「P- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

The JTE region 6 consists of a first p-type region 6a formed in a region including below the edge of an anode electrode 3 above the drift layer 2, and a second p-type region 6b formed on the outside thereof and having impurity surface concentration lower than that of the first p-type region 6a.例文帳に追加

ＪＴＥ領域６は、ドリフト層２の上部におけるアノード電極３のエッジの下を含む領域に形成された第１のｐ型領域６ａと、その外側に形成され第１のｐ型領域６ａよりも不純物面濃度が低い第２のｐ型領域６ｂとから成る。 - 特許庁

On the surface of a semiconductor substrate 301 at the lower portion of the connection electrode 308, p-type impurities are introduced selectively, thus forming a high-concentration p-type impurity region 310 having a p-type impurity concentration that is higher than that of the pixel separation region 306.例文帳に追加

また、接続電極３０８の下方における半導体基板３０１の表面には、Ｐ型不純物を選択的に導入することによって、画素分離領域３０６よりＰ型不純物濃度が高い高濃度Ｐ型不純物領域３１０が形成されている。 - 特許庁

The element is constituted by using the p-type GaN semiconductor layer, in which a region where hydrogen is made to remain in a p-type GaN compound semiconductor layer (p-type layer) profundal part, resistance is made high exists inside, and a region formed of a nonstoichiometric composition is installed in a surface layer.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層（ｐ型層）深底部に水素を残留させて、高抵抗となした領域を内在し、且つ表層部に非化学量論的な組成からなる領域を設けたｐ型ＧａＮ系半導体層を用いて素子を構成する。 - 特許庁

The impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is provided in the vicinity of the active layer 5 so that p-type impurities present in the p-type clad layer 10, p-type second guide layer 9, etc., can be accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8 and are not diffused in the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

On a substrate 101, an AIN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type GaN layer 105 and a high concentration p-type GaN layer 106 are formed sequentially, and a gate electrode 111 has an ohmic junction to the high concentration p-type GaN layer 106.例文帳に追加

基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６が順に形成され、ゲート電極１１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接合する。 - 特許庁

In an entire area of an outer edge of a cell region including an outer peripheral region, p-type deep layers 10 are formed, and a p-type resurf layer 15 which is formed in a boundary position between the cell region of a mesa structure 14 and its periphery has the same depth as the p-type deep layer 10.例文帳に追加

セル領域の外縁部において、ｐ型ディープ層１０が外周領域に至るまで全域形成された構造とし、メサ構造部１４のセル領域と外周との境界位置に形成されるｐ型リサーフ層１５とｐ型ディープ層１０とを同じ深さにする。 - 特許庁

P-type dopant in a semiconductor constituting a reflecting mirror is diffused on outer parts of side wall faces of the reflecting mirror formed of an alternate lamination layer of air gaps 114 and p-InP type semiconductor layers 117, which are formed on a laser active layer 104 in a mesa shape, and p-type conduction regions 110 are installed.例文帳に追加

レーザ活性層１０４上にメサ状に形成された、エアギャップ１１４とｐ−ＩｎＰ型半導体層１１７との交互積層からなる反射鏡の側壁面外部に、反射鏡を構成する半導体中のｐ型ドーパントを拡散させ、ｐ型導電領域１１０を設ける。 - 特許庁

To provide a composition for forming a p-type diffusion layer, which allows formation of a p-type diffusion layer without causing internal stress in a silicon substrate and warpage of the substrate during the step of producing a solar battery cell using the silicon substrate, to provide a process for forming a p-type diffusion layer, and to provide a process for producing a solar battery cell.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成するｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

The semiconductor laser comprises a P-type side ohmic electrode 52 brought into ohmic contact with a P-type contact layer 43 in other region except at least one end of a resonator direction A, and a P-type side Schottky electrode 53 brought into Schottky contact with the layer 43 at its end.例文帳に追加

共振器方向Ａにおける少なくとも一方の端部を除く他の領域においてｐ側コンタクト層４３とオーミック接触するｐ側オーミック電極５２と、その端部においてｐ側コンタクト層４３とショットキー接触するｐ側ショットキー電極５３とを備える。 - 特許庁

An AlN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type GaN layer 105, and a high concentration p-type GaN layer 106, are sequentially formed on a substrate 101; and a gate electrode 111 is ohmic-contacted to the high concentration p-type GaN layer 106.例文帳に追加

基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６が順に形成され、ゲート電極１１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接合する。 - 特許庁

The P-type ZnTe quantum well layers 12a and the P-type ZnSe barrier layers 12b constituting the P-type ZnSe/ZnTeMQW layer 12 are grown in a desired thickness in a growing time almost an integer times as long as a rotation period of the substrate.例文帳に追加

ｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層１２は、ｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層１２を構成する全てのｐ型ＺｎＴｅ量子井戸層１２ａおよび全てのｐ型ＺｎＳｅ障壁層１２ｂは、基板の回転周期の整数倍とほぼ等しい成長時間で所望の厚さに成長することにより形成する。 - 特許庁

To provide a p-type diffusion layer forming composition capable of forming a p-type diffusion layer without causing an internal stress in a silicon substrate and a warpage of the substrate, in a manufacturing process of a solar cell element using the silicon substrate, a method for manufacturing the p-type diffusion layer, and a method for manufacturing the solar cell element.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成するｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。 - 特許庁

This III-V group compound semiconductor device includes at least a p-type layer (6) formed by epitaxial growth on a substrate (1), and the p-type layer (6) contains Zn as p type dopant, and has a larger lattice constant than that of the substrate (1), and includes compression distortion.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置は、基板（１）上においてエピタキシャル成長させられた少なくともｐ型層（６）を含み、このｐ型層（６）はｐ型ドーパントとしてＺｎを含むとともに、基板（１）に比べて大きな格子定数を有していて圧縮歪を含んでいる。 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor film readily controlling a forbidden band width or an electron affinity distribution in the p-type semiconductor film constituted of a p-type semiconductor and used as a light absorbing layer of a solar cell, so as to provide a high conversion efficiency solar cell.例文帳に追加

ｐ型半導体で構成され、太陽電池の光吸収層として使用されるｐ型半導体膜内の禁制帯幅或いは電子親和力の分布を容易に制御することができ、変換効率の高い太陽電池を得ることができるｐ型半導体膜を提供する。 - 特許庁

In a compound semiconductor epitaxial crystal, a plurality of epitaxial layers containing a p-type conduction layer principally comprising C added InGaAs as p-type impurities are formed in layers on a compound semiconductor substrate, and the p-type conduction layer contains antimony by 0.5-10 mol%.例文帳に追加

化合物半導体基板上に、ｐ型不純物として炭素が添加されたＩｎＧａＡｓを主成分とするｐ型伝導層を含む複数のエピタキシャル層が積層された化合物半導体エピタキシャル結晶において、前記ｐ型伝導層がアンチモンを０．５〜１０モル％含有するようにした。 - 特許庁

The light emitting element has the light emitting layer formed of the zinc oxide system semiconductor, a p-type layer formed of a semiconductor material other than a zinc oxide system and the zinc oxide system semiconductor which is arranged between the light emitting layer and the p-type layer and comprises p-type dopant.例文帳に追加

酸化亜鉛系半導体からなる発光層と、酸化亜鉛系以外の半導体材料からなるｐ型層と、前記発光層と前記ｐ型層との間に設けられた、ｐ型ドーパントを含む酸化亜鉛系半導体からなる中間層と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting element, a metal which is in ohmic contact with an n-type nitride semiconductor is used in a p-side electrode for injecting hole to a p-type nitride semiconductor layer, and a contact layer forming the p-side electrode is formed of an n-type nitride semiconductor.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子は、ｐ型窒化物半導体層に正孔を注入するためのｐ側電極に、ｎ型窒化物半導体とオーミック接触する金属を用いるとともに、かかるｐ側電極を形成するコンタクト層をｎ型窒化物半導体で形成する。 - 特許庁

As a structure applicable to a MOSFET (field effect transistor) provided with a gate electrode G (MOS gate) of a trench electrode structure, a p-type diffused layer SP having a higher concentration than a p-type base area BS is formed around the surface of a substrate in a p-type base area BS.例文帳に追加

トレンチ電極構造のゲート電極Ｇ（ＭＯＳゲート）を備えるＭＯＳＦＥＴ（電界効果トランジスタ）に適用される構造として、ｐ型のベース領域ＢＳの基板表面付近に、該ベース領域ＢＳよりも濃度の高いｐ型の拡散層ＳＰを設けるようにする。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser device has a structure where an N-type nitride semiconductor layer 2, an active layer 3, and a P-type nitride semiconductor layer 4 are successively laminated on a substrate 1, and a P- electrode 6 is formed on the P-type nitride semiconductor layer 4 through the intermediary of a current constriction insulating film 5 of SiO2.例文帳に追加

基板１上にｎ型窒化物半導体層２、活性層３、およびｐ型窒化物半導体層４が順に積層された構造を有し、このｐ型窒化物半導体層４上面にＳｉＯ_2よりなる電流狭窄用絶縁膜５を介して、ｐ電極６を形成する。 - 特許庁

Since the first layer 11 and the second layer 12, which have independent contents of aluminum and p-type impurity concentrations and are different from each other, are formed in separate processes, respectively, a proper p-type group III nitride compound semiconductor having the properties as p-type AlGaN mixed crystal, as whole, is obtained.例文帳に追加

アルミニウムの含有量とｐ型不純物濃度とが互いに異なる第１の層１１と第２の層１２とをそれぞれ別工程で形成でき、全体としてはｐ型ＡｌＧａＮ混晶としての性質を持つ良好なｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体となる。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device having a positive electrode formed on a p-type semiconductor layer via a p-type contact layer, the p-type contact layer is 250 Å or smaller in film thickness, and Mg concentration is 1.5×10^20/cm^3 or higher.例文帳に追加

ｐ型半導体層の上に、ｐ型コンタクト層を介して形成された正電極を備える半導体発光素子であって、前記ｐ型コンタクト層が、膜厚２５０Å以下の膜厚で、Ｍｇ濃度１．５×１０^２０／ｃｍ^３以上に設定されてなる半導体発光素子。 - 特許庁

Then a p-type electrode 4 is formed on the insulating layer 6 and the growth principal surface 25 of the p-type GaN contact layer 19, so that a lower layer principally containing Pt comes in contact with the growth principal surface 25 of the p-type GaN contact layer 19 exposed from the insulating layer 6.例文帳に追加

そして、ｐ型電極４を、Ｐｔが主として含有される下層が、絶縁層６から露出するｐ型ＧａＮコンタクト層１９の成長主面２５に接触するように、絶縁層６およびｐ型ＧａＮコンタクト層１９の成長主面２５に形成する。 - 特許庁

At p-type well 14 and an n-type well 13 of a p-type silicon substrate 11, low-voltage n-channel MOS transistors QN1 and QN2 and p-channel MOS transistor QP1 and QP2 are formed respectively, while high-voltage n- channel MOS transistors QN3 and QN4 are formed at the substrate 11.例文帳に追加

ｐ^-型シリコン基板１１のｐ型ウェル１４及びｎ型ウェル１３にそれぞれ低電圧系のｎチャネルＭＯＳトランジスタＱＮ１，ＱＮ２及びｐチャネルＭＯＳトランジスタＱＰ１，ＱＰ２が形成され、高電圧系のｎチャネルＭＯＳトランジスタＱＮ３，ＱＮ４は基板１１に形成される。 - 特許庁

An n-type clad layer 21, n-side guide layer 22, active layer 23, p-side guide layer 24, first p-type clad layer 25, etching stop layer 26, second p-type clad layer 27, low-refractive index layer 28, and contact layer 29 are sequentially laminated on a substrate 10 starting from the side of the substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に、ｎ型クラッド層２１、ｎ側ガイド層２２、活性層２３、ｐ側ガイド層２４、第１ｐ型クラッド層２５、エッチングストップ層２６、第２ｐ型クラッド層２７、低屈折率層２８およびコンタクト層２９が基板１０側から順に積層されている。 - 特許庁

That is, since the pn junction interface of a p-type semiconductor crystal layer 103 and the first non p-type layer 104 is raised higher than the other part under a gate electrode G, the thickness of the first non p-type layer 104 is thinner than the other part under the gate electrode G.例文帳に追加

即ち、ｐ型半導体結晶層１０３と第１非ｐ型層１０４とのｐｎ接合界面がゲート電極Ｇの下において他の部位よりも高く盛り上がっているために、第１非ｐ型層１０４の膜厚はゲート電極Ｇの下では他の部位よりも薄くなっている。 - 特許庁

In a region in the drift layer 12 sandwiched by the p-type body regions 14 and the silicon carbide substrate 11, a plurality of p-type regions 13, which are arranged spaced apart from each other in a direction perpendicular to the thickness direction of the drift layer 12 and whose conductivity types are p type, are formed so as to line up with each other.例文帳に追加

そして、ｐ型ボディ領域１４と炭化珪素基板１１とに挟まれたドリフト層１２の領域には、ドリフト層１２の厚み方向に垂直な方向において互いに分離して配置された導電型がｐ型であるｐ型領域１３が複数並ぶように形成されている。 - 特許庁

The outermost circumferential p+ type well region 21a in a plurality of p+ type well regions 21 has a region of deeper junction than those located closer to the cell region side than the outermost circumferential p+ type well region 21a.例文帳に追加

複数のｐ^+型ウェル領域２１のうち最外周に位置する最外周ｐ^+型ウェル領域２１ａが、複数のｐ^+型ウェル領域２１のうち該最外周ｐ^+型ウェル領域２１ａよりもセル領域側に位置するものよりも接合深さが深く形成されている領域を有しているようにする。 - 特許庁

The first layers 11 and the second layers 12 that have aluminum contents and p-type impurity concentrations different from each other are formed in separate processes to enable fabricating a satisfactory p-type group III nitride compound semiconductor that has a property of p-type AlGaN mixed crystal as a whole.例文帳に追加

アルミニウムの含有量とｐ型不純物濃度とが互いに異なる第１の層１１と第２の層１２とをそれぞれ別工程で形成し、全体としてはｐ型ＡｌＧａＮ混晶としての性質を持つ良好なｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体を製造することができる。 - 特許庁

An n-channel MOS transistor including a P-type body layer 3a and a p-type active layer for body voltage application 6, which is brought into contact with the p-type body layer 3a, are formed on an SOI substrate formed by matching a crystal orientation <110> of a support substrate 1 with a crystal orientation <100> of an SOI layer 3.例文帳に追加

ＳＯＩ層３の結晶方位＜１００＞に支持基板１の結晶方位＜１１０＞を一致させて形成されたＳＯＩ基板上に、Ｐ型ボディ層３ａを含むＮチャネルＭＯＳトランジスタと、Ｐ型ボディ層３ａに接するボディ電圧印加用Ｐ型活性層６とを形成する。 - 特許庁

Inside the first n-well 3A, a p-well 4A is formed, and inside the p-well 4A, an n-channel type MOS transistor 10 is formed.例文帳に追加

第１のＮウエル３Ａの中には、Ｐウエル４Ａが形成され、このＰウエル４Ａ中にＮチャネル型ＭＯＳトランジスタ１０が形成されている。 - 特許庁

At this time, the upper part of the second trench is not completely filled with the p-type semiconductor 28, but remains, and a recess is formed on the surface of the parallel p-n structure.例文帳に追加

このとき、第２のトレンチの上部はｐ型半導体２８で埋まらずに残り、並列ｐｎ構造の表面に窪みが形成される。 - 特許庁

The photodiode may also have a p-type semiconductor material which is formed adjacent to a first surface of the first region which is highly doped.例文帳に追加

当該フォトダイオードはまた、前記第1領域の第1面に隣接して形成される高濃度ドーピングされたp型半導体材料をも有して良い。 - 特許庁

To improve reliability of a semiconductor light-emitting element by reducing the resistance of and improving the c-axis orientational distribution of a p-type layer in a III nitride semiconductor.例文帳に追加

III族窒化物半導体におけるp型層の低抵抗化、c軸配向性分布の改善を行い、発光素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁

The semiconductor device has a p-well 13 and an n-well 14 formed on a p-type silicon substrate 11 and bordering an isolation oxide film 12.例文帳に追加

この半導体装置は、ｐ型シリコン基板１１に素子分離酸化膜１２を境界するｐウェル１３およびｎウェル１４を有する。 - 特許庁

To provide an electrode for p-type SiC which ensures proper surface morphology and gives less amount of damage on a semiconductor crystal layer during the formation of the electrode.例文帳に追加

表面モホロジーが良好で、電極の形成に伴う半導体結晶層への損傷が少ないp型SiC用電極を提供する。 - 特許庁

In the temperature reducing process after growing a contact layer 509 of p-type GaAs, supply of the material gas, which contains AsH3, is stopped, and only the carrier gas is supplied.例文帳に追加

p型GaAsコンタクト層５０９成膜後の降温過程においては、AsH_3を含む原料ガスの供給を停止し、キャリアガスのみを供給する。 - 特許庁

A p-layer formation chamber 11 has a sealing gate 12 by stacking one layer of amorphous silicon p-type thin film on a piece-like stacking object 99.例文帳に追加

ｐ層生成チャンバー１１は、片状の積層対象物９９に一層のアモルファスシリコンｐ型薄膜を積層し、密封口１２を有する。 - 特許庁

The trains that were running on the JR lines were operated with Series 183 while they were on the JR Line during busy seasons, but nowadays the cars used in the section aren't equipped with the ATS-P type system. 例文帳に追加

JR線乗り入れ列車は、多客期はJR線内は183系で運転されていたが現在はATS-P型のつけられていない車両での運転。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

P-type impurity layers (P+D layer 22, FP layer 24) deeper than a drain layer 12 are formed below a contact region of the drain layer 12.例文帳に追加

また、ドレイン層１２のコンタクト領域の下方に、ドレイン層１２よりも深いＰ型不純物層（Ｐ＋Ｄ層２２，ＦＰ層２４）を形成する。 - 特許庁

Subsequently, P-type polysilicon films are formed by ion-implanting boron into P-channel MOS-transistor forming regions and bipolar-transistor forming regions.例文帳に追加

続いて、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ形成領域およびバイポーラトランジスタ形成領域にボロンをイオン注入してＰ型のポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁

Someiyoshino (scientific name: Prunus x yedoensis) is a type of cherry tree as a garden plant, having been produced by crossbreeding Cerasus spachiana 'Komatsuotome' in the line of Edohigan (P. pendula Maxim. f. ascendens (Makino) Ohwi) and the Oshima cherry (P. lannesiana var. speciosa). 例文帳に追加

ソメイヨシノ（染井吉野、学名：Prunus×yedoensis）は、エドヒガン系のコマツオトメとオオシマザクラの交配で生まれたサクラの園芸品種である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The implantation of p-type impurity is effected onto the monitor wafer, on which the oxide film is formed, to form p-well in the oxide film.例文帳に追加

酸化膜が形成されたモニタウエハに対してｐ型不純物のイオン注入を行うことで、酸化膜の内側にｐウェルを形成する。 - 特許庁

In the same way, an n-type well NW is formed with common use of a p-channel low voltage resistance MIS and a well of a p-channel low voltage resistance MIS.例文帳に追加

同様に、Ｐチャネル型の低耐圧ＭＩＳとＰチャネル型の低耐圧ＭＩＳのウエルを共用化し、Ｎ型ウエルＮＷとする。 - 特許庁

The hot water supply passages P to the plurality of hot water storage type electric water heaters are alternately opened and closed through an electric valve M installed to each hot water supply passage P.例文帳に追加

各給湯路Ｐに装着した電動弁Ｍを介して複数台の貯湯式電気温水器への給湯路Ｐを交互に開閉する。 - 特許庁

This photodetector 100 comprises a photoelectron emission surface having a p-type Si substrate 11, a porous silicon area 12 formed on the p-type Si substrate, an Au electrode 13 formed on the porous silicon area 12, and an ohmic electrode 14 formed on the p-type Si substrate opposite to the porous silicon area 12 formed on the p-type Si substrate; and an anode 15.例文帳に追加

光検出器１００は、ｐ型Ｓｉ基板１１と、ｐ型Ｓｉ基板上に形成されたポーラスシリコン領域１２と、ポーラスシリコン領域１２上に形成されたＡｕ電極１３と、ｐ型Ｓｉ基板上に形成されたポーラスシリコン領域と反対側のｐ型Ｓｉ基板上に形成されたオーミック電極１４とを有する光電子放出面と、陽極１５とを備える。 - 特許庁