「P- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索

An n^+-type source region 14 is formed along the opening of a trench 10a on the surface region of a p-type channel region 13.例文帳に追加

Ｐ型チャネル領域１３の表面領域には、トレンチ溝１０ａの開口に沿って、Ｎ^＋型ソース領域１４が形成されている。 - 特許庁

The thermoelectric device 1 is provided in which the N-type semiconductor 11, the P-type semiconductor 12 and the insulating layer 13 between them are integrated.例文帳に追加

この熱電素子１においては、Ｎ型半導体１１、Ｐ型半導体１２とこれらの間の絶縁層１３が一体化されている。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a ridge type semiconductor laser in which a p-type electrode can be formed accurately on the upper surface of a ridge structure.例文帳に追加

リッジ構造の上表面上にｐ型電極を正確に形成できるリッジ型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

The transistor 10 includes an emitter area 28, a p-type base area 26, an n-type base area 24, and a trench gate electrode 34.例文帳に追加

トランジスタ１０は、エミッタ領域２８と、ｐ型ベース領域２６と、ｎ型ベース領域２４と、トレンチゲート電極３４を備えている。 - 特許庁

Phosphor as an n-type impurity and boron as a p-type impurity are contained in the emitter region RE and the base region RB, respectively.例文帳に追加

エミッタ領域ＲＥにはＮ型不純物としてのリンが、ベース領域ＲＢにはＰ型不純物としてのボロンが含有されている。 - 特許庁

An electrostatic discharge protection circuit is formed of a p-type MOS transistor Qp, an n-type MOS transistor Qn, and a protection resistance R.例文帳に追加

ｐ型ＭＯＳトランジスタＱｐ、ｎ型ＭＯＳトランジスタＱｎおよび保護抵抗Ｒによって静電気放電保護回路が形成される。 - 特許庁

To provide p-type and n-type clathrate compounds and a thermoelectric conversion element by only adjusting compositions in the same material system.例文帳に追加

同じの材料系で成分の調整のみによって、ｐ型およびｎ型のクラスレート化合物および熱電変換素子を提供する。 - 特許庁

In particular, the N-type semiconductor 11, the P-type semiconductor 12 and the insulating layer 13 are integrated and formed.例文帳に追加

特に、Ｎ型半導体１１とＰ型半導体１２、及び絶縁層１３とが一体化されて形成されている点に特徴を有する。 - 特許庁

Then an N-type MOSFET, having this silicon epitaxial growth layer 15 as a channel part, is formed in a P-type well region 13b.例文帳に追加

そして、このシリコンエピタキシャル成長層１５をチャネル部とするＮ型ＭＯＳＦＥＴを、Ｐ−型ウエル領域１３ｂに形成する。 - 特許庁

The i-type AlGaN layer 24 is made of semiconductor material having a lattice constant smaller than the p-type GaN layer 22 directly thereunder.例文帳に追加

ｉ型ＡｌＧａＮ層２４は直下のｐ型ＧａＮ層２２よりも小さな格子定数を持つ半導体材料で形成されている。 - 特許庁

On the upper surface of a sapphire substrate 1, an N-type semiconductor layer 2, an active layer 4, and a P-type semiconductor layer 5 are laminated in this order.例文帳に追加

サファイア基板１の上面には、Ｎ型半導体層２、活性層４、Ｐ型半導体層５がこの順に積層してある。 - 特許庁

Each base emitter region comprises a base drawer p^+-type diffusion layer (14A, for example) and emitter n^+-type diffusion layers (15A, 15B, for examples).例文帳に追加

個々のベース・エミッタ領域には、ベース引き出しＰ＋拡散層（例えば１４Ａ）と、エミッタＮ＋拡散層（例えば１５Ａ，１５Ｂ）を含ませる。 - 特許庁

The optical carrier recombination region is formed in a doping dipole structure having an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer adjacent to each other.例文帳に追加

光キャリア再結合領域は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とが隣接して成るドーピングダイポール構造で構成される。 - 特許庁

The ions are implanted through the gate insulation film 10 and the p-type well and the n-type well are formed for a low-voltage system transistor.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０を介してイオン注入を行って、低電圧系トランジスタ用にｐ型ウェル及びｎ型ウェルを形成する。 - 特許庁

A trench 2 is formed in a vertical direction from a main surface 1a of an n+-type substrate 1, and a p-type layer 3 is formed inside the trench 2.例文帳に追加

ｎ^+型基板１の主表面１ａから垂直方向にトレンチ２を形成し、このトレンチ２内にｐ型層３を成膜する。 - 特許庁

The second photo resist 5 is removed, and then the P-type impurity area 4 and the N-type impurity area 6 are thermally diffused.例文帳に追加

その後、第２のホトレジスト５を除去した後に、Ｐ型の不純物領域４及びＮ型の不純物領域６の熱拡散を行う。 - 特許庁

The MOS transistor M21 consists of an ordinary P-type MOS transistor, and the MOS transistor M24 consists of an ordinary N-type MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ２１は通常のＰ型ＭＯＳトランジスタからなり、ＭＯＳトランジスタＭ２４は通常のＮ型ＭＯＳトランジスタからなる。 - 特許庁

The opening 24 is formed above a spacing region, i.e. the region between the P type diffusion layer 16 and the N type diffusion layer 18.例文帳に追加

開口２４は、Ｐ型拡散層１６とＮ型拡散層１８との間の領域である間隔領域の上部に形成されている。 - 特許庁

A P-type buried region 2 is formed in the interior of an extension drain region 3 and an N-type heavily doped region 1 is formed over the region 2.例文帳に追加

延長ドレイン領域３の内部にＰ型埋込領域２を形成し、その上方にＮ型高濃度領域１を形成する。 - 特許庁

The source 16c of the drive transistor comprises a p-type impurity layer, and the well contact region comprises an n-type impurity layer.例文帳に追加

駆動トランジスタのソース１６ｃは、ｐ型不純物層から構成され、ウエルコンタクト領域は、ｎ型不純物層から構成されている。 - 特許庁

The plug connector P is provided with a plug shell, having an approximately square cylindrical male-type opening 20, to be inserted into the female-type opening 10.例文帳に追加

プラグコネクタＰは、メス型口部１０内に挿入される略四角筒状のオス型口部２０が形成されたプラグシェルを備える。 - 特許庁

Preferably, the first material layer 53 is made of a p-type thermoelectric material, and a second material layer 54 is made of a n-type thermoelectric material.例文帳に追加

第１材料層５３はｐ型熱電材料から成り、第２材料層５４はｎ型熱電材料から成ることが好ましい。 - 特許庁

In the n-type regions, silicon is introduced as an impurity, and in the p-type regions 106, zinc is introduced as an impurity.例文帳に追加

また、ｎ型領域１０５はシリコンが不純物として導入され、ｐ型領域１０６は亜鉛が不純物として導入されている。 - 特許庁

An n-type clad layer 21, an active layer 25 and a p-type clad layer 23 are arranged in the direction of a normal axis NX of a principal surface 17a.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２１、活性層２５及びｐ型クラッド層２３は主面１７ａの法線軸ＮＸの方向に配置される。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the step of forming a first N-type semiconductor diffused layer 6 in a shallow region (small sectional area) on a P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上の浅い領域（断面積が小さい）に第１Ｎ型半導体拡散層６を形成する。 - 特許庁

The inverter 2 has an n-type MIS transistor M2 and a p-type MIS transistor M4 whose drains are connected to the output node OUTT.例文帳に追加

インバータ２は、ドレインが出力ノードＯＵＴＴに接続されたｎ型ＭＩＳトランジスタＭ２及びｐ型ＭＩＳトランジスタＭ４を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a laminated structure of an n-type/p-type FET high in integration and low in lithography cost.例文帳に追加

集積度が高くリソグラフィーコストが低いｎ型及びｐ型ＦＥＴの積層構造を有した半導体装置を提供すること。 - 特許庁

On a surface layer on the side of the front surface S1 of the n-type semiconductor substrate 10, the p^+-type impurity semiconductor area 11 is formed.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１０の表面Ｓ１側における表層には、Ｐ^+型不純物半導体領域１１が形成されている。 - 特許庁

In particular, the operational amplifier 82-4 is composed of a push-pull type operational amplifier having a PMOS (p-type MOS transistor) buffer and is provided with a hysteresis comparator 90.例文帳に追加

特に、オペアンプ８２−４を、PMOSバッファを有するプッシュプル型のオペアンプで構成すると共に、ヒステリシス・コンパレータ９０を設けている。 - 特許庁

The p-type semiconductor and the n-type semiconductor each have a semiconductor material and a dopant attached to a surface of the semiconductor material.例文帳に追加

ｐ型半導体及びｎ型半導体は、それぞれ、半導体材料と、半導体材料の表面に付着したドーパントと、を有する。 - 特許庁

An impurity does not include a p-type dopant or an n-type dopant, but includes one or two or all of carbon, nitrogen and oxygen.例文帳に追加

不純物は、ｐ型ドーパントまたはｎ型ドーパントを含まず、炭素、窒素および酸素のうちいずれか１つ、２つまたはすべてである。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit 1 is provided with a semiconductor substrate 90, an n-type FET 10, a p-type FET 20, and capacitors 30, 40.例文帳に追加

半導体集積回路１は、半導体基板９０、Ｎ型ＦＥＴ１０、Ｐ型ＦＥＴ２０、およびキャパシタ３０，４０を備えている。 - 特許庁

A TCNQ layer 12 is formed to coat the upper section of the n-type silicon board 11 and the p-type impurity doping region 11a.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１１上及びｐ型不純物ドープ領域１１ａを覆うように、ＴＣＮＱ層１２が形成されている。 - 特許庁

Trenches 6a and 6b are made through the N type epitaxial layer 3 to reach a specified depth of the P type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ−型エピタキシャル層３を貫通しＰ−型シリコン基板１の所定の深さにまで達する溝６ａ、６ｂが形成されている。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor multilayer structure 2 includes: a light-emitting layer 10; an n-type semiconductor layer 11; and a p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、発光層１０と、ｎ型半導体層１１と、ｐ型半導体層１２とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high performance n-type MOSFET and a low threshold value voltage and a p-type MOSFET.例文帳に追加

高性能で且つしきい値電圧の低いｎ型ＭＯＳＦＥＴ及びｐ型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A trench type MOSFET 30 is formed in a structure, comprising a P-type epitaxial layer 34 constituting the upper layer of an N+-substrate 32.例文帳に追加

トレンチ形ＭＯＳＦＥＴ３０は、Ｎ＋基板３２の上層をなすＰ型エピタキシャル層３４を含む構造体内に形成される。 - 特許庁

Finally, the n-type and p-type thermoelectric semiconductor pieces are exposed at the opposite ends and connected in series through an electrode thus forming a thermoelectric element.例文帳に追加

最後に、ｎ型とｐ型の熱電半導体素片の両端を露出させ、電極で直列接続して熱電素子を形成する。 - 特許庁

Also, a high-density n-type diffusion layer 10 surrounding the p-type diffusion layer 9 which is an anode region of the diode is formed.例文帳に追加

また、このダイオードのアノード領域であるｐ型拡散層９の周囲を囲むように高濃度のｎ型拡散層１０を形成する。 - 特許庁

This semiconductor device consists of a P-type silicon substrate 11 and an epitaxial layer 12, which is formed on the silicon substrate 11 and composed of N-type silicon.例文帳に追加

Ｐ型のシリコン基板１１と、このシリコン基板１１上に形成させたＮ型のシリコンからなるエピタキシャル層１２とからなる。 - 特許庁

To reutilize an FRP waste material by synthesizing P-type zeolite or X-type zeolite by reacting the FRP waste material as a main raw material.例文帳に追加

ＦＲＰ廃材を主原料として反応させ、Ｐ型ゼオライト或いはＸ型ゼオライトを合成して、再利用できるようにすること。 - 特許庁

A gate insulating film 5 and gate electrode 7a, 7b are formed on a p-type well 3 and an n-type well 4 formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１のｐ型ウェル３およびｎ型ウェル４上にゲート絶縁膜５、ゲート電極７ａ、７ｂを形成する。 - 特許庁

For a scanning electrode driving IC of a p type semiconductor substrate, a fluctuating power supply level shifter IC is manufactured with an n type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｐ型半導体基板の走査電極駆動ＩＣに対して、ｎ型半導体基板で揺動電源レベルシフタＩＣを作製する。 - 特許庁

The n-type semiconductor region is provided in the surface of the p-type semiconductor layer between the drain region and the insulator.例文帳に追加

前記ｎ形半導体領域は、前記ドレイン領域と前記絶縁体との間の前記ｐ形半導体層の表面に設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an approximately intrinsic, single crystal GaN film being selectively doped to an n-type or a p-type.例文帳に追加

真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。 - 特許庁