「P- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

Considering the diffusion of p-type impurities from a tertiary p-type light guide layer 10 to a current constriction layer 9, n-type impurity concentration is made so distributed that it has at least one peak in the current constriction layer 9.例文帳に追加

第３のｐ型光ガイド層１０から電流狭窄層９へのｐ型の不純物の拡散を考慮して、電流狭窄層９中にｎ型の不純物濃度が少なくとも１つのピークを持つように分布させる。 - 特許庁

The emitting portion 10 and the dummy portion 20 include a lower semiconductor multilayer reflecting film 102 of n-type, an active layer 104, a p-type current constriction layer 106, a p-type upper semiconductor multilayer reflecting film 108, and a contact layer 110.例文帳に追加

発光部１０およびダミー部２０は、ｎ型の下部半導体多層反射膜１０２、活性層１０４、ｐ型の電流狭窄層１０６、ｐ型の上部半導体多層反射膜１０８及びコンタクト層１１０を含んでいる。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser element is formed on a substrate 101 and includes a laminated structure 120 containing an active layer 105, and a p-type electron barrier layer 106, an n-type current block layer 108 and p-type light guide layers 107, 111.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ素子は、基板１０１上に形成され、活性層１０５、ｐ型電子障壁層１０６、ｎ型電流ブロック層１０８及びｐ型光ガイド層１０７、１１１を含む積層構造体１２０を有している。 - 特許庁

The p-type epitaxial layer 3a of inside used as the imaging element region Ar and the p-type epitaxial layer 3b of outside where a chip end surface F exists is separated electrically by the embedded electrode 4 and the n^+-type diffusion layer 5.例文帳に追加

埋め込み電極４およびｎ^＋拡散層５により、撮像素子領域Ａｒとなる内側のｐ型エピタキシャル層３ａと、チップ端面Ｆが存在する外側のｐ型エピタキシャル層３ｂとが電気的に分離される。 - 特許庁

An n-type single crystal semiconductor layer is formed on the intrinsic base area 9 within the opening 101, and a p-type outer base area 14 is formed on the outer peripheral part by introducing a p-type impurity from a BSG layer 13.例文帳に追加

開口１０１の内部で真性ベース領域９の上にｎ型の単結晶半導体層を形成し、その外周部にＢＳＧ層１３からｐ型不純物を導入してｐ型の外部ベース領域１４を形成する。 - 特許庁

In an open MIS semiconductor device, N+-type source regions 7, whose flat outer forms are octagonal, are selectively formed in a p-type base region 4 so that they are adjacent to the side edges of a P+-type base region 5.例文帳に追加

開示されているＭＩＳ型半導体装置は、Ｐ型ベース領域４にはＰ^^＋型ベース領域５の側縁部に隣接するように選択的に平面形状の外形が八角形のＮ^＋型ソース領域７が形成されている。 - 特許庁

A diode 1 includes a cathode region 20 containing an n-type impurity in high concentration, a high-resistance region 40 containing an n-type impurity in low concentration and constantly along the thickness, and an anode region 50 containing a p-type impurity.例文帳に追加

ダイオード１は、n型の不純物を高濃度に含むカソード領域２０と、n型の不純物を低濃度に含み、且つ厚み方向に一定に含む高抵抗領域４０と、p型の不純物を含むアノード領域５０を備えている。 - 特許庁

Then, the supply of the material source of O is stopped, and the material source of the n-type dopant Ga is supplied additionally, thus doping the p- and n-type dopant in the semiconductor layer as a p-type ZnO layer 2a (b).例文帳に追加

そして、Ｏの材料源の供給を止め、ｎ形ドーパントであるＧａの材料源をさらに供給することによりｐ形ドーパントおよびｎ形ドーパントを前記半導体層にドーピングし、ｐ形ＺｎＯ層２ａとする（ｂ）。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron block layer 23, and a p-type contact layer 24 formed sequentially from the GaN single crystal substrate 1 side.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁

This solid-state imaging element is provided with each pixel 4 having: a P-type epitaxial growth layer 51; a P-type well 52 arranged on that; and an N-type charge accumulation part 53 arranged on the well 52 for accumulating photoelectrically converted charge.例文帳に追加

固体撮像素子は、Ｐ型エピタキシャル成長層５１と、その上に配置されたＰ型ウエル５２と、ウエル５２に配置され光電変換された電荷を蓄積するＮ型電荷蓄積部５３を有する各画素４と、備える。 - 特許庁

An IGBT is structured in a main cell part MC so that a p^+-type body layer 5 is terminated in an n^+-type emitter region 4, and the IGBT is structured in a sense cell part SC so that p^+-type body layer 5 is terminated in a channel region.例文帳に追加

メインセル部ＭＣでは、ＩＧＢＴがｐ^+型ボディ層５がｎ^+型エミッタ領域４内で終端する構造とされ、センスセル部ＳＣでは、ＩＧＢＴがｐ^+型ボディ層５がチャネル領域内で終端する構造とされるようにする。 - 特許庁

The laser elements 10 and 20 are respectively constituted by successively laminating n-type clad layers 11 and 21, MQW active layers 12 and 22, p-type clad layers 13 and 23, current blocking layers 14 and 24, and p-type contact layers 15 and 25 upon another in this order.例文帳に追加

第１および第２の半導体レーザ素子１０，２０は、ｎ−クラッド層１１，２１、ＭＱＷ活性層１２，２２、ｐ−クラッド層１３，２３、電流ブロック層１４，２４およびｐ−コンタクト層１５，２５が順に積層されてなる。 - 特許庁

Then p-type areas 7 to be channels, n^+-type areas 8 to be sources and body p-type areas 9 are formed on the surface layer of the semiconductor substrate 3 and an inter-layer insulating film 10, a metallic film 11 to be a source electrode, and so on are formed.例文帳に追加

その後、半導体基板３の表層にチャネルとなるＰ型領域７、ソースとなるＮ^＋型領域８、ボディＰ型領域９を形成し、さらに層間絶縁膜１０、ソース電極となる金属膜１１等を形成する。 - 特許庁

A p-type layer 12 and an n-type layer 11 that become a barrier layer are provided, the leakage of a hole in negative biasing accompanying a p-type layer buffer required for increasing a breakdown voltage is suppressed, and a hole in positive biasing can be efficiently discharged.例文帳に追加

バリア層となるｐ型層１２及びｎ型層１１を設け、高耐圧化へ必要なｐ型層バッファに付随する負バイアス時のホールのリークを抑制し、また正バイアス時のホールの排出を効率的に行うことができる。 - 特許庁

An active barrier structure comprises p-type regions PE, PR2 and PR3, and n-type regions NE, EP and NR1 connected to a p-type impurity region PSR, respectively and also subjected to ohmic connection so as to be mutually a floating potential.例文帳に追加

アクティブバリア構造は、各々がｐ型不純物領域ＰＳＲに接し、かつ互いにフローティング電位となるようにオーミック接続されたｐ型領域ＰＥ、ＰＲ２、ＰＲ３とｎ型領域ＮＥ、ＥＰ、ＮＲ１とを有する。 - 特許庁

The varibale capacitance element VAR is provided with an N^+ type layer 56 containing a variable capacitance region 56a, P^+ type layers 61 epitaxially grown on the layer 56 and composed of SiGe and Si films, and P-type electrodes 62.例文帳に追加

可変容量素子ＶＡＲは、可変容量領域５６ａを含むＮ^+ 層５６と、Ｎ^+ 層５６の上にエピタキシャル成長により形成されたＳｉＧｅ膜及びＳｉ膜からなるＰ^+ 層６１と、Ｐ型電極６２とを備えている。 - 特許庁

A current passing through the P-type region 7b in the periphery of the channel is controlled by a PN junction formed by the first and second N-type regions and the P-type source region 14 so as to stabilize the characteristics of the PMOSTFT.例文帳に追加

第１および第２のＮ型領域とＰ型であるソース領域１４に形成されるＰＮ接合によってチャネル部周辺のＰ型領域７ｂを通過する電流を抑制し、ＰＭＯＳＴＦＴの特性を安定化する。 - 特許庁

A p-type well 30P is provided in annular inside input/output pads 12 and the like on the main surface of semiconductor chip 10, with an N-type well 30N provided in annular along the inside of the P-type well 30P.例文帳に追加

半導体チップ１０の主面における各入出力パッド１２等の内側には、Ｐ型ウェル３０Ｐが環状に設けられ、該Ｐ型ウェル３０Ｐの内側に沿うようにＮ型ウェル３０Ｎが環状に設けられている。 - 特許庁

On the other hand, because the P type shallow well region 212 is separated by the deep element isolation region 226 and the N type deep well region 227, a plurality of P type shallow well region 212 separating each other can be formed easily.例文帳に追加

一方、Ｐ型の浅いウェル領域２１２は、深い素子分離領域２２６とＮ型の深いウェル領域２２７とによって分離されるから、互いに独立したＰ型の浅いウェル領域２１２を容易に複数形成することができる。 - 特許庁

Further, the P^---type impurity layer 12 is so formed as to be joined with an N^--type impurity layer 2 and has a concentration profile such that the density of P-type impurities (the amount of included impurities) becomes larger with the distance from the junction part.例文帳に追加

また、Ｐ^−−型不純物層１２は、Ｎ^−型不純物層２と接合するように、かつ接合部から離れるほどＰ型不純物の濃度（含まれる不純物の量）が大きくなる濃度プロファイルとなるように、形成する。 - 特許庁

An active layer 14 has the type II super-lattice structure of an A layer having the upper end of a valence band higher than the p-type clad layer 13 and a B layer consisting of a mixed crystal having an element configuration equal to the p-type clad layer 13.例文帳に追加

活性層１４が、価電子帯の上端がｐ型クラッド層１３よりも高いＡ層と、ｐ型クラッド層１３と同等の元素構成を有する混晶よりなるＢ層とのタイプＩＩ超格子構造を有している。 - 特許庁

The current flowing through the P-type region 7b around the channel region is suppressed by a PN junction formed in the first and second N-type regions and the source region 14, which is P-type to make the characteristics of the PMOSTFT stable.例文帳に追加

第１および第２のＮ型領域とＰ型であるソース領域１４に形成されるＰＮ接合によってチャネル部周辺のＰ型領域７ｂを通過する電流を抑制し、ＰＭＯＳＴＦＴの特性を安定化する。 - 特許庁

A P-type region 19 is formed by injecting the P-type impurity ion into a predetermined region of the N-type region 5 of the semiconductor wafer 1 using the photoresist 17 and the periphery insulating film 13 as masks by an ion implantation method.例文帳に追加

イオン注入法により、フォトレジスト１７及び周縁部絶縁膜１３をマスクにして半導体ウェハ１のＮ型領域５の所定の領域にＰ型不純物イオンを注入してＰ型領域１９を形成する。 - 特許庁

This semiconductor laser 10 has a double-heterojunction multiplayer structure of a 1st buffer layer 14, a 2nd buffer layer 16, an n-type clad layer 18, an active layer/guide layer 20, a p-type clad layer 22, and a p-type cap layer 24 on a substrate 12.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、基板１２上に、第１バッファ層１４、第２バッファ層１６、ｎ型クラッド層１８、活性層／ガイド層２０、ｐ型クラッド層２２、及びｐ型キャップ層２４のダブルヘテロ接合積層構造を備える。 - 特許庁

The thickness of an insulating groove which is formed between a drain region and a substrate contact region of a GG-type NMOS transistor, is made larger than that of a p-type well in which the drain region is formed, so that the groove reaches a p-type substrate.例文帳に追加

ＧＧ型ＮＭＯＳトランジスタのドレイン領域と基板コンタクト領域との間に形成される絶縁用溝を、そのドレイン領域などが形成されるＰ型ウエルの厚みより深くし、Ｐ型基板に達するように構成する。 - 特許庁

The pn junction diode 22a for temperature detection is formed with an n-type diffusion layer 21 formed in the p-type diffusion layer 20 as a cathode region, and a P^+ diffusion layer 19b formed in the n-type diffusion layer 21 as an anode region.例文帳に追加

温度検出用ＰＮ接合ダイオード２２ａは、Ｐ型拡散層２０内に形成されるＮ型拡散層２１をカソード領域とし、Ｎ型拡散層２１内に形成されるＰ＋拡散層１９ｂをアノード領域とする。 - 特許庁

The p-type boron phosphide (BP)-based semiconductor layer is formed by adding beryllium (Be) to the boron phosphide (BP)-based semiconductor layer provided on the surface of a single-crystal substrate and containing boron (B) and phosphorus (P) as constituent elements as the p-type impurity.例文帳に追加

単結晶からなる基板の表面上に設けられた、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを構成元素として含むリン化硼素（ＢＰ）系半導体層に、ｐ形不純物としてベリリウム（Ｂｅ）を添加し、ｐ形リン化硼素（ＢＰ）系半導体層を形成する。 - 特許庁

A second semiconductor laser structure 120 consists of an n-type clad layer 121, an active layer 122, a p-type clad 123 and an n-type current blocking layer 124.例文帳に追加

また、第２の半導体レーザ構造１２０は、ｎ型クラッド層１２１、活性層１２２、ｐ型クラッド層１２３、ｎ型電流ブロック層１２４により構成されている。 - 特許庁

Then, an n-type collector diffusion layer 14 connected to an input/output line 21 is extracted from among n-type diffusion layers in contact with the p-type diffusion layer 11.例文帳に追加

次に、Ｐ型拡散層１１と接しているＮ型拡散層のうち、入出力ライン２１と接続されているＮ型コレクタ拡散層１４を抽出する。 - 特許庁

A first vertical bipolar transistor 1 is composed of a first N-type emitter region 13, a first P-type base region 12, and a first N-type collector region 11.例文帳に追加

第１縦型バイポーラトランジスタ１は、Ｎ型の第１エミッタ領域１３と、Ｐ型の第１ベース領域１２と、Ｎ型の第１コレクタ領域１１とにより構成されている。 - 特許庁

An operation portion 101 is equipped with buttons for two color vision types (C type and P type), and a color vision type determination portion 102 determines a color vision based on which button is pushed.例文帳に追加

操作部１０１には、２つの色覚タイプ（Ｃ型とＰ型）のボタンが用意され、色覚タイプ判定部１０２は何れのボタンが押されたかで色覚タイプを判定する。 - 特許庁

A p-type InP clad layer 4 with Mg doped, an InGaAsP light confinement layer 5, an InGaAsP MQW active layer 6, an n-type InGaAsP light confinement layer 7, and an n-type InP clad layer 8, are sequentially stacked thereon.例文帳に追加

その上に、Mgをドープしたｐ型InPクラッド層４、InGaAsP光閉込層５、InGaAsP MQW活性層６、ｎ型InGaAsP光閉込層７、ｎ型InPクラッド層８を順次積層した構造とする。 - 特許庁

A first semiconductor laser structure 110 consists of an n-type clad layer 111, an active layer 112, a p-type clad layer 113 and an n-type current blocking layer 114.例文帳に追加

第１の半導体レーザ構造１１０は、ｎ型クラッド層１１１、活性層１１２、ｐ型クラッド層１１３、ｎ型電流ブロック層１１４により構成されている。 - 特許庁

The photonic crystal structure is formed in an n-type region of a group III nitride semiconductor structure, including an active region sandwiched between an n-type region and a p-type region.例文帳に追加

ｎ型領域及びｐ型領域間に挟まれた活性領域を含むＩＩＩ族窒化物半導体構造のｎ型領域に形成された光結晶構造。 - 特許庁

A field-effect transistor comprises a nitride semiconductor laminate structure 2 in which an n-type GaN layer 3, a p-type GaN layer 4, and an n-type GaN layer 5 are laminated.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、ｎ型ＧａＮ層３、ｐ型ＧａＮ層４およびｎ型ＧａＮ層５が積層された窒化物半導体積層構造部２を備えている。 - 特許庁

The n-type FET 10 includes n-type impurity diffusion layers 12, 13, a p-type impurity implantation region 14, a gate insulation film 15, and a gate electrode 16.例文帳に追加

Ｎ型ＦＥＴ１０は、Ｎ型不純物拡散層１２，１３、Ｐ型不純物注入領域１４、ゲート絶縁膜１５、およびゲート電極１６を含んでいる。 - 特許庁

A gate insulating film 70 is formed so as to cover the surface of a P-type region between the N^+-type SiC source region 30 and the N-type SiC drain region 40.例文帳に追加

Ｎ＋型ＳｉＣソース領域３０とＮ型ＳｉＣドレイン領域４０との間のＰ型領域の表面を覆うようにゲート絶縁膜７０が形成されている。 - 特許庁

On the base 10, a first electrode 111, a p-type polysilicon layer 112, an i-type intermediate layer 113, an n-type amorphous silicon layer 114, and a second electrode 12 are laminated in order.例文帳に追加

基材１０上に、第１電極１１１、ｐ型ポリシリコン層１１２、ｉ型中間層１１３、ｎ型アモルファスシリコン層１１４、第２電極１２を順に積層する。 - 特許庁

The p+ type layer D1 is composed of a silicon-germanium mixture (Si_1-xGe_x (0<x≤1)), and the n- type layer D2 and n+ type layer D3 are constructed with silicon (Si).例文帳に追加

ｐ＋型層Ｄ１はシリコン−ゲルマニウム混合物（Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（０＜ｘ≦１））で構成され、ｎ−型層Ｄ２、ｎ＋型層Ｄ３はシリコン（Ｓｉ）で構成されている。 - 特許庁

An n-type well 11 and p-type wells 12a and 12b which are formed, while facing each other and proximately with the n-type well 11 in-between are formed on the surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面にｎ型ウェル１１と、ｎ型ウェル１１を挟んでそれぞれ対向して近接してｐ型ウェル１２ａ、１２ｂとを形成する。 - 特許庁

The gate insulating film 15 is formed on a wall surface 9 of the laminate structure part 3 to straddle the n-type GaN layer 5, the p-type GaN layer 6 and the n-type GaN layer 7.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１５は、ｎ型ＧａＮ層５、ｐ型ＧａＮ層６およびｎ型ＧａＮ層７に跨るように、積層構造部３の壁面９に形成されている。 - 特許庁

The high-concentration n-type region 9 is formed by diffusing an n-type impurity from the front side of the substrate 5 so as to surround the p-type region 7 as seen from the front side.例文帳に追加

高濃度ｎ型領域９は、表面側から見てｐ型領域７を取り囲むように、基板５の表面側からｎ型不純物を拡散して形成されている。 - 特許庁

An n-type clad layer 12, an optical waveguide layer, and a p-type clad layer 20 are sequentially formed on an n-type GaAs substrate 10 as a semiconductor lamination structure.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、半導体積層構造として、ｎ型クラッド層１２、光導波路層、及びｐ型クラッド層２０が順次形成されている。 - 特許庁

To easily achieve a semiconductor device including complementary type MIS transistors having improved characteristics of a p-type MIS transistor and an n-type MIS transistor.例文帳に追加

ｐ型ＭＩＳトランジスタ及びｎ型ＭＩＳトランジスタの特性を向上した相補型ＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置を容易に実現できるようにする。 - 特許庁

On one surface of a high-resistance n-type base layer 1, an n-type collector layer 2 of high concentration is formed and on the other surface, a p-type base layer 3 is selectively formed.例文帳に追加

高抵抗のｎ型ベース層１の一方の面には高濃度のｎ型コレクタ層２が形成され、他方の面にはｐ型ベース層３が選択的に形成されている。 - 特許庁