「RCn」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The sound signals in (n) channels level-adjusted by the circuits 18(1) to 18(n) are recorded in parallel to recording tracks RC1 to RCn for a RAM 16.例文帳に追加

回路１８（１）〜１８（ｎ）でレベル調整されたｎチャンネルの音信号をＲＡＭ１６の記録トラックＲＣ１〜ＲＣｎに並列的に記録する。 - 特許庁

A charge resistance value Rcn when a positive electrode side ground fault resistance voltage VC1n is set by a closed circuit in Fig.5(c) becomes R1+RLn.例文帳に追加

図５（ｃ）の閉回路によりに正極側地絡抵抗電圧ＶＣ１ｎが設定されるときの充電抵抗値ＲｃｎはＲ１＋ＲＬｎとなる。 - 特許庁

A 'POB_-RCN' in management information of the still picture object (POB) shows whether a display of the POB is specified with DPLGI, PLGI, or TKGI and when it is specified, its specified frequency is described.例文帳に追加

静止画オブジェクト(POB)の管理情報内にある『POB_RCN』フィールドは、POBの表示がDPLGI、PLGI、TKGIにより指定されているか否かを示し、指定されている場合、その指定回数が記述される。 - 特許庁

The headers made to include the number-of-copying-times management information DRM- PCM and DRM-RCN from the input terminal 2 are supplied to an adder 10 in a header forming circuit 3.例文帳に追加

ヘッダ作成回路３では、入力端子２からのコピー回数管理情報ＤＲＭ−ＰＣＮ、ＤＲＭ−ＲＣＮを含んで作られたヘッダが加算器１０へ供給される。 - 特許庁

A non-volatile semiconductor memory element FM having a floating gate is provided with memory cell arrays RCA-RCN for storing redundant relieving address storing a defective address of a semiconductor memory element MEM.例文帳に追加

フローティングゲートを有する不揮発性半導体記憶素子ＦＭに、半導体記憶素子ＭＥＭの不良アドレスを記憶する冗長救済アドレス記憶用メモリセルアレイＲＣＡ〜ＲＣＮを設ける。 - 特許庁

The data on the content from a CD, CD-ROM, etc., are supplied to an input terminal 1 and the number-of-copying-times management information DRM-PCM and DRM-RCN are supplied to the input terminal 2.例文帳に追加

入力端子１にＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭなどからのコンテンツのデータが供給され、入力端子２に、コピー回数管理情報ＤＲＭ−ＰＣＮ、ＤＲＭ−ＲＣＮが供給される。 - 特許庁

A data receiving apparatus 50 is provided with a PLL circuit 1, a first phase-compensation circuit 2, a second phase-compensation circuit 3, an S/P converter circuit 4, a receiver RC, a receiver RC1, a receiver RC2, and a receiver RCn.例文帳に追加

データ受信装置５０には、ＰＬＬ回路１、第１の位相補整回路２、第２の位相補整回路３、Ｓ／Ｐ変換回路４、レシーバＲＣ、レシーバＲＣ１、レシーバＲＣ２、及びレシーバＲＣｎが設けられる。 - 特許庁

The method for producing the N-alkylborazine is characterized by having a step for reacting borane (BH_3) complex or diborane (B_2H_6) with a nitrile represented by RCN (wherein R is H, alkyl, cycloalkyl, aryl or aralkyl) to synthesize the N-alkylborazine, wherein the reaction is carried out in a solvent.例文帳に追加

ボラン（ＢＨ_３）錯体またはジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）と、ＲＣＮ（Ｒは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはアラルキル基である）で表されるニトリルとを反応させてＮ−アルキルボラジンを合成する段階を有し、溶媒中で反応が行われることを特徴とする、Ｎ−アルキルボラジンの製造方法である。 - 特許庁

Information S1/S2, which is required for generating a correction coefficient K, can be obtained by read circuits RC1-RCn+1 of which the number is larger than the number of pixels by one, thus sharply reducing the circuit area as compared with a case where read circuits that are two times larger than the number of pixels are provided to generate the correction coefficient K.例文帳に追加

画素の数より１つ多い読み出し回路（ＲＣ１〜ＲＣｎ＋１）を用いて補正係数Ｋの生成に必要な情報（Ｓ１／Ｓ２）を得ることができるため、補正係数Ｋを生成するために画素数の２倍の読み出し回路を設ける場合に比べて、回路面積を大幅に減少させることができる。 - 特許庁

The method for producing the N-alkylborazine is characterized by having a step for reacting borane (BH_3) complex or diborane (B_2H_6) with a nitrile represented by RCN (wherein R is H, alkyl, cycloalkyl, aryl or aralkyl) to synthesize the N-alkylborazine, wherein the nitrile having a water content of ≤1 mass% is used for the reaction.例文帳に追加

ボラン（ＢＨ_３）錯体またはジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）と、ＲＣＮ（Ｒは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはアラルキル基である）で表されるニトリルとを反応させてＮ−アルキルボラジンを合成する段階を有し、水分含量が１質量％以下の前記ニトリルが反応に用いられることを特徴とする、Ｎ−アルキルボラジンの製造方法である。 - 特許庁