許庁

A p-type GaP layer 14 lies between the active layer 13 and the upper clad layer 15.例文帳に追加

活性層１３と上部クラッド層１５との間にはｐ型ＧａＰ層１４が介在している。 - 特許庁

To enhance the performance of a VCSEL by reducing the amount of p type semiconductor materials which absorb light.例文帳に追加

光を吸収するｐ型半導体材料の量を減らして、VCSELの性能を改善する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a p-type surface conductive layer on a (111) homoepitaxial diamond thin film.例文帳に追加

(111)ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜上におけるｐ型表面伝導層の製造方法を提供する。 - 特許庁

USING OF INDIUM FOR FIXING WORK FUNCTION OF P-TYPE DOPED POLYSILICON OR POLYSILICON GERMANIUM例文帳に追加

ｐ型ドープされたポリシリコン又はポリシリコン・ゲルマニウムの仕事関数を定めるためのインジウムの使用 - 特許庁

The p-type semiconductor can be constituted of either one kind of chalcogenide of Mo, W and Cr.例文帳に追加

ｐ型半導体は、Ｍｏ、ＷおよびＣｒのいずれか１種のカルコゲナイドにより構成できる。 - 特許庁

Consequently, a p-type conductivity is sufficiently secured without performing the anneal process.例文帳に追加

これによると、アニール工程を行うことなくＰ型導電性を十分に確保することができる。 - 特許庁

A rotation detection sensor is an electromagnetic pickup type wheel speed sensor P that is to be installed in an environment exposed to brake heat.例文帳に追加

ブレーキ熱に晒される環境下に設置する電磁ピックアップ式車輪速センサＰである。 - 特許庁

To form an excellent p-type contact in a semiconductor device using a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なｐ型コンタクトが形成できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device includes the P-type FET formed on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１００上に形成されたＰ型ＦＥＴを備えている。 - 特許庁

The band gap of the current constricting layer 16 is larger than that of the p-type semiconductor region 18.例文帳に追加

電流狭窄層１６のバンドギャップは、ｐ型半導体領域１８のバンドギャップより大きい。 - 特許庁

A P^+-type contact layer 19 is formed between the source layer 17 and the drain layer 18.例文帳に追加

また、ソース層１７とドレイン層１８との間に、Ｐ^＋型のコンタクト層１９を形成する。 - 特許庁

A plurality of trench grooves 44 are formed in a region 42 of a main surface of a p-type silicon substrate 10.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０の主面の領域４２に複数のトレンチ溝４４を形成する。 - 特許庁

To obtain a P-type 2-6 group compound semiconductor film, and to realize a light-emitting device of the ultraviolet region.例文帳に追加

Ｐ型の２−６族化合物半導体膜を得、紫外領域の発光素子を実現する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF p-TYPE GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD OF LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の作製方法及び発光素子の作製方法。 - 特許庁

The back gate region BG forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is a second conductivity type one.例文帳に追加

バックゲート領域ＢＧはエピタキシャル層ＥＰとｐｎ接合を構成し、第２導電型である。 - 特許庁

A semiconductor film 123 to which a p-type impurity is introduced is formed on a substrate 121.例文帳に追加

基板１２１の上に、ｐ型不純物が導入された半導体膜１２３を形成する。 - 特許庁

P-TYPE OHMIC ELECTRODE STRUCTURE, COMPOUND SEMICONDUCTOR LUMINOUS ELEMENT EQUIPPED WITH THE SAME, AND LED LAMP例文帳に追加

ｐ形オーミック電極構造、それを備えた化合物半導体発光素子及びＬＥＤランプ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE GaN-BASED SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法およびＧａＮ系半導体素子の製造方法 - 特許庁

NON-SINGLE CRYSTAL SOLAR CELL, AND MANUFACTURING METHOD AND APPARATUS OF P TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

非単結晶太陽電池およびｐ型半導体材料の製造方法および製造装置 - 特許庁

The semiconductor device uses the p-type semiconductor.例文帳に追加

また、本発明に係る半導体デバイスは、本発明に係るｐ型半導体を用いたことを要旨とする。 - 特許庁

An electron barrier layer 16 is formed between an active layer 14 and a first p-type clad layer 17.例文帳に追加

活性層１４と第１ｐ型クラッド層１７との間に電子障壁層１６を設ける。 - 特許庁

A buffer layer having a P-type conductivity is epitaxially grown on a conductive substrate.例文帳に追加

導電性の基板の上に、Ｐ型導電性を有するバッファ層がエピタキシャル成長されている。 - 特許庁

A field oxide film 4 formed on a P-type silicon substrate 1 sets an element forming area.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１に形成されたフィールド酸化膜４は、素子形成領域を設定する。 - 特許庁

The perovskite type oxide is expressed by formula (P) (Pb_1-x+δM_x)(Zr_yTi_1-y)O_z.例文帳に追加

本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記式（Ｐ）で表されることを特徴とするものである。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 11 connected to GND line 19 is extracted from among a plurality of elements.例文帳に追加

複数の素子のうち、ＧＮＤライン１９と接続されたＰ型拡散層１１を抽出する。 - 特許庁

Further, the narrowest section of a channel 14 is made deeper than the half depth of the junction of the p-type gate region 13.例文帳に追加

また、チャネル１４の最狭部をｐ型ゲート領域１３の接合の１／２よりも深くする。 - 特許庁

Stripe width is about 1,500 nm on the flat top surface Σ of the p-type contact layer 105b.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１０５ｂの平頂面Σにおけるストライプ幅は約１５００ｎｍである。 - 特許庁

In this case, the dielectric film 8 is formed by a capacitive coupled type P-CVD method.例文帳に追加

このとき層間誘電体膜８は容量結合型Ｐ−ＣＶＤ法により形成される。 - 特許庁

An irregular structure having a nano-size may be also formed on the outer surface of the p-type GaN layer 20.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ層２０の外表面にナノ寸法の凹凸構造を形成してもよい。 - 特許庁

At this point, the P-type layer 117b is used for controlling the threshold voltage of a MOS transistor.例文帳に追加

ここで、ｐ型層１１７ｂはＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を制御するのに用いられる。 - 特許庁

Thus, an N-type impurity introduction region 17 is formed within the upper surface of a P well 11.例文帳に追加

これにより、Ｐウェル１１の上面内にＮ型不純物導入領域１７が形成される。 - 特許庁

To dope a base layer with carbon which is p-type impurities with a high concentration and to improve a current gain.例文帳に追加

ベース層にｐ型不純物である炭素を高濃度ドーピングし、かつ電流利得を高くする。 - 特許庁

A p-type clad layer 17 consists of AlGaN, and the electron block layer 23 consists of AlGaN.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１７はＡｌＧａＮからなり、電子ブロック層２３はＡｌＧａＮからなる。 - 特許庁

The gate electrode 306 is separated from the surface of the P type substrate 301 by an insulator.例文帳に追加

ゲート電極３０６はＰ型基板３０１の表面と絶縁体により分離されている。 - 特許庁

The gate electrode 16 faces the p-type GaN layer 6 interposing the gate insulating film 15.例文帳に追加

ゲート電極１６は、ゲート絶縁膜１５を挟んでｐ型ＧａＮ層６に対向している。 - 特許庁

A P^+-type epitaxial film 30 consisting of SiC is formed on the inner walls of the trenches 4.例文帳に追加

トレンチ４の内壁面にＳｉＣよりなるＰ^＋型エピタキシャル膜３０が形成されている。 - 特許庁

The entire side of the p-type GaP substrate 12 is worked into a rough surface by a dicing blade.例文帳に追加

ｐ型ＧａＰ基板１２の側面の全部がダイシングブレードで粗面状に加工されている。 - 特許庁

An interlayer dielectric 7 is formed on a silicon substrate 1 with a p-type diffusion layer 5 formed thereon.例文帳に追加

ｐ型拡散層５が形成されたシリコン基板１上に層間絶縁膜７を形成する。 - 特許庁

The p-type semiconductor region 18 includes an upper light guide layer 32 and clad layers 33, 34.例文帳に追加

ｐ型半導体領域１８は、上部光ガイド層３２及びクラッド層３３，３４を含む。 - 特許庁