「P-Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

An n^+-type source region 18 and a p^+-type region 19 are formed on the p-type base layer 11.例文帳に追加

ｐ型ベース層１１上にはｎ^+型ソース領域１８とｐ^+型領域１９とが形成されている。 - 特許庁

The p-type organic layer forms an NP junction between the n-type organic layer and the p-type organic layer.例文帳に追加

ｐ型有機物層は、ｎ型有機物層とｐ型有機物層との間でＮＰ接合を形成する。 - 特許庁

The p-type layers 2 and 12 are formed on the primary surface 11A of the n-type substrate 11, and the conductive type of the layers is p type.例文帳に追加

ｐ型層２、１２は、ｎ型基板１１の主表面１１Ａ上に形成され、導電型がｐ型である。 - 特許庁

A p-type well 22 is arranged on an n-type substrate 21.例文帳に追加

Ｎ型基板２１上に、Ｐ型ウエル２２が配置される。 - 特許庁

In includes a p-type charge pump and an n-type charge pump.例文帳に追加

これはｐ型電荷ポンプ及びｎ型電荷ポンプを含む。 - 特許庁

Then an n-type electrode 15 is formed on the n-type semiconductor layer 11 exposed by removing the layers and a p-type electrode 16 is formed on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記p型半導体層およびi型半導体層を除去して露出したn型半導体層の上にn型電極15が設けられ、前記p型半導体層上にp型電極16が設けられている。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体の成長方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GaN-BASED BASE MATERIAL例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系基材の製造方法 - 特許庁

The p-type body region 50a and a p-type base region 220 are connected electrically.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域５０ａと、ｐ型ベース領域２２０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

The p-type drain region 230 and a p-type base region 220 are connected electrically.例文帳に追加

ｐ型ドレイン領域２３０と、ｐ型ベース領域２２０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

The p-type deep well region 5a is adjacent to at least the p-type well region 2.例文帳に追加

ｐ型深ウェル領域５ａは、少なくともｐ型ウェル領域２と接している。 - 特許庁

A p-type electrode 46 is electrically connected to the p-type GaN contact layer 36.例文帳に追加

ｐ型電極４６がｐ型ＧａＮコンタクト層３６に電気的に接続されている。 - 特許庁

The p layer 3 consists of p-type a-Si:H, the n layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

A p-type contact electrode 5 is formed on the surface of the p-type silicon carbide region 4.例文帳に追加

ｐ型炭化ケイ素領域４の表面にｐ型コンタクト電極５が形成されている。 - 特許庁

The (p) layer 3 consists of p-type a-Si:H, the (n) layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

The p-type body region 50a is electrically connected to a p-type base region 220.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域５０ａと、ｐ型ベース領域２２０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 includes a plurality of quantum dots 31 made of p-type Si.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ型Ｓｉからなる複数の量子ドット３１を含む。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR DISPERSING ELEMENT, P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER, PN JUNCTION, AND ENERGY CONVERTER例文帳に追加

Ｐ型半導体分散体、Ｐ型半導体層、ＰＮ接合体及びエネルギー変換体 - 特許庁

The gate electrodes 15 and 25 are constituted of p-type SiGe or p-type Ge.例文帳に追加

ゲート電極１５，２５はｐ型ＳｉＧｅまたはｐ型Ｇｅにより構成されている。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 7 is formed into a p-type semiconductor having a first concentration.例文帳に追加

ｐ型半導体層７は、第１の濃度を有するｐ型半導体に形成されている。 - 特許庁

An insulating layer 222 is provided between the p-type electrode 230 and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型電極２３０とｐ型半導体層の間に絶縁層２２２が設けられている。 - 特許庁

tariquidar is a type of multidrug resistance inhibitor and a type of p-glycoprotein antagonist. 例文帳に追加

タリキダルは多剤耐性阻害薬の一種であり、p糖蛋白拮抗薬の一種でもある。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

Si of 1×1016 cm^-3 to 1×1018 cm^-3 is contained in a p-type layer.例文帳に追加

p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。 - 特許庁

The p-side electrode 15 is connected to the p-type surface 20ap.例文帳に追加

ｐ側電極１５は、ｐ型表面２０ａｐに接続されている。 - 特許庁

The p-type AlGaAs layer 18 is isolated by etching, and this etching is stopped in the undoped AlGaAs resistive layer 17 between the p-type AlGaAs layers 18.例文帳に追加

p型AlGaAs層１８の分離はエッチングにて行われており、このエッチングがp型AlGaAs層１８間のアンドープAlGaAs抵抗層１７で止まっている。 - 特許庁

A P-type source region 6 and a P-type drain region 7 are arranged in opposition in a second direction at right angles to the first direction.例文帳に追加

P形ソ−ス領域６とP形ドレイン領域７とは第１の方向に直角な第２の方向において対向配置されている。 - 特許庁

To provide a method for epitaxially growing a p-type compound semiconductor thin film.例文帳に追加

pタイプ化合物半導体薄膜の結晶成長させる方法。 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

To provide a p-type wide gap semiconductor having a new structure.例文帳に追加

新規な構成を有するp型ワイドギャップ半導体を提供する。 - 特許庁

A p-side electrode 15 is formed on a p-type GaN layer.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ層１３上にｐ側電極１５を形成する。 - 特許庁

The p-side electrode 17p is provided on the p-type region.例文帳に追加

ｐ側電極１７ｐは、ｐ型領域の上に設けられている。 - 特許庁

A reflection layer 25, a p-type first layer 24, an n-type second layer 23, a p-type third layer 22 and an n-type fourth layer 21 are successively formed on a p-type substrate 51.例文帳に追加

ｐ型基板５１上に、反射層２５、ｐ型の第１層２４、ｎ型の第２層２３、ｐ型の第３層２２、ｎ型の第４層２１が順次形成されている。 - 特許庁

To reduce area by providing deep n-type wells at the middle of a p-type semiconductor substrate, p-type wells contacting the above n-type wells and n-type wells contacted of the above p-type wells.例文帳に追加

半導体基板の中部に深いウエルを有する場合、面積低減ができ、しかも高性能な半導体素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The second protective element 28 is a p-n diode constituted on an n-type well and a p+-type diffused region 32 provided in the p-type well and lets positive charges escape to a p-side substrate via a leakage current from the p-n junction between the n-type well and p-type substrate.例文帳に追加

第２の保護素子は、ｎウエルと、ｎウエル内に設けられたｐ^+ 拡散領域３２とから構成されたｐｎダイオードであって、ｎウエルとｐ型基板との間のｐｎ接合間リーク電流を介して正の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁

A P-type well layer 2 is formed on a P-type silicon substrate 1, and a gate finger-type N-channel transistor 3 is formed on the P-type well layer 2.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１上にＰ型ウェル層２が形成され、Ｐ型ウェル層２上にゲートフィンガー型のＮチャネルトランジスタ３が形成されている。 - 特許庁

A p^+-type diffusion layer 6 is formed on a crust part of a p^--type substrate 5, and an n^--type epitaxial layer 7 is formed on the p^+-type diffusion layer 6.例文帳に追加

Ｐ^-型の基板５の表層部にＰ^+型拡散層６が形成され、このＰ^+型拡散層６上にＮ^-型エピタキシャル層７が形成されている。 - 特許庁

A p-type anode area 7 and an n-type short area 9 adjacent to the p-type anode area 7 are formed on the surface layer of the p-type diffusion area 5.例文帳に追加

ｐ形拡散領域５の表面層にｐ形アノード領域７とこのｐ形アノード領域７と隣接してｎ形ショート領域９を形成する。 - 特許庁

The p type frame part 30 is formed by p type silicon, the n type inversion part 35 is inverted to an n type in conductivity by impurity and the p+ type electric circuit 36, is further made a p+ type by impurity.例文帳に追加

ｐ型の枠部３０はｐ型シリコンで形成されており、ｎ型の反転部３５は不純物によりｎ型に導電性が反転されており、ｐ^+型の電路３６はさらに不純物によりｐ^+型になっている。 - 特許庁

A ridge Ri is formed which comprises the p-type clad layer 104, the p-type contact layer 105, and the p-type ohmic electrode 106.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１０４、ｐ型コンタクト層１０５およびｐ型オーミック電極１０６からなるリッジ部Ｒｉが形成されている。 - 特許庁

The p-type window layer 8 is made of a conductive p-type GaP transmitting an infrared ray and doped with zinc as a p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ウインドウ層８は、赤外線を透過でき、ｐ型のドーパントとして亜鉛がドープされた導電性のｐ型ＧａＰからなる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING p-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL例文帳に追加

ｐ型熱電変換材料の製造方法 - 特許庁

The p+ type impurity region 33 has a higher impurity concentration than the p-type well 29 and the p+ type impurity region 33 is formed shallower than the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^+型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁

The p type frame part 30 and the p type electrode 32 are insulated across a groove part 600 and the p type electrode 32 is electrically connected with the p+ type electric circuit 36.例文帳に追加

ｐ型の枠部３０とｐ型の電極３２とは溝部６００を隔てて絶縁されており、ｐ型の電極３２はｐ^+型の電路３６とのみ電気的に接続されている。 - 特許庁

The multilayer film 25 consisting of the two p-type AlInAs layers and the one p-type AlAs layer is formed into the constitution of a multilayer film formed by making the p-type AlAs layer 25b interpose between the p-type AlInAs layers 25a.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層／ｐ−ＡｌＡｓ層の多層膜２５は、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２５ａの間にｐ−ＡｌＡｓ層２５ｂを介在させた多層膜の構成になっている。 - 特許庁

The semiconductor layer is composed of an n-type GaN layer (n-type semiconductor layer) 22 and a p-type GaN layer (p-type semiconductor layer) 23.例文帳に追加

この半導体層は、ｎ型ＧａＮ層（ｎ型半導体層）２２と、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型半導体層）２３とからなる。 - 特許庁